JPH04124064A - 高熱伝導性炭化珪素 - Google Patents

高熱伝導性炭化珪素

Info

Publication number
JPH04124064A
JPH04124064A JP2244016A JP24401690A JPH04124064A JP H04124064 A JPH04124064 A JP H04124064A JP 2244016 A JP2244016 A JP 2244016A JP 24401690 A JP24401690 A JP 24401690A JP H04124064 A JPH04124064 A JP H04124064A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon carbide
titanium dioxide
conductive silicon
transition metal
highly heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2244016A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3002513B2 (ja
Inventor
Hiromi Kagohara
楮原 広美
Takeshi Matsumoto
剛 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2244016A priority Critical patent/JP3002513B2/ja
Publication of JPH04124064A publication Critical patent/JPH04124064A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3002513B2 publication Critical patent/JP3002513B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規な高熱伝導炭化硅素が製造方法に関する。
〔従来の技術〕
従来の製法は、特開昭56−66086号公報に記載の
ように、二酸化チタンなどの遷移金属系酸化物は添加さ
れておらず、また、その量も規定していない。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術は色調に関する考慮がされておらず、色調
不良により基板歩留りが著しく低かった。
本発明の目的は高熱伝導性炭化硅素焼結体の色調を均一
にすることにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、本発明は二酸化チタニウム
等遷移金属系酸化物を添加した°ものである。
〔作用〕
高熱伝導性炭化硅素の焼成はホットプレス法で約210
0℃の高温真空中で行う。この炭化硅素の正常な色調は
黒褐色である。ところが量産用大型サイズ(直径300
mm)の焼結体は外周側の色調が白褐色を呈するように
なり、外観不良となる。
この色調差は主に焼結体中に含まれる不純物の種類とそ
の量、及び、結晶粒径に起因するが、外周側はど不純物
が少なく、結晶粒径は大きくなるため色調は白褐色を呈
する。ところが遷移金属系酸化物7例えば、二酸化チタ
ニウムを重量で数百ppm添加すると外周側の白褐色部
は減少し、黒褐色の領域が広くなり、歩留りが大幅に向
上することを見い出した。これは遷移金属が粒界三重点
に残存するための着色効果と結晶粒の成長を抑制する働
きがあるためである。しかし、添加量が少ないと効果は
小さく、逆に多過ぎると誘電率が大きくなり規格からは
ずれるようになる。従って、二酸化チタニウムの場合の
適量は重量で100〜700ppmである。
〔実施例〕
純度97%の炭化硅素粉末(平均粒径2μm)100重
量部と酸化ベリリウム粉末1重量部に二酸化チタニウム
をO〜0.1 重量部を十分に混合した後、直径300
an、板厚2Iに仮成形した。
次いで、仮成形品を黒鉛治具に入れ、真空ホラ1〜プレ
ス装置で真空度10−3〜10−5Torrの減圧下で
加圧力300眩/d、温度2100℃で焼結した。こう
して得られた二酸化チタニウムを含む焼結体(厚さ1.
1aa)の両面を夫々0.3 mダイヤモンド砥石で研
削した。次ず、色調を調査し、有効直径を測定した。次
いで21m+角サイズに切断し、比抵抗、密度、誘電率
、熱伝導率を調査した。
第1図に二酸化チタニウム量と色調の均一な領域の有効
直径を示す。二酸化チタニウム量の増加につれて有効直
径か急激に増大するが、1100pp以上での増加率は
小さい。従って、二酸化チタニウムの有効添加量は11
00pp以上は必要である。
第1表は各二酸化チタニウム量の密度、比抵抗。
熱伝導率を示す。いずれの添加量でも各物性値の規格値
を十分満足する。
第1表 第2図は二酸化チタニウム量と誘電率の関係を示す。こ
れによると二酸化チタニウム量が700ppmを超える
と誘電率の規格値を下廻る。従って、二酸化チタニウム
量の上限は700ppmが適当である。
第三元素として二酸化チタニウムの他にアルミナ、黒鉛
、鈍化ホウ素についても調査した。試料の作成は前述と
同様である。第2表はそれらの結果をまとめたものであ
る。
第2表 ○:良好、×:不良 アルミナ、黒鉛は誘電率を著しく増大させ、窒化ホウ素
は熱伝導率を低下させることが分った。
即ち、炭化硅素と反応するものは好ましくない。
〔発明の効果〕
本発明によれば高熱伝導性炭化硅素の色調の均一領域が
広くなり、有効直径が大きくなるので、外観不良が減少
し、歩留りが向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例で高熱伝導性炭化硅素焼結体
の色調の有効直径と二酸化チタニウム量の関係を示す特
性図、第2図は同じく二酸化チタニウム量と誘電率の関
係について示す特性図である。 第 図 i10 2(<′10)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.1重量%以下の酸化ベリウムと95重量%以上の炭
    化硅素を主成分とする高熱伝導性炭化硅素において、 第三元素として遷移金属系酸化物を添加することを特徴
    とする高熱伝導性炭化硅素の製法。
  2. 2.請求項1において、前記遷移金属系酸化物が二酸化
    チタニウムである高熱伝導性炭化硅素の製法。
  3. 3.請求項2において、二酸化チタニウムは重量で10
    0〜700ppmの範囲である高熱伝導性炭化硅素の製
    法。
JP2244016A 1990-09-17 1990-09-17 高熱伝導性炭化珪素 Expired - Lifetime JP3002513B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2244016A JP3002513B2 (ja) 1990-09-17 1990-09-17 高熱伝導性炭化珪素

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2244016A JP3002513B2 (ja) 1990-09-17 1990-09-17 高熱伝導性炭化珪素

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04124064A true JPH04124064A (ja) 1992-04-24
JP3002513B2 JP3002513B2 (ja) 2000-01-24

Family

ID=17112459

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2244016A Expired - Lifetime JP3002513B2 (ja) 1990-09-17 1990-09-17 高熱伝導性炭化珪素

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3002513B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011168438A (ja) * 2010-02-18 2011-09-01 Ngk Insulators Ltd 炭化珪素ハニカム構造体の製造方法、炭化珪素ハニカム構造体、ハニカムフィルタ、及び触媒担持ハニカムフィルタ
JP2012232863A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Kyocera Corp 炭化珪素質焼結体およびこの炭化珪素質焼結体からなる静電吸着部材ならびに半導体製造装置用部材
CN104387069A (zh) * 2014-10-30 2015-03-04 苏州莱特复合材料有限公司 一种用于飞机刹车盘的碳/碳化硅摩擦材料的制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011168438A (ja) * 2010-02-18 2011-09-01 Ngk Insulators Ltd 炭化珪素ハニカム構造体の製造方法、炭化珪素ハニカム構造体、ハニカムフィルタ、及び触媒担持ハニカムフィルタ
JP2012232863A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Kyocera Corp 炭化珪素質焼結体およびこの炭化珪素質焼結体からなる静電吸着部材ならびに半導体製造装置用部材
CN104387069A (zh) * 2014-10-30 2015-03-04 苏州莱特复合材料有限公司 一种用于飞机刹车盘的碳/碳化硅摩擦材料的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3002513B2 (ja) 2000-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0219933B1 (en) Sintered silicon carbide ceramic body of high electrical resistivity
US6695984B1 (en) Silicon carbide sinter and process for producing the same
JPH11322332A (ja) ZnO系焼結体およびその製造方法
US4336216A (en) Process for producing silicon carbide heating elements
US4762810A (en) Method for the preparation of a sintered body of silicon carbide
US4376652A (en) High density high strength Si3 N4 ceramics prepared by pressureless sintering of amorphous Si3 N4 powder and Ti
JPH04124064A (ja) 高熱伝導性炭化珪素
JPS6328325B2 (ja)
JP3749631B2 (ja) BaxSr1−xTiO3−αスパッタリングターゲットおよびその製造方法
JPH0567593B2 (ja)
JP2570404B2 (ja) NaおよびK含有量の少ないクロムシリサイド粉末の製造法
JP2647346B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体放熱板の製造方法
JPH04144967A (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JP2728706B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体
JP2587854B2 (ja) 熱伝導度が向上された窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JPH0522670B2 (ja)
JPH0458437B2 (ja)
JPS59141248A (ja) 半導体基板材料
JPS61205665A (ja) 電気絶縁性基板およびその製造方法
JPS6045147B2 (ja) 透光性多結晶アルミナ組成物およびその製造法
JPH0136962B2 (ja)
JPH02275770A (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JPH07187789A (ja) 窒化アルミニウム焼結体および窒化アルミニウム多層回路基板
KR930001297B1 (ko) 반도체 기판용 탄화규소의 제조방법
JPS61183174A (ja) 窒化アルミニウム焼結体