JPS6186256A - 複合成形品 - Google Patents
複合成形品Info
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- JPS6186256A JPS6186256A JP20862984A JP20862984A JPS6186256A JP S6186256 A JPS6186256 A JP S6186256A JP 20862984 A JP20862984 A JP 20862984A JP 20862984 A JP20862984 A JP 20862984A JP S6186256 A JPS6186256 A JP S6186256A
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- JP
- Japan
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- dianhydride
- film
- polyimide
- polyamic acid
- composite molded
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
- H05K1/056—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は耐熱性の優れｆｃ代台成形品に関する。
現在、フレキシブル印刷配線板用の基板はポリイミドフ
ィルム七金属箔七を接着剤層を介して接着させて製造し
℃いる。
ィルム七金属箔七を接着剤層を介して接着させて製造し
℃いる。
そのため接着剤の耐熱性が十分でな（・のでポリイミド
フィルムの耐熱性を十分に発揮することが出来ず、基板
の半田耐熱性は２６０℃程度である。
フィルムの耐熱性を十分に発揮することが出来ず、基板
の半田耐熱性は２６０℃程度である。
また特公昭３９−３４８号公報にはピロメリット酸など
のテトラカルボン酸と４．４′−ジアミノジフェニルエ
ーテルなどの芳香族ジアミンから得られた芳香族ポリア
ミド酸溶液を金Ｎ箔に塗布して基板とする方法が記載さ
れて（・るか、得られた基板がカールする開切がある。
のテトラカルボン酸と４．４′−ジアミノジフェニルエ
ーテルなどの芳香族ジアミンから得られた芳香族ポリア
ミド酸溶液を金Ｎ箔に塗布して基板とする方法が記載さ
れて（・るか、得られた基板がカールする開切がある。
一方、半導体製造に用いられているシリコンウェハやセ
ラミック＆板にポリアミド酸をコートし、加熱してイミ
ド化するとポリイミド膜の１イさが薄い場合は全く問題
な（・が、膜厚が厚くなると、シリコンウェハやセラミ
ック仮にそりが発生し問題となる。これら４金カ３、シ
リコン、セラミックなどの無機材料とポリイミドの膨張
係数の不一致に基づくものである。
ラミック＆板にポリアミド酸をコートし、加熱してイミ
ド化するとポリイミド膜の１イさが薄い場合は全く問題
な（・が、膜厚が厚くなると、シリコンウェハやセラミ
ック仮にそりが発生し問題となる。これら４金カ３、シ
リコン、セラミックなどの無機材料とポリイミドの膨張
係数の不一致に基づくものである。
本発明は以上の様にポリイミドとＰ磯材料とを一体化す
ることによって生じるカールやそりをなくそうとするも
のである。
ることによって生じるカールやそりをなくそうとするも
のである。
すなわち１本発明は３，３：５．５′−テトラメチルベ
ンジジンと他の芳香族ジアミンとのモル比が５０：５０
〜９５：５からなるジアミン成分とピロメリッ） Ｎ？
二無水物を５０モル％以上含むテトラカルボン酸二無水
物成分とを重合してなるポリイミドと無機材料とを一体
化してなる複合成形品に関する。
ンジジンと他の芳香族ジアミンとのモル比が５０：５０
〜９５：５からなるジアミン成分とピロメリッ） Ｎ？
二無水物を５０モル％以上含むテトラカルボン酸二無水
物成分とを重合してなるポリイミドと無機材料とを一体
化してなる複合成形品に関する。
本発明にお（・て３．５：５． ｓ’−テトラメチルベ
ンジジンと他の芳香族ジアミンのモル比は５０：５０〜
９５：５が好ましく特に好ましくは６５：３５〜９０：
１０である。へｙ ｓ、 ｓ’−テトラメチルベンジジ
ンのモル％が５０％より少ないと複合体としたときカー
ルやそりが発生する。
ンジジンと他の芳香族ジアミンのモル比は５０：５０〜
９５：５が好ましく特に好ましくは６５：３５〜９０：
１０である。へｙ ｓ、 ｓ’−テトラメチルベンジジ
ンのモル％が５０％より少ないと複合体としたときカー
ルやそりが発生する。
また９５モル％より多いと、もろくなる。
本発明において用いられるピロメリット酸二無水物以外
のテトラカルボン酸二無水物成分としては３．３．′４
．４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４
ｇ４．ｓ’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無
水物、２，４Ｎ４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、３，３．′４，４′−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物％２．３．６．７−ナフタリンテトラカルボ
ン酸二無水物％ １，２゜５、６−ナフタリンテトラカ
ルボン酸二無水物、１、４．５．８−ナフタリンテトラ
カルボン酸二無水物、ペリレンテトラカルボン酸二無水
物、３，３゜４．４′−ジフェニルプロパンテトラカル
ボン酸二無水物％ｓ、 ３； ４．４’−ジフェニルへ
キサフルオロプロパンテトラカルボン酸二無水物、 ６
．ｙ４．ｓ’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二
無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペン
タンテトラカルボン酸二無水物、エチレンビストリメリ
テートテトラカルボン酸二無水物などがあり、これらの
成分は５０モル％以下使用するのがよい。
のテトラカルボン酸二無水物成分としては３．３．′４
．４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４
ｇ４．ｓ’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無
水物、２，４Ｎ４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、３，３．′４，４′−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物％２．３．６．７−ナフタリンテトラカルボ
ン酸二無水物％ １，２゜５、６−ナフタリンテトラカ
ルボン酸二無水物、１、４．５．８−ナフタリンテトラ
カルボン酸二無水物、ペリレンテトラカルボン酸二無水
物、３，３゜４．４′−ジフェニルプロパンテトラカル
ボン酸二無水物％ｓ、 ３； ４．４’−ジフェニルへ
キサフルオロプロパンテトラカルボン酸二無水物、 ６
．ｙ４．ｓ’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二
無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペン
タンテトラカルボン酸二無水物、エチレンビストリメリ
テートテトラカルボン酸二無水物などがあり、これらの
成分は５０モル％以下使用するのがよい。
本発明において３． ｙ ｓ、 ｓ’−テトラメチルベ
ンジジンと組み合わせる他の芳香族ジアミンとしては３
．５′−ジクロルベンジジン、４６′−ジメチルベンジ
ジン、３，３′−ジ（トリフルオロメチル）ベンジジン
、３．３’−ジエチルベンジジン％６．５′−ジメトキ
シペンジジン、４３′−ジヒドロキシベンジジン、４３
’−ジフルオロベンジジン、７２、３．５．６．２：へ
′５：６：−オクタフルオロペンジジン。
ンジジンと組み合わせる他の芳香族ジアミンとしては３
．５′−ジクロルベンジジン、４６′−ジメチルベンジ
ジン、３，３′−ジ（トリフルオロメチル）ベンジジン
、３．３’−ジエチルベンジジン％６．５′−ジメトキ
シペンジジン、４３′−ジヒドロキシベンジジン、４３
’−ジフルオロベンジジン、７２、３．５．６．２：へ
′５：６：−オクタフルオロペンジジン。
３．６′−ジブロモベンジジン４．４′−ジアミノジフ
ェニルエーテル、４．４’−ジアミノジフェニルメタン
、４．４′−ジアミノジフェニルスルホン、６゜６′−
ジアミノジフェニルスルホン、４．４’−ジアミノジフ
ェニルプロパン、４．４’−ジアミノジフェニルへキサ
２ルオ口プロパン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェ
ニレンジアミン、４．４“−ジアミノターフェニル、４
，４“′−ジアミノクォータフェニル、 ２．４−ジア
ミノトルエン、２．６−ジアミツトルエン％２．４−ジ
アミノペンシトリフルオライド、２．５−ジアミノペン
シトリフルオライド、１，４−ビス（ｐ−アミノンエノ
キシ）ベンゼン、１．３−ビス（ｐ−アミノンエノキシ
）ベンゼン、４．４’−ジ（ｍ−アミノンエノキシ）ジ
フェニルスルホン、 ４．ａ′−シ（ｐ−アミノフェノ
キシ）ジフェニルスルホン、４．４’−ジ（ｏ−アミノ
フェノキシ）ジフェニルスルホン、４．４′−ビス（ｐ
−アミノフェノキシ）ビフェニルなどがある。さらに全
アミン成分に刈して５モル％以下ならば４ＶｊＨ性を向
上させる目的でシロキサン含有ジアミンを奈加すること
もできる。
ェニルエーテル、４．４’−ジアミノジフェニルメタン
、４．４′−ジアミノジフェニルスルホン、６゜６′−
ジアミノジフェニルスルホン、４．４’−ジアミノジフ
ェニルプロパン、４．４’−ジアミノジフェニルへキサ
２ルオ口プロパン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェ
ニレンジアミン、４．４“−ジアミノターフェニル、４
，４“′−ジアミノクォータフェニル、 ２．４−ジア
ミノトルエン、２．６−ジアミツトルエン％２．４−ジ
アミノペンシトリフルオライド、２．５−ジアミノペン
シトリフルオライド、１，４−ビス（ｐ−アミノンエノ
キシ）ベンゼン、１．３−ビス（ｐ−アミノンエノキシ
）ベンゼン、４．４’−ジ（ｍ−アミノンエノキシ）ジ
フェニルスルホン、 ４．ａ′−シ（ｐ−アミノフェノ
キシ）ジフェニルスルホン、４．４’−ジ（ｏ−アミノ
フェノキシ）ジフェニルスルホン、４．４′−ビス（ｐ
−アミノフェノキシ）ビフェニルなどがある。さらに全
アミン成分に刈して５モル％以下ならば４ＶｊＨ性を向
上させる目的でシロキサン含有ジアミンを奈加すること
もできる。
本発明において反応溶媒として非プロトン性極性溶媒を
用−・ることか好ましい。これらに（はＮ−メチル−２
−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメナルアセトアミド、Ｎ、Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキサイド、スルホラン、メチルスル
ホラン、テトラメチル尿素、ヘキサメチルホスホルアミ
ド。
用−・ることか好ましい。これらに（はＮ−メチル−２
−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメナルアセトアミド、Ｎ、Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキサイド、スルホラン、メチルスル
ホラン、テトラメチル尿素、ヘキサメチルホスホルアミ
ド。
ブチルラクトン等がある。これらは２独以上混合して用
いてもよい。また、これらと千シレン、トルエン、フェ
ノール、アセトン、メチルスルホラン、ジアセトンアル
コール、セロンルブ類、セロソルブアセテート類、刀ル
ビトール類。
いてもよい。また、これらと千シレン、トルエン、フェ
ノール、アセトン、メチルスルホラン、ジアセトンアル
コール、セロンルブ類、セロソルブアセテート類、刀ル
ビトール類。
メチルイソブチルケトン、クレゾール、キシレノール、
ジオキサン、シクロヘキサノン、ヘキサフルオロインプ
ロパツール等の溶媒をポリアミド酸が析出しない範囲で
添加して使用することができる。
ジオキサン、シクロヘキサノン、ヘキサフルオロインプ
ロパツール等の溶媒をポリアミド酸が析出しない範囲で
添加して使用することができる。
全ジアミン成分と全テトラカルボン酸二無水物成分七〇
モル比は等当量が好ましく・が、いずれか一方の成分が
５モル％以内で過不足であっても差しつかえない。
モル比は等当量が好ましく・が、いずれか一方の成分が
５モル％以内で過不足であっても差しつかえない。
ポリアミド酸溶液の濃度は３〜２５重量％の間が粘度や
加工性の点でよい。
加工性の点でよい。
反応温度は０〜５０℃がよいが、最終的に粘度を調整す
る場合は一旦高粘度になった後、７０〜８０℃で反応さ
せるのがよい。
る場合は一旦高粘度になった後、７０〜８０℃で反応さ
せるのがよい。
このようにして得られたポリアミド酸ワニスを無機材料
と組み合せた後イミド化するか、イミド化した後無機材
料と組み合せニ一体化し複合体とするのであるがその例
としては以下のものがある。
と組み合せた後イミド化するか、イミド化した後無機材
料と組み合せニ一体化し複合体とするのであるがその例
としては以下のものがある。
すなわち。
１、 銅、鉄、アルミ、ステンレス等の金Ｍ箔に塗布し
たＦＰＣ用基板基板モルファス太陽電池用基板 ２、シリコン、がリウムヒ素等のチップ上に塗布し多層
配線層間絶縁膜として利用した多ノｎ配置１ＪＬｓＩ ｉ ＬＳＩチップ上に塗布し、パッシベーション膜や
α線じゃへい膜として利用する半導体装置 ４、Ｍ、鉄、アルミ、ステンレス、ニッケル。
たＦＰＣ用基板基板モルファス太陽電池用基板 ２、シリコン、がリウムヒ素等のチップ上に塗布し多層
配線層間絶縁膜として利用した多ノｎ配置１ＪＬｓＩ ｉ ＬＳＩチップ上に塗布し、パッシベーション膜や
α線じゃへい膜として利用する半導体装置 ４、Ｍ、鉄、アルミ、ステンレス、ニッケル。
４２７０イ、アンバー等の金属板と配線間の絶縁のため
に絶縁膜として利用する金顔基鈑５、 ガラス板上に塗
布して液晶配回膜として利用する液晶表示装部゛ ＆ アルミナ、炭化ケイ素、ジルコン、ベリリア、サフ
ァイア等の基板上にポリイミドを絶縁膜として塗布した
多層基板 乙 銅線等の導を線の絶縁被櫟材として利用するエナメ
ル線 ａ ポリイミドフィルム上に蒸着またはスパッタリング
により形成され虎薄膜を有する磁気記録媒体又はＥＬ表
示装置 ９ ポリイミドフィルム上に磁粉を含んだワニスを塗布
してなる磁気テープ、磁気ディスク等である。
に絶縁膜として利用する金顔基鈑５、 ガラス板上に塗
布して液晶配回膜として利用する液晶表示装部゛ ＆ アルミナ、炭化ケイ素、ジルコン、ベリリア、サフ
ァイア等の基板上にポリイミドを絶縁膜として塗布した
多層基板 乙 銅線等の導を線の絶縁被櫟材として利用するエナメ
ル線 ａ ポリイミドフィルム上に蒸着またはスパッタリング
により形成され虎薄膜を有する磁気記録媒体又はＥＬ表
示装置 ９ ポリイミドフィルム上に磁粉を含んだワニスを塗布
してなる磁気テープ、磁気ディスク等である。
フレキシブル印桐配線板用に使用する場合には、銅箔に
コーター、ダイス等の手段で塗布し。
コーター、ダイス等の手段で塗布し。
加熱により溶媒を除去すると共に閉環させてイミド化を
行なう。イミド化の際、金属箔の酸化を防ぐために不活
性ガス中で行なうのがよい。
行なう。イミド化の際、金属箔の酸化を防ぐために不活
性ガス中で行なうのがよい。
シ１ノコンウエハ、セラミック板などヘコートする場合
はスピンナーによるコートがよい。
はスピンナーによるコートがよい。
〔実施例〕
実施例１゜
温度計、攪拌機および塩化カルシウム管をつけた５７！
の四ロフラスコにｓ、 ｙ ｓ、 ｓ’−テトラメチル
ベンジジン２０４ｇ、４．４’−ジアミノジフェニルエ
ーテル５０ｇ、Ｎ−メチルピロリドン２０００ｇ５ Ｎ
、Ｎ−ジメチルアセトアミド２０００ｇを入れて、内容
物を攪拌し、フラスコを氷冷する。ピロメリット酸二無
水物２１８ｇを徐々に加え、１０℃で９時間反応させた
。生成したポリアミド酸の還元粘度はｔ ７０ ｄｌ／
ｇ（溶媒Ｎ−メチルピロリドン、濃度０．１ ｇ ／
１００ｍ１．温度２５℃）であった。この溶層を６５μ
ｍの圧延銅箔に塗布し、窒素雰囲気中で１００℃で３０
分加熱し、次に銅ｗ３を固定して２５０℃１０分、４０
０℃、１０分熱処坤し、塗１１１１２５μｍのフレキシ
ブル印桐配ｌｆＭ板用の基板を得た。この基板は初期、
エツチング懐共にカールしなかった。半田耐熱試験の結
果３５０℃でもふくれの発生はなかった。
の四ロフラスコにｓ、 ｙ ｓ、 ｓ’−テトラメチル
ベンジジン２０４ｇ、４．４’−ジアミノジフェニルエ
ーテル５０ｇ、Ｎ−メチルピロリドン２０００ｇ５ Ｎ
、Ｎ−ジメチルアセトアミド２０００ｇを入れて、内容
物を攪拌し、フラスコを氷冷する。ピロメリット酸二無
水物２１８ｇを徐々に加え、１０℃で９時間反応させた
。生成したポリアミド酸の還元粘度はｔ ７０ ｄｌ／
ｇ（溶媒Ｎ−メチルピロリドン、濃度０．１ ｇ ／
１００ｍ１．温度２５℃）であった。この溶層を６５μ
ｍの圧延銅箔に塗布し、窒素雰囲気中で１００℃で３０
分加熱し、次に銅ｗ３を固定して２５０℃１０分、４０
０℃、１０分熱処坤し、塗１１１１２５μｍのフレキシ
ブル印桐配ｌｆＭ板用の基板を得た。この基板は初期、
エツチング懐共にカールしなかった。半田耐熱試験の結
果３５０℃でもふくれの発生はなかった。
実施例２゜
実施例１と同様の装置に４５：５．５′−テトラメチル
ベンジジン１４４ ｇ、４．４’−ジアミノジフェニル
エーテル８０ｇ、Ｎ−メチル−２−ヒ。
ベンジジン１４４ ｇ、４．４’−ジアミノジフェニル
エーテル８０ｇ、Ｎ−メチル−２−ヒ。
リドン２０００ｇ％Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド２０
００ｇを入れ、内容ｖｌＪを攪拌し、フラスコを水冷す
る。次にピロメリット酸二無水物２１８ｇを徐々に添加
し、１０℃で９時間反応させ、ポリアミド酸溶液を得た
。還元粘度は２．０５ｄｅ／ｇであった。
００ｇを入れ、内容ｖｌＪを攪拌し、フラスコを水冷す
る。次にピロメリット酸二無水物２１８ｇを徐々に添加
し、１０℃で９時間反応させ、ポリアミド酸溶液を得た
。還元粘度は２．０５ｄｅ／ｇであった。
この溶液を実施例１と同様に３５μｍの銅箔に塗布し基
板を作製した。この基板はカールしていなかっな。また
、５５０”Ｃ，の半田浴に浸漬してふくれの発生はなか
った。
板を作製した。この基板はカールしていなかっな。また
、５５０”Ｃ，の半田浴に浸漬してふくれの発生はなか
った。
実施例＆
実施例１と同様の組成のポリアミド酸溶液（粘度２０ボ
イズ）をシリコンウェハにくりかえしスピンコードした
後、熱処理して厚さ２０μｍのポリイミド皮膜を形成さ
せ、この上にアルミニウムを蒸着し、エツチングして＆
！−１゜０８ｍのラインを作成し、さらに、この上にポ
リアミド酸溶液を塗布し、２０μｍ厚さのポリイミド膜
を形成させ、ホトレジストを塗布後、ポリイミドをエツ
チングし、ホトレジストを除去後、さらにアルミニウム
を蒸着し、エツチングし、これをくりかえすことにより
、ポリイミドの厚さ２００μｍのモデル基板を作製した
が。
イズ）をシリコンウェハにくりかえしスピンコードした
後、熱処理して厚さ２０μｍのポリイミド皮膜を形成さ
せ、この上にアルミニウムを蒸着し、エツチングして＆
！−１゜０８ｍのラインを作成し、さらに、この上にポ
リアミド酸溶液を塗布し、２０μｍ厚さのポリイミド膜
を形成させ、ホトレジストを塗布後、ポリイミドをエツ
チングし、ホトレジストを除去後、さらにアルミニウム
を蒸着し、エツチングし、これをくりかえすことにより
、ポリイミドの厚さ２００μｍのモデル基板を作製した
が。
従来のポリアミド酸（４，４’−ジアミノジフェニルエ
ーテルとピロメリット酸二無水物から得られる）を用い
たものに比べてそりがきわめて少なかった。
ーテルとピロメリット酸二無水物から得られる）を用い
たものに比べてそりがきわめて少なかった。
実施例４゜
実施例１のポリアミド酸ワニスをステンレスベルト上に
流延塗布し、１００℃１０分、４００℃１０分熱処理し
てポリイミドフィルムを得た。このフィルムをスパッタ
装けに＠着しステンレス薄膜’ｖ５０ｏｏλの厚さでつ
けた。次いでＣＶＤ法によりｎ５ｌｑｐ型非晶負シリコ
ン薄膜を願次形成した後、スパッタリングによって重化
インジウム膜を約７００λの厚さでつけ念。ついでくし
型に銀を蒸着してアモルファイ太陽電池を得たがカール
していないものであった。
流延塗布し、１００℃１０分、４００℃１０分熱処理し
てポリイミドフィルムを得た。このフィルムをスパッタ
装けに＠着しステンレス薄膜’ｖ５０ｏｏλの厚さでつ
けた。次いでＣＶＤ法によりｎ５ｌｑｐ型非晶負シリコ
ン薄膜を願次形成した後、スパッタリングによって重化
インジウム膜を約７００λの厚さでつけ念。ついでくし
型に銀を蒸着してアモルファイ太陽電池を得たがカール
していないものであった。
本発明により耐熱性に優れ、カールを防止し。
そりが少い複合体が得られ次。
代坤人弁坤士 若 林 邦 が′’１
（之？、」ユ、４・
Claims (1)
- １、３，３′，５，５′−テトラメチルベンジジンと他
の芳香族ジアミンとのモル比が５０：５０〜９５：５か
ら成るジアミン成分とピロメリット酸二無水物を５０モ
ル％以上含むテトラカルボン酸二無水物成分とを重合し
てなるポリイミドと無機材料とを一体化してなる複合成
形品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20862984A JPS6186256A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 複合成形品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20862984A JPS6186256A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 複合成形品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6186256A true JPS6186256A (ja) | 1986-05-01 |
Family
ID=16559390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20862984A Pending JPS6186256A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 複合成形品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6186256A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1063134C (zh) * | 1995-12-26 | 2001-03-14 | 日东电工株式会社 | 聚酰亚胺－金属箔复合膜 |
| US6653701B1 (en) * | 1999-03-09 | 2003-11-25 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Semiconductor device and production method thereof |
-
1984
- 1984-10-04 JP JP20862984A patent/JPS6186256A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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