JPS6077402A - バリスタの製造方法 - Google Patents
バリスタの製造方法Info
- Publication number
- JPS6077402A JPS6077402A JP58184529A JP18452983A JPS6077402A JP S6077402 A JPS6077402 A JP S6077402A JP 58184529 A JP58184529 A JP 58184529A JP 18452983 A JP18452983 A JP 18452983A JP S6077402 A JPS6077402 A JP S6077402A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- voltage
- isostatic pressing
- hot isostatic
- graph showing
- Prior art date
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- Granted
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、理論密度比９９％ＴＤ以」二の高密度バリス
タを得ることが可能なバリスタの製造方法に関するもの
でちる。
タを得ることが可能なバリスタの製造方法に関するもの
でちる。
（従来例の構成とその問題点）
バリスタとは、印加電圧によって著しく抵抗値が変わり
、電圧−電流特性が非直線性を示す固体素子の総称であ
Ｚ）。動作原理は種類によっ又違うが、Ｊｔ二Ｍｌ−て
云えることは、半導体やセラミックの表面または内部に
おけるＰＮ接合や、ノヨノトキ障壁などのポテンシャル
障壁を通過する電流の一般に、バリスタの電圧−電流特
性は、Ｖ α １−（で） で表わされる。ここで、αはバリスタの電圧非直線指数
と呼び、非オーム性の程度、即ちバリスタの性能を表わ
し、バリスタの種類、材料あるいは製造条件によって大
幅に異なり、Ｃは印加電圧Ｖにおけるバリスタの抵抗値
で、印加電圧Ｖの値によって変化する。
、電圧−電流特性が非直線性を示す固体素子の総称であ
Ｚ）。動作原理は種類によっ又違うが、Ｊｔ二Ｍｌ−て
云えることは、半導体やセラミックの表面または内部に
おけるＰＮ接合や、ノヨノトキ障壁などのポテンシャル
障壁を通過する電流の一般に、バリスタの電圧−電流特
性は、Ｖ α １−（で） で表わされる。ここで、αはバリスタの電圧非直線指数
と呼び、非オーム性の程度、即ちバリスタの性能を表わ
し、バリスタの種類、材料あるいは製造条件によって大
幅に異なり、Ｃは印加電圧Ｖにおけるバリスタの抵抗値
で、印加電圧Ｖの値によって変化する。
半導体化結晶間の粒界領域を高抵抗化したバリスタは、
結晶粒界近傍の数βｍを利用するものであり、結晶粒界
の高抵抗化領域の状態にバリスタ特性が左右される。従
来のバリスタでは結晶粒界近傍にボアが集中し、高抵抗
化領域の密度が低い為、電圧非直線指数αのばらつきや
ダージ耐量が小さい等の欠点を有していた。
結晶粒界近傍の数βｍを利用するものであり、結晶粒界
の高抵抗化領域の状態にバリスタ特性が左右される。従
来のバリスタでは結晶粒界近傍にボアが集中し、高抵抗
化領域の密度が低い為、電圧非直線指数αのばらつきや
ダージ耐量が小さい等の欠点を有していた。
（発明の目的）
本発明は上記のような従来の欠点を除去し、高密度で機
械的強度の高いバリスタの製造方法を折（発明の構成） 本発明はバリスタ基板を不活性ガス中において熱間静水
圧プレスするものである。
械的強度の高いバリスタの製造方法を折（発明の構成） 本発明はバリスタ基板を不活性ガス中において熱間静水
圧プレスするものである。
（実施例の説明）
以下本発明のバリスタの製造方法についてその一実施例
を説明する。
を説明する。
試料の調整工程としては工業用原料（純度９９９％り上
）であるＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯを準備する。
）であるＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｎＯを準備する。
次いで、ｚｎＯ粉末にＢｉ２Ｏ３及びＭｎＯ粉末を加え
充分均一に混合した後、直径１３關厚さ３解の円板形に
圧縮成型し、１３３０’（＋の温度で焼成してかリスク
基板を作成する。そのバリスタ基板を、バリスタ基板を
粉砕したバッファ用粉末と共にＺｒ ０２坩堝に投入し
、１２５０℃−１５００ａｔｍＡｒ中において熱間静水
圧プレスし、その後、大気中１１ＯＯ℃にて熱処理する
。このようにし−で得られた磁器の両面にＡｇ系のオー
ミック電極を形成させてバリスタ素子とし、第１図〜第
４図に示す各特性を調べだ。
充分均一に混合した後、直径１３關厚さ３解の円板形に
圧縮成型し、１３３０’（＋の温度で焼成してかリスク
基板を作成する。そのバリスタ基板を、バリスタ基板を
粉砕したバッファ用粉末と共にＺｒ ０２坩堝に投入し
、１２５０℃−１５００ａｔｍＡｒ中において熱間静水
圧プレスし、その後、大気中１１ＯＯ℃にて熱処理する
。このようにし−で得られた磁器の両面にＡｇ系のオー
ミック電極を形成させてバリスタ素子とし、第１図〜第
４図に示す各特性を調べだ。
第１図は熱間静水圧プレス前後における電圧非直線指数
αの変動を示すグラフ、第２図はサージ電圧に対する電
流耐量の関係を示すグラフであり、８Ｘ２０μｓの標準
衝撃電流の場合の常用耐量を・、破壊耐量な○で示して
あり、第３図は熱間静水圧プレス前後における理論密度
比の変化を示す図、第４図は熱間静水圧プレス前後にお
ける抗折力変化を示すグラフである。各図においてＨＩ
Ｐ前及びＨＩＰ後とあるのは熱間静水圧プレスを行うｔ
ｉｉＪ及び行った後の特性を示すものである。
αの変動を示すグラフ、第２図はサージ電圧に対する電
流耐量の関係を示すグラフであり、８Ｘ２０μｓの標準
衝撃電流の場合の常用耐量を・、破壊耐量な○で示して
あり、第３図は熱間静水圧プレス前後における理論密度
比の変化を示す図、第４図は熱間静水圧プレス前後にお
ける抗折力変化を示すグラフである。各図においてＨＩ
Ｐ前及びＨＩＰ後とあるのは熱間静水圧プレスを行うｔ
ｉｉＪ及び行った後の特性を示すものである。
第１図乃至第４図から明らかなように、電圧非直線指数
α、電流耐量、密度、機械強度ともに本発明による製品
は優れている。これらの結果は、熱間静水圧プレスによ
り、半導体層及び高抵抗化層の密度が緻密化したことに
より得られるものである。
α、電流耐量、密度、機械強度ともに本発明による製品
は優れている。これらの結果は、熱間静水圧プレスによ
り、半導体層及び高抵抗化層の密度が緻密化したことに
より得られるものである。
なお、本実施例ではＺｎＯ系バリスタを用いたが、Ｓｉ
Ｃ系ハＩＪスタ等についても同等の結果が得られる。
Ｃ系ハＩＪスタ等についても同等の結果が得られる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば電圧非直線指数α
の値が高くしかも安定であり、サージ電圧に対する電流
耐量が高くなシ、また、理論密度比９９％ＴＤ以上の高
密度セラミクスが得られると共に機械的強度が大幅にア
ップする等、工業的量産下においても著しく安定なもの
であるという優れた製造方法であシ、産業的価値は頗る
犬なるものである。
の値が高くしかも安定であり、サージ電圧に対する電流
耐量が高くなシ、また、理論密度比９９％ＴＤ以上の高
密度セラミクスが得られると共に機械的強度が大幅にア
ップする等、工業的量産下においても著しく安定なもの
であるという優れた製造方法であシ、産業的価値は頗る
犬なるものである。
第１図は熱間静水圧プレス前後における電圧非直線指数
αの変動を示すグラフ、第２図はサージ電圧に対する電
流耐量の関係を示すグラフ、第３図は熱間静水圧プレス
前後における理論密度比の変化を示す図、第４図は熱間
静水圧プレス前後における抗折力変化を示すグラフであ
る。 特許出願人 松下電器産業株式会社 ゛・・λ“コ゛１ 代 理 人 星 野 恒 司 ；玉ｊ 第１図
αの変動を示すグラフ、第２図はサージ電圧に対する電
流耐量の関係を示すグラフ、第３図は熱間静水圧プレス
前後における理論密度比の変化を示す図、第４図は熱間
静水圧プレス前後における抗折力変化を示すグラフであ
る。 特許出願人 松下電器産業株式会社 ゛・・λ“コ゛１ 代 理 人 星 野 恒 司 ；玉ｊ 第１図
Claims (1)
- 結晶粒子を半導体化し結晶粒界を高抵抗化したバリスタ
基板を不活性ガス中において熱間静水圧プレスすること
を特徴とするノへリスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58184529A JPS6077402A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | バリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58184529A JPS6077402A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | バリスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077402A true JPS6077402A (ja) | 1985-05-02 |
| JPH0136962B2 JPH0136962B2 (ja) | 1989-08-03 |
Family
ID=16154788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58184529A Granted JPS6077402A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | バリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077402A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189201A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-26 | 三菱電機株式会社 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
| JPS60189202A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-26 | 三菱電機株式会社 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP58184529A patent/JPS6077402A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189201A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-26 | 三菱電機株式会社 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
| JPS60189202A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-26 | 三菱電機株式会社 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
| JPH0314203B2 (ja) * | 1984-03-09 | 1991-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | |
| JPH0314202B2 (ja) * | 1984-03-09 | 1991-02-26 | Mitsubishi Electric Corp |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0136962B2 (ja) | 1989-08-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |