JPH0532891A

JPH0532891A - 熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いたプリント配線板

Info

Publication number: JPH0532891A
Application number: JP19409791A
Authority: JP
Inventors: Toshiyuki Toyoshima; 利之豊島; Takamitsu Fujimoto; 隆光藤本; Fumiaki Baba; 文明馬場; Yasushi Yamamoto; 泰山本
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1991-08-02
Filing date: 1991-08-02
Publication date: 1993-02-09

Abstract

(57)【要約】【目的】付加重合型ポリイミドに、その脆弱さを補強
するための可溶性熱可塑性ポリイミドをブレンドした樹
脂組成物からえられる硬化物の基材に対する密着性を改
善する。ポリイミドを層間絶縁膜とするプリント配線板
におけるポリイミドの基材に対する密着性を改善する。【構成】一般式(I)：【化１】（Ｒ¹：２価の有機基）で表わされる付加反応型化合物
と、一般式(II): 【化２】（Ｒ²：炭素数１〜５の有機基、Ｒ³，Ｒ⁴：２価の有機
基、Ｒ⁵：４価の有機基、ｎ：２以上の整数）で表わさ
れるポリアミド酸とを混合した。前記混合物の硬化物を
プリント配線板の層間絶縁膜とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、耐熱性だけでなく、成
形加工性、高温機械特性にも優れた硬化物となり、半導
体、ＨＩＣ（ハイブリッドＩＣ）、プリント配線板など
の層間絶縁膜材料として有用な熱硬化性樹脂組成物およ
びそれを用いたプリント配線板に関する。

【０００２】

【従来の技術】層間絶縁膜などの用途に用いられる材料
としては様々な材料が検討されている。その中でポリイ
ミドは耐熱性が高く、低熱膨張率で誘電特性も良好であ
るなどの理由で層間絶縁膜材料として代表的な樹脂とな
っている。

【０００３】ポリイミドの層間絶縁膜材料への適用は主
にＬＳＩ、ＨＩＣなどの分野においてとくに盛んであ
る。この分野では回路の高密度化を達成するために、平
面方向での配線パターンの微細化、垂直方向での導体の
厚膜化が検討されている。これにともなって、層間絶縁
膜に対しては厚膜化、回路の凹凸の平坦性が要求される
ようになり、それらを満足することが高密度実装を実現
するために必要不可欠となっている。

【０００４】従来、ポリイミド膜の形成は、ポリイミド
前駆体であるポリアミド酸ワニスを用い、ワニスを塗布
したのち溶媒を乾燥し、加熱硬化させる方法で行なわれ
ている。しかしながら、ポリアミド酸は溶解性が低く、
ワニスの粘度が非常に高くなるので、ワニス中の樹脂濃
度は約20％（重量％、以下同様）程度が限界であり、そ
れ以上の樹脂濃度を実現することは困難である。そのた
め厚さ20μｍ以上の厚膜絶縁層を形成するばあい、１回
の膜形成プロセスでは目的の厚さにすることができず、
前記プロセスを何度も繰り返してポリイミド膜を積み重
ねる必要があるなど、成形加工性に劣っている。

【０００５】またポリアミド酸は、硬化して閉環する前
にすでに高分子量化した状態にあるため、樹脂の流動性
が低く、導体などの凹凸の平坦化性がわるい。このこと
はとくに多層基板の層間絶縁膜として用いるばあい、層
数が増えるにしたがって基板表面の凹凸が大きくなり、
導体形成またはバイアホール形成時のパターンニングプ
ロセスに大きな影響を与え、パターン精度の低下やパタ
ーン形成ができなくなる原因となる。

【０００６】厚膜絶縁層の形成を可能にするためには、
ワニス中の樹脂濃度が高いことが必要であり、凹凸の平
坦性を良好にするためには、硬化前の分子量が低いこ
と、ワニス粘度が低いこと、望ましくは樹脂の加熱硬化
時に塗布された膜が流動することが必要である。そこで
これらの条件を満たしている付加重合型ポリイミドが検
討されてきている。しかしながら、これらのポリイミド
は、高度に３次元架橋するため脆弱である、密着性が低
いといった欠点を有している。

【０００７】そこで、本発明者らは付加重合型ポリイミ
ドに可溶性熱可塑性ポリイミドをブレンドすることによ
り、良好な成形加工性を低下させずに脆弱さを補強しう
ることを見出し、すでに特許出願している（特開平3-76
760号公報）。しかしながら、このばあいであっても、
付加重合型ポリイミドの脆弱さは改善されるもののその
密着性に改善の余地があった。

【０００８】密着性を向上させたポリイミドとしては、
ポリイミドの分子構造中にシロキサン結合を導入した系
が知られており、たとえば米国特許3740305号明細書に
はポリアミド酸−シロキサン共重合体よりえられるポリ
イミド−シロキサン共重合体が密着性の良好なポリイミ
ドとして紹介されている。この他にもポリイミドの分子
鎖の末端にシラノール基を導入したものが報告されてお
り、たとえば特開昭57-143328号公報、特開昭58-13631
号公報、特開昭61-287926号公報などがある。しかしな
がら、これらは密着性の向上は実現できるが、前記のよ
うにワニス粘度の高いポリアミド酸であるため厚膜絶縁
層を容易に形成することができない。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】このように従来のポリ
イミド膜の形成に用いられているポリアミド酸は、溶媒
に対する溶解性が低いためワニスの粘度が非常に高く、
そのため厚膜絶縁層の形成が困難で成形加工性が非常に
わるいという問題がある。またポリアミド酸はすでに高
分子量化しているため、加熱硬化時の樹脂の流動性が低
く、絶縁層形成などを行なったばあい、導体層の凹凸の
平坦性が低くなる。そのため多層基板を作成する際にパ
ターン精度の低下などの問題を惹き起こすといった問題
がある。

【００１０】成形加工性に優れる付加重合型ポリイミド
を用いたばあいには、高度に３次元架橋するため脆弱で
あり、密着性も低いといった問題がある。

【００１１】本発明は、かかる問題点を解決するために
なされたものであり、ワニス溶媒に対する溶解性が良好
でワニス粘度が低く、そのためワニス中の樹脂濃度を高
くすることが可能であり、厚膜絶縁層の形成が容易に実
現でき、硬化による膜減りが小さく回路の凹凸の平坦性
に優れ、硬化後は強靭で密着性に優れる樹脂組成物およ
びそれを用いたプリント配線板を提供すことを目的とす
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、一般式(I)：

【００１３】

【化３】（式中、Ｒ¹は２価の有機基を示す）で表わされる付加
反応型化合物と、一般式(II)：

【００１４】

【化４】（式中、Ｒ²は炭素数１〜５の有機基、Ｒ³、Ｒ⁴は２価
の有機基、Ｒ⁵は４価の有機基、ｎは２以上の整数を示
す）で表わされる末端ケイ素修飾ポリアミド酸とを混合
してなる熱硬化性樹脂組成物および前記熱硬化性樹脂組
成物の硬化物を層間絶縁膜として用いたプリント配線板
に関する。

【００１５】

【実施例】本発明に用いられる一般式(I)で表わされる
付加反応型化合物は、ワニスの粘度を低下させて成形加
工性を改善し、厚膜形成を可能にするために配合され
る。一般式(I)中のＲ¹は２価の有機基であり、その例と
してはアリール基があげられる。

【００１６】一般式(I)で表わされる化合物の具体例と
しては、たとえばN,N´-（メチレン-p-フェニレン）ビ
スマレイミド、N,N´-（スルホンジ-p-フェニレン）ビ
スマレイミド、N,N´-（オキシジ-p-フェニレン）ビス
マレイミド、N,N´-（スルホンジ-m-フェニレン）ビス
マレイミド、N,N´-2,4-トリレンビスマレイミド、N,N
´-2,6-トリレンビスマレイミド、N,N´-m-フェニレン
ビスマレイミド、N,N´-p-フェニレンビスマレイミド、
N,N´-エチレンビスマレイミド、N,N´-ヘキサメチレン
ビスマレイミドのようなマレイミド系化合物などがあげ
られる。これらは１種を用いてもよく、または２種以上
を用いてもよい。

【００１７】本発明に用いられる一般式(II)で表わされ
る末端ケイ素修飾ポリアミド酸は、強靭で密着性に優れ
た膜を形成させる。

【００１８】一般式(II)中のＲ²は炭素数１〜５の有機
基である。

【００１９】Ｒ³は２価の有機基であり、具体例として
は

【００２０】

【化５】などがあげられる。

【００２１】Ｒ⁴は２価の有機基であり、具体例として
は

【００２２】

【化６】などがあげられる。

【００２３】Ｒ⁵は４価の有機基であり、具体例として
は

【００２４】

【化７】などがあげられる。

【００２５】ｎは２以上、好ましくは6000〜10000の整
数である。

【００２６】前記末端ケイ素修飾ポリアミド酸の具体例
としては、たとえば式(III)：

【００２７】

【化８】で表わされる化合物があげられる。

【００２８】前記ポリアミド酸は、たとえばテトラカル
ボン酸ニ無水物、ジアミンおよびアルコキシアミノシラ
ンから既知の方法（ジャーナルオブポリメリック
マテリアル（J.Polymeric Mater.）1982,Vo1.9,p225参
照）で合成することができる。

【００２９】前記テトラカルボン酸二無水物の具体例と
しては、たとえばピロメリット酸無水物、3,3´,4,4´-
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2´，3,3´-
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3´,4,4´-ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3´,3´,4
´-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物などがあ
げられる。

【００３０】前記ジアミンの具体例としては、たとえば
4,4´-ジアミノジフェニルエーテル、4,4´-ジアミノジ
フェニルメタン、4,4´-ジアミノジフェニルスルホン、
4,4´-（メタ−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホ
ン、4,4´-ジ（パラ−アミノフェノキシ）ジフェニルス
ルホン、０-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミ
ン、p-フェニレンジアミン、2,2´-ジアミノベンゾフェ
ノン、4,4´-ジアミノベンゾフェノン、4,4´-ジアミノ
ジフェニル-2,2´-プロパンなどの芳香族ジアミン、ト
リメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、テトラ
メチレンジアミン、4,4´-ジメチルヘプタメチレンジア
ミンなどの脂肪族ジアミンなどがあげられる。

【００３１】前記アルコキシアミノシラン化合物の具体
例としては、たとえば3-アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノ
ブチルトリエトキシシラン、3-アミノブチルトリメトキ
シシラン、アミノフェニルトリエトキシシラン、アミノ
フェニルトリメトキシシランなどがあげられる。

【００３２】本発明の組成物における一般式(I)で表わ
される化合物と一般式(II)で表わされるポリアミド酸の
割合は、両者の合計量に対し、一般式(I)で表わされる
化合物が10〜80％であるのが好ましく、さらには20〜50
％であるのが好ましい。一般式(I)で表わされる化合物
の割合が10％未満では樹脂の流動性が低くなって加工性
が低下し、厚膜形成が困難になり、80％をこえると機械
的強度が低下する傾向がある。

【００３３】本発明の組成物は、通常一般式(I)で表わ
される化合物と一般式(II)で表わされるポリアミド酸と
を有機溶媒中に溶解して混合することにより調製され
る。すなわち、一般式(I)で表わされる化合物と一般式
(II)で表わされるポリアミド酸からなる本発明の組成物
を有機溶媒に溶解したものがワニスとして使用される。

【００３４】前記有機溶媒としては、たとえばN-メチル
-2-ピロリドン、γ-ブチロラクトン、ジメチルアセトア
ミド、ジメチルホルムアミドなどが用いられる。これら
は１種で、または２種以上の混合系で用いられる。

【００３５】ワニス中の樹脂濃度は、必要なポリイミド
膜の膜厚に応じて通常樹脂濃度65％以下の範囲で調整さ
れるが、さらに好ましくは50％程度である。樹脂濃度が
65％をこえるとワニス中の樹脂成分が析出しやすく、作
業性が若干損なわれるおそれがある。なお、ワニスの粘
度は基板の凹凸の平坦化性の点から５ポイズ以下である
のが好ましい。

【００３６】以上のような本発明の組成物は、基材上に
塗布することにより、一回の塗布で厚さ40μｍ程度の厚
膜を形成することができ、しかも、樹脂濃度がたとえば
50％の高濃度のワニスとしても粘度が５ポイズ程度で流
動性を有するため、基板の凹凸の平坦化性に優れてい
る。またえられるポリイミド膜は強靭で基材との密着性
に優れている。

【００３７】以上のような本発明の組成物の硬化物は、
ＨＩＣ、マルチチップモジュールなどの層間絶縁膜とし
て適用可能であるほか、ＬＳＩなどのα−線遮閉膜、平
坦化膜、パッシベーション膜などへの適用も可能であ
る。このばあいには、Ｎａイオン、Ｃ１イオンなどの不
純物の濃度を２ppm以下にコントロールすることが望ま
しい。またガラス板などに流延乾燥し、そのあと剥離し
て未硬化の状態でフィルムシートとして用いることもで
きる。すなわち、本発明の組成物は一般的に用いられて
いるガラスクロス／エポキシ樹脂のプリプレグと同様に
積層後加熱するなどしてプリント基板の層間絶縁膜など
として用いることもできる。

【００３８】その他、前記ワニスをガラス板上に塗布・
乾燥後、加熱硬化することにより、硬化フィルムをうる
こともでき、ガラスクロス、カーボンクロスなどの基材
に含浸、乾燥してプリプレグとして用いることもでき
る。さらに各々の用途に応じて公知の種々の充填剤、強
化材などを配合して複合材料として用いてもよい。

【００３９】つぎに本発明のプリント配線板について説
明する。

【００４０】本発明のプリント配線板は、前記熱硬化性
樹脂組成物の硬化物を層間絶縁膜として用いたものであ
る。前記層間絶縁膜は基板の平坦性に優れているため、
10層以上の高多層を実現できる。また、強靭で密着性に
優れるため、信頼性の高いプリント配線板である。

【００４１】つぎに本発明のプリント配線板の製法を説
明する。

【００４２】前記ワニスをセラミック基板上にスピンコ
ート法などによって塗布・乾燥後、加熱硬化することに
より、たとえば膜厚50μｍの層間絶縁膜を容易にうるこ
とができる。前記乾燥は、たとえばチッ素雰囲気に保た
れたオーブンの中で80℃（２時間）で行なわれる。加熱
硬化は、たとえばチッ素雰囲気に保たれたオーブン中で
200℃（１時間）、250℃（１時間）、350℃（1.5時間）
で行なえばよい。

【００４３】つぎに硬化膜上に導体層を形成するばあい
には、無電解メッキだけで導体層を形成してもよいが無
電解メッキと電解メッキを併用することが望ましい。同
様の手順を繰り返すことにより、多層基板を実現でき
る。

【００４４】上下導体間の導通を取るためのバイアホー
ルの形成は、公知の方法で行なえばよい。たとえばワニ
スを塗布・乾燥後にレジストを形成し、前記有機溶媒ま
たは可性ソーダ溶液などのアルカリ水溶液中に浸漬する
ことにより、バイアホール部分のポリイミドを除去する
方法も可能である。とくにレーザなどによる孔あけ加工
によるバイアホール形成はパータン精度が良好であるこ
と、プロセスが乾燥状態で行なえることから作業性が良
好であるなどの点から好ましい。

【００４５】以上のような本発明の樹脂組成物を用いる
ことにより、たとえばプリント配線板などの層間絶縁膜
を形成するばあい、厚膜で回路の凹凸の平坦化性に優れ
たポリイミド層間絶縁膜の形成が容易となり、製造工程
を大幅に短縮でき、製品の歩留りが向上するとともにコ
スト低減を実現しうる。また形成された層間絶縁膜は強
靭で密着性に優れているため、信頼性の高いプリント配
線板がえられる。

【００４６】［実施例１］N,N-（メチレン-p-フェニレ
ン）ビスマレイミドを、前記式(III)で表わされるポリ
アミド酸のＮＭＰ（N-メチル-2-ピロリドン）溶液に混
合し、室温下で撹拌して相溶させて調整した均一なワニ
スにおいて、N,N-（メチレン-p-フェニレン）ビスマレ
イミドの混合量を変化させたばあいの室温における粘度
の変化を調べた。ワニス中の樹脂濃度は20％の一定にな
るようにした。ワニスの粘度はＢＬ型粘度計（（株）東
京計器）の検出ローター（No.２）をワニス中に５分間
浸漬したのち、60r.p.m.の回転速度で２分後の値を測定
値とした。

【００４７】その結果、図１に示すように、ビスマレイ
ミド／ポリアミド酸＝１／２（重量比、以下同様）のワ
ニスのばあい、ポリアミド酸単独の同一粘度のワニスに
較べて約半分までに粘度が低くなっていた。また、ビス
マレイミド／ポリアミド酸＝１／１のワニスのばあい、
約１／３まで粘度が低くなっていた。

【００４８】［実施例２］N,N-（メチレン-p-フェニレ
ン）ビスマレイミド20.0ｇを式(III)で表わされるポリ
アミド酸の40％ＮＭＰ溶液100ｇに混合し、室温下で撹
拌して相溶させ、ビスマレイミド／ポリアミド酸＝１／
２で、樹脂濃度50％の均一なワニスを調製した。

【００４９】えられたワニスの5.0ｇをセラミック基板
（10cm×10cm）上にスピンコート法（スピンコート条
件：500rpm／10秒＋800rpm／60秒）により塗布し、チッ
素気流下、オーブン中80℃で１時間乾燥したのち、200
℃で１時間、250℃で30分間、350℃で１時間加熱硬化す
ることにより、セラミック基板上に膜厚42μｍのポリイ
ミド膜を形成した。

【００５０】［実施例３］図２に示すように、実施例２
で形成されたポリイミド膜１上に無電解メッキ処理によ
り膜厚0.5μｍ程度の薄付け銅を形成したのち、メッキ
レジスト（東京応化工業（株）、OFPR-800）を形成し、
電解メッキを行ない、厚付け銅を形成後、レジスト剥離
・薄付け銅ソフトエッチングにより膜厚(Th)40μｍの導
体層２を形成した。その上にポリイミド膜１と同様にし
てポリイミド膜３を形成した。図２に示すように、本発
明の組成物は１回の塗布工程で厚さ40μｍの導体を絶縁
することができた。

【００５１】ついでポリイミド膜３による平坦化効果
（(1−Ti/Th)×100）を調べたところ、83％と良好な結
果がえられた。

【００５２】［実施例４］実施例２におけるN,N-（メチ
レン-p-フェニレン）ビスマレイミドとポリアミド酸の
混合比を１／１に変えたほかは実施例２と同様にして樹
脂濃度50％の均一なワニスを調製した。えられたワニス
の5.0ｇをセラミック基板(10cm×10cm)上にスピンコー
ト法（スピンコート条件：500rpm／10秒＋800rpm／60
秒）により塗布し、チッ素気流下、オーブン中80℃で１
時間乾燥したのち、200℃で１時間、250℃で30分、350
℃で１時間加熱硬化することにより、セラミック基板上
に膜厚48μｍのポリイミド膜を形成した。

【００５３】［実施例５］実施例３と同様にして、実施
例４で形成されたポリイミド膜１上に無電解メッキ処理
により膜厚0.5μｍ程度の薄付け銅を形成したのち、メ
ッキレジストを形成し、電解メッキを行ない、厚付け銅
を形成後、レジスト剥離・薄付け銅ソフトエッチングに
より膜厚(Th)40μｍ導体層２を形成した。その上にポリ
イミド膜１と同様にしてポリイミド膜３を形成した。本
実施例においても、１回の塗布工程で厚さ40μｍの導体
を絶縁することができた。ポリイミド膜３による平坦化
効果は92％と良好であった。

【００５４】［実施例６］実施例５でえられたポリイミ
ド膜１、導体層２およびポリイミド膜３が形成されたセ
ラミック基板を用い、これにレーザによるバイアホール
の形成、メッキによる導体層形成を繰り返し行ない、導
体層12層の片面多層基板を作製した。えられた多層基板
はセラミック基板と樹脂層の密着性が良好であり、ハン
ダ浴に２０秒浸漬後も剥離などはまったく見られない。
また平坦性が良好であり１０層以上の多層化をパターン
精度を低下させることなく実現できた。

【００５５】［実施例７］N,N-（スルホンジ-p-フェニ
レン）ビスマレイミド20.0ｇを式(III)で表わされるポ
リアミド酸の40％ＮＭＰ溶液100ｇに混合し、室温下で
撹拌して相溶させ、ビスマレイミド／ポリアミド酸＝１
／２で樹脂濃度50％の均一なワニスをえた。

【００５６】えられたワニスの5.0ｇをセラミック基板
（10cm×10cm）上にスピンコート法（スピンコート条
件：500rpm／10秒＋800rpm／60秒）により塗布し、チッ
素気流下、オーブン中80℃で１時間乾燥したのち、200
℃で１時間、250℃で30分間、350℃で１時間加熱硬化す
ることにより、セラミック基板上に膜厚48μｍのポリイ
ミド膜を形成した。

【００５７】［実施例８〜10］N,N-（メチレン-p-フェ
ニレン）ビスマレイミドを前記式(III)で表わされるポ
リアミド酸のＮＭＰ溶液に表１に示される混合比になる
ように混合して樹脂濃度20％のワニスをえた。これらの
ワニスを2.0ｔスチール板上に塗布して実施例７と同じ
様にして厚さ10μｍ、幅５mmのポリイミド膜を形成し、
テンシロンTSM-10（（株）東洋ボールドウィン）を用い
て引張り速度10mm/分でＴピール強度を測定した。

【００５８】［比較例１］式(III)で表わされるポリア
ミド酸の40％ＮＭＰ溶液を用いたほかは、実施例３と同
様にしてポリアミド膜を形成し、平坦化効果を調べたと
ころ24％であった。

【００５９】［比較例２］式(III)で表わされるポリア
ミド酸の20％ＮＭＰ溶液を実施例８〜10と同様にして硬
化させた硬化物のＴピール強度を測定した。結果を表１
に示す。

【００６０】

【表１】

【００６１】

【発明の効果】本発明の樹脂組成物はワニスの粘度を低
くすることができるため、ワニスの粘度を低く維持しな
がら樹脂濃度を高くすることができ、プリント配線板な
どの絶縁膜として用いたばあいに導体の凹凸平坦性に優
れるだけでなく、成形加工性が飛躍的に向上し、厚膜の
ポリイミド膜の形成が容易になる。また強靭で基材との
高い密着性を実現しうる。しかも比較的低価格の付加反
応型ポリイミドを混合するため、コストを大幅に低減す
ることも可能となる。

【００６２】本発明の樹脂組成物は、ＬＳＩのα線遮閉
膜や層間絶縁膜、多層配線板などの層間絶縁膜、さらに
は表面コーティング膜、接着剤などのあらゆる用途に適
用可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の樹脂組成物を用いたワニスにおけるビ
スマレイミド化合物の混合量と粘度との関係を示すグラ
フである。

【図２】平坦化効果測定方法の説明図である。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成３年１２月６日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００９

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】このように従来のポリ
イミド膜の形成に用いられているポリアミド酸は、溶媒
に対する溶解性が低いためワニスの粘度が非常に高く、
そのため厚膜絶縁層の形成が困難で成形加工性が非常に
わるいという問題がある。またポリアミド酸はすでに高
分子量化しているため、加熱硬化時の樹脂の流動性が低
く、絶縁層形成などを行なったばあい、導体層の凹凸の
平坦性が低くなる。そのため多層基板を作成する際にパ
ターン精度の低下などを惹き起こすといった問題があ
る。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１１】本発明は、かかる問題点を解決するために
なされたものであり、ワニス溶媒に対する溶解性が良好
でワニス粘度が低く、そのためワニス中の樹脂濃度を高
くすることが可能であり、厚膜絶縁層の形成が容易に実
現でき、硬化による膜減りが小さく回路の凹凸の平坦性
に優れ、硬化後は強靭で密着性に優れる樹脂組成物およ
びそれを用いたプリント配線板を提供することを目的と
する。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２９】前記テトラカルボン酸二無水物の具体例と
しては、たとえばピロメリット酸無水物、3,3´,4,4´-
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2´，3,3´-
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3´,4,4´-ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3´,4´-
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物などがあげら
れる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山本泰尼崎市塚口本町８丁目１番１号三菱電機株式会社材料研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式（Ｉ）：【化１】（式中、Ｒ¹は２価の有機基を示す）で表わされる付加
反応型化合物と、一般式(II)：【化２】（式中、Ｒ²は炭素数１〜５の有機基、Ｒ³、Ｒ⁴は２価
の有機基、Ｒ⁵は４価の有機基、ｎは２以上の整数を示
す）で表わされる末端ケイ素修飾ポリアミド酸とを混合
してなる熱硬化性樹脂組成物。
【請求項２】請求項１記載の熱硬化性樹脂組成物の硬
化物を層間絶縁膜として用いたプリント配線板。