JPS60221426A - ポリイミド複合体の製造法 - Google Patents
ポリイミド複合体の製造法Info
- Publication number
- JPS60221426A JPS60221426A JP59077061A JP7706184A JPS60221426A JP S60221426 A JPS60221426 A JP S60221426A JP 59077061 A JP59077061 A JP 59077061A JP 7706184 A JP7706184 A JP 7706184A JP S60221426 A JPS60221426 A JP S60221426A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dianhydride
- diamine
- polyimide
- film
- inorganic material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔腫東土ｃ／）オリ用分封〕
本発明ａＩ１１熱性の優れ罠複曾俸り製造法に関丁／）
。
。
現在、フレキシブル印刷配森板用の基也はポリイミドフ
ィルムと金属薄とτ接膚剤膚で介して接層させて製造し
ている。そりため接宥剤の耐熱性が十分でないのでポリ
イミド２イルムの耐熱性【十分に軸挿することが出米丁
、基板の早出耐熱性は２６０℃程度であめ０ １７′ｃ吋公昭３９−３４８号公報にａピロメリット敵
などのテトラカルボンばと４．４′−ジアミノジアエニ
ルエーテルなどり芳香族ジアミン〃）ら得られた芳香族
ポリアミドば俗欣τ金属油に塗布して−Ａ板と丁ゐ方法
か記載されてい勾が・侍られ７ｃ基赦がカール丁ゐ問題
かめる〇−刀、牛４ｔ４製造に用いられているシリコン
ウェハやセラミック基鈑にポリアミドｒＲτコーし ト９％刀ロ熱してイミド化するとポリイミド映り厚さが
薄い場＠ａ全（問題ないが、膜厚が厚くなるとシリコン
クエバやセラミック盈にそりが発生し問題となる。これ
らに金勇、シリコン。
ィルムと金属薄とτ接膚剤膚で介して接層させて製造し
ている。そりため接宥剤の耐熱性が十分でないのでポリ
イミド２イルムの耐熱性【十分に軸挿することが出米丁
、基板の早出耐熱性は２６０℃程度であめ０ １７′ｃ吋公昭３９−３４８号公報にａピロメリット敵
などのテトラカルボンばと４．４′−ジアミノジアエニ
ルエーテルなどり芳香族ジアミン〃）ら得られた芳香族
ポリアミドば俗欣τ金属油に塗布して−Ａ板と丁ゐ方法
か記載されてい勾が・侍られ７ｃ基赦がカール丁ゐ問題
かめる〇−刀、牛４ｔ４製造に用いられているシリコン
ウェハやセラミック基鈑にポリアミドｒＲτコーし ト９％刀ロ熱してイミド化するとポリイミド映り厚さが
薄い場＠ａ全（問題ないが、膜厚が厚くなるとシリコン
クエバやセラミック盈にそりが発生し問題となる。これ
らに金勇、シリコン。
セラミックなどの無機材料とポリイミドの膨張係数の不
一致に基づくものである。
一致に基づくものである。
不発明は脣殊なジアミンで用いたポリアミド識ワニスｔ
ｆ用丁ゐことにＬり、耐熱性に後れ、カールしない２レ
キシブル印刷配線叡用基也。
ｆ用丁ゐことにＬり、耐熱性に後れ、カールしない２レ
キシブル印刷配線叡用基也。
ポリイミドでコードンタそりのないシリコンウェハやセ
ラミック基板前のポリイミド複会体を提供丁ゐことｔ目
的とする。
ラミック基板前のポリイミド複会体を提供丁ゐことｔ目
的とする。
すなわち、不発明に式
（ｍに１まｒｃｌｒＸ２であり、Ｒに水糸、）−ロゲン
。
。
フルオロアルキル基、フルオロアルキルアミド基、フル
オロアルキルオキシ基を示す）で示されるジアミンと他
の芳香族ジアミンとのモル比；６！５０：５０〜９５：
５からなるジアミン成分とビロメＩＪ）［二無水物２５
０モル％以上含むテトラカルボンば二無水＠成分とて非
プロトン性醪媒中で反応させて得たポリアミド咳ワニス
と無機材料とτ組＠−せて、イミド化τ行なうことτ％
淑と丁ゐポリイミド複合捧の製造法に関する０ はｓｏ：ｓｏ〜９５：５か好ましくｔＰ：ｆに好１しく
に６５：３５〜９０ ： １０であるしたと＠カールや
そりが兄生丁ゐ。筐だ９５モル％より多いともろくなる
０ 不発明においτ用いられ心ヒロメＩＪ トば二無水物以
外のナトンカルボン取二無水９勿凧分としてｔＨ３，６
，′４．４；−ペンノンエノンテトラカルボン敵二無水
物ｓ５．５：４．４′−ジンエニルエーテルテトラカル
ボン取二無水物、２，６．６：４７−ビ２エニルテトラ
カルボン取二無水′＋ｌ／Ｊ、６，６．′４，４′−ヒ
フェニルテトラカルホン敵二無水吻、２，３，６．７−
す２タリンテトラカルボン叡二無水’ｌＩ １．２．５
．６−ナフタリンテトラカルボン絃二無水物、ｉ、４゜
５．８−ナンタリンテトラ刀ルボンば二無水物、ペリレ
ンテトラカルボンば二無水物、５．５．４．４’−ジア
エニルグロバンテトラカルボンば二無水物、３． ｓ；
４．４′−ジ２エニルヘキサンルオｐプロパンテトラ
カルボン激二無水物、 ３． ｂ； ４．４′−ジンエ
ニルスルホンテトラ刀ルボン敲二無水物、ブタンテトラ
カルボン絃二無水物、シクロペンタンテトラカルボン叡
二無水物、エチレンビストリメリテートテトラカルボン
敵二無Ｘ＠７ｍとがあり、これらの成分にｂθモル％以
下使用丁ゐの力Ｓよい。
オロアルキルオキシ基を示す）で示されるジアミンと他
の芳香族ジアミンとのモル比；６！５０：５０〜９５：
５からなるジアミン成分とビロメＩＪ）［二無水物２５
０モル％以上含むテトラカルボンば二無水＠成分とて非
プロトン性醪媒中で反応させて得たポリアミド咳ワニス
と無機材料とτ組＠−せて、イミド化τ行なうことτ％
淑と丁ゐポリイミド複合捧の製造法に関する０ はｓｏ：ｓｏ〜９５：５か好ましくｔＰ：ｆに好１しく
に６５：３５〜９０ ： １０であるしたと＠カールや
そりが兄生丁ゐ。筐だ９５モル％より多いともろくなる
０ 不発明においτ用いられ心ヒロメＩＪ トば二無水物以
外のナトンカルボン取二無水９勿凧分としてｔＨ３，６
，′４．４；−ペンノンエノンテトラカルボン敵二無水
物ｓ５．５：４．４′−ジンエニルエーテルテトラカル
ボン取二無水物、２，６．６：４７−ビ２エニルテトラ
カルボン取二無水′＋ｌ／Ｊ、６，６．′４，４′−ヒ
フェニルテトラカルホン敵二無水吻、２，３，６．７−
す２タリンテトラカルボン叡二無水’ｌＩ １．２．５
．６−ナフタリンテトラカルボン絃二無水物、ｉ、４゜
５．８−ナンタリンテトラ刀ルボンば二無水物、ペリレ
ンテトラカルボンば二無水物、５．５．４．４’−ジア
エニルグロバンテトラカルボンば二無水物、３． ｓ；
４．４′−ジ２エニルヘキサンルオｐプロパンテトラ
カルボン激二無水物、 ３． ｂ； ４．４′−ジンエ
ニルスルホンテトラ刀ルボン敲二無水物、ブタンテトラ
カルボン絃二無水物、シクロペンタンテトラカルボン叡
二無水物、エチレンビストリメリテートテトラカルボン
敵二無Ｘ＠７ｍとがあり、これらの成分にｂθモル％以
下使用丁ゐの力Ｓよい。
不発明に用い／）別記の式で示されるジアミンり具体例
としてニ４，４“−ジアミノクーフェニル。
としてニ４，４“−ジアミノクーフェニル。
４、４′／／−シアばノ驚オータンエニル、２′−プロ
モー４，４“−ジアミノタ−ンエニル、２’−クロル−
４，４“〜ジアミノター２エニル、２′−ヨード−４゜
４Ｎ−ジアミノター２エニル、２’−１す７／Ｌ−オロ
メテルー４，４“−ジアミノターフェニル、２′−バー
２ルオロオクテル−４，４′−ジアミノターンエ二ル、
２’−１リアルオロメトキシ−４，４“−ジアミノター
２エニル、２’−トリンルオロメテルアミドー４． ｅ
−ジアミノター２エニル、２′−バーフルオロオマテル
アミド−４，４“−ジアミノクーフェニル、２′−１０
ム−４，４″乙ジアミノクオータンエニル、２【２“−
ジブロム−４，４“′ −ジアミノク−フェニル、２’
−）す２ルオロメテルー４，４“′−ジアミノクォータ
７ｚニル Ｑ： ７１−ビス（トリンルオロノテル）
−４，４“′−ジアミノクオータンエニル、２′−トリ
フルオロメナルアミドー４，４“′−ジアミノクオータ
ンエニル、２′−トリ２ルオロメトキシ−４，４“′−
ジアミノクォータ２エニル、２′−バー２ルオロデシル
−４，４”′−ジアミノクオータンエニル、２ｒ２“−
ショート−４，４“′−ジアミノクォータ２エニル、２
′−クロル−４，４“′−ジアミノクォータフェニル、
２′−バー２ルオロオクテルアミトＬ４．４“′−ジア
ミノクォータ２エニル等かある。
モー４，４“−ジアミノタ−ンエニル、２’−クロル−
４，４“〜ジアミノター２エニル、２′−ヨード−４゜
４Ｎ−ジアミノター２エニル、２’−１す７／Ｌ−オロ
メテルー４，４“−ジアミノターフェニル、２′−バー
２ルオロオクテル−４，４′−ジアミノターンエ二ル、
２’−１リアルオロメトキシ−４，４“−ジアミノター
２エニル、２’−トリンルオロメテルアミドー４． ｅ
−ジアミノター２エニル、２′−バーフルオロオマテル
アミド−４，４“−ジアミノクーフェニル、２′−１０
ム−４，４″乙ジアミノクオータンエニル、２【２“−
ジブロム−４，４“′ −ジアミノク−フェニル、２’
−）す２ルオロメテルー４，４“′−ジアミノクォータ
７ｚニル Ｑ： ７１−ビス（トリンルオロノテル）
−４，４“′−ジアミノクオータンエニル、２′−トリ
フルオロメナルアミドー４，４“′−ジアミノクオータ
ンエニル、２′−トリ２ルオロメトキシ−４，４“′−
ジアミノクォータ２エニル、２′−バー２ルオロデシル
−４，４”′−ジアミノクオータンエニル、２ｒ２“−
ショート−４，４“′−ジアミノクォータ２エニル、２
′−クロル−４，４“′−ジアミノクォータフェニル、
２′−バー２ルオロオクテルアミトＬ４．４“′−ジア
ミノクォータ２エニル等かある。
上記のジアミンと組付ぜゐ他の芳香族ジアミノとしてｉ
５．３’−ジクロルベンジジン、３．３’−ジメチル
ベンジジン、３．３’−ジエチルベンジンン、５．５’
−ジメトキシベンジジン、５．５’−ジヒドロキシベン
ジジン、３．３’−ジブロモベンジジン、２．５．５．
６．２ｊ ３： ５； ６’−オクタンルオロベンジジ
ン、３．３’−ジブロモベンジジン、４．４’−ジアミ
ノジンエニルエーテル、４．４’−ジアミノジフェニル
メタン、４．４’−ジアミノジフェニルスルホン、３．
３’−シアミノジンエニルスルホン、４．４′−ジアミ
ノジフェニルプロパン、４．４’−ジアミノジフェニル
へキサクルオロプロパン１ｍ−２二二レンジアミン、ｐ
−２エニレンジアはン、２，４−ジアミノトルユン、２
１６−ジ７ミノトルエン、２．４−ジアミノベンシトリ
フル万う１ド、２．５−ジアミノベンシトリフルオライ
ド。
５．３’−ジクロルベンジジン、３．３’−ジメチル
ベンジジン、３．３’−ジエチルベンジンン、５．５’
−ジメトキシベンジジン、５．５’−ジヒドロキシベン
ジジン、３．３’−ジブロモベンジジン、２．５．５．
６．２ｊ ３： ５； ６’−オクタンルオロベンジジ
ン、３．３’−ジブロモベンジジン、４．４’−ジアミ
ノジンエニルエーテル、４．４’−ジアミノジフェニル
メタン、４．４’−ジアミノジフェニルスルホン、３．
３’−シアミノジンエニルスルホン、４．４′−ジアミ
ノジフェニルプロパン、４．４’−ジアミノジフェニル
へキサクルオロプロパン１ｍ−２二二レンジアミン、ｐ
−２エニレンジアはン、２，４−ジアミノトルユン、２
１６−ジ７ミノトルエン、２．４−ジアミノベンシトリ
フル万う１ド、２．５−ジアミノベンシトリフルオライ
ド。
１．４−ビス（ｐ−アミノンエノキシ）ベンゼン。
１．３−ビス＜ｐ−アミノフェノキシ）ベンゼン。
４．４′−ジ（ｍ−アミノンエノキシ〕ジンエニルスル
ホン、４．４’−ジ（ｐ−アミノ２エノキシ）ジンエニ
ルスルホン、４．４’〜ジ（ポーアミノンエノキシ）ジ
２エニルスルホン、４．４’−ビス＜ｐ−アミノンエノ
キシンピンエニルなどがある。
ホン、４．４’−ジ（ｐ−アミノ２エノキシ）ジンエニ
ルスルホン、４．４’〜ジ（ポーアミノンエノキシ）ジ
２エニルスルホン、４．４’−ビス＜ｐ−アミノンエノ
キシンピンエニルなどがある。
さらに全アミン成分に対して５モル％以下ｌらは接層性
で向上させる目的でシロキサン官有ジアミンを右−刀口
丁ゐこともでさ◇０不発明において用いる邦プロトン注
惟性俗媒としてｌ”［Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ
、Ｎ−ジメチルアセトアミド、 Ｎ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、 Ｎ、Ｎ−７エナルホルムアミド、ジメナル
スルホキザ１ド、スルホラン、メチルスルホラン、アト
ラメチル尿素、ヘキサ７テルホスホルアミド、ブチルラ
クトン％７）ｉ対重しい。こｔらｉｄ ２ ！！Ｊ１歩
土混台して用いてもよい。ミπ、これらとキシレン、ト
ルエン、２エノール、アセトン、メチルエテルケトン、
ジアセトンアルコール、セロンルブ須、セロソルブアセ
テートｇ、カルピトール胡、メチルインブチルケトン、
クンゾール、キシレノール、ジオキサン、シクロヘキサ
ノン、ヘキサンルオロイソプロバンノール等ｃ／）浴媒
τポリアミド除が析出しない軛凸で姉〃口して（２）用
することができゐ〇全ジアミン酸分と全テトラカルボン
ば二無水物数分とりモル比に等尚、ｔが好ましいが、い
ずれ〃為−力の成分が５七ル％以内で過不足であっても
差しつ刀）えない。
で向上させる目的でシロキサン官有ジアミンを右−刀口
丁ゐこともでさ◇０不発明において用いる邦プロトン注
惟性俗媒としてｌ”［Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ
、Ｎ−ジメチルアセトアミド、 Ｎ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、 Ｎ、Ｎ−７エナルホルムアミド、ジメナル
スルホキザ１ド、スルホラン、メチルスルホラン、アト
ラメチル尿素、ヘキサ７テルホスホルアミド、ブチルラ
クトン％７）ｉ対重しい。こｔらｉｄ ２ ！！Ｊ１歩
土混台して用いてもよい。ミπ、これらとキシレン、ト
ルエン、２エノール、アセトン、メチルエテルケトン、
ジアセトンアルコール、セロンルブ須、セロソルブアセ
テートｇ、カルピトール胡、メチルインブチルケトン、
クンゾール、キシレノール、ジオキサン、シクロヘキサ
ノン、ヘキサンルオロイソプロバンノール等ｃ／）浴媒
τポリアミド除が析出しない軛凸で姉〃口して（２）用
することができゐ〇全ジアミン酸分と全テトラカルボン
ば二無水物数分とりモル比に等尚、ｔが好ましいが、い
ずれ〃為−力の成分が５七ル％以内で過不足であっても
差しつ刀）えない。
ポリアミド叡浴取の線板け６〜２５重電％の間か粘度や
加工性（／、点で上い。
加工性（／、点で上い。
反応御度に０〜５０℃かよいが、最終的Ｖこ粘度τｌｌ
１ｌｌＩｌ整する揚台に一旦篩枯肢になり九俊、７０〜
８０℃で反応させ／）のがよい〇 こり工うにして得られたポリアミド畝ワニスと組み甘わ
せて仮廿体とするりでめ々が、そり例としては以下のも
のがある。
１ｌｌＩｌ整する揚台に一旦篩枯肢になり九俊、７０〜
８０℃で反応させ／）のがよい〇 こり工うにして得られたポリアミド畝ワニスと組み甘わ
せて仮廿体とするりでめ々が、そり例としては以下のも
のがある。
すなわち
１、銅、Ｖ（、アルミ、ステンレス等の金Ｊ４箔に塗布
した。ＦＰＣ用基仮基板モルファス太陽電池用基板 ２、 シリコン、カリウムヒ素等のテップ上に塗布し多
層配腺贋間絶縁膜として利用した多層配置ＬｓＩ ３、ＬＳＩチップ上に塗布し、バンシベーション膜やα
−じゃへい膜としてオリ用する￥導坏装置 ４、銅、！、アルミ、ステンレス、ニッケル。
した。ＦＰＣ用基仮基板モルファス太陽電池用基板 ２、 シリコン、カリウムヒ素等のテップ上に塗布し多
層配腺贋間絶縁膜として利用した多層配置ＬｓＩ ３、ＬＳＩチップ上に塗布し、バンシベーション膜やα
−じゃへい膜としてオリ用する￥導坏装置 ４、銅、！、アルミ、ステンレス、ニッケル。
４２７０イ、アンバー等の金柄或と配線間り絶縁のため
に杷稼膜として刊用丁ゐ金属基板５、 ガラス機上に塗
布して畝晶配同１戻として利用する液晶衣示装置 ６、 ポリイミドフィルム上に磁粉τ言んたワニス７塗
布してなる飾気テープ、飾気ディスク乙 アルミナ、炭
化グイ索、ジルコン、ベリリア、サアアイア等り基伍土
にポリイミドτ杷２レキシブル印刷配＃！也用に使用丁
ゐ部付にａ、銅薄にコーター、ダイス等ＬＪ）：Ｐ段で
塗布し、刀り熱によりィも媒τ除去すゐと共に閉環モセ
て１ミド化を何なう。イミド化（１）除、金鳩油り臥化
を防ぐ１ζめに不活性ガス甲で行なうのかよい。
に杷稼膜として刊用丁ゐ金属基板５、 ガラス機上に塗
布して畝晶配同１戻として利用する液晶衣示装置 ６、 ポリイミドフィルム上に磁粉τ言んたワニス７塗
布してなる飾気テープ、飾気ディスク乙 アルミナ、炭
化グイ索、ジルコン、ベリリア、サアアイア等り基伍土
にポリイミドτ杷２レキシブル印刷配＃！也用に使用丁
ゐ部付にａ、銅薄にコーター、ダイス等ＬＪ）：Ｐ段で
塗布し、刀り熱によりィも媒τ除去すゐと共に閉環モセ
て１ミド化を何なう。イミド化（１）除、金鳩油り臥化
を防ぐ１ζめに不活性ガス甲で行なうのかよい。
シリコンウェハ、セラミック或などへコート丁／）鍮＠
ｔゴスビンナーによるコートかよい。
ｔゴスビンナーによるコートかよい。
実施例１゜
温度計、攪拌機および塩化刀ルシウム管でつけｗ５１の
四日フラスコに４，４“−ジアミノター２エニル２２１
ｇ、４．４’−ジアミノジフェニルエーテル３０ｇ、
Ｎ−メチルピロリドン２０００ｇ、Ｎ、Ｎ−ジメチルア
セトアミド２０００ ｇ’ａ：入れて、内容物で攪拌し
、フラスコτ氷冷する。
四日フラスコに４，４“−ジアミノター２エニル２２１
ｇ、４．４’−ジアミノジフェニルエーテル３０ｇ、
Ｎ−メチルピロリドン２０００ｇ、Ｎ、Ｎ−ジメチルア
セトアミド２０００ ｇ’ａ：入れて、内容物で攪拌し
、フラスコτ氷冷する。
ピロメリト＋ｙ二無水物２１８ｇで保々にガロえ、１０
℃で９時間反応させた。生成したポリアミド酸の還元枯
裳は１．６７ ｄｊ！／ｇ （溶媒Ｎ−メチルピロリド
ン、磯＋１Ｌ１．１ ｇ／ １００ｍ１． ｆｌＢＫ２
５℃）であっ罠０こ（１）溶成τ６５μｍの圧延組陥に
堡布し、窒索雰ｄ気中で１００℃で６０分７１Ｉ］熱し
、次に銅箔を面ずして２５０℃１０分、４００℃１１０
分熱処理し、塗膜犀２５μｍのンレキシブル印刷配線板
用の基板を侍罠０この基板に初期、エツチング俊共にカ
ールしなかった＠早出耐熱試験の結果６５０℃でもふく
れの発生はなかった。
℃で９時間反応させた。生成したポリアミド酸の還元枯
裳は１．６７ ｄｊ！／ｇ （溶媒Ｎ−メチルピロリド
ン、磯＋１Ｌ１．１ ｇ／ １００ｍ１． ｆｌＢＫ２
５℃）であっ罠０こ（１）溶成τ６５μｍの圧延組陥に
堡布し、窒索雰ｄ気中で１００℃で６０分７１Ｉ］熱し
、次に銅箔を面ずして２５０℃１０分、４００℃１１０
分熱処理し、塗膜犀２５μｍのンレキシブル印刷配線板
用の基板を侍罠０この基板に初期、エツチング俊共にカ
ールしなかった＠早出耐熱試験の結果６５０℃でもふく
れの発生はなかった。
実施例２゜
実＊９Ｉｕｉと同様の装置に４，４“′−ジアミノクオ
ータンエニル２８５．６ ｇ、４．４’−ジアミノジフ
ェニルエーテル３０ｇ、Ｎ−ノナルー２−ピロリドン２
０００ｇ、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド２０００ ｓ
ｌ＝入れ、Ｖ−３谷物を慌（＋シ、フラスコを氷冷する
。次にビロメリｔ［二無水物２１８ｇ忙徐々にＣ≦刀ガ
ロ、１０℃で９時［旬戊応ざぜ、ポリアミド服俗ａτ侍
７Ｃ，ｏ ’５１１元砧醍に１．４３ ｄａ／ｇであっ
た。
ータンエニル２８５．６ ｇ、４．４’−ジアミノジフ
ェニルエーテル３０ｇ、Ｎ−ノナルー２−ピロリドン２
０００ｇ、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド２０００ ｓ
ｌ＝入れ、Ｖ−３谷物を慌（＋シ、フラスコを氷冷する
。次にビロメリｔ［二無水物２１８ｇ忙徐々にＣ≦刀ガ
ロ、１０℃で９時［旬戊応ざぜ、ポリアミド服俗ａτ侍
７Ｃ，ｏ ’５１１元砧醍に１．４３ ｄａ／ｇであっ
た。
こ（１）浴欲【実施例１と同様に３５ ｔｔｍり銅箔に
塗布し基＆忙作製し友。こり示叡け〃−ルしていなかっ
た。また、６５０℃Ｇ／）早出袷に凝潰してもふくれの
発生にな刀）っ７ζ０ 実施例＆ 実施例１と１ｒｉＪ様ＶＪ組取りポリアミド臥酌欣（積
板２０ボイス）ｔシリコンウェハに（す〃１えしスピン
コードしたｉ＆、 、’ｆｆｉ処理し厚６２０μｍのポ
リイミド皮膜で形成させ、Ｃり土にアルξニクムを魚倉
し、エツチングしで祿幅１００μｍのラインを作成し、
さらに、この上にポリアミドｌａＺ俗欣τ塗イｆｉし、
２０μｍ厚芒りポリイミド換を形成ざぜ、ホトレジスト
＝塗布俊、ポリイミドでエツチングし、ホトレジストで
除去佼、さらにアルミニクム？！″蒸之鹸し、エツチン
グし。
塗布し基＆忙作製し友。こり示叡け〃−ルしていなかっ
た。また、６５０℃Ｇ／）早出袷に凝潰してもふくれの
発生にな刀）っ７ζ０ 実施例＆ 実施例１と１ｒｉＪ様ＶＪ組取りポリアミド臥酌欣（積
板２０ボイス）ｔシリコンウェハに（す〃１えしスピン
コードしたｉ＆、 、’ｆｆｉ処理し厚６２０μｍのポ
リイミド皮膜で形成させ、Ｃり土にアルξニクムを魚倉
し、エツチングしで祿幅１００μｍのラインを作成し、
さらに、この上にポリアミドｌａＺ俗欣τ塗イｆｉし、
２０μｍ厚芒りポリイミド換を形成ざぜ、ホトレジスト
＝塗布俊、ポリイミドでエツチングし、ホトレジストで
除去佼、さらにアルミニクム？！″蒸之鹸し、エツチン
グし。
これτくりたえすことにより、ポリイミドの厚さ２００
μｍのモテル基板を作製したか、従来のポリアミドＩｌ
！、 （４，４’−ジアミノジンエニルエーテルとピロ
メリトｙ二黒Ｘ物から侍られゐ）τ用いたものに比べて
そＶがきわめて少なかった０ 実施Ｖす４゜ 実施例１と同様の装置に２７−トリフルオロメチル−４
，４“′−ジアミノター２エニル２２９．６ｇ、３．３
’−ジメチルベンジジン６五６ｇ、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン２０００ｇ、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド２
１］００ｇ’ａ−入れ１円谷吻を撹件し、フラスコτ氷
冷する。次にピロメリトトン無水物２１８ｇ’ｚ徐々に
硲訓し、１０℃で９時間反応させ、ポリアミドｇｌ！を
浴欣τ侍罠。
μｍのモテル基板を作製したか、従来のポリアミドＩｌ
！、 （４，４’−ジアミノジンエニルエーテルとピロ
メリトｙ二黒Ｘ物から侍られゐ）τ用いたものに比べて
そＶがきわめて少なかった０ 実施Ｖす４゜ 実施例１と同様の装置に２７−トリフルオロメチル−４
，４“′−ジアミノター２エニル２２９．６ｇ、３．３
’−ジメチルベンジジン６五６ｇ、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン２０００ｇ、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド２
１］００ｇ’ａ−入れ１円谷吻を撹件し、フラスコτ氷
冷する。次にピロメリトトン無水物２１８ｇ’ｚ徐々に
硲訓し、１０℃で９時間反応させ、ポリアミドｇｌ！を
浴欣τ侍罠。
還元帖１にけｔ ８４ ｄ１３／ｇでめった。
こ（１）浴液τ実施例１と同様に６５μｍり銅箔に堡亜
し基数τ作製し７ζ０こり換板ａカールしていな炉った
。’！Ｅｙｃｓ３５ｔ１’″Ｃり早出附に反偵してもふ
くれの発生ぐゴ；２２７＞っ罠。
し基数τ作製し７ζ０こり換板ａカールしていな炉った
。’！Ｅｙｃｓ３５ｔ１’″Ｃり早出附に反偵してもふ
くれの発生ぐゴ；２２７＞っ罠。
夷Ｍμｍｙす５゜
夾Ｓνす１と同様り装置に２′−ブロム−４，４”−ジ
アミノタ−２エニル２６ ｓ、ｂ ｇ、４．４′−シア
（ノジンエニルエーテル６２ｇ、Ｗ−／ｌ’チル−２−
ピロリドン２ＬＩＩＪＯｇ、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトア
ミドｚｏｏｏ’ｇ？Ｉｌ−入れ、向合ｗＪτ慣拌し、フ
ラスコで水付す心０仄にヒロメリト畝二勲Ｘ吻’ｌ ７
４．４ ｇ ｚ＠々Ｖこｊｌｊｍ刀ＩＪＬ、Ｉ［Ｊ−
Ｃで９時間反応させ、ポリーアミド叡俗欣τ侍７ζ０還
元枯凝σ１．９７ ｄｉ／ｇであった。
アミノタ−２エニル２６ ｓ、ｂ ｇ、４．４′−シア
（ノジンエニルエーテル６２ｇ、Ｗ−／ｌ’チル−２−
ピロリドン２ＬＩＩＪＯｇ、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトア
ミドｚｏｏｏ’ｇ？Ｉｌ−入れ、向合ｗＪτ慣拌し、フ
ラスコで水付す心０仄にヒロメリト畝二勲Ｘ吻’ｌ ７
４．４ ｇ ｚ＠々Ｖこｊｌｊｍ刀ＩＪＬ、Ｉ［Ｊ−
Ｃで９時間反応させ、ポリーアミド叡俗欣τ侍７ζ０還
元枯凝σ１．９７ ｄｉ／ｇであった。
こり俗故τ冥施例１と１５」禄に５５μＩｎリ−ａＪ？
自ＶＣ塑布し丞値で作製し罠０こり基或Ｑコ刀−ルして
いな２７λつ罠。筐た、６５０“Ｃ（１）早出蔭に反眞
してもふ（ＩＥ−Ｖ）兄／＋：、ｃＪｌ力為っ７こ。
自ＶＣ塑布し丞値で作製し罠０こり基或Ｑコ刀−ルして
いな２７λつ罠。筐た、６５０“Ｃ（１）早出蔭に反眞
してもふ（ＩＥ−Ｖ）兄／＋：、ｃＪｌ力為っ７こ。
不発明によ！ｌ耐熱性に優れ、カール忙防止し、そりが
少いポリイミド複合体が侍られ１ζ０手−続補正書 昭和 ５９年１０月１７８ １、事件の表示 昭和５９年特許願第７７０６１ 号 ２、発明の名称 ポリイミド複合体 （新名称） ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名＃（４４Ｓ１日立化成工業株式会社 ４、代 理 人 ３） Ｅ！Ａ細書第１頁下から１行目から第２頁第１行
目までの１複合体の製造法に関する」を「複合体に関す
る」と補正する。
少いポリイミド複合体が侍られ１ζ０手−続補正書 昭和 ５９年１０月１７８ １、事件の表示 昭和５９年特許願第７７０６１ 号 ２、発明の名称 ポリイミド複合体 （新名称） ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名＃（４４Ｓ１日立化成工業株式会社 ４、代 理 人 ３） Ｅ！Ａ細書第１頁下から１行目から第２頁第１行
目までの１複合体の製造法に関する」を「複合体に関す
る」と補正する。
４）明細書第３頁下から１行目から第４頁第２行目まで
の「非プロトン性溶媒中で・・・・・・製造法に関する
。」とあるのな［重合してなるポリイミドと無機材料と
を一体化してなるポリイミド複合体に関する。」と補正
する。
の「非プロトン性溶媒中で・・・・・・製造法に関する
。」とあるのな［重合してなるポリイミドと無機材料と
を一体化してなるポリイミド複合体に関する。」と補正
する。
５）明細書第９頁第１行目から第１０頁下から７行目ま
での「このようにして得られた・・・・・・等である。
での「このようにして得られた・・・・・・等である。
」を次のように補正する。
［このようにして得られたポリアミド酸フェスを無機材
料と組み合せた後イミド化するか、イミド化した後無機
材料と組み合せて一体化し複合体とするのであるがその
例としては以下のものがある。
料と組み合せた後イミド化するか、イミド化した後無機
材料と組み合せて一体化し複合体とするのであるがその
例としては以下のものがある。
すなわち。
１、鋼、鉄、アルミ、ステンレス等の金属箔に塗布した
ＦＰＣ用基板基板モルファス太陽電池用基板 ２、シリコン、ガリウムヒ素等のチップ上に塗布し多層
配線層間絶縁膜として利用した多層配線ＬＳＩ Ａ ＬＳＩテップ上に塗布し、パッシベーション膜やα
線じゃへい膜として利用する半導体装置 ４、銅、鉄、アルミ、ステンレス、ニッケル。
ＦＰＣ用基板基板モルファス太陽電池用基板 ２、シリコン、ガリウムヒ素等のチップ上に塗布し多層
配線層間絶縁膜として利用した多層配線ＬＳＩ Ａ ＬＳＩテップ上に塗布し、パッシベーション膜やα
線じゃへい膜として利用する半導体装置 ４、銅、鉄、アルミ、ステンレス、ニッケル。
４２７０イ、アンバー等の金属板と配線間の絶縁のため
に絶縁膜として利用する金属基板５、 ガラス板上に塗
布して液晶配回膜として利用する液晶表示装置 ６、 アルミナ、炭化ケイ素、ジルコン、ベリリア、？
ファイア等の基板上にポリイミドを絶縁膜として塗布し
た多層基板 乙 銅線等の導電線の絶縁被機材として利用するエナメ
ル線 ａ ポリイミドフィルム上に蒸着またはスパッタリング
により形成さｎｆｃ薄膜を有する磁気記録媒体又はＥＬ
表示装置 ２ ポリイミドフィルム上に磁粉な含んだワニスを塗布
してなる磁気テープ、磁気ディス冬等である。ヨ ６）第１４頁実施例５の後に次の文章を挿入する。
に絶縁膜として利用する金属基板５、 ガラス板上に塗
布して液晶配回膜として利用する液晶表示装置 ６、 アルミナ、炭化ケイ素、ジルコン、ベリリア、？
ファイア等の基板上にポリイミドを絶縁膜として塗布し
た多層基板 乙 銅線等の導電線の絶縁被機材として利用するエナメ
ル線 ａ ポリイミドフィルム上に蒸着またはスパッタリング
により形成さｎｆｃ薄膜を有する磁気記録媒体又はＥＬ
表示装置 ２ ポリイミドフィルム上に磁粉な含んだワニスを塗布
してなる磁気テープ、磁気ディス冬等である。ヨ ６）第１４頁実施例５の後に次の文章を挿入する。
「実施例６
実施例１のポリアミド酸フェスをステンレスベルト上に
流延塗布し、１００℃１０分、４００℃１０分熱処理し
てポリイミドフィルムを得た。このフィルムをスパッタ
装置に装置しステンレス薄膜を５０００＾の厚さでつけ
た。次（・でＣＶＤ法によりｎ 、ｌ ｓ ｐ型非晶質
シリコン薄膜を順次形成した後、スノくツタリングによ
って酸化インジウム膜を約７００Ａの厚さでつげた。つ
いでくし型に銀を蒸着してアモルファイ太陽電池を得た
がカールしていないものであった。 」 以上 別紙 （ｍは１または２であり、Ｒは水素、ハロゲン、フルオ
ロアルキル基、フルオロアルキルアミド基、フルオロア
ルキルオキシ基な示す）で示されるジアミンと他の芳香
族ジアミンとのモル比が５０ ： ５０〜９５：５から
なるジアミン成分とピロメリト酸二無水物を５０モル％
以上含むナト２カルボン酸二無水物成分とを重合してな
るポリイミドと無機材料とを一体化してなるポリイミド
複合体。
流延塗布し、１００℃１０分、４００℃１０分熱処理し
てポリイミドフィルムを得た。このフィルムをスパッタ
装置に装置しステンレス薄膜を５０００＾の厚さでつけ
た。次（・でＣＶＤ法によりｎ 、ｌ ｓ ｐ型非晶質
シリコン薄膜を順次形成した後、スノくツタリングによ
って酸化インジウム膜を約７００Ａの厚さでつげた。つ
いでくし型に銀を蒸着してアモルファイ太陽電池を得た
がカールしていないものであった。 」 以上 別紙 （ｍは１または２であり、Ｒは水素、ハロゲン、フルオ
ロアルキル基、フルオロアルキルアミド基、フルオロア
ルキルオキシ基な示す）で示されるジアミンと他の芳香
族ジアミンとのモル比が５０ ： ５０〜９５：５から
なるジアミン成分とピロメリト酸二無水物を５０モル％
以上含むナト２カルボン酸二無水物成分とを重合してな
るポリイミドと無機材料とを一体化してなるポリイミド
複合体。
Claims (1)
- （ｍはユ１またに２であり、Ｒに水素、ハロゲン、フル
オロアルキル基、フルオロアルキルアミド基、ンルオロ
アルキルオキシ基を示す）で示されるジアミンと他の芳
香族ジアミンとのモル比が５０：５０”９５：５たらな
るジアミン成分とピロメリトば二無水ｖＪ？！−５０モ
ル％以上含むテトラカルボン敵二無水物取分とて非プロ
トン性他性浴媒中で反応させて得たポリアミド敵ワニス
と無機材料と釦組み＠ぜて、イミド化τ行なうこと？ｌ
−％畝と丁ゐポリイミド複合体ｃ／）製造法〇
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59077061A JPS60221426A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | ポリイミド複合体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59077061A JPS60221426A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | ポリイミド複合体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60221426A true JPS60221426A (ja) | 1985-11-06 |
Family
ID=13623274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59077061A Pending JPS60221426A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | ポリイミド複合体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60221426A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60243120A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Hitachi Ltd | フレキシブルプリント基板の製造方法 |
| JPS6160725A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-28 | Hitachi Ltd | 電子装置用多層配線基板の製法 |
| WO1987002620A1 (en) * | 1985-10-31 | 1987-05-07 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Flexible printed circuit board and process for its production |
| US5272247A (en) * | 1990-10-19 | 1993-12-21 | Hitachi, Ltd. | Polyimide precursor, cured product thereof, and processes for producing them |
| US5536584A (en) * | 1992-01-31 | 1996-07-16 | Hitachi, Ltd. | Polyimide precursor, polyimide and metalization structure using said polyimide |
| WO2017111300A1 (ko) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 주식회사 두산 | 신규 구조의 디아민 모노머를 적용한 폴리아믹산 용액 및 이를 포함하는 폴리이미드 필름 |
| JP2022518985A (ja) * | 2019-02-01 | 2022-03-18 | エルジー・ケム・リミテッド | ポリイミド系樹脂フィルム、およびこれを利用したディスプレイ装置用基板ならびに光学装置 |
| US11999823B2 (en) | 2019-02-01 | 2024-06-04 | Lg Chem, Ltd. | Polyimide-based polymer film, substrate for display device, and optical device using the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57114258A (en) * | 1981-01-07 | 1982-07-16 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS57188853A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-19 | Hitachi Ltd | Plastic molded type semiconductor device |
-
1984
- 1984-04-17 JP JP59077061A patent/JPS60221426A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57114258A (en) * | 1981-01-07 | 1982-07-16 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS57188853A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-19 | Hitachi Ltd | Plastic molded type semiconductor device |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60243120A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Hitachi Ltd | フレキシブルプリント基板の製造方法 |
| JPH0354971B2 (ja) * | 1984-05-18 | 1991-08-21 | ||
| JPS6160725A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-28 | Hitachi Ltd | 電子装置用多層配線基板の製法 |
| WO1987002620A1 (en) * | 1985-10-31 | 1987-05-07 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Flexible printed circuit board and process for its production |
| US5272247A (en) * | 1990-10-19 | 1993-12-21 | Hitachi, Ltd. | Polyimide precursor, cured product thereof, and processes for producing them |
| US5536584A (en) * | 1992-01-31 | 1996-07-16 | Hitachi, Ltd. | Polyimide precursor, polyimide and metalization structure using said polyimide |
| WO2017111300A1 (ko) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 주식회사 두산 | 신규 구조의 디아민 모노머를 적용한 폴리아믹산 용액 및 이를 포함하는 폴리이미드 필름 |
| KR20170076101A (ko) * | 2015-12-24 | 2017-07-04 | 주식회사 두산 | 신규 구조의 디아민 모노머를 적용한 폴리아믹산 용액 및 이를 포함하는 폴리이미드 필름 |
| CN108431088A (zh) * | 2015-12-24 | 2018-08-21 | 株式会社斗山 | 利用新型结构的二胺单体的聚酰胺酸溶液及包含其的聚酰亚胺膜 |
| JP2019506375A (ja) * | 2015-12-24 | 2019-03-07 | ドゥーサン コーポレイション | 新規な構造を有するジアミンモノマーを適用したポリアミック酸溶液及びこれを含むポリイミドフィルム |
| JP2022518985A (ja) * | 2019-02-01 | 2022-03-18 | エルジー・ケム・リミテッド | ポリイミド系樹脂フィルム、およびこれを利用したディスプレイ装置用基板ならびに光学装置 |
| JP2022519404A (ja) * | 2019-02-01 | 2022-03-24 | エルジー・ケム・リミテッド | ポリイミド系樹脂フィルム、およびこれを利用したディスプレイ装置用基板ならびに光学装置 |
| JP2022519405A (ja) * | 2019-02-01 | 2022-03-24 | エルジー・ケム・リミテッド | ポリイミド系樹脂フィルム、およびこれを利用したディスプレイ装置用基板ならびに光学装置 |
| US11999823B2 (en) | 2019-02-01 | 2024-06-04 | Lg Chem, Ltd. | Polyimide-based polymer film, substrate for display device, and optical device using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4690999A (en) | Low thermal expansion resin material and composite shaped article | |
| US5570506A (en) | Method for forming multilayer wiring construction | |
| US5536584A (en) | Polyimide precursor, polyimide and metalization structure using said polyimide | |
| US5868949A (en) | Metalization structure and manufacturing method thereof | |
| US5133989A (en) | Process for producing metal-polyimide composite article | |
| JPS60221426A (ja) | ポリイミド複合体の製造法 | |
| EP1292177A1 (en) | Method for preparing substrate for flexible print wiring board and substrate for flexible print wiring board | |
| US5120573A (en) | Process for producing metal/polyimide composite article | |
| JP4799740B2 (ja) | 配線回路基板用樹脂組成物、配線回路基板用基材および配線回路基板 | |
| JPS62253621A (ja) | ポリイミド樹脂 | |
| JPH024631B2 (ja) | ||
| JPH02251584A (ja) | ヘテロ環含有ポリイミド複合体 | |
| JP2021142682A (ja) | 金属−ポリイミド積層体及びこれに用いられるポリイミド系樹脂ワニス、並びに金属−ポリイミド積層体の製造方法 | |
| JPH02167741A (ja) | 金属／ポリイミド複合体の製造方法 | |
| JPH02131935A (ja) | フレキシブル銅張り基板 | |
| JPS6186256A (ja) | 複合成形品 | |
| JPS63274942A (ja) | ポリイミドパタ−ンの形成方法 | |
| JP2779907B2 (ja) | ポリイミド膜およびその製造方法 | |
| JP2954387B2 (ja) | ２層両面ｔａｂテープ及びその製造方法 | |
| JP2004247744A (ja) | 配線構造体とその製造法 | |
| JP3065379B2 (ja) | ２層両面ｔａｂテープ | |
| JPH05275417A (ja) | 配線構造体とその製造法 | |
| JP2954388B2 (ja) | ２層ｔａｂテープの製造方法 | |
| JPH02103131A (ja) | 複合体 | |
| JPH01163214A (ja) | ポリイミドイソインドロキナゾリンジオン及びその前駆体の製造法 |