JPH0748490B2 - 単分子累積膜形成方法 - Google Patents
単分子累積膜形成方法Info
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- JPH0748490B2 JPH0748490B2 JP62250091A JP25009187A JPH0748490B2 JP H0748490 B2 JPH0748490 B2 JP H0748490B2 JP 62250091 A JP62250091 A JP 62250091A JP 25009187 A JP25009187 A JP 25009187A JP H0748490 B2 JPH0748490 B2 JP H0748490B2
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- JP
- Japan
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- film
- monomolecular
- forming
- substrate
- cumulative
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
- B05D1/185—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping applying monomolecular layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、化学吸着法とラングミュア・ブロジェット法
を併用して、任意の基板上に単分子累積膜を形成する方
法に関し、絶縁膜，保護膜等として半導体産業全般に利
用できるものである。
を併用して、任意の基板上に単分子累積膜を形成する方
法に関し、絶縁膜，保護膜等として半導体産業全般に利
用できるものである。
従来の技術 従来、ラングミュア・ブロジェット法は、半導体分野や
バイオテクノロジー分野などの研究を行う上での高分子
材料の薄膜化形成の手法としての研究がなされている。
例えば、半導体分野においては、ウェハー製造プロセス
における超高分野能のレジストとして、オレフィン系の
長鎖脂肪酸の単分子膜（あるいは累積膜）を用いて紫外
線や電子線などをパターン状に照射重合し、パターン形
成する方法などが研究されている。
バイオテクノロジー分野などの研究を行う上での高分子
材料の薄膜化形成の手法としての研究がなされている。
例えば、半導体分野においては、ウェハー製造プロセス
における超高分野能のレジストとして、オレフィン系の
長鎖脂肪酸の単分子膜（あるいは累積膜）を用いて紫外
線や電子線などをパターン状に照射重合し、パターン形
成する方法などが研究されている。
発明が解決しようとする問題点 一般に、ラングミュア・ブロジェット法によって形成さ
れた累積膜は、膜と膜の間あるいは累積膜と基板との間
の密着力が弱いという欠点をもっている。そのため、膜
と膜の間についてはエネルギー感応性基を含む物質で膜
を形成し、エネルギー線を照射することにより重合させ
たり、膜内に塩（Ca2+など）を含ませるなどして密着力
を向上させているが、基板との密着性については未だ解
決されていない。
れた累積膜は、膜と膜の間あるいは累積膜と基板との間
の密着力が弱いという欠点をもっている。そのため、膜
と膜の間についてはエネルギー感応性基を含む物質で膜
を形成し、エネルギー線を照射することにより重合させ
たり、膜内に塩（Ca2+など）を含ませるなどして密着力
を向上させているが、基板との密着性については未だ解
決されていない。
問題点を解決するための手段 本発明は上述のような、従来の問題点に鑑みなされたも
のである。すなわち、任意の基板上に、エネルギー感応
性基を分子末端にそれぞれもつ、シラン系単分子吸着膜
とラングミュア・ブロジェット膜とを累積形成し、エネ
ルギー線を照射することにより、基板と累積膜の間、及
び膜間で極めて高い密着性をもつ単分子累積膜を形成す
る事を特徴とするものである。
のである。すなわち、任意の基板上に、エネルギー感応
性基を分子末端にそれぞれもつ、シラン系単分子吸着膜
とラングミュア・ブロジェット膜とを累積形成し、エネ
ルギー線を照射することにより、基板と累積膜の間、及
び膜間で極めて高い密着性をもつ単分子累積膜を形成す
る事を特徴とするものである。
作用 本発明により、基板と累積膜との間、及び膜間において
極めて高い密着性をもつ単分子累積膜を形成することが
できる。
極めて高い密着性をもつ単分子累積膜を形成することが
できる。
実施例 本発明の実施例を第１図に基づいて説明する。第１図に
おいて、SiO2の形成されたSi基板１の上に化学吸着法に
より、シラン界面活性剤（たとえば、CH2＝CH−(CH2)n
−SiCl5（ｎは整数、10ないし20））を用い、基板１の
表面で反応させ の単分子吸着膜２を形成する。例えば、2.0×10-3〜5.0
×10-2Mol/lの濃度で溶かした80％ｎ−ヘキサン,12％四
塩化炭素,8％クロロホルム溶液中に浸漬し、SiO2表面で の結合３を形成する。ここで第２図に示すように、単分
子吸着膜２のビニル基４は基板表面に並んで成膜されて
いる。
おいて、SiO2の形成されたSi基板１の上に化学吸着法に
より、シラン界面活性剤（たとえば、CH2＝CH−(CH2)n
−SiCl5（ｎは整数、10ないし20））を用い、基板１の
表面で反応させ の単分子吸着膜２を形成する。例えば、2.0×10-3〜5.0
×10-2Mol/lの濃度で溶かした80％ｎ−ヘキサン,12％四
塩化炭素,8％クロロホルム溶液中に浸漬し、SiO2表面で の結合３を形成する。ここで第２図に示すように、単分
子吸着膜２のビニル基４は基板表面に並んで成膜されて
いる。
次に、第３図に示すようにラングミュア・ブロジェット
法により、長鎖脂肪酸（たとえば、CH2＝CH−(CH2)n−C
OOHや、CH2＝CH−(CH2)n−OH（ｎは整数、10ないし2
0））を用い、単分子吸着膜２の上に単分子膜５を形成
する。ここで第４図に示すように、単分子膜５のビニル
基６と単分子吸着膜２のビニル基４は、互いに向い合う
形でまた、単分子膜５のカルボキシル基７は、それぞれ
基板表面に並んで成膜されている。そこで次に、第５図
に示すように電子ビーム等のエネルギー線を膜全面に照
射することにより、ビニル基４とビニル基６の二重結合
は互いに結合しあい、架橋部分９が形成される（第６
図）。
法により、長鎖脂肪酸（たとえば、CH2＝CH−(CH2)n−C
OOHや、CH2＝CH−(CH2)n−OH（ｎは整数、10ないし2
0））を用い、単分子吸着膜２の上に単分子膜５を形成
する。ここで第４図に示すように、単分子膜５のビニル
基６と単分子吸着膜２のビニル基４は、互いに向い合う
形でまた、単分子膜５のカルボキシル基７は、それぞれ
基板表面に並んで成膜されている。そこで次に、第５図
に示すように電子ビーム等のエネルギー線を膜全面に照
射することにより、ビニル基４とビニル基６の二重結合
は互いに結合しあい、架橋部分９が形成される（第６
図）。
次に、第１図の工程を再び行うことによって、第7,8図
に示すように単分子膜５の上に単分子吸着膜10を形成す
る。すなわち、この工程で、３層の単分子膜が累積形成
されたことになる。
に示すように単分子膜５の上に単分子吸着膜10を形成す
る。すなわち、この工程で、３層の単分子膜が累積形成
されたことになる。
以下同様に第３図，第５図，第７図の工程をくり返すこ
とにより、基板と累積膜の間、及び膜間で極めて高い密
着性をもつ単分子累積膜が形成できることになる。
とにより、基板と累積膜の間、及び膜間で極めて高い密
着性をもつ単分子累積膜が形成できることになる。
発明の効果 本発明によれば、分子オーダーでピンホールがなく、し
かも非常に強固な単分子累積膜の形成が可能である。
かも非常に強固な単分子累積膜の形成が可能である。
第１図〜第８図は本発明の一実施例の単分子累積膜形成
方法を示す工程図で、第１図，第３図，第５図，第７図
は基板の断面図、第２図，第４図，第６図，第８図はそ
れぞれ第１図，第３図，第５図，第７図のA,B,C,D部の
拡大図である。 １……基板、2,10……単分子吸着膜、３……結合、4,6
……ビニル基、５……単分子膜、７……カルボキシル
基、８……エネルギー線、９……架橋部分。
方法を示す工程図で、第１図，第３図，第５図，第７図
は基板の断面図、第２図，第４図，第６図，第８図はそ
れぞれ第１図，第３図，第５図，第７図のA,B,C,D部の
拡大図である。 １……基板、2,10……単分子吸着膜、３……結合、4,6
……ビニル基、５……単分子膜、７……カルボキシル
基、８……エネルギー線、９……架橋部分。
Claims (4)
- 【請求項１】任意の基板上に、第１の単分子膜として化
学吸着法によるシラン系単分子吸着膜を、第２の単分子
膜としてラングミュア・プロジェット法による単分子膜
とを、少くとも２種類以上組み合わせて累積する単分子
累積膜形成方法。 - 【請求項２】第１の単分子膜と、第２の単分子膜が交互
に累積形成されている特許請求の範囲第１項記載の単分
子累積膜形成方法。 - 【請求項３】第１の単分子膜が、基板表面に接している
特許請求の範囲第１項記載の単分子累積膜形成方法。 - 【請求項４】第１の単分子膜と、第２の単分子膜がエネ
ルギー線照射によって化学結合している特許請求の範囲
第１項記載の単分子累積膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62250091A JPH0748490B2 (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 単分子累積膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62250091A JPH0748490B2 (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 単分子累積膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0191428A JPH0191428A (ja) | 1989-04-11 |
| JPH0748490B2 true JPH0748490B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=17202680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62250091A Expired - Lifetime JPH0748490B2 (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 単分子累積膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748490B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001030512A2 (en) * | 1999-10-27 | 2001-05-03 | Novartis Ag | Coating process |
| SK2152003A3 (en) * | 2000-08-24 | 2003-08-05 | Novartis Ag | Process for surface modifying substrates and modified substrates resulting therefrom |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60192328A (ja) * | 1984-03-14 | 1985-09-30 | Canon Inc | 成膜方法 |
-
1987
- 1987-10-02 JP JP62250091A patent/JPH0748490B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0191428A (ja) | 1989-04-11 |
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