JPH01319316A - コンデンサ回路 - Google Patents
コンデンサ回路Info
- Publication number
- JPH01319316A JPH01319316A JP15441288A JP15441288A JPH01319316A JP H01319316 A JPH01319316 A JP H01319316A JP 15441288 A JP15441288 A JP 15441288A JP 15441288 A JP15441288 A JP 15441288A JP H01319316 A JPH01319316 A JP H01319316A
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- terminal
- circuit
- output terminal
- amplifier
- capacitor
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- Pending
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はコンデンサ回路に関し、特に半導体集積回路に
おいて内蔵した小容量のコンデンサを等価的に大容量の
コンデンサとするコンデンサ回路に関する。
おいて内蔵した小容量のコンデンサを等価的に大容量の
コンデンサとするコンデンサ回路に関する。
従来、チップとして形成される半導体集積回路において
内蔵できるコンデンサとしては、トランジスタ等のPN
接合に逆バイアスを印加した接合コンデンサと薄い絶縁
膜を利用したコンデンサ、例えばシリコンの酸化膜を利
用したMOSコンデンサ等が知られている。
内蔵できるコンデンサとしては、トランジスタ等のPN
接合に逆バイアスを印加した接合コンデンサと薄い絶縁
膜を利用したコンデンサ、例えばシリコンの酸化膜を利
用したMOSコンデンサ等が知られている。
前者の接合コンデンサは比較的大容量コンデンサ素子を
内蔵できるものの、実用上は1000pF程度以下であ
り、それ以上では面積が大きくなってしまう点や印加さ
れるバイアス方向が反転してはならないという制約がつ
く、また、後者は精度の良いコンデンサが内蔵できるも
のの、実用上は100pF程度以下となり、それ以上で
は面積が大きくなってしまう。
内蔵できるものの、実用上は1000pF程度以下であ
り、それ以上では面積が大きくなってしまう点や印加さ
れるバイアス方向が反転してはならないという制約がつ
く、また、後者は精度の良いコンデンサが内蔵できるも
のの、実用上は100pF程度以下となり、それ以上で
は面積が大きくなってしまう。
このため、従来は小容量のコンデンサを用いて大容量コ
ンデンサの働きをさせるミラー回路が用いられている。
ンデンサの働きをさせるミラー回路が用いられている。
第4図はかかる従来の一例を説明するためのミラー回路
を用いたコンデンサ回路図である。
を用いたコンデンサ回路図である。
第4図に示すように、かかるコンデンサ回路は反転増幅
器1′の入出力端子T1.0間にコンデンサ素子2を接
続し、端子’r、、’r2間の容量CtをCt = (
1+G)Ctにしている。
器1′の入出力端子T1.0間にコンデンサ素子2を接
続し、端子’r、、’r2間の容量CtをCt = (
1+G)Ctにしている。
ただし、Gは反転増幅器1′の利得である。
従って、従来のコンデンサ回路では反転増幅器1′の利
得Gを大きくすれば、コンデンサ素子2の容量を等価的
に大容量とすることができる。
得Gを大きくすれば、コンデンサ素子2の容量を等価的
に大容量とすることができる。
しかしながら、上述した従来のコンデンサ回路はコンデ
ンサ素子の等価的容量を大きくできるものの、入力電圧
の許容入力振幅を小さくしてしまうという欠点がある。
ンサ素子の等価的容量を大きくできるものの、入力電圧
の許容入力振幅を小さくしてしまうという欠点がある。
例えば、電源電圧が5 VテCs = 100 pF。
G=100倍の場合では、cT=o、oiμFと=50
mVp−p以下と小さくなってしまう。
mVp−p以下と小さくなってしまう。
従って、従来のコンデンサ回路においては、入力電圧の
許容入力振幅の制限からコンデンサ素子の容量に限界が
あるということになる。
許容入力振幅の制限からコンデンサ素子の容量に限界が
あるということになる。
本発明の目的は、かかるコンデンサ素子の等価的容量を
大きくするとともに入力電圧の許容入力振幅を大きくす
るコンデンサ回路を提供することにある。
大きくするとともに入力電圧の許容入力振幅を大きくす
るコンデンサ回路を提供することにある。
本発明のコンデンサ回路は、第一の回路端子および基準
電位点に設定される第二の回路端子と、前記第一の回路
端子に一方が接続されるコンデンサ素子と、前記第二の
回路端子に接続される正相入力端子と前記コンデンサ素
子の他方に接続される反転入力端子および前記反転入力
端子に接続される第一の出力端子と前記第一の回路端子
に接続される第二の出力端子を有する増幅器とを含み、
前記増幅器の第一の出力端子に流れる電流に対し前記第
二の出力端子に流れる電流を10〜1000倍に設定す
るように構成される。
電位点に設定される第二の回路端子と、前記第一の回路
端子に一方が接続されるコンデンサ素子と、前記第二の
回路端子に接続される正相入力端子と前記コンデンサ素
子の他方に接続される反転入力端子および前記反転入力
端子に接続される第一の出力端子と前記第一の回路端子
に接続される第二の出力端子を有する増幅器とを含み、
前記増幅器の第一の出力端子に流れる電流に対し前記第
二の出力端子に流れる電流を10〜1000倍に設定す
るように構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の第一の実施例を説明するためのコンデ
ンサ回路のブロック構成図である。
ンサ回路のブロック構成図である。
第1図に示すように、本実施例のコンデンサ回路は回路
端子T、、T2と増幅器1とコンデンサ素子2とを有し
、増幅器、1は入力側に正相入力端子INと反転入力端
子rFとを備え、出力側に第一の出力端子O1と第二の
出力端子o2とを備えている。増幅器1の第一の出力端
子01は反転入力端子ml−とコンデンサ素子2へ接続
されており、またコンデンサ素子2の他端は第一の回路
端子T、および第二の出力端子0□に接続されている。
端子T、、T2と増幅器1とコンデンサ素子2とを有し
、増幅器、1は入力側に正相入力端子INと反転入力端
子rFとを備え、出力側に第一の出力端子O1と第二の
出力端子o2とを備えている。増幅器1の第一の出力端
子01は反転入力端子ml−とコンデンサ素子2へ接続
されており、またコンデンサ素子2の他端は第一の回路
端子T、および第二の出力端子0□に接続されている。
さらに、増幅器1の正相入力端子INは回路端子T2を
介して基準電位へ接続されている。
介して基準電位へ接続されている。
上述した構成のコンデンサ回路において、第一の出力端
子01に流れる電流io1と第二の出力端子02に流れ
る電流iozとはi 02=K i Ofになっている
。ただし、Kは比例定数であり、10〜1000の値を
とる。
子01に流れる電流io1と第二の出力端子02に流れ
る電流iozとはi 02=K i Ofになっている
。ただし、Kは比例定数であり、10〜1000の値を
とる。
第2図はこのような条件を満たす増幅器の一例を示す回
路図である。
路図である。
第2図に示すように、反転入力端子−「乎と正相入力端
子INを有する差動増幅器3の二つの出力はそれぞれ共
通エミッタ接続された二組のトランジスタ対Q1.Q2
とQ3.Q4の各ベース間に印加され、それぞれのトラ
ンジスタ対の共通エミッタには定電流源IS1.IS2
がそれぞれ接続されている。また、各トランジスタ対Q
1.Q2とQ3.Q4の負荷としては第一および第二の
カレントミラー回路4および5が接続され、しがもトラ
ンジスタQ2のコレクタと第一のカレントミラー4の出
力とが共通に第一の出力端子o1へ接続されるとともに
、トランジスタQ4のコレクタと第二のカレントミラー
5の出力とが共通に第二の出力端子02へ接続されてい
る。ここで、第一および第二の定電流源I$1とrsz
の電流比は1:にに設定されている。
子INを有する差動増幅器3の二つの出力はそれぞれ共
通エミッタ接続された二組のトランジスタ対Q1.Q2
とQ3.Q4の各ベース間に印加され、それぞれのトラ
ンジスタ対の共通エミッタには定電流源IS1.IS2
がそれぞれ接続されている。また、各トランジスタ対Q
1.Q2とQ3.Q4の負荷としては第一および第二の
カレントミラー回路4および5が接続され、しがもトラ
ンジスタQ2のコレクタと第一のカレントミラー4の出
力とが共通に第一の出力端子o1へ接続されるとともに
、トランジスタQ4のコレクタと第二のカレントミラー
5の出力とが共通に第二の出力端子02へ接続されてい
る。ここで、第一および第二の定電流源I$1とrsz
の電流比は1:にに設定されている。
以上のような回路構成としているため、第1図に示した
増幅回路では第一および第二の出力端子0、.02かち
取り出す電流比がKとなる条件を満たしている。
増幅回路では第一および第二の出力端子0、.02かち
取り出す電流比がKとなる条件を満たしている。
ここで、第1図に示したコンデンサ回路の端子’r、、
72間に印加される電圧の交流成分VINと回路端子T
1に流れる電流の関係を説明する。
72間に印加される電圧の交流成分VINと回路端子T
1に流れる電流の関係を説明する。
まず、増幅器1は全帰還がかかつており、第一の出力端
子0.の電圧は基準電位の電圧と等しく−の出力端子O
,に流れる電流io+はiclと等しくなる。すなわち
、l o1= i c+= jωC・■1Nと表わすこ
とができる。
子0.の電圧は基準電位の電圧と等しく−の出力端子O
,に流れる電流io+はiclと等しくなる。すなわち
、l o1= i c+= jωC・■1Nと表わすこ
とができる。
また、増幅器1の第二の出力端子02に流れる電流i
02はi 1)2=に−1o1= j (A)KC・V
INであるため、回路端子T、に流れ込む電流1月は1
T1=iot+1oz=j ω (1+K)CI ・
V+sとなる。すなわに、回路端子T1にCt =
(1+K)CIのコンデンサ素子が接続されているのと
同じ働きをさせることができる。
02はi 1)2=に−1o1= j (A)KC・V
INであるため、回路端子T、に流れ込む電流1月は1
T1=iot+1oz=j ω (1+K)CI ・
V+sとなる。すなわに、回路端子T1にCt =
(1+K)CIのコンデンサ素子が接続されているのと
同じ働きをさせることができる。
以上述べたとおり、本実施例によれば、出力電流を回路
端子T1へに倍でフィードバックしているので、入力電
圧の信号振幅が大きくなっても充分に扱うことができる
。
端子T1へに倍でフィードバックしているので、入力電
圧の信号振幅が大きくなっても充分に扱うことができる
。
第3図は本発明の第二の実施例を説明するためのコンデ
ンサ回路図である。
ンサ回路図である。
第3図に示すように、本実施例は増幅器1を構成する差
動増幅器3の出力がコンプリメンタリ型シングルエンド
プッシュプル出力回路を構成するトランジスタQ5.Q
6のベースへ印加されている。また、トランジスタQ5
のコレクタは第一のカレントミラー4の入力へ、またト
ランジスタQ6のコレクタは第二のカレントミラー6の
入力へそれぞれ接続され、これらカレントミラー回路4
.6の出力は第二の出力端子o2へ共に接続され、トラ
ンジスタQs、Q6の共通エミッタは第一の出力端子0
.へ接続さている。本実施例において設けたレベルシフ
ト回路7と定電流源Is、は出力回路でのクロスオーバ
歪を防止するためのものである。
動増幅器3の出力がコンプリメンタリ型シングルエンド
プッシュプル出力回路を構成するトランジスタQ5.Q
6のベースへ印加されている。また、トランジスタQ5
のコレクタは第一のカレントミラー4の入力へ、またト
ランジスタQ6のコレクタは第二のカレントミラー6の
入力へそれぞれ接続され、これらカレントミラー回路4
.6の出力は第二の出力端子o2へ共に接続され、トラ
ンジスタQs、Q6の共通エミッタは第一の出力端子0
.へ接続さている。本実施例において設けたレベルシフ
ト回路7と定電流源Is、は出力回路でのクロスオーバ
歪を防止するためのものである。
更に、かかるコンデンサ回路の増幅器1において、第一
および第二のカレンミラー回路4.6の電流比は共にK
(K:10〜1000)倍に設定されている。
および第二のカレンミラー回路4.6の電流比は共にK
(K:10〜1000)倍に設定されている。
以上説明したような回路構成となっているため、第二の
出力端子0□から第一の出力端子01に流れるに倍の電
流を取り出すことができる。
出力端子0□から第一の出力端子01に流れるに倍の電
流を取り出すことができる。
尚、全体の回路動作は前述した第一の実施例の回路と同
様である。
様である。
以上説明したように、本発明のコンデンサ回路は半導体
集積回路内で実用的に実現できる小容量のコンデンサと
増幅器を用いて等測的に大きなコンデンサとしての働ら
きをさせることができる。
集積回路内で実用的に実現できる小容量のコンデンサと
増幅器を用いて等測的に大きなコンデンサとしての働ら
きをさせることができる。
従って、フィルター回路やバイパス回路等大きな容量を
必要とするため従来半導体集積回路で実用上外付せざる
を得なかったコンデンサを内蔵することができるという
効果がある。
必要とするため従来半導体集積回路で実用上外付せざる
を得なかったコンデンサを内蔵することができるという
効果がある。
また、本発明な扱える入力電圧の信号振幅を大きくとる
ことができるという効果がある。
ことができるという効果がある。
第1図は本発明の第一の実施例を説明するためのコンデ
ンサ回路のブロッ、り構成図、第2図は第1図に示す増
幅器の回路図、第3図は本発明の第二の実施例を説明す
るためのコンデンサ回路図、第4図は従来の一例を説明
するためのコンデンサ回路図であるや 1・・・増幅器、2・・・コンデンサ素子、3・・・差
動増幅器、4.5.6・・・カレントミラー回路、7・
・・レベルシフト回路、T、、T2・・・コンデンサ回
路端子、IN、IF・・・増幅器入力端子、0..02
・・・増幅器入力端子、Q!〜Q6・・・トランジスタ
、第7区 昂3因 /?−
ンサ回路のブロッ、り構成図、第2図は第1図に示す増
幅器の回路図、第3図は本発明の第二の実施例を説明す
るためのコンデンサ回路図、第4図は従来の一例を説明
するためのコンデンサ回路図であるや 1・・・増幅器、2・・・コンデンサ素子、3・・・差
動増幅器、4.5.6・・・カレントミラー回路、7・
・・レベルシフト回路、T、、T2・・・コンデンサ回
路端子、IN、IF・・・増幅器入力端子、0..02
・・・増幅器入力端子、Q!〜Q6・・・トランジスタ
、第7区 昂3因 /?−
Claims (1)
- 第一の回路端子および基準電位点に設定される第二の
回路端子と、前記第一の回路端子に一方が接続されるコ
ンデンサ素子と、前記第二の回路端子に接続される正相
入力端子と前記コンデンサ素子の他方に接続される反転
入力端子および前記反転入力端子に接続される第一の出
力端子と前記第一の回路端子に接続される第二の出力端
子を有する増幅器とを含み、前記増幅器の第一の出力端
子に流れる電流に対し前記第二の出力端子に流れる電流
を10〜1000倍に設定したことを特徴とするコンデ
ンサ回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15441288A JPH01319316A (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | コンデンサ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15441288A JPH01319316A (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | コンデンサ回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01319316A true JPH01319316A (ja) | 1989-12-25 |
Family
ID=15583589
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15441288A Pending JPH01319316A (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | コンデンサ回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01319316A (ja) |
-
1988
- 1988-06-21 JP JP15441288A patent/JPH01319316A/ja active Pending
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