JPH0178167U - - Google Patents

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JPH0178167U
JPH0178167U JP1987172285U JP17228587U JPH0178167U JP H0178167 U JPH0178167 U JP H0178167U JP 1987172285 U JP1987172285 U JP 1987172285U JP 17228587 U JP17228587 U JP 17228587U JP H0178167 U JPH0178167 U JP H0178167U
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ion source
ion
section
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  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案イオン源のグリツドの一実施例
を示す断面図、第2図は本考案に係るイオンビー
ムエツチング装置の一例を示す説明図、3図a,
bはそれぞれ従来のイオン源のグリツド部の一例
を示す正面図及びその断面図、第4図a,bは第
3図bにおけるA部及びB部の詳細断面図である
。 1…孔、2…絶縁板、23…グリツド、25…
サプレツサグリツド、13…エツチング室、14
…試料、15…試料保持部、16…イオンビーム
、17…中和フイラメント、19…陽極部、20
…陰極部、21…ガス入口、22…イオンビーム
発生室。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ガス入口21を有するイオンビーム発生室22
    内に、陽極部19と、陰極部20と、この陰極部
    20の前方に加速グリツド26とサプレツサグリ
    ツド25により形成されたグリツド23とを配置
    してイオン源を構成し、ガス入口21よりガスを
    導入し、陽極部19と陰極部20間に電圧を加え
    て放電を行い、この放電により生じたガスプラズ
    マから上記グリツド23及びエツチング室13内
    の中和フイラメント17を通してイオンビームを
    取出し、試料14に当てて物理的にエツチングを
    行うイオンビームエツチング装置において、イオ
    ン源の一構成部品であるグリツド23は無数の孔
    1を有する絶縁板2の両面にエツチングされにく
    い導電材よりなる加速グリツド26とサプレツサ
    グリツド25を添設してなるものとしたイオンビ
    ームエツチング装置のイオン源。
JP1987172285U 1987-11-10 1987-11-10 Pending JPH0178167U (ja)

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