JPH0149265B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は式 （式中Ｒは水素原子又はアルキル基を示し、X₁
〜X₆水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基又はアミノ基を
示す）で表わされるインドール又はインドール誘
導体を酸の存在下、ラネーニツケル触媒により接
触還元を行わせることを特徴とする式 （式中Ｒ、X₁〜X₆は前記と同じものを意味す
る。） で表わされるインドール又はインドール誘導体の
製造方法に関するものである。

インドリン又はインドリン誘導体は医薬、農
薬、染料、高分子安定剤などの中間原料として重
要な化合物である。

従来インドール又はインドール誘導体の還元方
法については多くの研究が報告されている。特公
昭44−32781号ではインドール又はインドール誘
導体を亜沿アマルガムで還元しているが、亜沿ア
マルガムの製造、処理等に問題があり、工業的に
有利な方法とはいい難い。特公昭53−137958号で
はアミンボランと酸を使用しているが、水令下で
の操作法となり、アミンボランの分離等、工業的
規模での製造は容易ではない。一方接触還元では
一般に高圧が必要となる。例えばMagy・Kem・
Foly・73、114−８（1967）．ではラネーニツケル
触媒を使用して水素圧75〜85Kg／cm³−ゲージ、反
応温度90〜100℃で行つているが、高圧反応のた
め設備面で難点が生じ工業的に不利である。また
水素圧を高くするとベンゼン核が水添され易くな
り、オクタヒドロインドール誘導体が副生すると
共にピロール核が開裂してｏ−アルキルアニリン
が生じ目的とするインドールまたはインドール誘
導体の収率が著しく低下する傾向がある。

本発明者は上記のような欠点のない、しかも簡
単な操作で効率よく比較的短時間でインドリン又
はインドリン誘導体を製造する方法について種々
検討した結果、本発明を完成するにいたつた。

本発明によれば意外にも従来問題であつた一旦
生成したインドリンが脱水反応によりインドール
に戻ることもなく短時間に反応が完結し更に低圧
反応で十分なため核水添や、ピロール核の開裂を
抑制することが可能となり収率の低下がなく、高
純度、高収率で目的とするインドリン又はインド
リン誘導体を得ることができるようになつた。

本発明の式(1)で表わされる具体的な化合物とし
て、例えば１−メチル（またはエチル）インドー
ル、２−（または３−）メチルインドール、１，
２−ジメチルインドール、２−エチル−５−プロ
ピルインドール、３−イソプロピルインドール、
３−シクロヘキシルインドール、４−メチル（ま
たはエチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、メトキ
シエトキシ、クロル、ヒドロキシ、ニトロまたは
アミノ）インドール、５−（または６−、７−）
メチル（またはエチル、イソプロピル、ｔ−ブチ
ル、メトキシ、エトキシ、クロル、ヒドロキシ、
ニトロまたはアミノ）インドール、１，３，４，
６−テトラメチルインドールなどを挙げることが
できるがこれらに限定されるものではない。

本発明において、インドールまたはインドール
誘導体を反応機に仕込む方法は、溶融または適当
な溶媒とスラリーを作るか、溶媒に溶解して一括
仕込または反応進行中の反応系に連続的に仕込む
ことができる。

触媒として用いられるラネーニツケルは、各種
含量のニツケル−アルミニウム合金であり、場合
によりこれに数％の鉄、クロム、モリブデン、バ
ナジウム、タングステン、マンガン等の他種金属
を含むこともある。この合金を使用前に常法に従
つてアルカリ処理を施して使用する。あるいはラ
ネー合金から展開した市販のラネーニツケル触媒
（たとえば、川研フアインケミカル社製NDT−
90）であつても差支えない。本法で使用されるラ
ネーニツケル触媒の量は原料のインドール誘導体
に対して合金として10〜300％、好ましくは50〜
100％用いられる。

また、本発明に使用される酸としては工業的入
手し易い酸でよく、例えば塩酸、硫酸、リン酸等
の無機酸またはNaHPO₃などの酸性無機酸金属
塩、酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸、フエノー
ル、修酸、フタル酸等の有機酸、または酸性有機
酸金属塩、塩化チタン、塩化ニツケル等の酸性金
属塩等を挙げることができる。使用する量はイン
ドール又はインドール誘導体に対し0.1〜10倍当
量、好ましくは0.5〜３倍当量の範囲で選ぶこと
ができる。使用方法はそのまま、または水等の溶
媒に溶解して使用してもよい。仕込方法は反応中
連続的に添加してもよく、または反応前に一括し
て仕込んでもよく任意に選ぶことができる。

本発明で遂行される接触還元反応は通常常温〜
200℃の間の任意の温度において行なわれるが、
工業的には40〜100℃の温度が好ましい。反応の
水素圧は常圧以上任意の圧力で行うことができる
が、好ましくは３〜10Kg／cm³ゲージの圧力で行
う。

本反応は一般に溶媒中で行うのが好ましい。

使用する溶媒は例えば水またはメタノール、エ
タノール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、
トルエン、キシレン、ビリジン、ジオキサン、ジ
メチルホルムアシド、テトラヒドロフラン又はジ
エチルエーテル等を挙げることができ、溶媒の種
類、使用量を任意に選択することができる。工業
的にはメタノールが実用的であり、その使用量は
インドール又はインドール誘導体に対して１／３
〜10倍程度が効率である。

反応の進行状況は反応器内の水素圧の低下によ
り判明し、反応終点に到達させることができる。
反応終了後は冷却し、触媒を沈殿、着磁過等に
より分離した後、中和、過、水洗、蒸留再結晶
等の操作によりインドリンまたはインドリン誘導
体を得る。

以上に実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はその要旨を越えない限りこれ
らに限定されるものではない。

実施例 １ 内容積300c.c.の撹拌機付オートクレープに、イ
ンドール46.8g、メタノール100gと展開したラネ
ーニツケル触媒を金属で10.0g入れ、オートクレ
ープ中の空気を窒素ガスで３回置換し、続いて水
素ガスで３回置換した。反応圧力を10Kg／cm³ゲー
ジとし、昇温させ、反応温度60℃で撹拌しながら
硫酸19.6gを１時間かけて連続に仕込み反応させ
た。反応中水素は連続に供給を行う。反応時間は
120分。水素吸収が完全に停止してから冷却静置
を行い、触媒を別して反応液を得た。この反応
液のガスクロマトグラフイーによる分析ではイン
ドリン99.1％、インドール0.6％その他不明分0.3
％であつた。この反応液をNaOHで中和後過
等によつて亡硝を除き、メタノール、水を留去
し、残つたオイル分を蒸留し、目的物を得た。得
量45.3g 実施例 ２ ラネーニツケル触媒5.0gとインドール46.8g、
メタノール100gを実施例１で使用したオートク
レーブに仕込み、反応圧5.0Kg／cm³ゲージ、反応
温度40℃とし、硫酸19.6gを１時間かけて仕込み
反応させた。反応時間150分。この反応液のガス
クロマトグラフイーによる分析ではインドリン
98.6％、インドール1.0％、その他不明分0.4％で
あつた。

インドールの代りに１−メチルインドール
52.4gを用いて上と同様に反応を行い１−メチル
インドリンを得た。

実施例 ３ 硫酸の代りに35％塩酸30.0gを用いたことを除
き、実施例１の手順に従つて反応させた。

得られた反応液のガスクロマトグラフイーによ
る分析ではインドリン98.9％、インドール0.7％、
その他不明分0.4％であつた。この反応液から中
和、過、メタノール、水を留去後、オイル分を
蒸留し、インドリンの無色透明オイル45.1gを得
た。

実施例 ４ 実施例１のインドールの代りに４−ヒドロキシ
インドール52.8gを用いて上記と同様に反応させ
た。得られた反応液のガスクロマトグラフイーに
よる分析では４−ヒドロキシインドリン98.6％、
４−ヒドロキシインドール0.8％、その他不明分
0.6％であつた。

実施例 ５ 実施例１のインドールの代りに５−メトキシイ
ンドール58.8gを用いて上記と同様に反応させた。
得られた反応液のガスクロマトグラフイーによる
分析では５−メトキシインドリン98.3％、５−メ
トキシインドール1.0％、その他不明分0.7％であ
つた。

実施例 ６ 実施例１のインドールの代りに５−クロルイン
ドール60.6gを用いて上記と同様に反応させた。
得られた反応液のガスクロマトグラフイーによる
分析では５−クロルインドリン98.1％、５−クロ
ルインドール0.7％、その他不明分1.2％であつ
た。

実施例 ７ 実施例１のインドールの代りに２−フエニルイ
ンドール77.2gを用いて上記と同様に反応させた。
得られた反応液のガスクロマトグラフイーによる
分析では２−フエニルインドリン99.0％、２−フ
エニルインドール0.7％、その他不明分0.3％であ
つた。

実施例 ８ 実施例１のインドールの代りに５−tert−ブチ
ルインドール69.2gを用いて上記と同様に反応さ
せた。得られた反応液のガスクロマトグラフイー
による分析では５−tert−ブチルインドリン98.8
％、５−tert−ブチルインドール0.8％、その他不
明分0.5％であつた。

実施例 ９ 硫酸の代りに50％リン酸26.0gを用いたことを
除き、実施例１の手順に従つてインドールを反応
させた。得られた反応液のガスクロマトグラフイ
ーによる分析ではインドリン99.0％、インドール
0.6％、その他不明分0.4％であつた。

実施例 10 実施例１のインドールの代りに２−エチル−５
−プロピルインドール74.8gを用いて上記と同様
に反応させた。得られた反応液のガスクロマトグ
ラフイーによる分析では２−エチル−５−プロピ
ルインドリン98.2％、２−エチル−５−プロピル
インドール0.9％、その他不明分0.9％であつた。

実施例 11 実施例１で硫酸を連続的に仕込む代りに反応前
に一括して仕込むことを除き、実施例１と同じ条
件で反応させた。得られた反応液のガスクロマト
グラフイーによる分析ではインドリン98.8％、イ
ンドール0.7％、その他不明分0.5％であつた。

比較例 １ 実施例１で使用した硫酸を用いずに実施例１と
同じ条件で反応を行つた。反応終了後反応液のガ
スクロマトグラフイーによる分析では目的物であ
るインドリン48.1％であり、インドール50.5％、
その他不明分0.4％であつた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 式 （式中Ｒは水素原子またはアルキル基を示し、
   X₁〜X₆は水素原子、アルキル基、シクロアルキ
   ル基、アリール基、ハロゲン原子、水酸基、ニト
   ロ基またはアミノ基を示す）で表わされるインド
   ールまたはインドール誘導体を酸の存在下、ラネ
   ーニツケル触媒により接触還元を行わせることを
   特徴とする式 （式中Ｒは前記と同じものを意味し、X₁〜X₆は
   水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリ
   ール基、ハロゲン原子、水酸基又はアミノ基を示
   す。） インドリンまたはインドリン誘導体の製造方法。 ２ 酸の量がインドール又はインドール誘導体に
   対し0.1〜10倍当量である特許請求の範囲第１項
   記載の方法。