JPH0154908B2 - - Google Patents
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- JPH0154908B2 JPH0154908B2 JP56115484A JP11548481A JPH0154908B2 JP H0154908 B2 JPH0154908 B2 JP H0154908B2 JP 56115484 A JP56115484 A JP 56115484A JP 11548481 A JP11548481 A JP 11548481A JP H0154908 B2 JPH0154908 B2 JP H0154908B2
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- Japan
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- time
- signal
- circuit
- accumulation time
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B7/00—Control of exposure by setting shutters, diaphragms or filters, separately or conjointly
- G03B7/08—Control effected solely on the basis of the response, to the intensity of the light received by the camera, of a built-in light-sensitive device
- G03B7/091—Digital circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は入射光を光電変換して時系列画像信号
を得るための固体撮像デバイスから暗電流や飽和
状態に影響されない適切な信号レベルの画像情報
信号を出来るだけ短時間に得るための撮像装置に
関するものである。
を得るための固体撮像デバイスから暗電流や飽和
状態に影響されない適切な信号レベルの画像情報
信号を出来るだけ短時間に得るための撮像装置に
関するものである。
近年電荷結合デバイス（CCD）の如き固体撮
像素子の一次元又は２次元配列よりなるデバイス
が各方面に利用されるようになつてきたが、固体
撮像素子は入射光の強度に対して直線的に比例す
る出力信号を生ずるので、ダイナミツクレンジが
狭く、これを広い範囲の入射光に対して応動させ
るために、素子の飽和に影響される上限および暗
電流等の雑音に影響される下限の基準信号レベル
を画像信号レベル判別回路により判別し、画像情
報信号が所定の信号レベルの範囲内に納まるよう
に、蓄積時間設定回路により素子の電荷蓄積時間
を段階的に切換えてダイナミツクレンジを拡大す
る方法が提案されている。
像素子の一次元又は２次元配列よりなるデバイス
が各方面に利用されるようになつてきたが、固体
撮像素子は入射光の強度に対して直線的に比例す
る出力信号を生ずるので、ダイナミツクレンジが
狭く、これを広い範囲の入射光に対して応動させ
るために、素子の飽和に影響される上限および暗
電流等の雑音に影響される下限の基準信号レベル
を画像信号レベル判別回路により判別し、画像情
報信号が所定の信号レベルの範囲内に納まるよう
に、蓄積時間設定回路により素子の電荷蓄積時間
を段階的に切換えてダイナミツクレンジを拡大す
る方法が提案されている。
従来は、この蓄積時間設定回路の最初の蓄積時
間として、最長蓄積時間または最短蓄積時間ある
いは中間の蓄積時間に予め設定していた。このよ
うにすると、例えば最初の蓄積時間として最短蓄
積時間に設定したシステムでは、被写体が暗い場
合は画像信号レベル判別回路および蓄積時間設定
回路を介して順次蓄積時間を長くする方へ切換え
て行つて適切な信号レベルの画像信号が得られる
までに可成りの時間を要するものであつた。
間として、最長蓄積時間または最短蓄積時間ある
いは中間の蓄積時間に予め設定していた。このよ
うにすると、例えば最初の蓄積時間として最短蓄
積時間に設定したシステムでは、被写体が暗い場
合は画像信号レベル判別回路および蓄積時間設定
回路を介して順次蓄積時間を長くする方へ切換え
て行つて適切な信号レベルの画像信号が得られる
までに可成りの時間を要するものであつた。
本発明は上記の如き従来方式の欠点を除いた装
置を得んとするもので、撮像装置において、被写
体像に応じた電気信号を所定時間蓄積しその後読
み出すことにより画像情報信号を形成する撮像手
段と、被写体の明るさに応じた検出出力を前記撮
像手段に先立つて逐次出力する光電変換素子を含
む測光手段と、前記測光手段の出力により前記撮
像手段における画像情報信号の蓄積時間を制御す
ると共にその後前記撮像手段の出力により前記撮
像手段における画像情報信号の蓄積時間を制御す
ることにより、前記撮像手段における画像情報信
号のレベルが適正レベルとなるよう制御する制御
手段と、を有するものである。これにより、撮像
開始に際しては光電変換素子の逐次出力を用いて
いるので極めて短時間にほぼ適正な撮像時間に画
像情報信号が得られるとともに、その後は撮像手
段の出力を用いて蓄積時間制御を行なうので極め
て精度の良い制御が可能になるものである。
置を得んとするもので、撮像装置において、被写
体像に応じた電気信号を所定時間蓄積しその後読
み出すことにより画像情報信号を形成する撮像手
段と、被写体の明るさに応じた検出出力を前記撮
像手段に先立つて逐次出力する光電変換素子を含
む測光手段と、前記測光手段の出力により前記撮
像手段における画像情報信号の蓄積時間を制御す
ると共にその後前記撮像手段の出力により前記撮
像手段における画像情報信号の蓄積時間を制御す
ることにより、前記撮像手段における画像情報信
号のレベルが適正レベルとなるよう制御する制御
手段と、を有するものである。これにより、撮像
開始に際しては光電変換素子の逐次出力を用いて
いるので極めて短時間にほぼ適正な撮像時間に画
像情報信号が得られるとともに、その後は撮像手
段の出力を用いて蓄積時間制御を行なうので極め
て精度の良い制御が可能になるものである。
以下図面によつて本発明を詳細に説明する。第
１図は固体撮像デバイスの蓄積時間制御方法を説
明するための概略図である。図において、VMAX
及びVMINは素子が直線的に動作する上限及び下
限の基準信号レベルであり、被写体に対応する画
像情報信号がこの上限及び下限の基準信号レベル
の間に入るように蓄積時間がt1からt8まで切換え
られる様子を示したものである。
１図は固体撮像デバイスの蓄積時間制御方法を説
明するための概略図である。図において、VMAX
及びVMINは素子が直線的に動作する上限及び下
限の基準信号レベルであり、被写体に対応する画
像情報信号がこの上限及び下限の基準信号レベル
の間に入るように蓄積時間がt1からt8まで切換え
られる様子を示したものである。
第２図は、本発明を一眼レフカメラの距離検出
装置に適用した場合のカメラの概略図である。図
において、LSは撮影レンズ、QMは中央部に光
透過部を有するクイツクリターンミラー、SMは
補助ミラーであり、該補助ミラーで反射した光束
がプリズムPMに入り３光束に分けられ、フイル
ム面FPと共役な位置及び前後に配設された距離
検出用固体撮像素子SD１，SD２，SD３に被写
体の像を結像する。FSはピント板、CLはコンデ
ンサレンズ、PNはペンタプリズム、ELはアイピ
ースレンズ、MLは測光用集光レンズであり測光
用光電変換素子PEに光を集める。MTは表示用
メーターである。図に破線で示したように、測光
用光電変換素子PEの出力により距離検出用固体
撮像素子SD１，SD２，SD３の蓄積時間の初期
セツトを行うようになつている。
装置に適用した場合のカメラの概略図である。図
において、LSは撮影レンズ、QMは中央部に光
透過部を有するクイツクリターンミラー、SMは
補助ミラーであり、該補助ミラーで反射した光束
がプリズムPMに入り３光束に分けられ、フイル
ム面FPと共役な位置及び前後に配設された距離
検出用固体撮像素子SD１，SD２，SD３に被写
体の像を結像する。FSはピント板、CLはコンデ
ンサレンズ、PNはペンタプリズム、ELはアイピ
ースレンズ、MLは測光用集光レンズであり測光
用光電変換素子PEに光を集める。MTは表示用
メーターである。図に破線で示したように、測光
用光電変換素子PEの出力により距離検出用固体
撮像素子SD１，SD２，SD３の蓄積時間の初期
セツトを行うようになつている。
第３図は本発明による方式を用いた距離検出装
置を有するカメラの一実施例を示す回路接続図で
ある。図に於いて、SD３はフイルム面FPと共役
の位置に配設された距離検出用固体撮像素子であ
り、SD３の出力により、固体撮像素子SD１〜
SD３の蓄積時間を制御する場合の例である。
置を有するカメラの一実施例を示す回路接続図で
ある。図に於いて、SD３はフイルム面FPと共役
の位置に配設された距離検出用固体撮像素子であ
り、SD３の出力により、固体撮像素子SD１〜
SD３の蓄積時間を制御する場合の例である。
固体撮像素子SD３を構成するS1〜Snはｎ個の
画素から成る感光画素部、D1，D2は暗電流検出
用の例えばマスクMSによつて遮光されたダミー
画素部である。FA1，FA2…，FAm（ｍ＝ｎ＋
２）は感光画素部S1〜Sn及びダミー画像部D1，
D2に蓄えられた電荷を積分クリア信号ICGをハ
イ・レベルにすることによりクリアするための積
分クリアゲート、FB1，FB2，…，FBmは感光画
素部S1〜Snにその入射光の積分量に対応して蓄
えられた電荷及びダミー画素部D1，D2に蓄えら
れた暗電流に対応する電荷を電荷転送用アナロ
グ・シフト・レジスタCA1〜CA2mに移送するた
めの電荷移送用ゲートである。アナログ・シフ
ト・レジスタCA1〜CA2mの出力電荷は抵抗R1，
R2，R3及びFET FC1，FC2より成る電荷電圧変
換回路を介して、電圧情報として出力される。
画素から成る感光画素部、D1，D2は暗電流検出
用の例えばマスクMSによつて遮光されたダミー
画素部である。FA1，FA2…，FAm（ｍ＝ｎ＋
２）は感光画素部S1〜Sn及びダミー画像部D1，
D2に蓄えられた電荷を積分クリア信号ICGをハ
イ・レベルにすることによりクリアするための積
分クリアゲート、FB1，FB2，…，FBmは感光画
素部S1〜Snにその入射光の積分量に対応して蓄
えられた電荷及びダミー画素部D1，D2に蓄えら
れた暗電流に対応する電荷を電荷転送用アナロ
グ・シフト・レジスタCA1〜CA2mに移送するた
めの電荷移送用ゲートである。アナログ・シフ
ト・レジスタCA1〜CA2mの出力電荷は抵抗R1，
R2，R3及びFET FC1，FC2より成る電荷電圧変
換回路を介して、電圧情報として出力される。
AG1は固体撮像素子SD３の出力のうちダミー
画素部D1，D2によつて得られる信号のみを取り
出すためのアナログ・ゲートであり、これに続く
ホールド用コンデンサＣ１、抵抗Ｒ４及びバツフ
ア増幅器BPは暗電流信号保持回路を構成する。
抵抗Ｒ４はコンデンサC1とともにロウ・パス・
フイルターを形成するための抵抗であり必ずしも
必要ではない。抵抗Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８及び
演算増幅器OP１は暗電流補償用差動回路として
の差動増幅回路を構成し、感光画素部S1〜Snに
よつて得られる暗電流成分を含む画像情報から上
記暗電流信号保持回路によつて保持されているダ
ミー画素Ｄ１，Ｄ２によつて得られた暗電流信号
成分を差し引くことにより、真の画像情報VFを
出力する。
画素部D1，D2によつて得られる信号のみを取り
出すためのアナログ・ゲートであり、これに続く
ホールド用コンデンサＣ１、抵抗Ｒ４及びバツフ
ア増幅器BPは暗電流信号保持回路を構成する。
抵抗Ｒ４はコンデンサC1とともにロウ・パス・
フイルターを形成するための抵抗であり必ずしも
必要ではない。抵抗Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８及び
演算増幅器OP１は暗電流補償用差動回路として
の差動増幅回路を構成し、感光画素部S1〜Snに
よつて得られる暗電流成分を含む画像情報から上
記暗電流信号保持回路によつて保持されているダ
ミー画素Ｄ１，Ｄ２によつて得られた暗電流信号
成分を差し引くことにより、真の画像情報VFを
出力する。
AG2は上記差動増幅回路の出力のうち、感光画
素部S1〜Snに対応した信号のみを取り出すため
のアナログ・ゲート、PDは該アナログ・ゲート
AG２を通じて得られる信号の例えばピーク値
（以下、VPと記す）を検出するためのピーク検出
回路（平均値を検出してもよい）、PHは該ピー
ク検出回路で検出されたピーク値VPをホールド
するためのピーク・ホールド回路、Ｒ９，Ｒ１
０，Ｒ１１は第１図で説明した上限及び下限の基
準電圧VMAX及びVMINを得るための分圧抵抗であ
る。CP１はピーク・ホールド・回路PHのホール
ド値VPを上限の基準電圧VMAXに対してVP＞
VMAXでハイ・レレベル信号を、VP≦VMAXでロ
ウ・レベル信号を出力するコンパレータ、CP２
は上記ホールド値VPを下限の基準電圧VMINに対
して比較してVP＜VMINでハイ・レベル信号を、
VP≧VMINでロウ・レベル信号を出力するコンパ
レータ、IV１はコンパレータCP１の出力を反転
させるためのインバータで、その出力は蓄積時間
設定用のアツプ・ダウン・カウンタUDC（ここで
は３ビツト構成のバイナリ・アツプ・ダウン・カ
ウンタである）のカウント・モード制御用の信号
として該アツプ・ダウン・カウンタUDCに附与
される。因みに該アツプ・ダウン・カウンタ
UDCはここではインバータIV１の出力のハイに
よりアツプ・カウント・モードとなり、ロウによ
りダウン・カウント・モードとなる様に設定され
ている。OR１はコンパレータCP１の出力とコン
パレータCP２の出力との論理和をとるためのオ
ア・ゲート、EXは上記アツプ・ダウン・カウン
タUDCの３ビツト出力Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３と上記
インバータIV１の出力との排他的論理和をとる
ためのイクスクルーシブ・オア・ゲート、AN１
は該オア・ゲートOR１の出力とイクスクルーシ
ブ・オア・ゲートEXの出力と更に後述するタイ
ミング・コントロール回路TCCからのカウント
用パルスCPとの論理積をとるためのアンド・ゲ
ートで、その出力は上記アツプ・ダウン・カウン
タUDCのカウント・クロツクとして該アツプ・
ダウン・カウンタUDCに附与される。尚、上記
イクスクルーシブ・オア・ゲートEXは蓄積時間
が最短時間t1または最長時間t8に設定された状態
で更に短時間または長時間へのシフト情報がコン
パレータCP１又はCP２から出力された場合にア
ツプ・ダウン・カウンタUDCのリセツトを防止
し、蓄積時間を現在設定されている最短又は最長
の蓄積時間に固定するためのものである。因みに
上記アツプ・ダウン・カウンタUDCの３ビツト
出力Q1〜Q3とこれによつて指定される上記８段
階の蓄積時間t1〜t8との対応関係は第４図に示す
如くである。
素部S1〜Snに対応した信号のみを取り出すため
のアナログ・ゲート、PDは該アナログ・ゲート
AG２を通じて得られる信号の例えばピーク値
（以下、VPと記す）を検出するためのピーク検出
回路（平均値を検出してもよい）、PHは該ピー
ク検出回路で検出されたピーク値VPをホールド
するためのピーク・ホールド回路、Ｒ９，Ｒ１
０，Ｒ１１は第１図で説明した上限及び下限の基
準電圧VMAX及びVMINを得るための分圧抵抗であ
る。CP１はピーク・ホールド・回路PHのホール
ド値VPを上限の基準電圧VMAXに対してVP＞
VMAXでハイ・レレベル信号を、VP≦VMAXでロ
ウ・レベル信号を出力するコンパレータ、CP２
は上記ホールド値VPを下限の基準電圧VMINに対
して比較してVP＜VMINでハイ・レベル信号を、
VP≧VMINでロウ・レベル信号を出力するコンパ
レータ、IV１はコンパレータCP１の出力を反転
させるためのインバータで、その出力は蓄積時間
設定用のアツプ・ダウン・カウンタUDC（ここで
は３ビツト構成のバイナリ・アツプ・ダウン・カ
ウンタである）のカウント・モード制御用の信号
として該アツプ・ダウン・カウンタUDCに附与
される。因みに該アツプ・ダウン・カウンタ
UDCはここではインバータIV１の出力のハイに
よりアツプ・カウント・モードとなり、ロウによ
りダウン・カウント・モードとなる様に設定され
ている。OR１はコンパレータCP１の出力とコン
パレータCP２の出力との論理和をとるためのオ
ア・ゲート、EXは上記アツプ・ダウン・カウン
タUDCの３ビツト出力Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３と上記
インバータIV１の出力との排他的論理和をとる
ためのイクスクルーシブ・オア・ゲート、AN１
は該オア・ゲートOR１の出力とイクスクルーシ
ブ・オア・ゲートEXの出力と更に後述するタイ
ミング・コントロール回路TCCからのカウント
用パルスCPとの論理積をとるためのアンド・ゲ
ートで、その出力は上記アツプ・ダウン・カウン
タUDCのカウント・クロツクとして該アツプ・
ダウン・カウンタUDCに附与される。尚、上記
イクスクルーシブ・オア・ゲートEXは蓄積時間
が最短時間t1または最長時間t8に設定された状態
で更に短時間または長時間へのシフト情報がコン
パレータCP１又はCP２から出力された場合にア
ツプ・ダウン・カウンタUDCのリセツトを防止
し、蓄積時間を現在設定されている最短又は最長
の蓄積時間に固定するためのものである。因みに
上記アツプ・ダウン・カウンタUDCの３ビツト
出力Q1〜Q3とこれによつて指定される上記８段
階の蓄積時間t1〜t8との対応関係は第４図に示す
如くである。
TCCは第５図に示すタイミングチヤートに従
い、各種制御パルス及び制御信号を発生するため
のタイミング・コントロール回路であり、CPは
固体撮像素子SD１〜SD３の信号を１回読み出す
毎に１回発生するアツプ・ダウン・カウンタ
UDCのカウント用パルス（即ち、蓄積時間制御
用パルス）、Aφ１は上記アナログ・ゲートAG１
を介して、１回の読み出し毎に暗電流検出に必要
な部分の信号、即ち、上記ダミー画素部Ｄ１，Ｄ
２に対応した信号を取り出すための、該アナロ
グ・ゲートAG１に対するゲート制御用信号、
Aφ２は上記アナログ・ゲートを介して、１回の
読み出し毎に上記差動増幅回路OP１の出力のう
ち、上記感光画素部Ｓ１〜Snに対応した信号を
取り出すための、該アナログ・ゲートAG２に対
するゲート制御用信号、φRは例えば各読み出し
の開始の直後に上記ピーク検出回路PDをリセツ
トするためのピーク・リセツト用制御信号、φH
は１回の読み出しの終了の度毎に上記ピーク検出
回路PDのリセツトされる以前のピーク検出値VP
をピーク・ホールド回路PHにホールドさせるた
めのピーク・ホールド用制御信号、SHは上記固
体撮像素子SD３における電荷移送用ゲートFB１
〜FBmに対するゲート制御用パルス（シフト・
パルス）、ICGは同じく積分クリア用ゲートFA１
〜FAmに対するゲート制御用信号（積分クリア
信号）、φ1，φ2は同じく電荷転送用アナログ・シ
フト・レジスタCA１〜CA２ｍに対する転送用ク
ロツク・パルス（即ち、ここではアナログ・シフ
ト・レジスタCA１〜CA２ｍは２相駆動型のもの
である。又、ここではシフト・パルスSHはφ1同
期である。）RSは同じく電荷−電圧変換回路
FET FC１に対するリセツト・パルスである。
なお上記のSH〜RSの信号は他の固体撮像素子
SD１およびSD２へも供給される。
い、各種制御パルス及び制御信号を発生するため
のタイミング・コントロール回路であり、CPは
固体撮像素子SD１〜SD３の信号を１回読み出す
毎に１回発生するアツプ・ダウン・カウンタ
UDCのカウント用パルス（即ち、蓄積時間制御
用パルス）、Aφ１は上記アナログ・ゲートAG１
を介して、１回の読み出し毎に暗電流検出に必要
な部分の信号、即ち、上記ダミー画素部Ｄ１，Ｄ
２に対応した信号を取り出すための、該アナロ
グ・ゲートAG１に対するゲート制御用信号、
Aφ２は上記アナログ・ゲートを介して、１回の
読み出し毎に上記差動増幅回路OP１の出力のう
ち、上記感光画素部Ｓ１〜Snに対応した信号を
取り出すための、該アナログ・ゲートAG２に対
するゲート制御用信号、φRは例えば各読み出し
の開始の直後に上記ピーク検出回路PDをリセツ
トするためのピーク・リセツト用制御信号、φH
は１回の読み出しの終了の度毎に上記ピーク検出
回路PDのリセツトされる以前のピーク検出値VP
をピーク・ホールド回路PHにホールドさせるた
めのピーク・ホールド用制御信号、SHは上記固
体撮像素子SD３における電荷移送用ゲートFB１
〜FBmに対するゲート制御用パルス（シフト・
パルス）、ICGは同じく積分クリア用ゲートFA１
〜FAmに対するゲート制御用信号（積分クリア
信号）、φ1，φ2は同じく電荷転送用アナログ・シ
フト・レジスタCA１〜CA２ｍに対する転送用ク
ロツク・パルス（即ち、ここではアナログ・シフ
ト・レジスタCA１〜CA２ｍは２相駆動型のもの
である。又、ここではシフト・パルスSHはφ1同
期である。）RSは同じく電荷−電圧変換回路
FET FC１に対するリセツト・パルスである。
なお上記のSH〜RSの信号は他の固体撮像素子
SD１およびSD２へも供給される。
尚、該タイミング・コントロール回路TCCは
アツプ・ダウン・カウンタUDCの出力Q1〜Q3に
よつて指示される時間情報に基づき固体撮像素子
SD１〜SD３の電荷蓄積時間の制御機能を司るも
のであるが、具体的には第５図中にｔで示す積分
クリア信号ICGのロウ・レベルへの立下りからシ
フト・パルスSHの立上りまでの期間をアツプ・
ダウン・カウンタUDCの出力Ｑ１〜Ｑ３の状態
に応じて上記のt1〜t3の８段階の間で制御するこ
とにより該蓄積時間の制御を具現するものであ
る。従つて、ここでは固体撮像素子SD１〜SD３
の実際の電荷蓄積時間は“上記の時間ｔ＋シフ
ト・パルスSHのハイ・レベル持続期間△ｔ”と
云うことになるものである。因みに上記固体撮像
素子SD１〜SD３は上述した様に２相駆動型のも
のであるが、その各画素の信号はここではφ1同
期で出力され、且つ、シフト・パルスSHと同期
してその出力が開始されるものである。
アツプ・ダウン・カウンタUDCの出力Q1〜Q3に
よつて指示される時間情報に基づき固体撮像素子
SD１〜SD３の電荷蓄積時間の制御機能を司るも
のであるが、具体的には第５図中にｔで示す積分
クリア信号ICGのロウ・レベルへの立下りからシ
フト・パルスSHの立上りまでの期間をアツプ・
ダウン・カウンタUDCの出力Ｑ１〜Ｑ３の状態
に応じて上記のt1〜t3の８段階の間で制御するこ
とにより該蓄積時間の制御を具現するものであ
る。従つて、ここでは固体撮像素子SD１〜SD３
の実際の電荷蓄積時間は“上記の時間ｔ＋シフ
ト・パルスSHのハイ・レベル持続期間△ｔ”と
云うことになるものである。因みに上記固体撮像
素子SD１〜SD３は上述した様に２相駆動型のも
のであるが、その各画素の信号はここではφ1同
期で出力され、且つ、シフト・パルスSHと同期
してその出力が開始されるものである。
さて以上の撮像装置の構成に対して、ここでは
本発明による改良に従つて、以下に説明する様な
蓄積時間の初期セツト機構が附加されている。
本発明による改良に従つて、以下に説明する様な
蓄積時間の初期セツト機構が附加されている。
第３図において、PEは測光用光電変換素子で
あり高入力インピーダンス演算増幅器MP１の入
力端子間に接続される。LD１は被写体の明るさ
に対応してPEに生ずる光電流を対数圧縮するた
めの対数圧縮素子CS１は定電流源であり、抵抗
R20とともに演算増幅器MP１の非反転入力端子
にバイアス電圧を供給する。R21〜R23は演算抵
抗、OP５は演算増幅器、CP５はコンパレータで
あり、Mg１は絞り制御用マグネツトである。
VR１はフイルム感度情報（Sv）からシヤツター
秒時情報（Tv）を差し引いたSv−Tv情報が設定
される可変抵抗であり、演算増幅器OP５でこれ
とMP１の出力である被写体の輝度情報とが演算
され、OP５の出力に絞り情報が出力される。該
絞り情報は、絞り情報表示用電流計MTで表示さ
れると共に、絞り調定部材に連動する可変抵抗器
VR２、コンパレータCP５およびマグネツトMg
１を介して被写体の輝度に対応した絞りが自動的
に設定される。上記OP５，CP５の非反転入力に
印加されるVcはバイアスレベル設定用の基準電
圧である。
あり高入力インピーダンス演算増幅器MP１の入
力端子間に接続される。LD１は被写体の明るさ
に対応してPEに生ずる光電流を対数圧縮するた
めの対数圧縮素子CS１は定電流源であり、抵抗
R20とともに演算増幅器MP１の非反転入力端子
にバイアス電圧を供給する。R21〜R23は演算抵
抗、OP５は演算増幅器、CP５はコンパレータで
あり、Mg１は絞り制御用マグネツトである。
VR１はフイルム感度情報（Sv）からシヤツター
秒時情報（Tv）を差し引いたSv−Tv情報が設定
される可変抵抗であり、演算増幅器OP５でこれ
とMP１の出力である被写体の輝度情報とが演算
され、OP５の出力に絞り情報が出力される。該
絞り情報は、絞り情報表示用電流計MTで表示さ
れると共に、絞り調定部材に連動する可変抵抗器
VR２、コンパレータCP５およびマグネツトMg
１を介して被写体の輝度に対応した絞りが自動的
に設定される。上記OP５，CP５の非反転入力に
印加されるVcはバイアスレベル設定用の基準電
圧である。
一方、VR３はシヤツター秒時設定部材に連動
する可変抵抗器であり、コンデンサＣ５と共に秒
時積分回路を構成する。SW１０はカウントスイ
ツチでありシヤツター先幕走行開始とほぼ同時に
オフになり、Ｃ５の端子電圧が一定値に達する
と、シユミツト・トリガー回路STが反転し、シ
ヤツター後幕制御用マグネツトMg２をオフし、
露光が終了する。
する可変抵抗器であり、コンデンサＣ５と共に秒
時積分回路を構成する。SW１０はカウントスイ
ツチでありシヤツター先幕走行開始とほぼ同時に
オフになり、Ｃ５の端子電圧が一定値に達する
と、シユミツト・トリガー回路STが反転し、シ
ヤツター後幕制御用マグネツトMg２をオフし、
露光が終了する。
さて以上の構成に於いて、先ずカメラの電源ス
イツチSW１を時刻T1でオンすると（第５図参
照）、カメラの露光量制御回路が作動を開始する
と共に、ワンシヨツト回路OSが時刻T1からT3の
間、高レベルとなるパルスを生ずる。またAD変
換器ADCが被写体輝度に対応する情報であるMP
１の出力のAD変換を開始する。AD変換器ADC
が時刻T2に於いて被写体輝度情報のAD変換を終
了すると、ED端子よりAD変換終了パルスを生
じ、アンドゲートAN２の出力により蓄積時間設
定用アツプダウンカウンタUDCのプリセツトイ
ネーブル端子PEを駆動して、被写体輝度に対応
する情報をUDCのO1，O2，O3端子に初期セツト
する。例えばAD変換器ADCのQ1，Q2，Q3端子
の出力が高レベル、低レベル、高レベルとする
と、アツプ・ダウンカウンターUDCの最初の蓄
積時間はt6となる（第４図参照）。
イツチSW１を時刻T1でオンすると（第５図参
照）、カメラの露光量制御回路が作動を開始する
と共に、ワンシヨツト回路OSが時刻T1からT3の
間、高レベルとなるパルスを生ずる。またAD変
換器ADCが被写体輝度に対応する情報であるMP
１の出力のAD変換を開始する。AD変換器ADC
が時刻T2に於いて被写体輝度情報のAD変換を終
了すると、ED端子よりAD変換終了パルスを生
じ、アンドゲートAN２の出力により蓄積時間設
定用アツプダウンカウンタUDCのプリセツトイ
ネーブル端子PEを駆動して、被写体輝度に対応
する情報をUDCのO1，O2，O3端子に初期セツト
する。例えばAD変換器ADCのQ1，Q2，Q3端子
の出力が高レベル、低レベル、高レベルとする
と、アツプ・ダウンカウンターUDCの最初の蓄
積時間はt6となる（第４図参照）。
一方電源スイツチSW１のオンによりタイミン
グ・コントロール回路TCCは時刻t1に固体撮像素
子SD１〜SD３に対し転送用クロツク・パルス
φ1，φ2及びリセツト・パルスRSの出力を開始す
ると共に、更に積分クリア信号ICGをハイと為し
て積分クリア用ゲートFA１〜FAmをオンと為す
ことによりその画素部Ｄ１，Ｄ２及びＳ１〜Sn
における発生電荷の蓄積を禁示する様になる。
グ・コントロール回路TCCは時刻t1に固体撮像素
子SD１〜SD３に対し転送用クロツク・パルス
φ1，φ2及びリセツト・パルスRSの出力を開始す
ると共に、更に積分クリア信号ICGをハイと為し
て積分クリア用ゲートFA１〜FAmをオンと為す
ことによりその画素部Ｄ１，Ｄ２及びＳ１〜Sn
における発生電荷の蓄積を禁示する様になる。
その後時刻T3でワンシヨツト回路OSの出力が
低レベルに反転すると、この信号に応答して第５
図に示す如く積分クリア信号ICGを直ちにロウと
為して積分クリア用ゲートFA１〜FAmをオフと
為すことにより画素部Ｄ１，Ｄ２及びＳ１〜Sn
での発生電荷の蓄積を開始させると共に、この時
の上記アツプ・ダウン・カウンタUDCの出力Ｑ
１〜Ｑ３によつて指示されている蓄積時間（即
ち、この場合は蓄積時間はt6である）の計時を開
始し、そして、この計時が終了するとシフト・パ
ルスSHを出力する様になる。従つて、この時点
で、電荷移送用ゲートFB１〜FBmがオンとなる
ことにより上記の計時が行われている間に画素部
Ｄ１，Ｄ２及びSD１〜SDnに蓄積された電荷が
該電荷移送用ゲートFB１〜FBmを通じて電荷転
送用アナログ・シフト・レジスタCA１〜CA２ｍ
の各対応するビツトに取り込まれた後、該アナロ
グ・シフト・レジスタCA１〜CA２ｍを通じて電
荷−電圧変換回路へ転送され、ここで電圧変換さ
れて電圧情報として出力される様になる。尚、タ
イミング・コントロール回路TCCはシフト・パ
ルスSHを出力するとその後、再び積分クリア信
号ICGをハイと為して積分クリア用ゲートFA１
〜FAmをオンと為すことにより画素部Ｄ１，Ｄ
２及びＳ１〜Snでの発生電荷の蓄積を禁止する
様になる。さてこの様にして固体撮像素子SD１
〜SD３から走査信号の出力が開始されると、該
走査信号の出力に際し、タイミング・コントロー
ル回路TCCは第５図に示す如くダミー画素部Ｄ
１，Ｄ２に対応した信号が出力されるタイミング
でアナログゲートAG１に対するゲート制御用信
号Aφ１をハイと為して該アナログ・ゲートAG
１をオンと為し、従つて、該ダミー画素部Ｄ１，
Ｄ２に対応した信号がコンデンサＣ１により固体
撮像素子SD３の暗電流信号としてホールドされ、
該ホールドされた暗電流信号はバツフア増幅器
BPを通じて差動増幅回路の一方の入力に附与さ
れる様になる。従つて、該差動増幅回路は続いて
その他方の入力に感光画素部Ｓ１〜Snに対応し
た信号を受けることにより該信号から上記暗電流
信号成分を差し引いた信号、即ち、暗電流補償さ
れた画像情報信号VFを出力する様になる。一方、
この時、タイミング・コントロール回路TCCは
第５図に示す如く固体撮像素子SD３から上記感
光画素部Ｓ１〜Snに対応した信号が出力される
期間、アナログ・ゲートAG２に対するゲート制
御用信号Aφ２をハイと為すことにより該アナロ
グ・ゲートAG２をオンと為し、従つて、差動増
幅回路の出力のうち、上記感光画素部Ｓ１〜Sn
に対応した出力がピーク検出回路PDに附与され
ることになる。該ピーク検出回路PDはタイミン
グ・コントロール回路TCCからの第５図に示す
如きリセツト信号φRにより例えば上記ダミー画
素部Ｄ１，Ｄ２に対応した信号が得られる期間に
おいて既にリセツトされており、そして、アナロ
グ・ゲートAG２を通じて上記感光画素部Ｓ１〜
Snに対応した差動増幅回路の出力を附与される
ことによりそのピーク値を検出する様になる。そ
して固体撮像素子SD３からの上記感光画素部Ｓ
１〜Snに対応した信号の出力が終了すると、こ
の時点でタイミング・コントロール回路TCCは
第５図に示す如くゲート制御用信号Aφ2をロウと
為してアナログ・ゲートAG2をオフと為すことに
よりピーク検出回路PDによるピーク値検出を終
了させると共に、その後、ピーク・ホールド回路
PHに対してホールド信号φHを附与してこの時点
での該ピーク検出回路PDのピーク検出出力VPを
ホールドさせる様になる。該ピーク・ホールド回
路PHにピーク値VPがホールドされると、コン
パレータCP１及びCP２は夫々該ホールドされた
ピーク値を上限及び下限の基準電圧VMAX及び
VMINに対して比較し、その比較結果をハイ又は
ロウの論理信号として出力する様になる。一般に
はカメラ内の測光用光電変換素子の出力によりカ
メラ内に配設された固体撮像デバイスの蓄積時間
の良好なる制御を行うことが出来るが、測光用光
電変換素子の測光部分と、固体撮像デバイスの撮
像部分とが同じでない場合には、測光用光電変換
素子の出力により制御された蓄積時間では固体撮
像デバイスから適切なる信号レベルの画像情報が
得られないことがある。
低レベルに反転すると、この信号に応答して第５
図に示す如く積分クリア信号ICGを直ちにロウと
為して積分クリア用ゲートFA１〜FAmをオフと
為すことにより画素部Ｄ１，Ｄ２及びＳ１〜Sn
での発生電荷の蓄積を開始させると共に、この時
の上記アツプ・ダウン・カウンタUDCの出力Ｑ
１〜Ｑ３によつて指示されている蓄積時間（即
ち、この場合は蓄積時間はt6である）の計時を開
始し、そして、この計時が終了するとシフト・パ
ルスSHを出力する様になる。従つて、この時点
で、電荷移送用ゲートFB１〜FBmがオンとなる
ことにより上記の計時が行われている間に画素部
Ｄ１，Ｄ２及びSD１〜SDnに蓄積された電荷が
該電荷移送用ゲートFB１〜FBmを通じて電荷転
送用アナログ・シフト・レジスタCA１〜CA２ｍ
の各対応するビツトに取り込まれた後、該アナロ
グ・シフト・レジスタCA１〜CA２ｍを通じて電
荷−電圧変換回路へ転送され、ここで電圧変換さ
れて電圧情報として出力される様になる。尚、タ
イミング・コントロール回路TCCはシフト・パ
ルスSHを出力するとその後、再び積分クリア信
号ICGをハイと為して積分クリア用ゲートFA１
〜FAmをオンと為すことにより画素部Ｄ１，Ｄ
２及びＳ１〜Snでの発生電荷の蓄積を禁止する
様になる。さてこの様にして固体撮像素子SD１
〜SD３から走査信号の出力が開始されると、該
走査信号の出力に際し、タイミング・コントロー
ル回路TCCは第５図に示す如くダミー画素部Ｄ
１，Ｄ２に対応した信号が出力されるタイミング
でアナログゲートAG１に対するゲート制御用信
号Aφ１をハイと為して該アナログ・ゲートAG
１をオンと為し、従つて、該ダミー画素部Ｄ１，
Ｄ２に対応した信号がコンデンサＣ１により固体
撮像素子SD３の暗電流信号としてホールドされ、
該ホールドされた暗電流信号はバツフア増幅器
BPを通じて差動増幅回路の一方の入力に附与さ
れる様になる。従つて、該差動増幅回路は続いて
その他方の入力に感光画素部Ｓ１〜Snに対応し
た信号を受けることにより該信号から上記暗電流
信号成分を差し引いた信号、即ち、暗電流補償さ
れた画像情報信号VFを出力する様になる。一方、
この時、タイミング・コントロール回路TCCは
第５図に示す如く固体撮像素子SD３から上記感
光画素部Ｓ１〜Snに対応した信号が出力される
期間、アナログ・ゲートAG２に対するゲート制
御用信号Aφ２をハイと為すことにより該アナロ
グ・ゲートAG２をオンと為し、従つて、差動増
幅回路の出力のうち、上記感光画素部Ｓ１〜Sn
に対応した出力がピーク検出回路PDに附与され
ることになる。該ピーク検出回路PDはタイミン
グ・コントロール回路TCCからの第５図に示す
如きリセツト信号φRにより例えば上記ダミー画
素部Ｄ１，Ｄ２に対応した信号が得られる期間に
おいて既にリセツトされており、そして、アナロ
グ・ゲートAG２を通じて上記感光画素部Ｓ１〜
Snに対応した差動増幅回路の出力を附与される
ことによりそのピーク値を検出する様になる。そ
して固体撮像素子SD３からの上記感光画素部Ｓ
１〜Snに対応した信号の出力が終了すると、こ
の時点でタイミング・コントロール回路TCCは
第５図に示す如くゲート制御用信号Aφ2をロウと
為してアナログ・ゲートAG2をオフと為すことに
よりピーク検出回路PDによるピーク値検出を終
了させると共に、その後、ピーク・ホールド回路
PHに対してホールド信号φHを附与してこの時点
での該ピーク検出回路PDのピーク検出出力VPを
ホールドさせる様になる。該ピーク・ホールド回
路PHにピーク値VPがホールドされると、コン
パレータCP１及びCP２は夫々該ホールドされた
ピーク値を上限及び下限の基準電圧VMAX及び
VMINに対して比較し、その比較結果をハイ又は
ロウの論理信号として出力する様になる。一般に
はカメラ内の測光用光電変換素子の出力によりカ
メラ内に配設された固体撮像デバイスの蓄積時間
の良好なる制御を行うことが出来るが、測光用光
電変換素子の測光部分と、固体撮像デバイスの撮
像部分とが同じでない場合には、測光用光電変換
素子の出力により制御された蓄積時間では固体撮
像デバイスから適切なる信号レベルの画像情報が
得られないことがある。
本発明は、これらの問題点を解決して、非常に
短時間に適切信号レベルの画像情報を得る方式を
提供するものであり、カメラ内に配設されている
露光量制御用の光電変換素子の出力により、蓄積
時間設定回路に最初の蓄積時間を設定し、これに
より出力される画像信号レベルが所定の信号レベ
ルの範囲に納まるかどうかを判別し、該画像信号
レベルが所定の信号レベルの範囲に入らない場合
のみ、蓄積時間設定回路を介して、該画像信号レ
ベルが所定の信号レベルの範囲に納まるように蓄
積時間の新たな設定を行なうものであり、これに
より非常に短時間に適切なる信号レベルの画像情
報が得られる。今、例えばピークホールド値VP
がVP＜VMINであつたとするとコンパレータCP１
の出力はロウ、コンパレータCP２の出力はハイ
となり、従つて、インバータIV１の出力がハイ
となることによりアツプ・ダウン・カウンタ
UDCがアツプ・カウント・モードに設定される
と共に、オア・ゲートOR１の出力がハイとな
り、又、この時、イクスクルーシブ・オア・ゲー
トEXの出力もハイとなる。従つて、ピーク・ホ
ールド回路PHによるピーク検出回路PDのピーク
検出出力VPのホールドの終了後、タイミング・
コントロール回路TCCより第５図に示す如くア
ツプ・ダウン・カウンタUDCに対するカウン
ト・パルスCPが出力されると、該カウント・パ
ルスCPはアンド・ゲートAN１を通じて該アツ
プ・ダウン・カウンタUDCのカウント入力に附
与されて該アツプ・ダウン・カウンタUDCが１
つカウント・アツプし、従つて、第４図に示すよ
うにその出力Ｑ１〜Ｑ３がハイ、ハイ、ロウの状
態となることにより、第４図に示す如く固体撮像
素子SPの指定蓄積時間が最短時間t6から次のt7に
切換えられることになる。従つて、タイミング・
コントロール回路TCCは次回の走査に際しては
積分クリア信号ICGのロウ・レベルへの立下りか
らシフト・パルスSHの立上りまでの期間ｔを時
間t7に従つて制御することにより固体撮像素子
SD１〜SD３の蓄積時間をt6からt7へ伸長させる
様になり、これより上記差動増幅回路を通じて得
られる画像情報信号VFのレベルが上昇させられ
る様になる。この蓄積時間の変更動作はVMIN≦
VP≦VMAXの状態が得られるまで繰り返され、そ
して最終的にVMIN≦VP≦VMAXの状態が得られる
様になると、この時点でコンパレータCP１及び
CP２の出力が共にロウとなることによりオア・
ゲートOR１の出力がロウとなつてタイミング・
コントロール回路TCCからのカウント・パルス
CPの、アツプ・ダウン・カウンタUDCに対する
附与がアンド・ゲートAN１により禁止され、従
つて、この時点で蓄積時間の変更が停止された蓄
積時間はこの適正な時間に維持されることにな
る。勿論、該適正な蓄積時間の下で走査が繰り返
される間に、再びVP＜VMINの状態を生ずれば、
上述の動作により蓄積時間は更に長い時間へと切
換えられる様になるし、また、逆にVP＞VMAXの
状態を生ずれば、コンパレータCP１の出力はハ
イ、コンパレータCP２の出力はロウとなつてイ
ンバータIV１の出力がロウとなることによりア
ツプ・ダウン・カウンタUDCがダウン・カウン
ト・モードに設定され、そしてタイミング・コン
トロール回路TCCからのカウント・パルスCPに
よつて１つカウント・ダウンすることにより蓄積
時間が短い時間へと１段切換えられる様になる。
斯くしてこの様な動作を通じて固体撮像素子SD
１〜SD３の蓄積時間は常に適正な時間、即ち、
VMIN≦VP≦VMAXと云う適正な画像信号レベルが
得られる様な時間に制御されることになる。
短時間に適切信号レベルの画像情報を得る方式を
提供するものであり、カメラ内に配設されている
露光量制御用の光電変換素子の出力により、蓄積
時間設定回路に最初の蓄積時間を設定し、これに
より出力される画像信号レベルが所定の信号レベ
ルの範囲に納まるかどうかを判別し、該画像信号
レベルが所定の信号レベルの範囲に入らない場合
のみ、蓄積時間設定回路を介して、該画像信号レ
ベルが所定の信号レベルの範囲に納まるように蓄
積時間の新たな設定を行なうものであり、これに
より非常に短時間に適切なる信号レベルの画像情
報が得られる。今、例えばピークホールド値VP
がVP＜VMINであつたとするとコンパレータCP１
の出力はロウ、コンパレータCP２の出力はハイ
となり、従つて、インバータIV１の出力がハイ
となることによりアツプ・ダウン・カウンタ
UDCがアツプ・カウント・モードに設定される
と共に、オア・ゲートOR１の出力がハイとな
り、又、この時、イクスクルーシブ・オア・ゲー
トEXの出力もハイとなる。従つて、ピーク・ホ
ールド回路PHによるピーク検出回路PDのピーク
検出出力VPのホールドの終了後、タイミング・
コントロール回路TCCより第５図に示す如くア
ツプ・ダウン・カウンタUDCに対するカウン
ト・パルスCPが出力されると、該カウント・パ
ルスCPはアンド・ゲートAN１を通じて該アツ
プ・ダウン・カウンタUDCのカウント入力に附
与されて該アツプ・ダウン・カウンタUDCが１
つカウント・アツプし、従つて、第４図に示すよ
うにその出力Ｑ１〜Ｑ３がハイ、ハイ、ロウの状
態となることにより、第４図に示す如く固体撮像
素子SPの指定蓄積時間が最短時間t6から次のt7に
切換えられることになる。従つて、タイミング・
コントロール回路TCCは次回の走査に際しては
積分クリア信号ICGのロウ・レベルへの立下りか
らシフト・パルスSHの立上りまでの期間ｔを時
間t7に従つて制御することにより固体撮像素子
SD１〜SD３の蓄積時間をt6からt7へ伸長させる
様になり、これより上記差動増幅回路を通じて得
られる画像情報信号VFのレベルが上昇させられ
る様になる。この蓄積時間の変更動作はVMIN≦
VP≦VMAXの状態が得られるまで繰り返され、そ
して最終的にVMIN≦VP≦VMAXの状態が得られる
様になると、この時点でコンパレータCP１及び
CP２の出力が共にロウとなることによりオア・
ゲートOR１の出力がロウとなつてタイミング・
コントロール回路TCCからのカウント・パルス
CPの、アツプ・ダウン・カウンタUDCに対する
附与がアンド・ゲートAN１により禁止され、従
つて、この時点で蓄積時間の変更が停止された蓄
積時間はこの適正な時間に維持されることにな
る。勿論、該適正な蓄積時間の下で走査が繰り返
される間に、再びVP＜VMINの状態を生ずれば、
上述の動作により蓄積時間は更に長い時間へと切
換えられる様になるし、また、逆にVP＞VMAXの
状態を生ずれば、コンパレータCP１の出力はハ
イ、コンパレータCP２の出力はロウとなつてイ
ンバータIV１の出力がロウとなることによりア
ツプ・ダウン・カウンタUDCがダウン・カウン
ト・モードに設定され、そしてタイミング・コン
トロール回路TCCからのカウント・パルスCPに
よつて１つカウント・ダウンすることにより蓄積
時間が短い時間へと１段切換えられる様になる。
斯くしてこの様な動作を通じて固体撮像素子SD
１〜SD３の蓄積時間は常に適正な時間、即ち、
VMIN≦VP≦VMAXと云う適正な画像信号レベルが
得られる様な時間に制御されることになる。
以上のようにして得られた固体撮像デバイス
SD１〜SD３よりの画像情報VF′，VF″、および
VFに基づいて、距離情報演算回路PCKで距離の
演算が行われ、撮像レンズが自動または手動によ
り、合焦位置に設定されるとPCKのED端子の出
力が高レベルとなり、シヤツター・レリーズが可
能になる。
SD１〜SD３よりの画像情報VF′，VF″、および
VFに基づいて、距離情報演算回路PCKで距離の
演算が行われ、撮像レンズが自動または手動によ
り、合焦位置に設定されるとPCKのED端子の出
力が高レベルとなり、シヤツター・レリーズが可
能になる。
この状態でシヤツター・レリーズボタン（不図
示）が押されると、スイツチSW２がオンし、イ
ンバータIV２およびアンドゲートAN３によりト
ランジスタTR１がオンするので、抵抗Ｒ２４を
介してコンデンサＣ６に貯えられている電荷が放
電し、マグネツトMg３が励磁されてカメラのレ
リーズが開始される。
示）が押されると、スイツチSW２がオンし、イ
ンバータIV２およびアンドゲートAN３によりト
ランジスタTR１がオンするので、抵抗Ｒ２４を
介してコンデンサＣ６に貯えられている電荷が放
電し、マグネツトMg３が励磁されてカメラのレ
リーズが開始される。
以上の如く本発明を使用すると非常に短時間に
適切なる信号レベルの画像情報を得ることが出来
るので、特に自動焦点カメラに本発明を適用した
場合、短時間に焦点合わせをし、撮影が出来る著
しい特徴があるものである。
適切なる信号レベルの画像情報を得ることが出来
るので、特に自動焦点カメラに本発明を適用した
場合、短時間に焦点合わせをし、撮影が出来る著
しい特徴があるものである。
しかも、最初は光電変換素子による測光情報に
基づき蓄積時間制御をする為、光電変換素子と撮
像手段との光電変換分光特性の差や像の入射特性
の差に応じた誤差により蓄積時間に若干誤差が生
じ得るが、その後は撮像手段の出力により蓄積時
間制御を行なうので最終的には高精度の蓄積時間
制御が可能となるものである。
基づき蓄積時間制御をする為、光電変換素子と撮
像手段との光電変換分光特性の差や像の入射特性
の差に応じた誤差により蓄積時間に若干誤差が生
じ得るが、その後は撮像手段の出力により蓄積時
間制御を行なうので最終的には高精度の蓄積時間
制御が可能となるものである。
第１図は固体撮像素子の電荷蓄積時間制御方法
を説明するための概略図、第２図は本発明による
蓄積時間制御方式を一眼レフレツクスカメラの距
離検出装置に適用した一実施例を示す略線図、第
３図は本発明による蓄積時間制御方式を用いたカ
メラの一実施例を示す回路接続図、第４図は第３
図示の３ビツトUDカウンターの出力と蓄積時間
との関係を示すタイミングチヤート、第５図は第
３図示のタイミングコントロール回路TCCによ
り発生する各種制御信号を示すタイミングチヤー
トである。 LS……撮影レンズ、QM……クイツクリター
ンミラー、SM……補助ミラー、PM……測距用
プリズム、FP……フイルム面、SD１，SD２，
SD３……測距用固定撮像素子、FS……焦点板、
CL……コンデンサレンズ、PN……ペンタプリズ
ム、EL……アイピースレンズ、PE……測光用光
電変換素子、ML……測光用集光レンズ、MT…
…表示用メーター、ADC……アナログ、デジタ
ル変換回路、UDC……アツプ・ダウンカウンタ
ー、TCC……タイミングコントロール回路、OS
……ワンシヨツト回路、AG１，AG２……アナ
ログゲート、PD……ピーク検出器、PH……ピー
クホールド回路、PCK……距離情報演算回路。
を説明するための概略図、第２図は本発明による
蓄積時間制御方式を一眼レフレツクスカメラの距
離検出装置に適用した一実施例を示す略線図、第
３図は本発明による蓄積時間制御方式を用いたカ
メラの一実施例を示す回路接続図、第４図は第３
図示の３ビツトUDカウンターの出力と蓄積時間
との関係を示すタイミングチヤート、第５図は第
３図示のタイミングコントロール回路TCCによ
り発生する各種制御信号を示すタイミングチヤー
トである。 LS……撮影レンズ、QM……クイツクリター
ンミラー、SM……補助ミラー、PM……測距用
プリズム、FP……フイルム面、SD１，SD２，
SD３……測距用固定撮像素子、FS……焦点板、
CL……コンデンサレンズ、PN……ペンタプリズ
ム、EL……アイピースレンズ、PE……測光用光
電変換素子、ML……測光用集光レンズ、MT…
…表示用メーター、ADC……アナログ、デジタ
ル変換回路、UDC……アツプ・ダウンカウンタ
ー、TCC……タイミングコントロール回路、OS
……ワンシヨツト回路、AG１，AG２……アナ
ログゲート、PD……ピーク検出器、PH……ピー
クホールド回路、PCK……距離情報演算回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被写体像に応じた電気信号を所定時間蓄積し
その後読み出すことにより画像情報信号を形成す
る撮像手段と、 被写体の明るさに応じた検出出力を前記撮像手
段に先立つて逐次出力する光電変換素子を含む測
光手段と、 前記測光手段の出力により前記撮像手段におけ
る被写体像に応じた電気信号の蓄積時間を制御す
ると共にその後前記撮像手段の出力により前記撮
像手段における被写体像に応じた電気信号の蓄積
時間を制御することにより、前記撮像手段におけ
る画像情報信号のレベルが適正レベルとなるよう
制御する制御手段と、を有する撮像装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115484A JPS5817786A (ja) | 1981-07-23 | 1981-07-23 | 撮像装置 |
| US06/398,810 US4523101A (en) | 1981-07-23 | 1982-07-16 | Image scanning system with signal integration time control |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115484A JPS5817786A (ja) | 1981-07-23 | 1981-07-23 | 撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5817786A JPS5817786A (ja) | 1983-02-02 |
| JPH0154908B2 true JPH0154908B2 (ja) | 1989-11-21 |
Family
ID=14663655
Family Applications (1)
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Also Published As
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