JPH01319941A - ポリイミド層と金属の間の接着力を強化する方法 - Google Patents
ポリイミド層と金属の間の接着力を強化する方法Info
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 62
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 title claims abstract description 52
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 title 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 32
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 25
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 claims description 19
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 claims description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract 5
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 abstract 4
- HEUUBWQOIYCBCI-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole;copper Chemical group [Cu].C1=CC=CC2=NNN=C21 HEUUBWQOIYCBCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- NXDMHKQJWIMEEE-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenoxy)aniline;furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1.C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O NXDMHKQJWIMEEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002160 Celluloid Polymers 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- UCFCTSYWEPBANH-UHFFFAOYSA-N copper benzotriazol-1-ide Chemical compound [Cu+2].C1=CC=C2[N-]N=NC2=C1.C1=CC=C2[N-]N=NC2=C1 UCFCTSYWEPBANH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HRUHPILBKCOLEY-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole;gold Chemical compound [Au].C1=CC=CC2=NNN=C21 HRUHPILBKCOLEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBWXIFXUDGADCV-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole;silver Chemical compound [Ag].C1=CC=C2NN=NC2=C1 IBWXIFXUDGADCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000002635 aromatic organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 150000001565 benzotriazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000003354 benzotriazolyl group Chemical group N1N=NC2=C1C=CC=C2* 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003055 poly(ester-imide) Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明はポリイミド層と金属の間の接着力を強化する方
法に関するものであり、特に、ポリイミド層と、銅、銀
または金との接着の改良に関するものである。本発明は
集積回路チップ装着用のキャリアに用いるポリイミド基
板上に導線を形成する際に特に有用である。
法に関するものであり、特に、ポリイミド層と、銅、銀
または金との接着の改良に関するものである。本発明は
集積回路チップ装着用のキャリアに用いるポリイミド基
板上に導線を形成する際に特に有用である。
B、従来技術
ポリイミドは、半導体及び実装業界で広く使用されてい
る。たとえば、半導体チップの実装で、基板をポリイミ
ド・フィルムでコーティングすることが多い。
る。たとえば、半導体チップの実装で、基板をポリイミ
ド・フィルムでコーティングすることが多い。
たとえば、チップ装着用の多層基板を形成するのに、金
属導体のパターンを付着させたセラミック材料の絶縁基
板を使用する構造がある。通常、導体は3層の金属で、
クロム層の上に銅層、その上にクロム層を宵する。メタ
ライズしたセラミック層の上面にポリイミドの層または
皮膜を設け、ポリイミドの上面に第2の導体パターンの
層を設ける。
属導体のパターンを付着させたセラミック材料の絶縁基
板を使用する構造がある。通常、導体は3層の金属で、
クロム層の上に銅層、その上にクロム層を宵する。メタ
ライズしたセラミック層の上面にポリイミドの層または
皮膜を設け、ポリイミドの上面に第2の導体パターンの
層を設ける。
第2の層またはその後の層上のポリイミドに接触する金
属は、たとえば米国特許第4386116号明細書に開
示されているように、銅とすることができる。
属は、たとえば米国特許第4386116号明細書に開
示されているように、銅とすることができる。
しかし、銅とポリイミドの間の接着力は、完全に満足で
きるものではなく、ある程度改良の余地がある。特に、
銅とポリイミドの境界面で問題が。
きるものではなく、ある程度改良の余地がある。特に、
銅とポリイミドの境界面で問題が。
生じ、その結果、銅の線が下のポリイミドから剥離して
、キャリアがその所期の目的に適さなくなる。
、キャリアがその所期の目的に適さなくなる。
したがって、銅とポリイミドの境界面を有する構造が商
用環境で競争力をもつものとなるには、銅とポリイミド
の境界面の接着を改良することが必要である。
用環境で競争力をもつものとなるには、銅とポリイミド
の境界面の接着を改良することが必要である。
C0発明が解決しようとする問題点
本発明の目的は、ポリイミド層と、銅、銀、金等の金属
との境界面における接着を改良することにある。
との境界面における接着を改良することにある。
D0問題点を解決するための手段
特に銅に関しては、線の剥離の問題は、工程に用いる化
学薬品の制御不能なガス発生、拡散及び移行によるもの
と考えられ、それが銅とポリイミドとの境界面における
銅の酸化の原因となる。集積回路モジュールの処理に使
用され、銅の酸化の原因となる傾向を有する化学薬品の
例には、クロムのエッチ剤として使用するアルカリ性過
マンガン酸カリウム、銅のエッチ剤として使用する塩化
第二鉄、及びバイア内からレジストまたは汚染物質を除
去するのに使用する各種の薬品がある。銅に関しては、
本発明に使用する手順は、銅の酸化物生成に対するバリ
アを形成する傾向があると考えられる。
学薬品の制御不能なガス発生、拡散及び移行によるもの
と考えられ、それが銅とポリイミドとの境界面における
銅の酸化の原因となる。集積回路モジュールの処理に使
用され、銅の酸化の原因となる傾向を有する化学薬品の
例には、クロムのエッチ剤として使用するアルカリ性過
マンガン酸カリウム、銅のエッチ剤として使用する塩化
第二鉄、及びバイア内からレジストまたは汚染物質を除
去するのに使用する各種の薬品がある。銅に関しては、
本発明に使用する手順は、銅の酸化物生成に対するバリ
アを形成する傾向があると考えられる。
本発明によれば、ポリイミド層と金属の間の接着力は、
ポリアミン酸層に隣接する金属ベンゾトリアゾール層を
設けることにより強化される。ベンゾトリアゾールの金
属は、銅、銀または金である。次に金属の層を、金属ベ
ンゾトリアゾール層に隣接して設ける。
ポリアミン酸層に隣接する金属ベンゾトリアゾール層を
設けることにより強化される。ベンゾトリアゾールの金
属は、銅、銀または金である。次に金属の層を、金属ベ
ンゾトリアゾール層に隣接して設ける。
さらに、本発明は、ポリイミド層と、ポリイミド色土の
金属ベンゾトリアゾール層を有する製品に関するもので
ある。金属ベンゾトリアゾールの金属は銅、銀または金
である。さらに、金属ベンゾトリアゾール層に隣接して
、金属層を設ける。
金属ベンゾトリアゾール層を有する製品に関するもので
ある。金属ベンゾトリアゾールの金属は銅、銀または金
である。さらに、金属ベンゾトリアゾール層に隣接して
、金属層を設ける。
E、実施例
本発明の方法は、ポリアミン酸層に隣接する金属ベンゾ
トリアゾール層の形成に関するものである。金属ベンゾ
トリアゾールは、銅ベンゾトリアゾール、銀ベンゾトリ
アゾールまたは金ベンゾトリアゾールとすることができ
るが、銅ベンゾトリアゾールが好ましい。必要があれば
、これらのベンゾトリアゾール類の混合物を使用するこ
ともできる。
トリアゾール層の形成に関するものである。金属ベンゾ
トリアゾールは、銅ベンゾトリアゾール、銀ベンゾトリ
アゾールまたは金ベンゾトリアゾールとすることができ
るが、銅ベンゾトリアゾールが好ましい。必要があれば
、これらのベンゾトリアゾール類の混合物を使用するこ
ともできる。
ベンゾトリアゾール層は、ポリアミン酸層に、好ましく
は有機溶媒の溶液の形で金属ベンゾトリアゾールを塗布
し、または、たとえば、ポリアミン酸層を薄い金属の層
でコーティングした後、ベンゾトリアゾールをアルコー
ル、好ましくはメタノールやエタノール等の有機溶媒、
またはベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族有機溶
媒に溶かした溶液でコーティングすることによって形成
でき、ベンゾトリアゾールが金属と反応して金属ベンゾ
トリアゾール層を形成する。ベンゾトリアゾール層は、
最初にベンゾトリアゾール溶液でコーティングした後、
金属層をコーティングすることによって形成できる。別
法として、金属ベンゾトリアゾール層は、薄い金属層と
ベンゾトリアゾール層を同時に基板に塗布することによ
っても形成できる。
は有機溶媒の溶液の形で金属ベンゾトリアゾールを塗布
し、または、たとえば、ポリアミン酸層を薄い金属の層
でコーティングした後、ベンゾトリアゾールをアルコー
ル、好ましくはメタノールやエタノール等の有機溶媒、
またはベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族有機溶
媒に溶かした溶液でコーティングすることによって形成
でき、ベンゾトリアゾールが金属と反応して金属ベンゾ
トリアゾール層を形成する。ベンゾトリアゾール層は、
最初にベンゾトリアゾール溶液でコーティングした後、
金属層をコーティングすることによって形成できる。別
法として、金属ベンゾトリアゾール層は、薄い金属層と
ベンゾトリアゾール層を同時に基板に塗布することによ
っても形成できる。
銅、銀または金等の金属は、周知のスパッタリングまた
は蒸着により約100ないし約800人の薄膜として付
着させる。
は蒸着により約100ないし約800人の薄膜として付
着させる。
たとえば、銅は蒸着により付着させることができ、その
際に、蒸着が行なわれる基板は約220℃ないし約28
0°Cとなる。
際に、蒸着が行なわれる基板は約220℃ないし約28
0°Cとなる。
ベンゾトリアゾールは、通常0.25%ないし約1%の
何機溶媒溶液として使用し、スプレィまたは浸漬コーテ
ィングにより塗布する。通常約20OAないし約600
Aのきわめて薄い層を形成するような借とする。
何機溶媒溶液として使用し、スプレィまたは浸漬コーテ
ィングにより塗布する。通常約20OAないし約600
Aのきわめて薄い層を形成するような借とする。
使用するポリアミン酸は、ポリイミド生成の前駆物質で
ある。ポリアミン酸類は、デュポン社(DuPont
)から、「ビラリン(Pyralin) Jの商品名で
重板されている。このようなポリイミド前駆物質は、デ
ュポン社からビラリンPI−2555、PI−2545
、PI−25601PI−5878、PIH−6145
4、PI−2540の商品名で発売されているポリイミ
ド前駆物質を含めて、様々なグレードのものがある。こ
れらの材料は、すべて無水ピロメリト酸−オキシジアナ
リン(PMDA−ODA)ポリイミド前駆物質である。
ある。ポリアミン酸類は、デュポン社(DuPont
)から、「ビラリン(Pyralin) Jの商品名で
重板されている。このようなポリイミド前駆物質は、デ
ュポン社からビラリンPI−2555、PI−2545
、PI−25601PI−5878、PIH−6145
4、PI−2540の商品名で発売されているポリイミ
ド前駆物質を含めて、様々なグレードのものがある。こ
れらの材料は、すべて無水ピロメリト酸−オキシジアナ
リン(PMDA−ODA)ポリイミド前駆物質である。
これらのポリイミド前駆物質(ポリアミン酸)は、ポリ
アミン酸に隣接して金属ベンゾトリアゾール層を形成す
るステップの後で、少なくとも約110°C1好ましく
は少なくとも約360℃の温度に加熱するなどにより、
ポリイミドに変換される。
アミン酸に隣接して金属ベンゾトリアゾール層を形成す
るステップの後で、少なくとも約110°C1好ましく
は少なくとも約360℃の温度に加熱するなどにより、
ポリイミドに変換される。
この熱硬化は通常約15分、好ましくは少なくとも約3
0分間行なう。
0分間行なう。
本発明で使用するポリイミドには、ポリエステルイミド
、ポリアミドイミドエステル、ポリアミドイミド、ポリ
シロキサンイミドなどの非修飾ポリイミド類、及びその
他の混合ポリイミド類がある。上記のポリイミド類は周
知のもので、詳細に説明する必要はない。
、ポリアミドイミドエステル、ポリアミドイミド、ポリ
シロキサンイミドなどの非修飾ポリイミド類、及びその
他の混合ポリイミド類がある。上記のポリイミド類は周
知のもので、詳細に説明する必要はない。
一般に、ポリイミド類は下記の反復単位を育する。
上式で、nは、通常約to、oooないし約1oo、o
ooの分子量をもたらす反復単位数を表わす整数、Rは
、下記の群から選択した少なくとも1つの4価の有機基
である。
ooの分子量をもたらす反復単位数を表わす整数、Rは
、下記の群から選択した少なくとも1つの4価の有機基
である。
R2は工ないし4個の炭素原子と、カルボニル基、オキ
シ基、スルホ基、ヘキサフルオロインプロピリデン及び
スルホニル基を有する2価の脂肪族炭化水素基からなる
群から選択したもの、R1は下記の群から選択した少な
くとも1つの2価の基である。
シ基、スルホ基、ヘキサフルオロインプロピリデン及び
スルホニル基を有する2価の脂肪族炭化水素基からなる
群から選択したもの、R1は下記の群から選択した少な
くとも1つの2価の基である。
R3は、R2、シリコン、アミノ基からなる群から選択
した2価の何機基である。2個以上のRまたはR+基あ
るいはその両方、特にアミン基を有する一連のR1を含
む重合体を使用することができる。
した2価の何機基である。2個以上のRまたはR+基あ
るいはその両方、特にアミン基を有する一連のR1を含
む重合体を使用することができる。
金属ベンゾトリアゾールの生成前にポリアミン酸がすで
にポリイミドに変換されている場合、約50人ないし約
200人の薄いポリイミド層だけが、通常濃度が約50
重量%未溝、好ましくは約10重量%のアルカリ金属水
酸化物水溶液中で変換してポリアミン酸に戻すことがで
きることが好ましい。変換は、一般に室温で約5秒間な
いし約2分間かかる。
にポリイミドに変換されている場合、約50人ないし約
200人の薄いポリイミド層だけが、通常濃度が約50
重量%未溝、好ましくは約10重量%のアルカリ金属水
酸化物水溶液中で変換してポリアミン酸に戻すことがで
きることが好ましい。変換は、一般に室温で約5秒間な
いし約2分間かかる。
本発明の方法はさらに、金属ベンゾトリアゾール居に隣
接した金属層の形成を含む。
接した金属層の形成を含む。
金g層は、銅、銀または金が好ましく、銅が最も好まし
い。本発明の最も好ましい態様では、この金属層は、金
属ベンゾトリアゾール中に存在するものと同じ金属であ
る。金属層は、電気メツキ、無電解メツキ、蒸発等によ
り、材料が所要の厚みになるまで形成させる。回路用に
は、通常的7゜5μmで十分である。
い。本発明の最も好ましい態様では、この金属層は、金
属ベンゾトリアゾール中に存在するものと同じ金属であ
る。金属層は、電気メツキ、無電解メツキ、蒸発等によ
り、材料が所要の厚みになるまで形成させる。回路用に
は、通常的7゜5μmで十分である。
ポリイミドの薄層のみをポリアミン酸に変換する場合は
、多くの基板がポリイミドであり、必要な電気的・物理
的特性を得るには十分であるため、ポリアミン酸をポリ
イミドに変換して戻す必要はない。もちろん、ポリアミ
ン酸の中には、本来的に金属層の付普時の熱によりポリ
イミドに戻るものもある。
、多くの基板がポリイミドであり、必要な電気的・物理
的特性を得るには十分であるため、ポリアミン酸をポリ
イミドに変換して戻す必要はない。もちろん、ポリアミ
ン酸の中には、本来的に金属層の付普時の熱によりポリ
イミドに戻るものもある。
本発明により得られる構造は、たとえば、セラミック基
板等の下層の剛性支持体上に設けることができる。
板等の下層の剛性支持体上に設けることができる。
さらに本発明は、ポリイミド層の上面に金属ベンゾトリ
アゾール層があり、金属ベンゾトリアゾールの上面に金
属層を存する構造に適用できるだけテナク、金属ベンゾ
トリアゾールが下層の金m層の上にあり、金属ベンゾト
リアゾールの上にポリイミドを存する構造にも適用でき
る。
アゾール層があり、金属ベンゾトリアゾールの上面に金
属層を存する構造に適用できるだけテナク、金属ベンゾ
トリアゾールが下層の金m層の上にあり、金属ベンゾト
リアゾールの上にポリイミドを存する構造にも適用でき
る。
下記の例は、本発明を詳しく例示するものであるが、本
発明はこの例に限定されるものではない。
発明はこの例に限定されるものではない。
旦
ポリイミド5878 (PMDA−ODA)基板を水酸
化ナトリウムの20%水溶液に約30秒間浸漬した後、
脱イオン水で2回各5秒間すすぐ。
化ナトリウムの20%水溶液に約30秒間浸漬した後、
脱イオン水で2回各5秒間すすぐ。
生成したポリアミン酸のナトリウム塩を10%硫酸で中
和する。
和する。
ポリアミン酸の薄層を含むポリイミド基板で、ポリアミ
ン酸層の上に約260℃で約40OAの銅の層を蒸着さ
せる。
ン酸層の上に約260℃で約40OAの銅の層を蒸着さ
せる。
次に基板をエタノール25%、水75%の溶媒に0.2
5%のベンゾトリアゾールを溶かした溶液に約2時間浸
漬する。サンプルを乾燥し、その上に蒸着により約28
0℃で約800大の銅の皮膜を形成させる。次に、約s
o、ooo人の銅の層を蒸着させた後、約350℃で約
800人のクロムを蒸着させる。
5%のベンゾトリアゾールを溶かした溶液に約2時間浸
漬する。サンプルを乾燥し、その上に蒸着により約28
0℃で約800大の銅の皮膜を形成させる。次に、約s
o、ooo人の銅の層を蒸着させた後、約350℃で約
800人のクロムを蒸着させる。
この複合材を90度の引張り試験にかけたところ、約1
6.8g/unないし約2!5.1g/mmの結果を得
た。
6.8g/unないし約2!5.1g/mmの結果を得
た。
F0発明の効果
以上述べたように、本発明によれば、ポリイミド層と、
銅、銀、金等の金属との境界面における接着が改良され
る。
銅、銀、金等の金属との境界面における接着が改良され
る。
Claims (3)
- (1)ポリイミド層と金属の間の接着力を強化する方法
であって、 (a)ポリアミン酸に隣接する金属ベンゾトリアゾール
層を設け、その際、該金属は、銅、銀、及び金から選択
されてなる工程と、 (b)上記金属ベンゾトリアゾール層に隣接して金属の
層を設ける工程と、 (c)上記ポリアミン酸をポリイミドに変換する工程を
有する、 ポリイミド層と金属の間の接着力を強化する方法。 - (2)ポリイミド層と金属の間の接着力を強化する方法
であって、 (a)ポリイミド基板を設ける工程と、 (b)上記基板上の層をポリアミン酸に変換する工程と
、 (c)上記ポリアミン酸に隣接する金属ベンゾトリアゾ
ール層を設け、その際、該金属は、銅、銀、及び金から
選択されてなる工程と、 (d)上記金属ベンゾトリアゾール層に隣接して金属の
層を設ける工程を有する、 ポリイミド層と金属の間の接着力を強化する方法。 - (3)(a)ポリイミド層と、 (b)上記ポリイミド層に隣接する金属ベンゾトリアゾ
ール層であって、該金属は銅、銀、金から選択されてな
るものと、 (c)上記金属ベンゾトリアゾール層に隣接する金属層
とを具備する、 ポリイミド金属構造体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/201,989 US5104734A (en) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | Method for improving adhesion between a polyimide layer and a metal and the article obtained |
US201989 | 1988-06-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01319941A true JPH01319941A (ja) | 1989-12-26 |
JPH0639144B2 JPH0639144B2 (ja) | 1994-05-25 |
Family
ID=22748118
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1055263A Expired - Lifetime JPH0639144B2 (ja) | 1988-06-03 | 1989-03-09 | ポリイミド層と金属の間の接着力を強化する方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5104734A (ja) |
EP (1) | EP0344504B1 (ja) |
JP (1) | JPH0639144B2 (ja) |
DE (1) | DE68914033T2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5326643A (en) * | 1991-10-07 | 1994-07-05 | International Business Machines Corporation | Adhesive layer in multi-level packaging and organic material as a metal diffusion barrier |
US5372848A (en) * | 1992-12-24 | 1994-12-13 | International Business Machines Corporation | Process for creating organic polymeric substrate with copper |
JPH0948864A (ja) * | 1995-08-03 | 1997-02-18 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ポリイミドフィルムの接着性改善方法及び接着性を改善したポリイミドフィルム |
AU5561696A (en) * | 1996-04-18 | 1997-11-07 | International Business Machines Corporation | Organic-metallic composite coating for copper surface protection |
US5773132A (en) * | 1997-02-28 | 1998-06-30 | International Business Machines Corporation | Protecting copper dielectric interface from delamination |
CN100355938C (zh) * | 2005-11-17 | 2007-12-19 | 上海交通大学 | 聚酰亚胺薄膜上激光诱导选择性化学镀的方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2638799C3 (de) * | 1976-08-27 | 1981-12-03 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zur Verbesserung der Haftung von metallischen Leiterzügen auf Polyimidschichten in integrierten Schaltungen |
US4109052A (en) * | 1977-05-12 | 1978-08-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electroconductive transparency |
DE3149919A1 (de) * | 1981-12-11 | 1983-06-23 | Schering Ag, 1000 Berlin Und 4619 Bergkamen | Verfahren zum haftfesten metallisieren von polyimid |
US4386116A (en) * | 1981-12-24 | 1983-05-31 | International Business Machines Corporation | Process for making multilayer integrated circuit substrate |
JPS58190091A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | 宇部興産株式会社 | フレキシブル配線基板の製造方法 |
US4598022A (en) * | 1983-11-22 | 1986-07-01 | Olin Corporation | One-step plasma treatment of copper foils to increase their laminate adhesion |
US4526807A (en) * | 1984-04-27 | 1985-07-02 | General Electric Company | Method for deposition of elemental metals and metalloids on substrates |
JPS617654A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レジンモ−ルド半導体の製造法 |
JP2605010B2 (ja) * | 1985-01-11 | 1997-04-30 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 有機基板への金属付着方法 |
JPS61287155A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-03 US US07/201,989 patent/US5104734A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-03-09 JP JP1055263A patent/JPH0639144B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-13 EP EP89108670A patent/EP0344504B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-13 DE DE68914033T patent/DE68914033T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE68914033T2 (de) | 1994-10-20 |
JPH0639144B2 (ja) | 1994-05-25 |
DE68914033D1 (de) | 1994-04-28 |
US5104734A (en) | 1992-04-14 |
EP0344504B1 (en) | 1994-03-23 |
EP0344504A3 (en) | 1991-05-02 |
EP0344504A2 (en) | 1989-12-06 |
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