JPH0146461B2 - - Google Patents
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- JPH0146461B2 JPH0146461B2 JP9617085A JP9617085A JPH0146461B2 JP H0146461 B2 JPH0146461 B2 JP H0146461B2 JP 9617085 A JP9617085 A JP 9617085A JP 9617085 A JP9617085 A JP 9617085A JP H0146461 B2 JPH0146461 B2 JP H0146461B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
- C03C3/093—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium containing zinc or zirconium
-
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S501/00—Compositions: ceramic
- Y10S501/90—Optical glass, e.g. silent on refractive index and/or ABBE number
- Y10S501/903—Optical glass, e.g. silent on refractive index and/or ABBE number having refractive index less than 1.8 and ABBE number less than 70
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、ホトマスクの使用に好適な低膨脹性
アルカリ不含有珪酸ガラスに関するものである。 （従来の技術） 半導体装置の製造において、回路パターンは、
次の一般的な方法によつてウエハー基体（Siある
いはGaAs）上にプリントされる。シリコンウエ
ハーを酸化してSiO2の表面薄膜層を形成する。
その酸化表面をその後、紫外線あるいは電子線の
照射により重合するホトレジスト物質により覆
う。 ホトレジスト処理後、ウエハーはプリントされ
る回路パターンの陰画であるホトマスクと並ばさ
れ、紫外線あるいは電子線を照射される。ホトマ
スクを通過して照射される部分は重合し、ホトマ
スクにより照射が阻止される部分は重合しない。
重合しないホトレジスト膜は除かれる。その後そ
の部分のSiO2表面は除かれ、各種不純物をドー
プすることが可能な下層のシリコンに露光して半
導体装置自体を製作する。最後に上層の重合した
ホトレジストを除く。このように、ホトマスクの
機能は基体上の回路パターンを決定することであ
る。複合体、集積回路の製造は、上述の12若しく
はそれ以上のホトリソグラフ工程
（photolighografic process）から成る。 半導体産業で使用されるホトマスクには基体的
に３種類ある。それらは増加する集積回路の複合
性をも含んでいる。第１のタイプは高膨脹と称さ
れ、一般的に熱膨脹係数が100×10-7℃-1および
その以下のソーダライム（窓ガラス）およびホワ
イトクラウンガラスタイプを用いる。設計回路は
フイルムエマルジヨンを使用し、あるいは鉄−ク
ロム結合コーテイングによりマスク上にプリント
される。膨脹係数が大きいため、ホトマスクはひ
ずみ効果を最小にするように基体と接触して使用
される。この接触により回路パターンが侵触され
る。ホトマスクの照射回数は限られるので高価と
なり好ましくない。その上高膨脹ホトマスクに
は、ガラス中に含まれるアルカリが化学的にエマ
ルジヨンと反応して、得られる分解能を限定する
という難しさがある。雰囲気中の水分と反応して
ホトマスク上に沈積するアルカリは、回路性能お
よび非積層効果を与え、ホトマスクの使用を限定
するピンホールを生ずる。結局、高膨脹ホトマス
クは、最初に、現在の集積回路では特筆すべきで
はない大幾何学回路（５〜10μm）装置の製作に
使用される。 第２のタイプは低膨脹ホトマスクである。これ
らには、通常５×10-7℃-1およびそれ以下の熱膨
脹係数を有するボロシリケートおよびアルミノシ
リケートガラスがある。これらの低熱膨張物質で
はウエハーとの非接触照射、マスク寿命の長期化
および精確な回路の解像（２〜5μm）を得ること
ができる。やはり、これらのガラス中に含まれる
アルカリがホトマスク中でピンホールを形成する
ために難しい問題がある。ホトマスク中のアルカ
リとピンホールとの関係は、イズミタニ等の「ホ
トマスク用高精度ガラス物質の表面生地の問題」
ホヤオプチクス．メンロパーク，シーエー
（“Surface Texture Problems of High
Precesion Glass Substrates for Photomasks”、
Hoya Cptics、Menlo Park、CA）で討論され
た。 第３のタイプのホトマスクは１×10-7℃-1以下
の熱膨脹係数を有する極低膨脹物質、例えば溶融
シリカから成る。 回路パターンの製作において、極低膨脹係数は
ひずみを最小にし、かつ高解像力を与えるのに有
効である。溶融シリカはアルカリを含まないた
め、ホトマスク製作中にアルカリに関係のある穴
のあくことおよび他の欠点が発生しない。不幸な
ことに、溶融シリカは多成分ガラス用に使用され
る通常の溶融法では作ることができず、非常に高
価であり、しばしば低膨脹物質の特性よりも劣つ
ていることがある。現在、集積回路の製造には主
として最初の２タイプの物質を使用する。例えば
稠密でない電気回路用には高膨脹ホトマスクを、
さらに精密用には低膨脹物質を用いる。 第１および２表にはもつとも広く使用されてい
る低膨脹ホトマスクガラス［エルイー（LE）−
30、イー（Ｅ）−６、シージーダブリユ（CGW）
7740およびピーエムジー（PMG）−１］の組成お
よび特性を要約する。
アルカリ不含有珪酸ガラスに関するものである。 （従来の技術） 半導体装置の製造において、回路パターンは、
次の一般的な方法によつてウエハー基体（Siある
いはGaAs）上にプリントされる。シリコンウエ
ハーを酸化してSiO2の表面薄膜層を形成する。
その酸化表面をその後、紫外線あるいは電子線の
照射により重合するホトレジスト物質により覆
う。 ホトレジスト処理後、ウエハーはプリントされ
る回路パターンの陰画であるホトマスクと並ばさ
れ、紫外線あるいは電子線を照射される。ホトマ
スクを通過して照射される部分は重合し、ホトマ
スクにより照射が阻止される部分は重合しない。
重合しないホトレジスト膜は除かれる。その後そ
の部分のSiO2表面は除かれ、各種不純物をドー
プすることが可能な下層のシリコンに露光して半
導体装置自体を製作する。最後に上層の重合した
ホトレジストを除く。このように、ホトマスクの
機能は基体上の回路パターンを決定することであ
る。複合体、集積回路の製造は、上述の12若しく
はそれ以上のホトリソグラフ工程
（photolighografic process）から成る。 半導体産業で使用されるホトマスクには基体的
に３種類ある。それらは増加する集積回路の複合
性をも含んでいる。第１のタイプは高膨脹と称さ
れ、一般的に熱膨脹係数が100×10-7℃-1および
その以下のソーダライム（窓ガラス）およびホワ
イトクラウンガラスタイプを用いる。設計回路は
フイルムエマルジヨンを使用し、あるいは鉄−ク
ロム結合コーテイングによりマスク上にプリント
される。膨脹係数が大きいため、ホトマスクはひ
ずみ効果を最小にするように基体と接触して使用
される。この接触により回路パターンが侵触され
る。ホトマスクの照射回数は限られるので高価と
なり好ましくない。その上高膨脹ホトマスクに
は、ガラス中に含まれるアルカリが化学的にエマ
ルジヨンと反応して、得られる分解能を限定する
という難しさがある。雰囲気中の水分と反応して
ホトマスク上に沈積するアルカリは、回路性能お
よび非積層効果を与え、ホトマスクの使用を限定
するピンホールを生ずる。結局、高膨脹ホトマス
クは、最初に、現在の集積回路では特筆すべきで
はない大幾何学回路（５〜10μm）装置の製作に
使用される。 第２のタイプは低膨脹ホトマスクである。これ
らには、通常５×10-7℃-1およびそれ以下の熱膨
脹係数を有するボロシリケートおよびアルミノシ
リケートガラスがある。これらの低熱膨張物質で
はウエハーとの非接触照射、マスク寿命の長期化
および精確な回路の解像（２〜5μm）を得ること
ができる。やはり、これらのガラス中に含まれる
アルカリがホトマスク中でピンホールを形成する
ために難しい問題がある。ホトマスク中のアルカ
リとピンホールとの関係は、イズミタニ等の「ホ
トマスク用高精度ガラス物質の表面生地の問題」
ホヤオプチクス．メンロパーク，シーエー
（“Surface Texture Problems of High
Precesion Glass Substrates for Photomasks”、
Hoya Cptics、Menlo Park、CA）で討論され
た。 第３のタイプのホトマスクは１×10-7℃-1以下
の熱膨脹係数を有する極低膨脹物質、例えば溶融
シリカから成る。 回路パターンの製作において、極低膨脹係数は
ひずみを最小にし、かつ高解像力を与えるのに有
効である。溶融シリカはアルカリを含まないた
め、ホトマスク製作中にアルカリに関係のある穴
のあくことおよび他の欠点が発生しない。不幸な
ことに、溶融シリカは多成分ガラス用に使用され
る通常の溶融法では作ることができず、非常に高
価であり、しばしば低膨脹物質の特性よりも劣つ
ていることがある。現在、集積回路の製造には主
として最初の２タイプの物質を使用する。例えば
稠密でない電気回路用には高膨脹ホトマスクを、
さらに精密用には低膨脹物質を用いる。 第１および２表にはもつとも広く使用されてい
る低膨脹ホトマスクガラス［エルイー（LE）−
30、イー（Ｅ）−６、シージーダブリユ（CGW）
7740およびピーエムジー（PMG）−１］の組成お
よび特性を要約する。
【表】
【表】
表から明らかなように、これらのガラスの熱膨
張係数は30〜50×10-7℃-1である。上記のすべて
はアルカリを含み、製造上で好ましくない効果を
示すことに鑑み、最終ホトマスクの製造及び使用
に好ましくない。 （発明が解決しようとする問題点） 本発明の目的は、上述の欠点を最小にあるいは
除いたホトマスク物質として有効なアルカリを含
まない低熱膨張係数の光学ガラスを提供すること
である。 本発明の他の目的は、光透過性物質、例えば窓
ガラスあるいは単一あるいは複合光学装置あるい
は装置類の他の部材として使用することができる
ガラスを提供することである。 本発明のさらに他の目的は、鏡あるいは透過光
を直接使用しないいずれかの装置に製作すること
が可能なガラスを提供することである。 本発明の別の目的はホトマスク用の物質に好適
で、ホトマスクの製造および使用時に、アルカリ
に関連する欠点を避けることの可能な低膨脹物質
と同等あるいはそれ以上の物理的および光学特性
を有するアルカリを含まない低膨脹ガラスを提供
することである。 （問題点を解決するための手段） 添付した明細書及び特許請求の範囲について調
査すればする程に、当業者には本発明の目的及び
効果が明らかになる。 これらの目的は屈折率（nd）が少なくとも
1.50、好ましくは1.54〜1.57、アツベ数（vd）が
少なくとも55、好ましくは56〜59、密度が3.0以
下、好ましくは2.80〜2.91、および熱膨脹係数
［CTE（20〜300℃）］が40.5×10-7℃-1、好ましく
は35.5×10-7℃-1〜39.1×10-7℃-1であり、アル
カリを含まず少なくとも90モル％のSiO2、B2O3、
Al2O3、MgO、CaO、BaOおよびZnOを含有し、
その組成（重量％）が 一般的に 好ましくは SiO2 50〜60 50〜56 B2O3 １〜６ ２〜3.7 Al2O3 12〜15 12〜15 MgO ０〜2.5 1.5〜2.5 CaO ０〜5.1 ２〜３ BaO ９〜10 ９〜10 ZnO 12〜18 14〜18 CeO2 ０〜５ ０〜５ AS2O3 ＋Sb2O3 ０〜1.5 ０〜1.5 PbO ０〜１ ０〜１ であり、Mgo、CaO、BaOおよびZnOの合計が
21〜33.5％、好ましくは23〜33.5％、さらに好ま
しくは28〜31％あるいは26.5〜33.5％、最適には
約30％であることを特徴とする光学特性を有する
ガラスを提供する本発明により達成される。 さらにそのガラスは下記の割合（重量％）であ
る、 SiO2 50〜56％ B2O3 ２〜3.7％ Al2O3 12〜15％ MgO 1.5〜2.5％ CaO ２〜３％ BaO ９〜10％ ZnO 14〜18％ CeO2 ０〜５％ As2O3＋Sb2O3 ０〜1.5％ PbO ０〜１％、 MgO、CaO、BaOおよびZnOの合計は26.5〜
33.5である。 さらに、そのガラスの組成は下記の概算量（重
量％）である、 SiO2 55.3％ B2O3 3.2％ Al2O3 12.4％ MgO 1.8％ CaO 2.5％ BaO 9.3％ ZnO 14.6％ As2O3＋Sb2O3 0.5％ PbO 0.5％。 さらに、その組成が下記の概算量（重量％）で
ある、 SiO2 55.6％ B2O3 3.2％ Al2O3 12.5％ MgO 1.8％ CaO 2.5％ BaO 9.3％ ZnO 14.7％ As2O3＋Sb2O3 0.5％。 さらにその組成が下記の概算量（重量％）であ
る、 SiO2 50.5％ B2O3 3.7％ Al2O3 14.5％ MgO 2.1％ CaO 2.5％ BaO 9.2％ ZnO 17.1％ As2O3＋Sb2O3 0.5％。 さらにその組成が下記の概算量（重量％）であ
る、 SiO2 50.6％ B2O3 3.2％ Al2O3 12.5％ MgO 1.8％ CaO 2.5％ BaO 9.3％ ZnO 14.7％ CeO2 5.0％ As2O3＋Sb2O3 0.5％。 さらにその組成が下記の組成（重量％）であ
る、 SiO2 50.5〜55.6 B2O3 3.5〜3.7 Al2O3 12.4〜14.5 MgO 1.8〜2.1 CaO 2.5〜2.55 BaO 9.2〜9.3 ZnO 14.6〜17.1 As2O3＋Sb2O3 0.4〜0.45 PbO ０〜0.5。 本発明のガラス組成をホトマスクに適用し、透
過性ガラス光学部材に、本発明のガラスを使用す
る。本発明の光学部材は単一あるいは複合レンズ
あるいは窓ガラスである。ガラス物質を被覆した
ことから成る光学部材において、本発明のガラス
物質を使用する。ホトレジスト被覆した基体上に
所定の照射パターンを食刻するホトマスクによつ
て、基体上に集光する化学線作用の照射を用い
て、その基体を照射することから成る光製作法に
おいて、ホトマスクに本発明のガラスを使用す
る。さらに少なくとも１種の透過性あるいは屈折
率ガラスの光学部材あるいは少なくとも１種の反
射ガラスの光学部材から成る所定の光路長に沿つ
て光を導く方法において、少なくとも該光学部材
の１つは本発明のガラスを使用する。 本発明のガラス組成（モル％）は 一般的に 好ましくは SiO2 58〜66.5 58〜65 B2O3 ２〜５ ２〜3.8 Al2O3 ８〜11 ８〜11 MgO ０〜４ 2.8〜４ CaO ０〜6.5 2.5〜3.5 BaO ３〜５ ３〜５ ZnO 10〜16 10〜16 CeO2 ０〜2.5 ０〜2.5 AS2O3 ＋Sb2O3 ０〜0.5 ０〜0.5 PbO ０〜0.5 ０〜0.5 であり、MgO、CaO、BaOおよびZnOの合計が
13〜31.5％、好ましくは15〜31.5％さらに好まし
くは23〜26.5％、最適には約26％である。 このガラスは次の特性を有する、 屈折率 1.54〜1.57 アツベ数 56〜59 密度（ｇ／cm3） 2.8〜2.9 CTE20〜300℃（×10-7℃-1） 35.5〜39.0。 その組成が下記の割合（モル％）である、 SiO2 58〜65 B2O3 ２〜3.8 Al2O3 ８〜11 MgO 2.8〜４ CaO 2.5〜3.5 BaO ３〜５ ZnO 10〜16 CeO2 ０〜2.5 As2O3＋Sb2O3 ０〜0.5 PbO ０〜0.5 であり、MgO、CaO、BaOおよびZnOの合計は
23〜26.5である。 （作用） 特に、ホトマスク用に適する本発明の低膨脹ガ
ラス組成は以前のガラスでは好ましくない。その
範囲（重量％あるいは本質的にはモル％と同等で
ある）は、ガラスの各成分、特にバリウム酸化物
および亜鉛酸化物に対して精確さを要する。 二酸化ケイ素が上記規定量より多い場合には、
得られるガラスの粘性は満足できない程高くな
る。上記規定量より少ない場合にはCTEが高す
ぎる。B2O3量が上記規定量より多い場合にはガ
ラスの相分離が発生し、少ない場合にはガラス粘
性が高すぎるものとなる。Al2O3量が上記規定量
より多い場合には、ガラスが不安定となり、結晶
化が観察され、少ない場合にはCTEが高すぎる
ものとなる。 マグネシウム酸化物は本発明のガラスにおいて
必須成分ではないが、この成分は存在することが
好ましい。マグネシウム酸化物量が規定範囲より
多い場合には成分が混じり合わず、ガラスが不安
定となり、結晶化が観察される。同じことは、任
意のカルシウム酸化物成分のその規定範囲に関し
てもいえる。 バリウム酸化物は本発明のガラス組成において
最もきびしい成分の１つである。例えば、熱膨脹
係数はガラスの他成分のそれより、その含有量の
変化に対して大きく変化する。バリウム酸化物量
が規定範囲より少ない場合にはガラスの相分離が
発生し、多い場合にはCTEが高すぎるものとな
る。一般にバリウム酸化物は約9.15〜9.35重量％
（約4.24〜4.26モル％）が好ましい。 同様に、本発明のガラス組成に好適な特性を得
るために正確さを要するのは、亜鉛酸化物含量で
ある。その量が規定より少ない場合にはCTEが
高すぎるものとなり、規定より多い場合にはガラ
ス成分が混合せず、そのガラスが不安定となる。
さらに結晶化も観察される。特に好ましい亜鉛酸
化物含量は約14.5〜17.1重量％（約12.5〜15モル
％）である。 他の任意の成分としてはセリウム酸化物、鉛酸
化物および清澄剤であるアンチモン酸化物および
ヒ素酸化物がある。セリウム酸化物が規定より多
い場合には350〜700nmの好ましい範囲における
伝導特性を余りにも小さくする。清澄剤が余りに
も多い場合にはガラスを清澄するには妥当ではな
い。鉛酸化物が規定より多い場合にはCTEを余
りにも大きくする。 各成分量の範囲を決める各種終点は規定範囲内
で変化することが可能でより狭い範囲を定めるこ
とができる。すなわち、上記規定の各範囲には本
発明の範囲内でさらに多くの狭い範囲が含まれ
る。たとば、12〜18重量％は酸化亜鉛に対して与
えられた範囲である。この範囲には12.1〜18％、
12.0〜17.9％、12.1〜17.9％、12.2〜18％等の狭い
範囲、すなわち終点の１方あるいは両方が0.1の
１あるいは数倍で変化する狭い範囲が含まれる。
このように12〜18％の一般的な範囲には酸化亜鉛
の14.5〜17.1％の如き上記好ましい範囲と同様に
12.5〜18％、12.0〜17％、12.5〜17.5％等の狭い
範囲、あるいは14.6〜15.1％の如きさらに狭い範
囲が含まれる。後者は通常の製造工程において保
持できる最も小さい実際上の差である。他の成分
の範囲も同様にそれに対応する狭い範囲が明らか
である。 本発明のガラスはこのタイプのガラスに通常用
いられる技術をすべて使用することにより調製さ
れる。例えば、本発明のガラスに要求される酸化
物に対応する通常の原料、例えば、酸化物自体、
炭酸塩、硝酸塩、水酸化物等を最終ガラスとして
要求される量に対応する量を混合して溶融する。
1200〜1600℃が典型的な溶融温度である。通常の
ルツボあるいはタンク、例えば、グラフアイトで
被覆したもの、セラミツクあるいは白金容器が使
用される。均一溶融品は、例えば、清澄、型の中
へ注ぐ、徐々に冷却等、一般的に処理される。 上記の如く、本発明の低膨脹ガラスの特に好ま
しい使用はホトマスクに適用することである。本
発明のガラスは広範なる他の使用、例えば、本発
明のガラスの使用範囲に限定されることなく光電
装置、窓ガラス、レンズ、鏡等あるいは熱ひずみ
効果を最小にする高性能鏡を必要とする一般的な
用途のための耐高熱衝撃性の特殊な特性を必要と
する他の光学部材用の物質を含む使用に有効であ
る。本発明のガラスは、適用される多くの方法の
いずれかに好適な形あるいは外形に、注形法ある
いは他の方法により成形される。 （実施例） さらに苦労することなく、当業者には先の記述
を使用して本発明を最大に利用できると確信され
る。それゆえに、次の好適な実施例は単に解釈の
ためのものであり、決していずれの方法によつて
も記載を限定するものではない。次の実施例にお
いて温度はすべてセルジウス温度で示される。何
ら記載がなければ部および％は重量割合を示す。 実施例 Ａ−Ｆ 次に好適な組成Ａとして示されるガラスの調製
法を記載する。対応する工程は第３表に要約され
る他のガラス組成物を調製するために使用され
た。 ガラス調製法 次のバツチ物質を計量し充分に混合した。 重量（Kg） SiO2 0.723 硼 酸 0.073 水酸アルミニウム 0.249 炭酸マグネシウム 0.057 炭酸カルシウム 0.059 硝酸バリウム 0.209 鉛 丹 0.007 三酸化アンチモン 0.006 その混合したバツチを1530℃に誘導加熱するこ
とによつて0.5の白金ルツボの中で溶融した。
溶融後、ガラスを均質として1580℃で５時間清澄
した。そのガラスをグラフアイトで被覆した鉄鋼
の型の中に投入し、約700℃の焼鈍温度で焼鈍し、
１時間に30℃の速度で降温した。ひずみのない焼
鈍したガラスを取り出し、通常の技術により磨い
て光学部材を調製した。 第３表にガラスの特性とともに本発明の各種実
施例を要約する。実施例Ａ、ＢおよびＣが好まし
い。
張係数は30〜50×10-7℃-1である。上記のすべて
はアルカリを含み、製造上で好ましくない効果を
示すことに鑑み、最終ホトマスクの製造及び使用
に好ましくない。 （発明が解決しようとする問題点） 本発明の目的は、上述の欠点を最小にあるいは
除いたホトマスク物質として有効なアルカリを含
まない低熱膨張係数の光学ガラスを提供すること
である。 本発明の他の目的は、光透過性物質、例えば窓
ガラスあるいは単一あるいは複合光学装置あるい
は装置類の他の部材として使用することができる
ガラスを提供することである。 本発明のさらに他の目的は、鏡あるいは透過光
を直接使用しないいずれかの装置に製作すること
が可能なガラスを提供することである。 本発明の別の目的はホトマスク用の物質に好適
で、ホトマスクの製造および使用時に、アルカリ
に関連する欠点を避けることの可能な低膨脹物質
と同等あるいはそれ以上の物理的および光学特性
を有するアルカリを含まない低膨脹ガラスを提供
することである。 （問題点を解決するための手段） 添付した明細書及び特許請求の範囲について調
査すればする程に、当業者には本発明の目的及び
効果が明らかになる。 これらの目的は屈折率（nd）が少なくとも
1.50、好ましくは1.54〜1.57、アツベ数（vd）が
少なくとも55、好ましくは56〜59、密度が3.0以
下、好ましくは2.80〜2.91、および熱膨脹係数
［CTE（20〜300℃）］が40.5×10-7℃-1、好ましく
は35.5×10-7℃-1〜39.1×10-7℃-1であり、アル
カリを含まず少なくとも90モル％のSiO2、B2O3、
Al2O3、MgO、CaO、BaOおよびZnOを含有し、
その組成（重量％）が 一般的に 好ましくは SiO2 50〜60 50〜56 B2O3 １〜６ ２〜3.7 Al2O3 12〜15 12〜15 MgO ０〜2.5 1.5〜2.5 CaO ０〜5.1 ２〜３ BaO ９〜10 ９〜10 ZnO 12〜18 14〜18 CeO2 ０〜５ ０〜５ AS2O3 ＋Sb2O3 ０〜1.5 ０〜1.5 PbO ０〜１ ０〜１ であり、Mgo、CaO、BaOおよびZnOの合計が
21〜33.5％、好ましくは23〜33.5％、さらに好ま
しくは28〜31％あるいは26.5〜33.5％、最適には
約30％であることを特徴とする光学特性を有する
ガラスを提供する本発明により達成される。 さらにそのガラスは下記の割合（重量％）であ
る、 SiO2 50〜56％ B2O3 ２〜3.7％ Al2O3 12〜15％ MgO 1.5〜2.5％ CaO ２〜３％ BaO ９〜10％ ZnO 14〜18％ CeO2 ０〜５％ As2O3＋Sb2O3 ０〜1.5％ PbO ０〜１％、 MgO、CaO、BaOおよびZnOの合計は26.5〜
33.5である。 さらに、そのガラスの組成は下記の概算量（重
量％）である、 SiO2 55.3％ B2O3 3.2％ Al2O3 12.4％ MgO 1.8％ CaO 2.5％ BaO 9.3％ ZnO 14.6％ As2O3＋Sb2O3 0.5％ PbO 0.5％。 さらに、その組成が下記の概算量（重量％）で
ある、 SiO2 55.6％ B2O3 3.2％ Al2O3 12.5％ MgO 1.8％ CaO 2.5％ BaO 9.3％ ZnO 14.7％ As2O3＋Sb2O3 0.5％。 さらにその組成が下記の概算量（重量％）であ
る、 SiO2 50.5％ B2O3 3.7％ Al2O3 14.5％ MgO 2.1％ CaO 2.5％ BaO 9.2％ ZnO 17.1％ As2O3＋Sb2O3 0.5％。 さらにその組成が下記の概算量（重量％）であ
る、 SiO2 50.6％ B2O3 3.2％ Al2O3 12.5％ MgO 1.8％ CaO 2.5％ BaO 9.3％ ZnO 14.7％ CeO2 5.0％ As2O3＋Sb2O3 0.5％。 さらにその組成が下記の組成（重量％）であ
る、 SiO2 50.5〜55.6 B2O3 3.5〜3.7 Al2O3 12.4〜14.5 MgO 1.8〜2.1 CaO 2.5〜2.55 BaO 9.2〜9.3 ZnO 14.6〜17.1 As2O3＋Sb2O3 0.4〜0.45 PbO ０〜0.5。 本発明のガラス組成をホトマスクに適用し、透
過性ガラス光学部材に、本発明のガラスを使用す
る。本発明の光学部材は単一あるいは複合レンズ
あるいは窓ガラスである。ガラス物質を被覆した
ことから成る光学部材において、本発明のガラス
物質を使用する。ホトレジスト被覆した基体上に
所定の照射パターンを食刻するホトマスクによつ
て、基体上に集光する化学線作用の照射を用い
て、その基体を照射することから成る光製作法に
おいて、ホトマスクに本発明のガラスを使用す
る。さらに少なくとも１種の透過性あるいは屈折
率ガラスの光学部材あるいは少なくとも１種の反
射ガラスの光学部材から成る所定の光路長に沿つ
て光を導く方法において、少なくとも該光学部材
の１つは本発明のガラスを使用する。 本発明のガラス組成（モル％）は 一般的に 好ましくは SiO2 58〜66.5 58〜65 B2O3 ２〜５ ２〜3.8 Al2O3 ８〜11 ８〜11 MgO ０〜４ 2.8〜４ CaO ０〜6.5 2.5〜3.5 BaO ３〜５ ３〜５ ZnO 10〜16 10〜16 CeO2 ０〜2.5 ０〜2.5 AS2O3 ＋Sb2O3 ０〜0.5 ０〜0.5 PbO ０〜0.5 ０〜0.5 であり、MgO、CaO、BaOおよびZnOの合計が
13〜31.5％、好ましくは15〜31.5％さらに好まし
くは23〜26.5％、最適には約26％である。 このガラスは次の特性を有する、 屈折率 1.54〜1.57 アツベ数 56〜59 密度（ｇ／cm3） 2.8〜2.9 CTE20〜300℃（×10-7℃-1） 35.5〜39.0。 その組成が下記の割合（モル％）である、 SiO2 58〜65 B2O3 ２〜3.8 Al2O3 ８〜11 MgO 2.8〜４ CaO 2.5〜3.5 BaO ３〜５ ZnO 10〜16 CeO2 ０〜2.5 As2O3＋Sb2O3 ０〜0.5 PbO ０〜0.5 であり、MgO、CaO、BaOおよびZnOの合計は
23〜26.5である。 （作用） 特に、ホトマスク用に適する本発明の低膨脹ガ
ラス組成は以前のガラスでは好ましくない。その
範囲（重量％あるいは本質的にはモル％と同等で
ある）は、ガラスの各成分、特にバリウム酸化物
および亜鉛酸化物に対して精確さを要する。 二酸化ケイ素が上記規定量より多い場合には、
得られるガラスの粘性は満足できない程高くな
る。上記規定量より少ない場合にはCTEが高す
ぎる。B2O3量が上記規定量より多い場合にはガ
ラスの相分離が発生し、少ない場合にはガラス粘
性が高すぎるものとなる。Al2O3量が上記規定量
より多い場合には、ガラスが不安定となり、結晶
化が観察され、少ない場合にはCTEが高すぎる
ものとなる。 マグネシウム酸化物は本発明のガラスにおいて
必須成分ではないが、この成分は存在することが
好ましい。マグネシウム酸化物量が規定範囲より
多い場合には成分が混じり合わず、ガラスが不安
定となり、結晶化が観察される。同じことは、任
意のカルシウム酸化物成分のその規定範囲に関し
てもいえる。 バリウム酸化物は本発明のガラス組成において
最もきびしい成分の１つである。例えば、熱膨脹
係数はガラスの他成分のそれより、その含有量の
変化に対して大きく変化する。バリウム酸化物量
が規定範囲より少ない場合にはガラスの相分離が
発生し、多い場合にはCTEが高すぎるものとな
る。一般にバリウム酸化物は約9.15〜9.35重量％
（約4.24〜4.26モル％）が好ましい。 同様に、本発明のガラス組成に好適な特性を得
るために正確さを要するのは、亜鉛酸化物含量で
ある。その量が規定より少ない場合にはCTEが
高すぎるものとなり、規定より多い場合にはガラ
ス成分が混合せず、そのガラスが不安定となる。
さらに結晶化も観察される。特に好ましい亜鉛酸
化物含量は約14.5〜17.1重量％（約12.5〜15モル
％）である。 他の任意の成分としてはセリウム酸化物、鉛酸
化物および清澄剤であるアンチモン酸化物および
ヒ素酸化物がある。セリウム酸化物が規定より多
い場合には350〜700nmの好ましい範囲における
伝導特性を余りにも小さくする。清澄剤が余りに
も多い場合にはガラスを清澄するには妥当ではな
い。鉛酸化物が規定より多い場合にはCTEを余
りにも大きくする。 各成分量の範囲を決める各種終点は規定範囲内
で変化することが可能でより狭い範囲を定めるこ
とができる。すなわち、上記規定の各範囲には本
発明の範囲内でさらに多くの狭い範囲が含まれ
る。たとば、12〜18重量％は酸化亜鉛に対して与
えられた範囲である。この範囲には12.1〜18％、
12.0〜17.9％、12.1〜17.9％、12.2〜18％等の狭い
範囲、すなわち終点の１方あるいは両方が0.1の
１あるいは数倍で変化する狭い範囲が含まれる。
このように12〜18％の一般的な範囲には酸化亜鉛
の14.5〜17.1％の如き上記好ましい範囲と同様に
12.5〜18％、12.0〜17％、12.5〜17.5％等の狭い
範囲、あるいは14.6〜15.1％の如きさらに狭い範
囲が含まれる。後者は通常の製造工程において保
持できる最も小さい実際上の差である。他の成分
の範囲も同様にそれに対応する狭い範囲が明らか
である。 本発明のガラスはこのタイプのガラスに通常用
いられる技術をすべて使用することにより調製さ
れる。例えば、本発明のガラスに要求される酸化
物に対応する通常の原料、例えば、酸化物自体、
炭酸塩、硝酸塩、水酸化物等を最終ガラスとして
要求される量に対応する量を混合して溶融する。
1200〜1600℃が典型的な溶融温度である。通常の
ルツボあるいはタンク、例えば、グラフアイトで
被覆したもの、セラミツクあるいは白金容器が使
用される。均一溶融品は、例えば、清澄、型の中
へ注ぐ、徐々に冷却等、一般的に処理される。 上記の如く、本発明の低膨脹ガラスの特に好ま
しい使用はホトマスクに適用することである。本
発明のガラスは広範なる他の使用、例えば、本発
明のガラスの使用範囲に限定されることなく光電
装置、窓ガラス、レンズ、鏡等あるいは熱ひずみ
効果を最小にする高性能鏡を必要とする一般的な
用途のための耐高熱衝撃性の特殊な特性を必要と
する他の光学部材用の物質を含む使用に有効であ
る。本発明のガラスは、適用される多くの方法の
いずれかに好適な形あるいは外形に、注形法ある
いは他の方法により成形される。 （実施例） さらに苦労することなく、当業者には先の記述
を使用して本発明を最大に利用できると確信され
る。それゆえに、次の好適な実施例は単に解釈の
ためのものであり、決していずれの方法によつて
も記載を限定するものではない。次の実施例にお
いて温度はすべてセルジウス温度で示される。何
ら記載がなければ部および％は重量割合を示す。 実施例 Ａ−Ｆ 次に好適な組成Ａとして示されるガラスの調製
法を記載する。対応する工程は第３表に要約され
る他のガラス組成物を調製するために使用され
た。 ガラス調製法 次のバツチ物質を計量し充分に混合した。 重量（Kg） SiO2 0.723 硼 酸 0.073 水酸アルミニウム 0.249 炭酸マグネシウム 0.057 炭酸カルシウム 0.059 硝酸バリウム 0.209 鉛 丹 0.007 三酸化アンチモン 0.006 その混合したバツチを1530℃に誘導加熱するこ
とによつて0.5の白金ルツボの中で溶融した。
溶融後、ガラスを均質として1580℃で５時間清澄
した。そのガラスをグラフアイトで被覆した鉄鋼
の型の中に投入し、約700℃の焼鈍温度で焼鈍し、
１時間に30℃の速度で降温した。ひずみのない焼
鈍したガラスを取り出し、通常の技術により磨い
て光学部材を調製した。 第３表にガラスの特性とともに本発明の各種実
施例を要約する。実施例Ａ、ＢおよびＣが好まし
い。
【表】
【表】
【表】
前の実施例は実施例中に使用されている本発明
の一般的なあるいは個々に記載された反応物およ
び／あるいは操作条件を置き換えることにより同
一の成功度でもつて繰り返される。 前述の記載から、当業者は本発明の基本的な特
性を簡単に探知することができ、本発明の精神お
よび範囲から離れることなく本発明を各種変化お
よび変性して種々の使用及び状態に適応させるこ
とができる。
の一般的なあるいは個々に記載された反応物およ
び／あるいは操作条件を置き換えることにより同
一の成功度でもつて繰り返される。 前述の記載から、当業者は本発明の基本的な特
性を簡単に探知することができ、本発明の精神お
よび範囲から離れることなく本発明を各種変化お
よび変性して種々の使用及び状態に適応させるこ
とができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 屈折率が少なくとも1.50、アツベ数が少なく
とも55、密度が3.0以下、熱膨脹係数が40.5×
10-7／℃（20〜300℃）以下であり、その組成が
下記の割合（重量％）から成ることを特徴とする
アルカリを含まないガラス。 SiO2 50〜60％ B2O3 １〜６％ Al2O3 12〜15％ MgO ０〜2.5％ CaO ０〜5.1％ BaO ９〜10％ ZnO 12〜18％ CeO2 ０〜５％ As2O3＋Sb2O3 ０〜1.5％ PbO ０〜１％、 MgO、CaO、BaOおよびZnOの合計は21〜
33.5である。 ２ 次の特性を有することを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載のガラス。 屈折率 1.54〜1.57 アツベ数 56〜59 密度（ｇ／cm3） 2.8〜2.9 CTE20〜300℃（×10-7℃-1） 35.5〜39.0。 ３ その組成が下記の割合（重量％）から成るこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のガ
ラス。 SiO2 50〜56％ B2O3 ２〜3.7％ Al2O3 12〜15％ MgO 1.5〜2.5％ CaO ２〜３％ BaO ９〜10％ ZnO 14〜18％ CeO2 ０〜５％ As2O3＋Sb2O3 ０〜1.5％ PbO ０〜１％、 MgO、CaO、BaOおよびZnOの合計は26.5〜
33.5である。 ４ その組成が下記の概算量（重量％）から成る
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
ガラス。 SiO2 55.3％ B2O3 3.2％ Al2O3 12.4％ MgO 1.8％ CaO 2.5％ BaO 9.3％ ZnO 14.6％ As2O3＋Sb2O3 0.5％ PbO 0.5％。 ５ その組成が下記の概算量（重量％）から成る
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
ガラス。 SiO2 55.6％ B2O3 3.2％ Al2O3 12.5％ MgO 1.8％ CaO 2.5％ BaO 9.3％ ZnO 14.7％ As2O3＋Sb2O3 0.5％。 ６ その組成が下記の概算量（重量％）から成る
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
ガラス。 SiO2 50.5％ B2O3 3.7％ Al2O3 14.5％ MgO 2.1％ CaO 2.5％ BaO 9.2％ ZnO 17.1％ As2O3＋Sb2O3 0.5％。 ７ その組成が下記の概算量（重量％）から成る
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
ガラス。 SiO2 50.6％ B2O3 3.2％ Al2O3 12.5％ MgO 1.8％ CaO 2.5％ BaO 9.3％ ZnO 14.7％ CeO2 5.0％ As2O3＋Sb2O3 0.5％。 ８ その組成が下記の組成（重量％）から成るこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のガ
ラス。 SiO2 50.5〜55.6 B2O3 3.2〜3.7 Al2O3 12.4〜14.5 MgO 1.8〜2.1 CaO 2.5〜2.55 BaO 9.2〜9.3 ZnO 14.6〜17.1 As2O3＋Sb2O3 0.4〜0.45 PbO ０〜0.5。 ９ ガラス組成物がホトマスクである特許請求の
範囲第１項に記載のガラス。 １０ ガラス組成物は光学部材である特許請求の
範囲第９項に記載のガラス。 １１ 光学部材は単一あるいは複合レンズあるい
は窓ガラスである特許請求の範囲第１０項に記載
のガラス。 １２ ガラス基体の組成は特許請求の範囲第１項
に記載のガラスにガラス物質を被覆してなるガラ
ス。 １３ ホトレジスト被覆した基体上に所定の照射
パターンを食刻するホトマスクによつて、基体上
に集光する化学線作用の照射を用いて、その基体
を照射することから成る光製作法において、ホト
マスクは特許請求の範囲第１項に記載のガラス。 １４ 少なくとも１種の透過性あるいは屈折率ガ
ラスの光学部材あるいは少なくとも１種の反射ガ
ラスの光学部材から成る所定の光路長に沿つて光
を導く方法において、少なくとも該光学部材の１
つは特許請求の範囲第１項に記載の組成ガラス。 １５ 屈折率が少なくとも1.50、アツベ数が少な
くとも55、密度が3.0以下、熱膨脹係数が40.5×
10-7／℃（20〜300℃）であり、その組成が下記
の割合（モル％）から成ることを特徴とするアル
カリを含まないガラス。 SiO2 58〜66.5 B2O3 ２〜５ Al2O3 ８〜11 MgO ０〜４ CaO ０〜6.5 BaO ３〜５ ZnO 10〜16 CeO2 ０〜2.5 As2O3＋Sb2O3 ０〜0.5 PbO ０〜0.5、 MgO、CaO、BaOおよびZnOの合計は13〜
31.5である。 １６ 次の特性を有することを特徴とする特許請
求の範囲第１５項に記載のガラス。 屈折率 1.54〜1.57 アツベ数 56〜59 密度（ｇ／cm3） 2.8〜2.9 CTE20〜300℃（×10-7℃-1） 35.5〜39.0。 １７ その組成が下記の割合（モル％）から成る
ことを特徴とする特許請求の範囲第１５項に記載
のガラス。 SiO2 58〜65 B2O3 ２〜3.8 Al2O3 ８〜11 MgO 2.8〜４ CaO 2.5〜3.5 BaO ３〜５ ZnO 10〜16 CeO2 ０〜2.5 As2O3＋Sb2O3 ０〜0.5 PbO ０〜0.5、 MgO、CaO、BaOおよびZnOの合計は23〜
26.5である。
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|---|---|---|---|---|
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| US5213916A (en) * | 1990-10-30 | 1993-05-25 | International Business Machines Corporation | Method of making a gray level mask |
| GB9525111D0 (en) | 1995-12-08 | 1996-02-07 | Pilkington Plc | Glass and glass products |
| GB2310663A (en) * | 1996-02-29 | 1997-09-03 | British Tech Group | Organic polyacid/base reaction cement |
| DE69701255T2 (de) * | 1996-02-29 | 2000-08-10 | Btg Int Ltd | Durch reaktion zwischen organischen polysäuren und basen hergestellter zement |
| US6306926B1 (en) * | 1998-10-07 | 2001-10-23 | 3M Innovative Properties Company | Radiopaque cationically polymerizable compositions comprising a radiopacifying filler, and method for polymerizing same |
| US6352763B1 (en) | 1998-12-23 | 2002-03-05 | 3M Innovative Properties Company | Curable slurry for forming ceramic microstructures on a substrate using a mold |
| US6247986B1 (en) | 1998-12-23 | 2001-06-19 | 3M Innovative Properties Company | Method for precise molding and alignment of structures on a substrate using a stretchable mold |
| US6306948B1 (en) * | 1999-10-26 | 2001-10-23 | 3M Innovative Properties Company | Molding composition containing a debinding catalyst for making ceramic microstructures |
| US6821178B2 (en) | 2000-06-08 | 2004-11-23 | 3M Innovative Properties Company | Method of producing barrier ribs for plasma display panel substrates |
| US7033534B2 (en) * | 2001-10-09 | 2006-04-25 | 3M Innovative Properties Company | Method for forming microstructures on a substrate using a mold |
| US7176492B2 (en) * | 2001-10-09 | 2007-02-13 | 3M Innovative Properties Company | Method for forming ceramic microstructures on a substrate using a mold and articles formed by the method |
| US6642295B2 (en) * | 2001-12-21 | 2003-11-04 | Eastman Kodak Company | Photoresist nanocomposite optical plastic article and method of making same |
| WO2007095115A1 (en) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Corning Incorporated | Glass compositions having high thermal and chemical stability and methods of making thereof |
| US7995631B2 (en) * | 2006-04-14 | 2011-08-09 | Raytheon Company | Solid-state laser with spatially-tailored active ion concentration using valence conversion with surface masking and method |
| JP4941403B2 (ja) * | 2007-05-14 | 2012-05-30 | 日本電気硝子株式会社 | 窓用合わせガラス及びガラス窓部材 |
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| US9782949B2 (en) * | 2008-05-30 | 2017-10-10 | Corning Incorporated | Glass laminated articles and layered articles |
| WO2009145909A1 (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | Corning Incorporated | Photovoltaic glass laminated articles and layered articles |
| US20120094084A1 (en) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | William Keith Fisher | Chemically-strengthened glass laminates |
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| KR102255630B1 (ko) | 2013-08-15 | 2021-05-25 | 코닝 인코포레이티드 | 중간 내지 높은 ｃｔｅ 유리 및 이를 포함하는 유리 물품 |
| JP6497407B2 (ja) * | 2017-03-31 | 2019-04-10 | Ａｇｃ株式会社 | 無アルカリガラス基板 |
| US10188970B1 (en) * | 2018-03-26 | 2019-01-29 | Water Solutions, Inc. | Rotary drum screen for thin stillage filtration |
| CN109748496B (zh) * | 2019-01-29 | 2021-12-14 | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 | 一种硼硅酸盐玻璃、防光晕输入窗玻璃及其制备方法和用途 |
| WO2021015057A1 (ja) * | 2019-07-25 | 2021-01-28 | Ａｇｃ株式会社 | 積層部材 |
| KR20220037436A (ko) * | 2019-07-25 | 2022-03-24 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 적층 부재 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3326703A (en) * | 1963-05-10 | 1967-06-20 | Corning Glass Works | Heat-absorbing glass |
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| NL6709718A (ja) * | 1967-07-13 | 1969-01-15 | ||
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| JPS5827643B2 (ja) * | 1979-07-13 | 1983-06-10 | 株式会社日立製作所 | 非直線抵抗体およびその製法 |
| US4321317A (en) * | 1980-04-28 | 1982-03-23 | General Motors Corporation | High resolution lithography system for microelectronic fabrication |
| US4476216A (en) * | 1981-08-03 | 1984-10-09 | Amdahl Corporation | Method for high resolution lithography |
| JPS5832038A (ja) * | 1981-08-14 | 1983-02-24 | Hoya Corp | フオトエツチングマスク用無アルカリガラス |
| US4411972A (en) * | 1981-12-30 | 1983-10-25 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit photomask |
| US4501819A (en) * | 1982-12-23 | 1985-02-26 | Kabushiki Kaisha Ohara Kogaku Garasu Seizosho | Glass for a photomask |
| US4421593A (en) * | 1983-04-11 | 1983-12-20 | Rca Corporation | Reverse etching of chromium |
-
1984
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-
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