JPH0143446B2 - - Google Patents
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- JPH0143446B2 JPH0143446B2 JP11529281A JP11529281A JPH0143446B2 JP H0143446 B2 JPH0143446 B2 JP H0143446B2 JP 11529281 A JP11529281 A JP 11529281A JP 11529281 A JP11529281 A JP 11529281A JP H0143446 B2 JPH0143446 B2 JP H0143446B2
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- JP
- Japan
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- ferromagnetic metal
- strip material
- ion plating
- crawler
- coercive force
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/20—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高抗磁力の磁気記録媒体の得られる
イオンプレーテイング装置に関するものである。
イオンプレーテイング装置に関するものである。
オーデイオやVTR、磁気デイスク等に用いら
れる磁気記録媒体として、最近、基体に強磁性体
金属をこの基体の法線からある入射角をもつて斜
めに蒸着したものが実用化されるようになつてき
た。
れる磁気記録媒体として、最近、基体に強磁性体
金属をこの基体の法線からある入射角をもつて斜
めに蒸着したものが実用化されるようになつてき
た。
この斜め蒸着による磁気記録媒体は、従来は第
１図に示す通り、基体として帯状材１を用い、こ
の帯状材１がバツクローラ２に接触しガイドされ
始める箇所３で、蒸発源４からの強磁性体金属５
が付着するようにしている。そのために蒸発した
強磁性体金属５の何割かは帯状材１に付着するこ
となくガイド６等に付着し浪費される欠点があ
る。また、このようなロスを少しでも改善するた
めに入射角を低くして強磁性体金属を帯状材に付
着することもあるが、抗磁力が低下する欠点があ
つた。
１図に示す通り、基体として帯状材１を用い、こ
の帯状材１がバツクローラ２に接触しガイドされ
始める箇所３で、蒸発源４からの強磁性体金属５
が付着するようにしている。そのために蒸発した
強磁性体金属５の何割かは帯状材１に付着するこ
となくガイド６等に付着し浪費される欠点があ
る。また、このようなロスを少しでも改善するた
めに入射角を低くして強磁性体金属を帯状材に付
着することもあるが、抗磁力が低下する欠点があ
つた。
本発明は、以上の欠点を改良し、高抗磁力の磁
気記録媒体が得られ、強磁性体金属の付着効率を
改善しうるイオンプレーテイング装置の提供を目
的とするものである。
気記録媒体が得られ、強磁性体金属の付着効率を
改善しうるイオンプレーテイング装置の提供を目
的とするものである。
上記の目的を達成するために、本発明は、基体
に強磁性体金属を斜めに付着しバツクローラによ
り冷却しうるイオンプレーテイング装置におい
て、槽内に酸素ガスを充填し、バツクローラに脈
流又は任意の周期のパルス電圧を印加することを
特徴とするイオンプレーテイング装置を提供する
ものである。
に強磁性体金属を斜めに付着しバツクローラによ
り冷却しうるイオンプレーテイング装置におい
て、槽内に酸素ガスを充填し、バツクローラに脈
流又は任意の周期のパルス電圧を印加することを
特徴とするイオンプレーテイング装置を提供する
ものである。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
第２図において、１１は円筒状の真空槽であ
り、一部が突起１２状になつており、真空排気系
に接続され、槽１１内を所定の真空度に保持する
ようになつている。１３はこの真空槽１１内に酸
素ガスを導入し充填するためのノズルである。１
４はプラスチツクフイルム等の帯状材１５を供給
する供給ローラである。１６は帯状材１５を巻き
取るための巻取ローラである。１７及び１８は帯
状材１５をガイドするための案内ローラである。
１９はバツクローラであり、帯状材１５に付着し
た強磁性体金属を冷却するものである。２０はバ
ツクローラ１９の下部に配設された平板状のマス
クである。２１は蒸発源であり、コバルト等の強
磁性体金属２２が収容されており、マスク２０の
一側端の下部に配設され特に真空槽１１と絶縁さ
れている。２３はバツクローラ１９と蒸発源２１
との間に脈流又はパルス電圧を印加しうる電源で
ある。
り、一部が突起１２状になつており、真空排気系
に接続され、槽１１内を所定の真空度に保持する
ようになつている。１３はこの真空槽１１内に酸
素ガスを導入し充填するためのノズルである。１
４はプラスチツクフイルム等の帯状材１５を供給
する供給ローラである。１６は帯状材１５を巻き
取るための巻取ローラである。１７及び１８は帯
状材１５をガイドするための案内ローラである。
１９はバツクローラであり、帯状材１５に付着し
た強磁性体金属を冷却するものである。２０はバ
ツクローラ１９の下部に配設された平板状のマス
クである。２１は蒸発源であり、コバルト等の強
磁性体金属２２が収容されており、マスク２０の
一側端の下部に配設され特に真空槽１１と絶縁さ
れている。２３はバツクローラ１９と蒸発源２１
との間に脈流又はパルス電圧を印加しうる電源で
ある。
すなわち、電源２２により第３図イ又はロに示
す通りの脈流又はパルス電圧をバツクローラ１９
と蒸発源２１との間に印加する。蒸発源２１に収
容された強磁性体金属２２は加熱溶融され蒸発
し、バツクローラ１９と蒸発源２１との間に形成
されたプラズマ中を通過する際にイオン化されて
正イオンとなるとともにプラズマ中の電界により
加速されて帯状材１５に付着する。付着した強磁
性体金属はバツクローラ１９により直ちに冷却さ
れ帯状材１５に固着される。そしてバツクローラ
１９と蒸発源２１との間には脈流又はパルス電圧
が印加されているので強磁性体金属２２が帯状材
１５に付着する速度が周期的に変化し、しかも酸
素が充填されているので、付着速度により強磁性
体金属２２とその酸化物とが生じ帯状材１５の表
面に交互に積層される。従つて、全体として高抗
磁力の金属層が形成される。
す通りの脈流又はパルス電圧をバツクローラ１９
と蒸発源２１との間に印加する。蒸発源２１に収
容された強磁性体金属２２は加熱溶融され蒸発
し、バツクローラ１９と蒸発源２１との間に形成
されたプラズマ中を通過する際にイオン化されて
正イオンとなるとともにプラズマ中の電界により
加速されて帯状材１５に付着する。付着した強磁
性体金属はバツクローラ１９により直ちに冷却さ
れ帯状材１５に固着される。そしてバツクローラ
１９と蒸発源２１との間には脈流又はパルス電圧
が印加されているので強磁性体金属２２が帯状材
１５に付着する速度が周期的に変化し、しかも酸
素が充填されているので、付着速度により強磁性
体金属２２とその酸化物とが生じ帯状材１５の表
面に交互に積層される。従つて、全体として高抗
磁力の金属層が形成される。
例えば、基体に厚さ36μのポリエステルフイル
ムからなる帯状材１５を用い、真空槽１１内には
アルゴンと酸素との混合ガスを充填して３×
10-4Torrの真空度とし、バツクローラ１９と蒸
発源２１との間に周波数20Hz、実効値3KVの脈
流を印加し、フイルム上に1500Aの厚さの強磁性
体金属とその酸化物との積層物からなる金属層を
形成した本発明による磁気記録媒体と、真空度が
同一で電圧3KVの直流電圧を印加し基体等の条
件を同一にして製造した従来の磁気記録媒体との
入射角に対する抗磁力を測定したところ第４図に
示すグラフの通りの結果が得られた。すなわち、
本考案によれば、低入射角度においても高抗磁力
の磁気記録媒体が得られ、例えば、50度の入射角
において本発明によればHc＝950エルステツドで
従来は570エルステツドとなり、前者による方が
約1.7倍の値を示している。
ムからなる帯状材１５を用い、真空槽１１内には
アルゴンと酸素との混合ガスを充填して３×
10-4Torrの真空度とし、バツクローラ１９と蒸
発源２１との間に周波数20Hz、実効値3KVの脈
流を印加し、フイルム上に1500Aの厚さの強磁性
体金属とその酸化物との積層物からなる金属層を
形成した本発明による磁気記録媒体と、真空度が
同一で電圧3KVの直流電圧を印加し基体等の条
件を同一にして製造した従来の磁気記録媒体との
入射角に対する抗磁力を測定したところ第４図に
示すグラフの通りの結果が得られた。すなわち、
本考案によれば、低入射角度においても高抗磁力
の磁気記録媒体が得られ、例えば、50度の入射角
において本発明によればHc＝950エルステツドで
従来は570エルステツドとなり、前者による方が
約1.7倍の値を示している。
以上の通り、本発明によれば、抗磁力が改善さ
れ、特に低入射角度における抗磁力の改善が著し
く入射角度を高くすることなく金属層を形成でき
るので強磁性体金属がマスクや真空層の内壁に付
着して浪費される割合を減少できる等種々の効果
を有するイオンプレーテイング装置が得られる。
れ、特に低入射角度における抗磁力の改善が著し
く入射角度を高くすることなく金属層を形成でき
るので強磁性体金属がマスクや真空層の内壁に付
着して浪費される割合を減少できる等種々の効果
を有するイオンプレーテイング装置が得られる。
第１図は従来のイオンプレーテイング装置の断
面図、第２図は本発明の実施例の断面図、第３図
イ及びロは印加電圧の波形、第４図は入射角度を
変えた際の抗磁力の変化のグラフを示す。 １１……真空槽、１５……帯状材、１９……バ
ツクローラ、２１……蒸発源、２２……強磁性体
金属、２３……電源。
面図、第２図は本発明の実施例の断面図、第３図
イ及びロは印加電圧の波形、第４図は入射角度を
変えた際の抗磁力の変化のグラフを示す。 １１……真空槽、１５……帯状材、１９……バ
ツクローラ、２１……蒸発源、２２……強磁性体
金属、２３……電源。
Claims (1)
- １ 基体に強磁性体金属を該基体の法線に対して
所定の入射角度で斜めに付着しバツクローラによ
り冷却しうるイオンプレーテイング装置におい
て、槽内に酸素ガスを充填し、バツクローラに脈
流又は任意の周期のパルス電圧を印加することを
特徴とするイオンプレーテイング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11529281A JPS5817607A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | イオンプレ−テイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11529281A JPS5817607A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | イオンプレ−テイング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5817607A JPS5817607A (ja) | 1983-02-01 |
| JPH0143446B2 true JPH0143446B2 (ja) | 1989-09-20 |
Family
ID=14659040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11529281A Granted JPS5817607A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | イオンプレ−テイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817607A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60155427U (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-16 | 株式会社 カリタ | コ−ヒ−抽出装置 |
| JPS60225422A (ja) * | 1984-04-24 | 1985-11-09 | Hitachi Ltd | 薄膜形成方法およびその装置 |
| DE3700633C2 (de) * | 1987-01-12 | 1997-02-20 | Reinar Dr Gruen | Verfahren und Vorrichtung zum schonenden Beschichten elektrisch leitender Gegenstände mittels Plasma |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP11529281A patent/JPS5817607A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5817607A (ja) | 1983-02-01 |
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