JPS60192328A - 成膜方法 - Google Patents

成膜方法

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JPS60192328A
JPS60192328A JP59047181A JP4718184A JPS60192328A JP S60192328 A JPS60192328 A JP S60192328A JP 59047181 A JP59047181 A JP 59047181A JP 4718184 A JP4718184 A JP 4718184A JP S60192328 A JPS60192328 A JP S60192328A
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JP
Japan
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liquid
film
cylinder
liquids
single molecular
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Pending
Application number
JP59047181A
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English (en)
Inventor
Yoshinori Tomita
佳紀 富田
Hiroshi Matsuda
宏 松田
Yukio Nishimura
征生 西村
Yutaka Hirai
裕 平井
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
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Pending legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/18Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
    • B05D1/20Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping substances to be applied floating on a fluid
    • B05D1/202Langmuir Blodgett films (LB films)
    • B05D1/206LB troughs
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1)技術分野 本発明は成膜方法に関する。
(2)背景技術 従来、液面−Lに展開された単分子膜を、その支持体で
ある固体担体の表面上に移しとることにより、該担体上
に単分子膜又は単分子累積膜から成る薄膜を成膜する方
法(所謂、ラングミュア・プロジェット法)が知られて
いるが、この方法は、固体担体へ単分子膜を移し取る方
法にしたがって、第1図ないし第3図に示す垂直浸漬法
、水平付着法および円筒回転法の3つに大別される。
第1図に例示した垂直浸漬法は、平板状等の所望の形状
をした固体担体を、単分子膜の展開されている液面上を
横切るように上下させることによって、固体担体上に単
分子膜又は単分子累積膜を成膜する方法である。この垂
直浸漬法では、固体担体を上下するための上下装置が比
較的構造が簡単にすむという長所がある代りに、単分子
膜の固体担体上への累積率が悪いという問題があっ′た
″第2図に例示した水平付着法は、平板状等の固体担体
を単分子膜の展開されている液面上に平行に接触させる
ことにより、固体担体上に単分子膜又は単分子累積膜を
成膜する方法である。この水平付着法では、累積率はほ
ぼ100%であるが、固体担体の上下装置が複雑になる
という問題があった。
円筒回転法は、円筒状等の固体担体を、単分子膜の展開
されている液面上で回転させることにより、円筒形相体
上に単分子膜又は単分子累積膜を成膜する方法である。
この円筒回転法では上記の2法とは異り、第3図(a)
〜(c)で示す如く円筒を境界として左右に異なる単分
子膜を展開すれば1回の動作で単分子膜を累積すること
ができるという長所がある。しかしながら、円筒回転法
では以下のような問題があった。
例えば第3図(a)の如く、円筒中心Cがほぼ液面と同
じ高さにある時には、円筒への単分子膜の移しとりの様
子は垂直浸漬法と同様であり、累積率が低下してしまう
また、第3図(b)の如く、円筒中心Cが液面より高い
場合にも累積率は低下してしまう。これは、次のような
理由による。円筒2より左側にある黒丸で示した分子1
2が液面から円筒2に移し取られる際には、移し取られ
る部分における分子の動きを説明するために示した第3
図(f)における如くに、黒丸分子はわずかに回転する
(θ<90°)だけであり、従って円筒2上に無理なく
付着することができ、この部分の累積率は大となる。し
かしながら、右側の白丸で示した分子11は、第3図(
g)に示す如くに相当回転(θン80°)する。円筒中
心Cが液面より高ければ高いほど回転は大となる。この
急激な回転によって単分子に無理がかかること、また液
面上の(図中6で示した分子の直線部分)と円筒2上の
分子の疎水基同志が向き合う度合が大となり、円筒2上
の分子が液面上の分子に引っ張られ剥離しやすくなるこ
と等により累積率が小となり、全体としては累積率が低
下してします。
また、第3図(C)の如く、円筒中心Cが液面より低い
場合には、第3図(b)と逆で、円筒2より右側にある
白丸で示した分子は累積率が高く(第3図(h)参照)
、左側にある黒丸で示した分子は累積率が低下してしま
う(第3図(i)参照)。上述した如く円筒回転法では
、円筒2を境界として区分されている単分子膜を同時に
移し取ろうとする場合には、累積率の点で問題があった
(3)発明の開示 本発明は上記の事実に鑑み成されたものであって、本発
明の目的は上記問題点を解消し、更には供することにあ
る。
本発明の」−記目的は、以下の本発明によって達成され
る。
分子を展開する液面に高低差を設け、前記分子から成る
単分子膜又は単分子累積膜を担体」二に成膜させること
を特徴とする成膜方法。
(4)発明を実施するための最良の形態以下、第4図〜
第6図に示す、実施例装置をもとにして、本発明の方法
について詳細に説明する。尚、以下の例では説明を簡略
化するため、担体を円筒とした場合について主として説
明する。
第4図〜第6図は、本発明に係る成膜装置の実施例であ
り。その略示的縦断面図を示している。
第4図〜第6図において、3.4はその表面に単分子膜
を形成させる液体、例えば水、エタノール等であり、l
は液体3.4を溜めるための容器である。2は円筒形相
体であり、着脱可能な固定機構(不図示)により容器l
に保持され、モーター等の駆動手段(不図示)により正
逆回転可能にされている。
5は容器l内の液体3,4を円筒2を境界として区分す
るためのしきり板、例えばゴムブレード、テフロンブレ
ード等である。6は浸透圧の高い液体、7は浸透圧の低
い液体、8はしきり板5と同様に容器l内の液体6,7
を円筒2を境界として区分するための半導膜である。9
は3,4と同様に単分子膜を展開する液体、lOは9よ
り比重が小さくかつ分子を溶解しない液体である。
以下、第4図〜第6図の順にしたがって、本発明の方法
について説明する。
第4図の装置は、単分子膜の展開される液面に高低差を
つけるための手段として、しきり板を利用した例である
。第4図の装置においては、円筒2を図のようにセット
した後、円筒2およびしきり板5によって区分される容
器l内のそれぞれの部分A、Hに、液面の高低差が生じ
るように不図示の注入口から液体3および4を注入する
。図では容器l内の部分Bに入れられている液体3の液
面を、Aに入れられている液体4の液面よりも低くしで
ある。液体3,4を注入した後、単分子膜を液体3,4
のそれぞれの液面上に展開して1円筒2を図の矢印方向
(反時計方向)に回転させれば、円筒z上に累積率の向
上したしかも所望の累積度の単分子膜から成る単分子累
積膜を得ることができる。すなわち、従来例では液面差
がないために、第3図に示した如く、液面から単分子膜
を移し取る際の分子の回転が円筒2の回転方向の一方の
側では大きくなるために、累積率が低下していたが、−
に記構酸によれば A、B両方の部分で分子の回転を小
さくすることができるので累積率の向上をはかることが
できる。従って、容器1内の部分Bに入れる液体4の液
面を、Aに入れる液体3の液面よりも低くするのであれ
ば、円筒2の回転方向を図の如く反時計方向とし、一方
、液体4の液面を液体3の液面より高くするのであれば
、円筒2の回転方向を時計方向とするのが好ましい。
容器l内の部分A、Hに液面の高低差が生じるように入
れられる液体3,4の量としては1例えば液面高い方の
液体、図ではAの側の液体3があまり多すぎると液体3
及びその上に展開されている分子11がオーバーフロー
して、液面の低い方の液体、図では液体4及びその上に
展開されている分子12に混入してしまい、また液体4
があまり少なすぎると、円筒2と液体の接触面積が少な
くなって累積率が下がるし、液体4をさらに少なくする
と液体4と円筒2が接触しなくなるので、円筒の半径を
rとすると液体3.4の液面の高さり、h’は、円筒中
心Cを基準として(1/3 ) rと(2/3) rの
間とするのが好ましい。もちろんhとhoは同じ値とす
ることもできるし、異る値とすることも可能である。
容器l内の部分A、Hに入れる液体3.4としては、所
望に応じて上記のような水、エタノール等を使用するこ
とが可能であるが、液体3.4を同じものとすることも
できるし、また異る液体を使用してもよい。液体3,4
に展開する11.12としては、液体3,4上に単分子
膜を形成し得る分子、例えばその分子内に親木基および
疎水基を有するような分子であれば使用することができ
るが、2液体3.4に展開する分子は同じものとしても
よいし、異る種類の分子とすることもできる。もちろん
、2種以上の分子を液体3,4上に展開して混合単分子
累積膜を成膜する等のことも可能である。
なお、仕切り板5は、液体3と液体4が、容器l内の部
分AとBとの間を移動しないようにする為のものである
ので、ゴムブレードあるいはテフロンブレーどなどの気
密性の高いものを用いるのが好ましい。
第5図の装置は、単分子膜の展開される液面に高低差を
つけるための手段として浸透圧の差を利用した例である
。このため、本例においては第4図におけるしきり板5
に相当する部分を半透膜8とし、該半透膜8と円筒2と
で容器l内をA、82つの部分に区分し、AおよびBの
どちらか一方に入れる液体を浸透圧の低い液体(図では
Bに入れられている液体7を浸透圧の低い液体としであ
る)とし、もう一方に入れる液体を浸透圧の高い液体(
図ではAに入れられている液体6)とすることで、容器
1内の液体6,7に液面差を生じさせ、第5図における
と同様の成膜を可能としたものである。
一般に浸透圧差によって生じる液面の高低差は、浸透圧
の高い液体、本例の場合液体6の体積に反比例するので
、浸透圧の高い液体を入れる方の容器l、円筒2及び半
透膜8によって囲まれる部分、本例の場合はAの体積を
浸透圧の低い液体を入れる方の体積、本例の場合はBよ
り小さくするのが好ましい。浸透圧の高い液体としては
、水などの溶媒に、その溶媒に可溶の溶質1例えば砂糖
や金属塩などを溶かした溶液等が利用し得るものとして
挙げられ、浸透圧の低い液体7としては、I上記の水な
どの溶媒が利用し得るものとして挙げられるが、液体6
の溶媒と液体7の溶媒は同一とするのが好ましい。また
、本例の場合にも第4図におけると同様に、液体6及び
液体7の液面の高さh及びhoは1円筒2の半径rに対
し、円筒中心Cを基準として、(1/3) rと(2/
3) rの間とするのが好ましい、また、浸透圧は溶液
の濃度に比例するので、液面の高低差の調節は、溶液6
の濃度を変化させる事により行なうのが簡便である。
さらに、半透膜8は、溶媒のみを透過し、溶液中の溶質
を透過しないものを、溶媒にあわせて適宜選択すること
ができるが、例えばコロジオン膜等、一般に広く知られ
ているものを適宜使用することが可能である。また半透
膜8は、第4図における仕切り、輯5と同様に液体6と
液体7どの混入を防止する5目的もあるので、第5図に
おけると同様に半透膜8と円筒2の間にすき間ができな
いようにしである。
第6図の装置は、単分子膜の展開される液面に高低差を
つけるための手段として、液体の比重差を利用した例で
ある。第6図の装置においては、第4図におけるしきり
板5をなくし、単分子膜の展開される液面(図では液体
9の液面)を区分し、該液面に分子を展開した後、円筒
2で区分される液面のどちらか一方の側(図に向って左
側)に単分子膜の展開されている液体9よりも比重の1 軽い液体(図では液体10)を入れることで、容器l内
の単分子膜が展開される液体9に液面差を生じさせ、第
4図におけると同様の成膜を可能にしたものである。
すなわち液体9は、分子11.12をその表面に展開す
るための液体であり、液体lOは液体9に液面差を生じ
させるための液体である。従って、液体10としては液
体9よりも比重が軽くかつ液体10と9との界面に展開
されている分子12を溶かすことなく、しかも液体9と
混じりあわず液体9との境界に単分子膜を形成し得る液
体を用いる必要がある。単分子膜を展開する液体9とし
ては前述の水等が利用し得るが、液体9に液面差を生じ
させる液体10としては石油エーテル等が利用し得るも
のとして挙げられる。
尚、前記実施例以外にも、例えば円筒2で区分される容
器1のそれぞれの部分を気密構造としてl圧力差を利用
する事により液面に高低差をつける等の事も可能である
。また、上記実施例では円筒2を1つとしであるが、容
器l内に複数の円肯2 を並列に設置する等の事も可能である。以上、担体を円
筒形担体とした場合を例として本発明の詳細な説明した
が、本発明の方法を行うための装置は上記例に限定され
るものでないことは言うまでもない。また、担体として
も、上記円筒の他、角柱状、球状等の担体、あるいはこ
れら担体上に着脱可能に取り付けたシート状の担体等に
も同様のことが言える。更にはシート状等の担体を、例
えばベルトコンベアにおけるように2つの円筒間にわた
して成膜する等の場合についても同様のことが言える。
また、連続シート状等の担体をロール状に巻き取り、こ
れを2木の円筒間にわたして連続的に成膜する等の場合
にも同様のことが言える。
以上に説明した如く、本発明によれば単分子膜の展開さ
れる液面に高低差が設けられているので、液面から単分
子膜を移し取る際の分子の回転を小さくすることができ
、累積率の向上が可能となった。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第3図は、それぞれ順に垂直浸漬法、水平付着
法および円筒回転法における成膜状態を説明する図、第
4図〜第6図は本発明の方法を行うための成膜装置の実
施例の略示的縦断面図である。 1−−一容器 2−m−円筒 3 、4 、6 、7 、9 、10−m−液体5.1
4−一−Lきり板 8−m−半透膜 11、12−−− 分子 13−m−平板状担体 第3図(。) 第3図(b) 第3図( 第3図(C) g) 第3図(h) 第3図(i) 第6図 19A−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 分子を展開する液面に高低差を設け、前記分子から成る
    単分子膜又は単分子累積膜を担体上に成膜させることを
    特徴とする成膜方法。
JP59047181A 1984-03-14 1984-03-14 成膜方法 Pending JPS60192328A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59047181A JPS60192328A (ja) 1984-03-14 1984-03-14 成膜方法

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JP59047181A JPS60192328A (ja) 1984-03-14 1984-03-14 成膜方法

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JPS60192328A true JPS60192328A (ja) 1985-09-30

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ID=12767909

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JP59047181A Pending JPS60192328A (ja) 1984-03-14 1984-03-14 成膜方法

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JP (1) JPS60192328A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0191428A (ja) * 1987-10-02 1989-04-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 単分子累積膜形成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0191428A (ja) * 1987-10-02 1989-04-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 単分子累積膜形成方法

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