JPH0136962B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0136962B2 JPH0136962B2 JP58184529A JP18452983A JPH0136962B2 JP H0136962 B2 JPH0136962 B2 JP H0136962B2 JP 58184529 A JP58184529 A JP 58184529A JP 18452983 A JP18452983 A JP 18452983A JP H0136962 B2 JPH0136962 B2 JP H0136962B2
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- JP
- Japan
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- varistor
- voltage
- isostatic pressing
- hot isostatic
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- Expired
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、理論密度比99％TD以上の高密度バ
リスタを得ることが可能なバリスタの製造方法に
関するものである。
リスタを得ることが可能なバリスタの製造方法に
関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
バリスタとは、印加電圧によつて著しく抵抗値
が変わり、電圧−電流特性が非直線性を示す固体
素子の総称である。動作原理は種類によつて違う
が、共通して云えることは、半導体やセラミツク
の表面または内部におけるPN接合や、シヨツト
キ障壁などのポテンシヤル障壁を通過する電流の
非直線性を利用したものである。
が変わり、電圧−電流特性が非直線性を示す固体
素子の総称である。動作原理は種類によつて違う
が、共通して云えることは、半導体やセラミツク
の表面または内部におけるPN接合や、シヨツト
キ障壁などのポテンシヤル障壁を通過する電流の
非直線性を利用したものである。
一般に、バリスタの電圧−電流特性は、
Ｉ＝（Ｖ／Ｃ）〓
で表わされる。ここで、αはバリスタの電圧非直
線指数と呼び、非オーム性の程度、即ちバリスタ
の性能を表わし、バリスタの種類、材料あるいは
製造条件によつて大幅に異なり、Ｃは印加電圧Ｖ
におけるバリスタの抵抗値で、印加電圧Ｖの値に
よつて変化する。
線指数と呼び、非オーム性の程度、即ちバリスタ
の性能を表わし、バリスタの種類、材料あるいは
製造条件によつて大幅に異なり、Ｃは印加電圧Ｖ
におけるバリスタの抵抗値で、印加電圧Ｖの値に
よつて変化する。
半導体化結晶間の粒界領域を高抵抗化したバリ
スタは、結晶粒界近傍の数μmを利用するもので
あり、結晶粒界の高抵抗化領域の状態にバリスタ
特性が左右される。従来のバリスタでは結晶粒界
近傍にポアが集中し、高抵抗化領域の密度が低い
為、電圧非直線指数αのばらつきやサージ耐量が
小さい等の欠点を有していた。
スタは、結晶粒界近傍の数μmを利用するもので
あり、結晶粒界の高抵抗化領域の状態にバリスタ
特性が左右される。従来のバリスタでは結晶粒界
近傍にポアが集中し、高抵抗化領域の密度が低い
為、電圧非直線指数αのばらつきやサージ耐量が
小さい等の欠点を有していた。
（発明の目的）
本発明は上記のような従来の欠点を除去し、高
密度で機械的強度の高いバリスタの製造方法を提
供するものである。
密度で機械的強度の高いバリスタの製造方法を提
供するものである。
（発明の構成）
本発明はバリスタ基板を不活性ガス中において
熱間静水圧プレスするものである。
熱間静水圧プレスするものである。
（実施例の説明）
以下本発明のバリスタの製造方法についてその
一実施例を説明する。
一実施例を説明する。
試料の調整工程としては工業用原料（純度99.9
％以上）であるZnO、Bi2O3、MnOを準備する。
次いで、ZnO粉末にBi2O3及びMnO粉末を加え充
分均一に混合した後、直径13mm厚さ３mmの円板形
に圧縮成型し、1330℃の温度で焼成してバリスタ
基板を作成する。そのバリスタ基板を、バリスタ
基板を粉砕したバツフア用粉末と共にZrO2坩堝
に投入し、1250℃ー1500atm Ar中において熱間
静水圧プレスし、その後、大気中1100℃にて熱処
理する。このようにして得られた磁器の両面に
Ag系のオーミツク電極を形成させてバリスタ素
子とし、第１図〜第４図に示す各特性を調べた。
％以上）であるZnO、Bi2O3、MnOを準備する。
次いで、ZnO粉末にBi2O3及びMnO粉末を加え充
分均一に混合した後、直径13mm厚さ３mmの円板形
に圧縮成型し、1330℃の温度で焼成してバリスタ
基板を作成する。そのバリスタ基板を、バリスタ
基板を粉砕したバツフア用粉末と共にZrO2坩堝
に投入し、1250℃ー1500atm Ar中において熱間
静水圧プレスし、その後、大気中1100℃にて熱処
理する。このようにして得られた磁器の両面に
Ag系のオーミツク電極を形成させてバリスタ素
子とし、第１図〜第４図に示す各特性を調べた。
第１図は熱間静水圧プレス前後における電圧非
直線指数αの変動を示すグラフ、第２図はサージ
電圧に対する電流耐量の関係を示すグラフであ
り、８×20μSの標準衝撃電流の場合の常用耐量
を●、破壊耐量を〇で示してあり、第３図は熱間
静水圧プレス前後における理論密度比の変化を示
す図、第４図は熱間静水圧プレス前後における抗
折力変化を示すグラフである。各図においてHIP
前及びHIP後とあるのは熱間静水圧プレスを行う
前及び行つた後の特性を示すものである。
直線指数αの変動を示すグラフ、第２図はサージ
電圧に対する電流耐量の関係を示すグラフであ
り、８×20μSの標準衝撃電流の場合の常用耐量
を●、破壊耐量を〇で示してあり、第３図は熱間
静水圧プレス前後における理論密度比の変化を示
す図、第４図は熱間静水圧プレス前後における抗
折力変化を示すグラフである。各図においてHIP
前及びHIP後とあるのは熱間静水圧プレスを行う
前及び行つた後の特性を示すものである。
第１図乃至第４図から明らかなように、電圧非
直線指数α、電流耐量、密度、機械強度ともに本
発明による製品は優れている。これらの結果は、
熱間静水圧プレスにより、半導体層及び高抵抗化
層の密度が緻密化したことにより得られるもので
ある。
直線指数α、電流耐量、密度、機械強度ともに本
発明による製品は優れている。これらの結果は、
熱間静水圧プレスにより、半導体層及び高抵抗化
層の密度が緻密化したことにより得られるもので
ある。
なお、本実施例ではZnO系バリスタを用いた
が、SiC系バリスタ等についても同等の結果が得
られる。
が、SiC系バリスタ等についても同等の結果が得
られる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば電圧非直
線指数αの値が高くしかも安定であり、サージ電
圧に対する電流耐量が高くなり、また、理論密度
比99％TD以上の高密度セラミツクスが得られる
と共に機械的強度が大幅にアツプする等、工業的
量産下においても著しく安定なのであるという優
れた製造方法であり、産業的価値は頗る大なるも
のである。
線指数αの値が高くしかも安定であり、サージ電
圧に対する電流耐量が高くなり、また、理論密度
比99％TD以上の高密度セラミツクスが得られる
と共に機械的強度が大幅にアツプする等、工業的
量産下においても著しく安定なのであるという優
れた製造方法であり、産業的価値は頗る大なるも
のである。
第１図は熱間静水圧プレス前後における電圧非
直線指数αの変動を示すグラフ、第２図はサージ
電圧に対する電流耐量の関係を示すグラフ、第３
図は熱間静水圧プレス前後における理論密度比の
変化を示す図、第４図は熱間静水圧プレス前後に
おける抗折力変化を示すグラフである。
直線指数αの変動を示すグラフ、第２図はサージ
電圧に対する電流耐量の関係を示すグラフ、第３
図は熱間静水圧プレス前後における理論密度比の
変化を示す図、第４図は熱間静水圧プレス前後に
おける抗折力変化を示すグラフである。
Claims (1)
- １ 結晶粒子を半導体化し結晶粒界を高抵抗化し
たバリスタ基板を不活性ガス中において熱間静水
圧プレスすることを特徴とするバリスタの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58184529A JPS6077402A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | バリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58184529A JPS6077402A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | バリスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077402A JPS6077402A (ja) | 1985-05-02 |
| JPH0136962B2 true JPH0136962B2 (ja) | 1989-08-03 |
Family
ID=16154788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58184529A Granted JPS6077402A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | バリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077402A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189202A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-26 | 三菱電機株式会社 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
| JPS60189201A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-26 | 三菱電機株式会社 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP58184529A patent/JPS6077402A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6077402A (ja) | 1985-05-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |