JPH01316367A - ヘテロ環骨格を有する液晶物質 - Google Patents
ヘテロ環骨格を有する液晶物質Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
イ0発明の目的
童束五夙且朋分立
本発明は、カイラルスメクチック液晶の電界への応答を
利用した電気光学素子に使用するに適する液晶物質、特
にピリミジン環を含む強誘電性液晶物質及び王女定状態
を示す液晶物質に関するものである。
利用した電気光学素子に使用するに適する液晶物質、特
にピリミジン環を含む強誘電性液晶物質及び王女定状態
を示す液晶物質に関するものである。
従来技術11.■1のり巳、に531&1輩−液晶表示
素子は、1)低電圧作動性2)低消費電力性3)薄形表
示3)受光型などの優れた特長を有するため、現在まで
、TN方式、STN方式、Ge5t−11osL方式な
どが開発され実用化されている。
素子は、1)低電圧作動性2)低消費電力性3)薄形表
示3)受光型などの優れた特長を有するため、現在まで
、TN方式、STN方式、Ge5t−11osL方式な
どが開発され実用化されている。
しかし、現在広く利用されているネマチック液晶を用い
たものは、応答速度が数m5ec−数十m5ecと遅い
欠点があり、応用工種々の制約を受けている。
たものは、応答速度が数m5ec−数十m5ecと遅い
欠点があり、応用工種々の制約を受けている。
これらの問題を解決するため、STN方式や薄層トラン
ジスタなどを用いたアクティブマトリックス方式などが
開発されたが、STN型表示素子は、表示コントラスト
や視野角などの表示品位は優れたものとなったが、セル
ギャップやチルト角の制御に高い精度を必要とすること
や応答がやや遅いことな、どが問題となっている。
ジスタなどを用いたアクティブマトリックス方式などが
開発されたが、STN型表示素子は、表示コントラスト
や視野角などの表示品位は優れたものとなったが、セル
ギャップやチルト角の制御に高い精度を必要とすること
や応答がやや遅いことな、どが問題となっている。
このため、応答性のすぐれた新しい液晶表示方式の開発
が要望され一ζおり、光学応答時間がμsecオーダー
と極めて短かい超高速デバイスが可能になる強誘電性液
晶の開発が試みられていた。
が要望され一ζおり、光学応答時間がμsecオーダー
と極めて短かい超高速デバイスが可能になる強誘電性液
晶の開発が試みられていた。
強誘電性液晶は、1975年、Mayor等により口O
BAMBC(p−デシルオニトシベンジリデンーp−ア
ミノ−2−メチルブチルシンナメート〕が初めて合成さ
れた。
BAMBC(p−デシルオニトシベンジリデンーp−ア
ミノ−2−メチルブチルシンナメート〕が初めて合成さ
れた。
さらに、1980年C1arkとLagawallによ
りDOIIAMBCのサブマイクロ秒の高速応答、メモ
リー特性など表示デイバイス上の特性が報告されて以来
、強誘電性液晶が大きな注目を集めるようになった。。
りDOIIAMBCのサブマイクロ秒の高速応答、メモ
リー特性など表示デイバイス上の特性が報告されて以来
、強誘電性液晶が大きな注目を集めるようになった。。
”(N、A、C1ark、eLal、、八pp1.Ph
ys、LetL 、36.899しかし、彼らの方式
には、実用化に向けて多くの技術的課題が有り、特に室
温で強誘電性液晶を示す材料は無く、表示デイスプレー
に不可欠な液晶分子の配列制御に有効かつ実用的な方法
も確立されていなかった。
ys、LetL 、36.899しかし、彼らの方式
には、実用化に向けて多くの技術的課題が有り、特に室
温で強誘電性液晶を示す材料は無く、表示デイスプレー
に不可欠な液晶分子の配列制御に有効かつ実用的な方法
も確立されていなかった。
この報告以来、液晶材料/デバイス両面からの様々な試
みがなされ、ライスに状態間のスイッチングを利用した
表示デバイスが試作されたが、高いコントラストや適正
なしきい値特性が得られていない。
みがなされ、ライスに状態間のスイッチングを利用した
表示デバイスが試作されたが、高いコントラストや適正
なしきい値特性が得られていない。
ごのような視点から他のスイッチング方式についても探
索され、過渡的な散乱方式が提案された。
索され、過渡的な散乱方式が提案された。
その後、1988年に本発明者らによる王女定状態液晶
の三伏熊スイッチング方式が報告された0゜”(A、0
.L、Ct+andani、T、Ilagiwara、
Y、5uzuki aLal、。
の三伏熊スイッチング方式が報告された0゜”(A、0
.L、Ct+andani、T、Ilagiwara、
Y、5uzuki aLal、。
Japa、n、J 、of Appl、 Pbys、
、 27. (5) 、 L729−L732(198
B) )三状態スイッチング方式は、液晶分子配向にお
いて従来の双安定状態とは基本的に異なる王女定状態を
示す液晶相5(3)”が示す駆動電圧に対する明確なし
きい特性とヒステリシス特性を応用するものであり、単
純マトリックス方式で大画面の動画像表示が実現できる
画期的な駆動方法と考えられる。
、 27. (5) 、 L729−L732(198
B) )三状態スイッチング方式は、液晶分子配向にお
いて従来の双安定状態とは基本的に異なる王女定状態を
示す液晶相5(3)”が示す駆動電圧に対する明確なし
きい特性とヒステリシス特性を応用するものであり、単
純マトリックス方式で大画面の動画像表示が実現できる
画期的な駆動方法と考えられる。
これらの王女定状態を示す相5(3)”を和系列に有す
る液晶化合物は、特許の開示において、本発明者の開示
した特願昭63−21159 、特願昭63−2116
0 、特願昭63−53805 、特願昭63−702
12以外には報告されていない。
る液晶化合物は、特許の開示において、本発明者の開示
した特願昭63−21159 、特願昭63−2116
0 、特願昭63−53805 、特願昭63−702
12以外には報告されていない。
(本発明の目的)
本発明は上記の問題点に鑑み、複素環を含む液晶化合物
について鋭意検3・1シた結果、ペテロ環としてピリミ
ジン環を含む液晶化合物が、化学的・光化学的に安定で
、しかも大きい誘電異方性を有し、さらに従来の強誘電
性液晶では得られなかった室温を含む非常に広い範囲で
三安定状態を示す液晶相5(3)”相を示すことを見い
出した。三安定状態を示す5(3)”相を利用した新し
い電気光学素子や液晶デイスプレーなどに応用が期待で
きる、新規な液晶化合物を提供するものである。
について鋭意検3・1シた結果、ペテロ環としてピリミ
ジン環を含む液晶化合物が、化学的・光化学的に安定で
、しかも大きい誘電異方性を有し、さらに従来の強誘電
性液晶では得られなかった室温を含む非常に広い範囲で
三安定状態を示す液晶相5(3)”相を示すことを見い
出した。三安定状態を示す5(3)”相を利用した新し
い電気光学素子や液晶デイスプレーなどに応用が期待で
きる、新規な液晶化合物を提供するものである。
本発明は、−故人
〔式中;
R8は、炭素数1〜20のアルキル基;n2は炭素数1
〜20のアルキル基; Xはフルオロアルキル基; は−C11□0−〕 で表わされるピリミジン環骨格を有する液晶物質に関す
るものである。
〜20のアルキル基; Xはフルオロアルキル基; は−C11□0−〕 で表わされるピリミジン環骨格を有する液晶物質に関す
るものである。
上記式で表わされる本発明の化合物中、代表的なものは
次のようである。
次のようである。
R,およびR2はアルキル基で、式Cn1l□ni1で
表わされ、Cnllgn−+ は、ヘキシル基(C61
1111)、オクチル基(C11111?)、ノニル基
(C91119)およびデシル基(C,。II z l
)である。
表わされ、Cnllgn−+ は、ヘキシル基(C61
1111)、オクチル基(C11111?)、ノニル基
(C91119)およびデシル基(C,。II z l
)である。
Xば、フルオロアルキル基で、好ましいものは、Ch
、Cl1h、CIIzP、 CCI Pg、(/!、F
またはCtF、基である。特に好ましいものはCF、基
である。
、Cl1h、CIIzP、 CCI Pg、(/!、F
またはCtF、基である。特に好ましいものはCF、基
である。
本発明の目的化合物の好ましい具体例は例えば、(式中
R1はへキシルノS、オクチル基およびデシル基;R2
はへ;1−シル基、オクチル基、ノニル基およびデ’y
ル基;XはCFff、C肝2、Cl12F、 CC1,
F2、CCl2FまたはC2F、7Jである。)本発明
の化合物の合成法の一例を示すと次のようである。
R1はへキシルノS、オクチル基およびデシル基;R2
はへ;1−シル基、オクチル基、ノニル基およびデ’y
ル基;XはCFff、C肝2、Cl12F、 CC1,
F2、CCl2FまたはC2F、7Jである。)本発明
の化合物の合成法の一例を示すと次のようである。
ゝ・COOEL
tJU)
(式中R1、I?、およびXは上記と同、α味を有する
)すなわち ■)4−ベンジルオキシベンゾニトリルにアルコールと
塩化水素とを加え、さらにアンモニアを加えて、4−(
ヘンシルオキシ)ベンズアミジン塩酸塩(1)を1ゴた
。
)すなわち ■)4−ベンジルオキシベンゾニトリルにアルコールと
塩化水素とを加え、さらにアンモニアを加えて、4−(
ヘンシルオキシ)ベンズアミジン塩酸塩(1)を1ゴた
。
次に化合物(1)にアルコ−ラードの存在下でアルキル
(112)マロン酸ジエチルを加え、さらに得られた化
合物をハロゲン化剤で処理し、次に接触還元シて2−(
4−ヒドロキシフェニル)−5−アルキルピリミジン(
2)を得た。
(112)マロン酸ジエチルを加え、さらに得られた化
合物をハロゲン化剤で処理し、次に接触還元シて2−(
4−ヒドロキシフェニル)−5−アルキルピリミジン(
2)を得た。
2)次にテレフタル酸に塩化チオニルを加えてテレフタ
ル酸り[Iリドを得た。これに、光学活性なl−フル第
1コアルキル−アルカノールを加え、塩化メチレンおよ
びピリジン中で水冷上反応させて4−(1−フルオlコ
アルキルアルコキシカルボニル)安息香酸(3)を得た
。
ル酸り[Iリドを得た。これに、光学活性なl−フル第
1コアルキル−アルカノールを加え、塩化メチレンおよ
びピリジン中で水冷上反応させて4−(1−フルオlコ
アルキルアルコキシカルボニル)安息香酸(3)を得た
。
3)上記化合物(2)と上記化合物(3)とをエステル
化して本発明の目的化合物である4−(l−フルオロア
ル:1−ルアルコキシ力ルボニル) 安息香6i −4
〜(5−アルキル−2−ピリミジニル)−フェニルエス
テル(4)を得た。
化して本発明の目的化合物である4−(l−フルオロア
ル:1−ルアルコキシ力ルボニル) 安息香6i −4
〜(5−アルキル−2−ピリミジニル)−フェニルエス
テル(4)を得た。
4)市販の/I’ −11−アル−1−ルー4−シアノ
−ピリミジルフェニルをジエチレングリコール中で水酸
化カリウムと共に還流した後、メタノール−4塩酸−2
:lの混合溶媒11号こ反応液を入れかきまぜる。生成
した結晶を集めエタノールにて再結晶し、4−(n−ア
ルキル−2−ピリミジル)安息香M(5)を得る。次に
化合物(5)を過剰の塩化チオニル中にて還流し、塩化
物(6)を得る。
−ピリミジルフェニルをジエチレングリコール中で水酸
化カリウムと共に還流した後、メタノール−4塩酸−2
:lの混合溶媒11号こ反応液を入れかきまぜる。生成
した結晶を集めエタノールにて再結晶し、4−(n−ア
ルキル−2−ピリミジル)安息香M(5)を得る。次に
化合物(5)を過剰の塩化チオニル中にて還流し、塩化
物(6)を得る。
5)ベンジルオキシ安息香酸を過剰の塩化チオニル中で
還流し、その塩化物(7)を得る。これに光学活性な1
−フルオロアルキル−アルカノールを加え、塩化メチレ
ン中トリエチルアミンの存在下で1−フルオロアルキル
−2−アルキルベンジルオキシベンゾニー[・(8)を
得る。次に接触還元をして、■−フルオロアルキルー2
−アルキル4−ヒドロキシヘンゾエ−1−(9)を得る
。
還流し、その塩化物(7)を得る。これに光学活性な1
−フルオロアルキル−アルカノールを加え、塩化メチレ
ン中トリエチルアミンの存在下で1−フルオロアルキル
−2−アルキルベンジルオキシベンゾニー[・(8)を
得る。次に接触還元をして、■−フルオロアルキルー2
−アルキル4−ヒドロキシヘンゾエ−1−(9)を得る
。
6)上記(6)と(9)の化合物を塩化メチレン中、ト
リエチルアミンの存在下にて反応させ、本発明の目的化
合物である4−(l−フルオロアルキルアルコキシカル
ボニル)フェニル4’ −(5−アルキル−2−ピリミ
ジニル)ベンゾエート00)を得た。
リエチルアミンの存在下にて反応させ、本発明の目的化
合物である4−(l−フルオロアルキルアルコキシカル
ボニル)フェニル4’ −(5−アルキル−2−ピリミ
ジニル)ベンゾエート00)を得た。
ユ」止
次に本実施例を掲げて本発明を説明するが、これに限定
されるものではない。
されるものではない。
実施例1
丈沙よ1jじC召町λ伍仄
4−ペンジルオキシヘンヅニトリル63gをメタノール
300 mRに加え、乾燥塩化水素ガスを3°C以下の
温度を維持しつつ加えた。室温にて48時間攪拌したの
ち、溶媒を留去して白色固体を得た。
300 mRに加え、乾燥塩化水素ガスを3°C以下の
温度を維持しつつ加えた。室温にて48時間攪拌したの
ち、溶媒を留去して白色固体を得た。
次にこのものをエタノールに溶解し、飽和アンモニア−
エタノール溶液225m1を室温にて滴下して、さらに
72時間撹拌した後、溶媒を留去して、4−(ベンジル
オキシ)−ベンズアミジン塩酸塩(1)63gを得た。
エタノール溶液225m1を室温にて滴下して、さらに
72時間撹拌した後、溶媒を留去して、4−(ベンジル
オキシ)−ベンズアミジン塩酸塩(1)63gを得た。
メタノール500−に金属ナトリウム17gを加えて溶
解したものに、上記アミジン塩酸塩(1)63gを加え
、次いで水冷下、オクチルマロン酸ジエチルエステル7
7gを徐々に滴下して18時間還流下反応させた反応液
を水に注ぎ、濃硫酸にて中和し、ジヒIUJキシピリミ
ジン化合物の白色結晶55gを得た。
解したものに、上記アミジン塩酸塩(1)63gを加え
、次いで水冷下、オクチルマロン酸ジエチルエステル7
7gを徐々に滴下して18時間還流下反応させた反応液
を水に注ぎ、濃硫酸にて中和し、ジヒIUJキシピリミ
ジン化合物の白色結晶55gを得た。
このものを、ジエチルアニリン3’3mlおよびオキシ
塩化リン2UOml14こ加え、2】時間還流下で反応
させた。反応混合物を氷水に注ぎ、エーテルにて抽出し
、有機層を希水酸化すトリウムにて洗滌し、中性になる
まで飽和食塩水にて洗滌をくり返した。エーテルを留去
してジクロロピリミジン化合物25gを17だ。
塩化リン2UOml14こ加え、2】時間還流下で反応
させた。反応混合物を氷水に注ぎ、エーテルにて抽出し
、有機層を希水酸化すトリウムにて洗滌し、中性になる
まで飽和食塩水にて洗滌をくり返した。エーテルを留去
してジクロロピリミジン化合物25gを17だ。
この化合物をメタノールに加え、さらに10%担持−P
a−炭素約1gおよび酸化マグネシウム3gを力1FC
1水素加圧下水添し、」二記目的化合物(2)14gを
得た。
a−炭素約1gおよび酸化マグネシウム3gを力1FC
1水素加圧下水添し、」二記目的化合物(2)14gを
得た。
2)4: −フル第11エーノL!L丑ルオ、1−
シカノkA(丑)n二に、已」i五【(3)1と自り葭
テレフタル酸33gを過剰の塩化チオニルに加え、11
0″C15時間反応させ、過剰の塩化チオニルを留去し
てテレフタル酸りロリl” 40 gを得た。
シカノkA(丑)n二に、已」i五【(3)1と自り葭
テレフタル酸33gを過剰の塩化チオニルに加え、11
0″C15時間反応させ、過剰の塩化チオニルを留去し
てテレフタル酸りロリl” 40 gを得た。
この酸りI′Jリドを塩化メチレンに溶解し、光学活性
なI−1リフルオロメチル−ノナノール42L丁とピリ
ジン15.1’3 gを水冷上滴下した後、室温に戻し
てさらに乏3時間反応させた。
なI−1リフルオロメチル−ノナノール42L丁とピリ
ジン15.1’3 gを水冷上滴下した後、室温に戻し
てさらに乏3時間反応させた。
反応液に水を加え、塩化メチレンにて抽出をくり返し、
有機層を希塩酸−水−IN炭酸す1リウムー水で順次洗
H4して中性にした後、無水硫酸す【リウムにて乾燥し
、溶媒を留去してさらにクロロホルム−シリカ、ゲルク
ロマト処理し、上記目的化合物(3) 18 gをf:
また。
有機層を希塩酸−水−IN炭酸す1リウムー水で順次洗
H4して中性にした後、無水硫酸す【リウムにて乾燥し
、溶媒を留去してさらにクロロホルム−シリカ、ゲルク
ロマト処理し、上記目的化合物(3) 18 gをf:
また。
災しし七必二菖−フェニルエ入デル(9)災立戒上記化
合物(2) 14 g、上記化合物(3) 18 gと
ジシクロへキシルカルボジイミド12.5 gをテトラ
ヒドロフラン(Till?)溶媒に加え、室温にて10
時間反応させた。反応液を水に注ぎ、塩化メチレン抽出
を行ない、有Ja層を希塩酸−水−IN無水硫酸ナトリ
ウムにて順次洗滌して中性にした後、溶媒を留去して、
さらに常法によりシリカゲルクロマト処理し、エチルア
ルコールにて再結晶をくり返して上記目的化合物(4)
I O,5gを得た。
合物(2) 14 g、上記化合物(3) 18 gと
ジシクロへキシルカルボジイミド12.5 gをテトラ
ヒドロフラン(Till?)溶媒に加え、室温にて10
時間反応させた。反応液を水に注ぎ、塩化メチレン抽出
を行ない、有Ja層を希塩酸−水−IN無水硫酸ナトリ
ウムにて順次洗滌して中性にした後、溶媒を留去して、
さらに常法によりシリカゲルクロマト処理し、エチルア
ルコールにて再結晶をくり返して上記目的化合物(4)
I O,5gを得た。
本発明の目的化合物(4)の赤外線吸収スペクトル図は
第1図に示した。
第1図に示した。
本発明の化合物は液晶相を示し、その相転移は次のよう
である。
である。
実施例2
4−(5−n−デシル−2−ピリミジル)フェニル 4
− (1,1,1−)リフルオロ−2−オクチルオキ
シカルボニル)−ヘンシェード 実施例1の1)のオクチルマロン酸ジエチルエステルの
代すにデシルマロン酸ジエチルエステルを使用し、実施
例1の2)で使用した光学活性な1−トリフルオロメチ
ル−ノナノールの代りに光学活性なl−)リフルオロメ
チル−ヘプタツールを使用し、実施例1と同様の方法に
て合成し、目的化合物を得た。
− (1,1,1−)リフルオロ−2−オクチルオキ
シカルボニル)−ヘンシェード 実施例1の1)のオクチルマロン酸ジエチルエステルの
代すにデシルマロン酸ジエチルエステルを使用し、実施
例1の2)で使用した光学活性な1−トリフルオロメチ
ル−ノナノールの代りに光学活性なl−)リフルオロメ
チル−ヘプタツールを使用し、実施例1と同様の方法に
て合成し、目的化合物を得た。
その比施光度は〔α) =−ト32.0°であり、そ
の相転移温度はポットステージによる顕微鏡観察により
次のようである。
の相転移温度はポットステージによる顕微鏡観察により
次のようである。
tj!J、 ’/ −C91L i −Cその赤外線吸
収スペクトル(KBr)を第2図に示し、核磁気共鳴ス
ペクトル結果を第1表に示す。
収スペクトル(KBr)を第2図に示し、核磁気共鳴ス
ペクトル結果を第1表に示す。
実施例3
4 ’ −(1,1,1−)リフルオロ−2−オクチル
オキシカルボニル)−4−ビフェニル 4−(5−n−
ノニル−2−ピリミジル)安息香酸l) メチル 4′
−ヒドロキシビフェニル−4−カルボキシル−1・ 4′−ヒドロキシビフェニル−4−カルボン酸5.0g
と0.2gの濃硫酸とを150mj7のメタノール中に
入れ、24時間還流した。反応液を大量の水中に入れ、
結晶を析出させ、採集した。結晶を真空乾燥し、5.
OI:の目的物を得た。
オキシカルボニル)−4−ビフェニル 4−(5−n−
ノニル−2−ピリミジル)安息香酸l) メチル 4′
−ヒドロキシビフェニル−4−カルボキシル−1・ 4′−ヒドロキシビフェニル−4−カルボン酸5.0g
と0.2gの濃硫酸とを150mj7のメタノール中に
入れ、24時間還流した。反応液を大量の水中に入れ、
結晶を析出させ、採集した。結晶を真空乾燥し、5.
OI:の目的物を得た。
2) メチル 4′ (ベンジルオキシ)−ビフェニル
−4−カルボ;1−シレート 1)で合成したメチル4′−ヒドロキシビフェニル−4
−カルボキシレート4.1 gを100m1!のジメチ
ルアミノポル11アミV中に溶解し、次に無水炭酸カリ
ウl、3.6gを加え、110℃まで加温した後、4.
1gのペンジルブI−Jマイトを1時間で滴下する。滴
下後、140℃にて4時間かきまぜた。
−4−カルボ;1−シレート 1)で合成したメチル4′−ヒドロキシビフェニル−4
−カルボキシレート4.1 gを100m1!のジメチ
ルアミノポル11アミV中に溶解し、次に無水炭酸カリ
ウl、3.6gを加え、110℃まで加温した後、4.
1gのペンジルブI−Jマイトを1時間で滴下する。滴
下後、140℃にて4時間かきまぜた。
反応溶液を大量の水中に入れ、結晶を析出させた。
結晶を集め、乾燥して目的物6.6gを得た。
3)4”(ヘンシルオキシ)−ビフェニル−4−カルボ
ン酸 水酸化カリウム2.26 gを含有しているメタノール
200nj!!と水20++1とからなるアルカリ性混
合溶媒中に2)で合成したメチル4′−(ベンジルオキ
シ)−ビフェニル−4−カルボキシレート5.0gを入
れ、24時間還流した。大量の水中に反応混合物を入れ
、結晶を析出させた。水溶液が完全に酸性になるまで塩
酸を加え、5分間還流した後、結晶を採集した。結晶を
水洗、乾燥し、目的物4.6gを得た。
ン酸 水酸化カリウム2.26 gを含有しているメタノール
200nj!!と水20++1とからなるアルカリ性混
合溶媒中に2)で合成したメチル4′−(ベンジルオキ
シ)−ビフェニル−4−カルボキシレート5.0gを入
れ、24時間還流した。大量の水中に反応混合物を入れ
、結晶を析出させた。水溶液が完全に酸性になるまで塩
酸を加え、5分間還流した後、結晶を採集した。結晶を
水洗、乾燥し、目的物4.6gを得た。
4)4’−(ベンジルオキシ)−ビフェニル−4−カル
ボン酸塩化物 3)で合成した4′−(ベンジルオキシ)−ビフェニル
−4−カルボン酸4.0gを塩化チオニル23.5g中
に入れ、ジメチルボルムアミド−滴を加えた後、4時間
還流した。過剰の塩化チオニルを留去し、目的の塩化物
約4gを得た。
ボン酸塩化物 3)で合成した4′−(ベンジルオキシ)−ビフェニル
−4−カルボン酸4.0gを塩化チオニル23.5g中
に入れ、ジメチルボルムアミド−滴を加えた後、4時間
還流した。過剰の塩化チオニルを留去し、目的の塩化物
約4gを得た。
5) 1,1.1−1−リフルオロ−2−オクチル
4′−(ベンジルオキシ)−ビフェニル−4−カルポ;
トシレート 光学活性な1,1.1−1−リフルオロ−2−オクタツ
ール2.0gとトリエチルアミン1.1gとを150m
1の二塩化エタンに溶かず。4)で合成した4′−(ヘ
ンシルオキシ)−ビフェニル−4−カルボン酸塩化物3
.9gを20nj!の二塩化エタンに溶解したものを室
温にて滴下した。さらにジメチルアミノピリジン1.3
gを加え、室温にて3目間かきまぜた。反応液を水中に
入れ、中性にした後、二塩化エタンにて抽出した。無水
硫酸マグネシラl、で乾燥した後、二塩化エタンを留去
した。残香物をシリカゲルカラムクロマトグラフにて精
製し、目的物0.74gを得た。
4′−(ベンジルオキシ)−ビフェニル−4−カルポ;
トシレート 光学活性な1,1.1−1−リフルオロ−2−オクタツ
ール2.0gとトリエチルアミン1.1gとを150m
1の二塩化エタンに溶かず。4)で合成した4′−(ヘ
ンシルオキシ)−ビフェニル−4−カルボン酸塩化物3
.9gを20nj!の二塩化エタンに溶解したものを室
温にて滴下した。さらにジメチルアミノピリジン1.3
gを加え、室温にて3目間かきまぜた。反応液を水中に
入れ、中性にした後、二塩化エタンにて抽出した。無水
硫酸マグネシラl、で乾燥した後、二塩化エタンを留去
した。残香物をシリカゲルカラムクロマトグラフにて精
製し、目的物0.74gを得た。
6) 1,1.1−1−リフルオロ−2−オクチル
4′−ヒドロキシビフェニル−4−カルボキシレート0
CF3 5)で合成した1、1.1−1−リフルオロ−2−オク
チル 4′−(ベンジルオキシ)−ビフェニル−4−カ
ルボキシレート0.5 gを50m1のエタノール中に
入れ、10%担持パラジウム−カーボン0.1gを加え
、水素雰囲気下、室温にて24時間はげしくかきまぜた
。触媒を除去し、エタノールを留去して、目的物0.2
gを得た。
4′−ヒドロキシビフェニル−4−カルボキシレート0
CF3 5)で合成した1、1.1−1−リフルオロ−2−オク
チル 4′−(ベンジルオキシ)−ビフェニル−4−カ
ルボキシレート0.5 gを50m1のエタノール中に
入れ、10%担持パラジウム−カーボン0.1gを加え
、水素雰囲気下、室温にて24時間はげしくかきまぜた
。触媒を除去し、エタノールを留去して、目的物0.2
gを得た。
?)4−(5−n−ノニル−2−ピリミジル)安息香酸
4′−n−ノニル−4−シアノピリミジルフェニル2.
0gを15II11のジエチルグリコールと1.0gの
水酸化カリウム共に3日間還流した。反応混合物を10
0mfS濃−塩酸50mfの混合液中に入れ、加熱下で
半日かきまぜた。析出した結晶を集め、水洗した後、エ
タノールにて再結晶し、目的物2.Ogを得た。
0gを15II11のジエチルグリコールと1.0gの
水酸化カリウム共に3日間還流した。反応混合物を10
0mfS濃−塩酸50mfの混合液中に入れ、加熱下で
半日かきまぜた。析出した結晶を集め、水洗した後、エ
タノールにて再結晶し、目的物2.Ogを得た。
8)4−(5−n−ノニル−2−ピリミジル)安息香酸
塩化物 7)で合成した4−(5−n−ノニル−2−ピリミジル
)安息香酸2.Ogを塩化チオニルl 2. OU中、
に入れ、ジメチルホルムアミド−滴を加えた。
塩化物 7)で合成した4−(5−n−ノニル−2−ピリミジル
)安息香酸2.Ogを塩化チオニルl 2. OU中、
に入れ、ジメチルホルムアミド−滴を加えた。
4時間還流した後、過剰の塩化チオニルを留去し、目的
の塩化物を約2gを得た。
の塩化物を約2gを得た。
9) 4 ’ −(1,1,1−)リフルオロ−2−
オクチルオキシカルボニル)−4−ビフェニル 4−(
5−n−ノニル−2−ピリミジル)ベンゾエート 6)で合成した1、1.1−1−リフルオロ−2−オク
チル 4′−ヒドロキシビフェニル−4−カルボキシレ
ート0.2 gと1−リエチルアミン0.06 gとを
8 mlの二塩化エタン中に溶解する。8)で合成した
4−(5−n−ノニル−2−ピリミジル)安息香酸塩化
物0.2gを6 mlの二塩化エタンに溶解した。溶液
をかきまぜながら室温にて滴下する。
オクチルオキシカルボニル)−4−ビフェニル 4−(
5−n−ノニル−2−ピリミジル)ベンゾエート 6)で合成した1、1.1−1−リフルオロ−2−オク
チル 4′−ヒドロキシビフェニル−4−カルボキシレ
ート0.2 gと1−リエチルアミン0.06 gとを
8 mlの二塩化エタン中に溶解する。8)で合成した
4−(5−n−ノニル−2−ピリミジル)安息香酸塩化
物0.2gを6 mlの二塩化エタンに溶解した。溶液
をかきまぜながら室温にて滴下する。
ジメチルアミノピリジン0.02 gをごく少量の二塩
化エタンに溶解し、さらにこれを加える。室温にて約4
0間かきまぜた後、反応混合物を水中に入れ、pHを中
性にした後、二塩化エタンにて抽出する。無水硫酸マグ
ネシウムにて乾燥後二塩化エタンを留去する。残香をシ
リカゲルカラムク1:1マドグラフにて精製し、目的物
0.2gを得た。
化エタンに溶解し、さらにこれを加える。室温にて約4
0間かきまぜた後、反応混合物を水中に入れ、pHを中
性にした後、二塩化エタンにて抽出する。無水硫酸マグ
ネシウムにて乾燥後二塩化エタンを留去する。残香をシ
リカゲルカラムク1:1マドグラフにて精製し、目的物
0.2gを得た。
その比施光度は〔α〕。−+ 35.6°である。
その相転移温度はホットステージによる顕微鏡観察によ
り次のようである。
り次のようである。
ここで8.3.は王女定状態液晶和を示す。その赤外線
吸収スペクトル(KBr)を第3図に示した。
吸収スペクトル(KBr)を第3図に示した。
実施例4
4−(1,1,1トリフルオロ−2−オクチルオー1−
ジカルボニル)フェニル 4− (5−n −デシル−
2−ピリミジル)ベンゾエート 4−ペンジルオートシ安息香酸クロリド4.3gを塩化
メチレン50nj!に溶解させ、次いで光学活性な1,
1.1−1−リフルオロ−2−オクタツール2.9gと
ジメチルアミノピリジン0.6gと1−リエチルアミン
1.7gとを塩化メチレン50IIIIlに溶解した溶
液を水冷下にて少量づつ加えた。
ジカルボニル)フェニル 4− (5−n −デシル−
2−ピリミジル)ベンゾエート 4−ペンジルオートシ安息香酸クロリド4.3gを塩化
メチレン50nj!に溶解させ、次いで光学活性な1,
1.1−1−リフルオロ−2−オクタツール2.9gと
ジメチルアミノピリジン0.6gと1−リエチルアミン
1.7gとを塩化メチレン50IIIIlに溶解した溶
液を水冷下にて少量づつ加えた。
反応混合物を室温に戻し、−昼夜反応させ、反応液を氷
水に投入し、塩化メチレンにて抽出し塩化メチレン相を
希塩酸、水、IN炭酸ナトリウム水溶液、水にて順次洗
浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥して溶媒を留去し
、粗生成物を得た。
水に投入し、塩化メチレンにて抽出し塩化メチレン相を
希塩酸、水、IN炭酸ナトリウム水溶液、水にて順次洗
浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥して溶媒を留去し
、粗生成物を得た。
これをトルエン−シリカゲルクロマI−グラフで処理し
、さらにエタノールにて再結晶して目的物3.8gを得
た。
、さらにエタノールにて再結晶して目的物3.8gを得
た。
一ヒドロ;1−2ベンゾニーI・の金工L^之−■)で
得られた化合物をメタノール100II11に溶解し、
10%担持pb−カーボン0.4gを加え、水素雰囲気
上水添反応を行ない、目的化合物2.8gを得た。
得られた化合物をメタノール100II11に溶解し、
10%担持pb−カーボン0.4gを加え、水素雰囲気
上水添反応を行ない、目的化合物2.8gを得た。
3)4−(n−デシル−2−ピリミジル)安息香酸
実施例3の7)の4′−n−ノニル−4−シアノピリミ
ジルフェニルの代りに4′−〇−デシルー4−シアノピ
リミジルフェニルを使用して合成した。
ジルフェニルの代りに4′−〇−デシルー4−シアノピ
リミジルフェニルを使用して合成した。
4)4−(n−デシル−2−ピリミジル)安息香酸クロ
リド 3)で合成した4−(n−デシル−2−ピリミジル)安
息香酸3.4gを18.0 gの塩化チオニル中に入れ
、ごく少量のN、N−ジメチルホルムアミドを加え、4
時間還流した。過剰の塩化チオニルを留去して目的化合
物約3.4gを得た。
リド 3)で合成した4−(n−デシル−2−ピリミジル)安
息香酸3.4gを18.0 gの塩化チオニル中に入れ
、ごく少量のN、N−ジメチルホルムアミドを加え、4
時間還流した。過剰の塩化チオニルを留去して目的化合
物約3.4gを得た。
5) 4−(1,1,1−トリフルオロ−2−オクチ
ルオー1−ジカルボニル シル−2−ピリミジル)ベンゾエート 2)で合成した光学活性は1.1.1 − 1−リフル
オロ−2−オクチル−4−ヒドロキシベンツ゛コニート
2、5gとトリエチルアミン0.87gとを1001I
11の塩化メチレン中に入れ溶解する。
ルオー1−ジカルボニル シル−2−ピリミジル)ベンゾエート 2)で合成した光学活性は1.1.1 − 1−リフル
オロ−2−オクチル−4−ヒドロキシベンツ゛コニート
2、5gとトリエチルアミン0.87gとを1001I
11の塩化メチレン中に入れ溶解する。
4)で合成した4−(n−デシル−2−ピリミジル)安
息香酸クロリド3. 2 3 gをIQOmI!の塩化
メチレンに溶解し、それを少しずつ滴下する。
息香酸クロリド3. 2 3 gをIQOmI!の塩化
メチレンに溶解し、それを少しずつ滴下する。
さらにジメチルアミノピリジン1. 1 8 gを50
mlの塩化メチレンに溶解したものを加える。室温にて
3日間かきまぜる。反応混合物を水中に入れ、pHを中
性に調整した後、塩化メチレン層を分離する。無水硫酸
マグネシウムで乾燥した後、塩化メチレンを留去する。
mlの塩化メチレンに溶解したものを加える。室温にて
3日間かきまぜる。反応混合物を水中に入れ、pHを中
性に調整した後、塩化メチレン層を分離する。無水硫酸
マグネシウムで乾燥した後、塩化メチレンを留去する。
残漬物をシリカゲルカラムクロマトグラフ(ヘキサン−
酢酸エチル−96:4容量比)にて精製し、目的化合物
2. 9 7 gを得た。
酢酸エチル−96:4容量比)にて精製し、目的化合物
2. 9 7 gを得た。
その比施光度は〔α)、=+29.9°である。
その相転移温度はホットステージによる顕微鏡観察によ
り次のようである。
り次のようである。
ここでS(3,は王女定状態液晶相を示す。
その赤外線吸収スペクI・ル(KBr)を第4図に示し
、核磁気共鳴スペクトル結果を第2表に示す。
、核磁気共鳴スペクトル結果を第2表に示す。
上記実施例4の4)で使用した4−(n−デシル−2−
ピリミジル)安息香酸の代りに4−(n−オクチル−2
−ピリミジル)安息香酸および 4−(n−ノニル−2−ピリミジル)安息香酸を用いて
、実施例4と同様にして次の本発明の目的化合物を得た
。
ピリミジル)安息香酸の代りに4−(n−オクチル−2
−ピリミジル)安息香酸および 4−(n−ノニル−2−ピリミジル)安息香酸を用いて
、実施例4と同様にして次の本発明の目的化合物を得た
。
6)4−(1,1,1−トリフルオロ−2−オクチルオ
キシカルボニル)フェニル 4 (5−n−オクチル
−2−ピリミジル)ペンゾエート比施光度 〔α);−
=+31.9゜ ?)4−(]、1.1−)リフルオロ−2−オクチルオ
キシカルボニル)フェニル 4−(5−n−ノニル−2
−ピリミジル)ベンゾエート 比施光度 〔α)o=+28.3゜ ここでs (3)は王女定状態液晶相を示す。
キシカルボニル)フェニル 4 (5−n−オクチル
−2−ピリミジル)ペンゾエート比施光度 〔α);−
=+31.9゜ ?)4−(]、1.1−)リフルオロ−2−オクチルオ
キシカルボニル)フェニル 4−(5−n−ノニル−2
−ピリミジル)ベンゾエート 比施光度 〔α)o=+28.3゜ ここでs (3)は王女定状態液晶相を示す。
本発明の目的化合物の赤外線吸収スペクトル(K[lr
)を第5図と第6図に、核磁気共鳴スペクトル結果を第
3表と第4表に示す。
)を第5図と第6図に、核磁気共鳴スペクトル結果を第
3表と第4表に示す。
実施例5
4−(1,1,1−トリフルオロ−2−オクチルオキシ
カルボニル)フェニル 4−(5−n−デシル−2−ピ
リミジル)フェニルエーテル 1) 1,1.1−)リフルオロ−2−オクチル 4
−モノブロモメチル安息香酸 4−モノブロモメチル安息香酸1.Ogと光学活性な1
.t、i−トリフルオロ−2−オクタツール0.7gと
を50m1のテトラヒドロフラン中に溶解する。ジシク
ロへキシルカルボジイミド1.9gとごく少量のジメチ
ルアミノヒリジンを入れ室温にて約1日かきまぜる。テ
トラヒドロフランを留去し、残渣物に水を加え、pHを
中性にした後、エーテルにて抽出する。無水硫酸マグネ
シウムにて脱水した後、エーテルを留去する。残漬物を
シリカゲルカラムクロマトグラフにて精製し、目的物0
、25 gを得た。
カルボニル)フェニル 4−(5−n−デシル−2−ピ
リミジル)フェニルエーテル 1) 1,1.1−)リフルオロ−2−オクチル 4
−モノブロモメチル安息香酸 4−モノブロモメチル安息香酸1.Ogと光学活性な1
.t、i−トリフルオロ−2−オクタツール0.7gと
を50m1のテトラヒドロフラン中に溶解する。ジシク
ロへキシルカルボジイミド1.9gとごく少量のジメチ
ルアミノヒリジンを入れ室温にて約1日かきまぜる。テ
トラヒドロフランを留去し、残渣物に水を加え、pHを
中性にした後、エーテルにて抽出する。無水硫酸マグネ
シウムにて脱水した後、エーテルを留去する。残漬物を
シリカゲルカラムクロマトグラフにて精製し、目的物0
、25 gを得た。
2)2− (4−ヒドロキシフェニ)−5−デシルピリ
ミジン 実施例1の1)のオクチルマロン酸ジエチルエステルの
代りにデシルマロン酸ジエチルエステルを使用し、実施
例りと同様の方法にて合成した。
ミジン 実施例1の1)のオクチルマロン酸ジエチルエステルの
代りにデシルマロン酸ジエチルエステルを使用し、実施
例りと同様の方法にて合成した。
3) 4−(1,1,1−1−リフルオロ−2−オク
チルオキシカルボニル)フヱニルメチル 4−(5−n
−デシル−2−ピリミジル)フェニルエーテル40m1
のテトラヒドロフラン中に0.02 gの水素化ナトリ
ウムをけんだ(させる、その中に2)で合成した2−(
4−ヒドロキシフェニル)−5−デシルピリミジン0.
2gを少量のテトラヒドロフランに溶解して滴下する。
チルオキシカルボニル)フヱニルメチル 4−(5−n
−デシル−2−ピリミジル)フェニルエーテル40m1
のテトラヒドロフラン中に0.02 gの水素化ナトリ
ウムをけんだ(させる、その中に2)で合成した2−(
4−ヒドロキシフェニル)−5−デシルピリミジン0.
2gを少量のテトラヒドロフランに溶解して滴下する。
室温にて1時間かきまぜた後、1)で合成した1、1.
1− )リフルオロ−2−オクチル 4−モノブロモメ
チル安息香酸0.2.5gを少量のテトラヒドロフラン
に溶解して滴下する。さらに2.5gのジメチルスルホ
キシドを加え、室温にて6時間かきまぜる。希塩酸を加
えた後、エーテルにて抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥する。
1− )リフルオロ−2−オクチル 4−モノブロモメ
チル安息香酸0.2.5gを少量のテトラヒドロフラン
に溶解して滴下する。さらに2.5gのジメチルスルホ
キシドを加え、室温にて6時間かきまぜる。希塩酸を加
えた後、エーテルにて抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥する。
エーテルを留去、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フにて精製し、目的物0.24 gを得た。
フにて精製し、目的物0.24 gを得た。
その比施光度は〔α〕。=+28.8”である。
その相転移温度はホットステージによる顕微鏡観察によ
り次のようである。
り次のようである。
ここでSi2.は王女定状態液晶相を示す。
その赤外線吸収スペクトル(KBr)を第7図に示す。
実施例6
ラビング処理したポリイミド配向膜をITO電極基盤上
に有するセル厚1.7μmの液晶セルに、実施例4の6
)で得られた液晶化合物4−(1,1,1−トリフルオ
ロ−2−オクチルオキシカルボニル)フェニル 4−
(5−n−オクチル−2−ピリミジル)ベンゾエートを
l5otropic相において充填し、液晶薄膜セルを
作成した。
に有するセル厚1.7μmの液晶セルに、実施例4の6
)で得られた液晶化合物4−(1,1,1−トリフルオ
ロ−2−オクチルオキシカルボニル)フェニル 4−
(5−n−オクチル−2−ピリミジル)ベンゾエートを
l5otropic相において充填し、液晶薄膜セルを
作成した。
この薄膜セルを0.1−1.0℃71分間の温度勾配に
て徐冷し、SA相を配向させ、±30V、IHzの矩形
波を印加し、フォトマルチプライヤ−付偏光顕微鏡にて
電気光学的応答動作を検出したところ、第8図に示すよ
うに、SA相において印加電界に対して光学応答するエ
レクトロクリニック効果を観察した。
て徐冷し、SA相を配向させ、±30V、IHzの矩形
波を印加し、フォトマルチプライヤ−付偏光顕微鏡にて
電気光学的応答動作を検出したところ、第8図に示すよ
うに、SA相において印加電界に対して光学応答するエ
レクトロクリニック効果を観察した。
実施例7
実施例6と全く同様の方法にて作成した液晶セルを2枚
の偏光板を直交させたフォトマルチプライヤ−付き偏光
顕微鏡に、無電圧印加時の分子長軸方向と偏光子が22
.5’をなす状態に配置した。
の偏光板を直交させたフォトマルチプライヤ−付き偏光
顕微鏡に、無電圧印加時の分子長軸方向と偏光子が22
.5’をなす状態に配置した。
この液晶セルを0.1〜1.0℃/1分間の温度勾配に
てS c”相まで徐冷した。さらに冷却してゆき、70
.4℃〜52.9℃の温度範囲において、±30■、1
llzの三角波電圧を印加した場合を第9図に示した。
てS c”相まで徐冷した。さらに冷却してゆき、70
.4℃〜52.9℃の温度範囲において、±30■、1
llzの三角波電圧を印加した場合を第9図に示した。
印加電圧がマイナス域での暗状態、0ボルト域での中間
状態、プラス域での明状態と光透過率が三つの状態に変
化していることを観察し、三つの安定な液晶分子の配向
状態があることを確認した。
状態、プラス域での明状態と光透過率が三つの状態に変
化していることを観察し、三つの安定な液晶分子の配向
状態があることを確認した。
実施例8
ラビング処理したポリイミド配向膜をITO電極基板上
に有するセル厚1.6μmの液晶セルに、実施例4の7
)で得られた液晶化合物4−(1,1,1−ドリフルオ
ロー2−オクチルオキシカルボニル)フェニル 4−
(5−n−ノニル−2−ピリミジル)ベンゾエートをl
5otropic相において充填し、液晶薄膜セルを作
成した。
に有するセル厚1.6μmの液晶セルに、実施例4の7
)で得られた液晶化合物4−(1,1,1−ドリフルオ
ロー2−オクチルオキシカルボニル)フェニル 4−
(5−n−ノニル−2−ピリミジル)ベンゾエートをl
5otropic相において充填し、液晶薄膜セルを作
成した。
この薄膜セルを0.1−1.0℃/1分間の温度勾配に
て徐冷し、SA相を配向させ、±30V、111zの矩
形波を印加し、フォトマルチプライヤ−付偏光顕微鏡に
て電気光学的応答動作を検出したところ、第10図に示
すように、SA相において印加電界に対して光学応答す
るエレクトロクリニック効果を観察した。
て徐冷し、SA相を配向させ、±30V、111zの矩
形波を印加し、フォトマルチプライヤ−付偏光顕微鏡に
て電気光学的応答動作を検出したところ、第10図に示
すように、SA相において印加電界に対して光学応答す
るエレクトロクリニック効果を観察した。
実施例9
実施例8と全く同様の方法にて作成した液晶セルを2枚
の偏光板を直交させたフォトマルチプライヤ−付き偏光
顕微鏡に、無電圧印加時の分子長軸方向と偏光子が22
.5°をなす状態に配置した。
の偏光板を直交させたフォトマルチプライヤ−付き偏光
顕微鏡に、無電圧印加時の分子長軸方向と偏光子が22
.5°をなす状態に配置した。
この液晶セルを0.1〜1.0℃/1分間の温度勾配に
てSc′相まで徐冷した。さらに冷却してゆき、77.
5℃〜40.8℃の温度範囲において、±30V、1l
lzの三角波電圧を印加した場合を第11図に示した。
てSc′相まで徐冷した。さらに冷却してゆき、77.
5℃〜40.8℃の温度範囲において、±30V、1l
lzの三角波電圧を印加した場合を第11図に示した。
印加電圧がマイナス域での暗状態、0ボルト域での中間
状態、プラス域での明状態と光透過率が三つの状態に変
化していることを観察し、三つの安定な液晶分子の配向
状態があることを確認した。
状態、プラス域での明状態と光透過率が三つの状態に変
化していることを観察し、三つの安定な液晶分子の配向
状態があることを確認した。
実施例1O
ラビング処理したポリイミド配向膜をITO電極基板上
に有するセル厚1.8μmの液晶セルに、実施例4の5
)で得られた液晶化合物4−(1,1,1−ドリフルオ
ロー2−オクチルオキシカルボニル)フェニル 4−(
5−n−ノニル−2−ピリミジル)ベンゾエートをl5
oLropic相において充填し、液晶薄膜セルを作成
した。
に有するセル厚1.8μmの液晶セルに、実施例4の5
)で得られた液晶化合物4−(1,1,1−ドリフルオ
ロー2−オクチルオキシカルボニル)フェニル 4−(
5−n−ノニル−2−ピリミジル)ベンゾエートをl5
oLropic相において充填し、液晶薄膜セルを作成
した。
この薄膜セルを0.1〜1.0℃/1分間の温度勾配に
て徐冷し、SA相を配向させ、±20V、1flzの矩
形波を印加し、フォトマルチブライA?−付偏光顕微鏡
にて電気光学的応答動作を検出したところ、第12図に
示すように、SA相において印加電界に対して光学応答
するエレクトロクリニック効果を観察した。
て徐冷し、SA相を配向させ、±20V、1flzの矩
形波を印加し、フォトマルチブライA?−付偏光顕微鏡
にて電気光学的応答動作を検出したところ、第12図に
示すように、SA相において印加電界に対して光学応答
するエレクトロクリニック効果を観察した。
他の実施例の化合物のSA*相においても同一の効果が
観察された。
観察された。
実施例11
実施例10と全く同様の方法にて作成した液晶セルを2
枚の偏光板を直交させたフォトマルチプライヤ−付き偏
光顕微鏡に、無電圧印加時の分子長軸方向と偏光子が2
2.5°をなす状態に配置した。この液晶セルを0.1
〜1.0℃/1分間の温度勾配にてSc*相まで徐冷し
た。さらに冷却してゆき、76.3℃〜47.0℃の温
度範囲において、±20V、IHzの三角波電圧を印加
した場合を第13図に示した。印加電圧がマイナス域で
の暗状態、0ボルト域での中間状態、プラス域での明状
態と光透過率が三つの状態に変化していることを観察し
、三つの安定な液晶分子の配向状態があることを確認し
た。
枚の偏光板を直交させたフォトマルチプライヤ−付き偏
光顕微鏡に、無電圧印加時の分子長軸方向と偏光子が2
2.5°をなす状態に配置した。この液晶セルを0.1
〜1.0℃/1分間の温度勾配にてSc*相まで徐冷し
た。さらに冷却してゆき、76.3℃〜47.0℃の温
度範囲において、±20V、IHzの三角波電圧を印加
した場合を第13図に示した。印加電圧がマイナス域で
の暗状態、0ボルト域での中間状態、プラス域での明状
態と光透過率が三つの状態に変化していることを観察し
、三つの安定な液晶分子の配向状態があることを確認し
た。
他の実施例の化合物5(31”相においても同一の効果
が観察された。
が観察された。
ニー光凱皇須果
本願発明の化合物は
(11王女定状態をとる液晶相が観察される。
(2) エレクトロクリニック効果を示す。
(3) 自発分極が大きい。
(4)高速の応答性を示す。
(5) 配向性が良好である。
第1図ないし第7図は本発明の目的化合物の赤外線吸収
スペクトル図である。 第8.10.12図は実施例4の化合物のエレクトロク
リニック効果を示したもので、液晶電気光学素子に印加
した交番電圧に対する光透過率の変化を示したものであ
る。 第9.11.13図は実施例4の化合物の王女定状態ス
イッチングを示したもので、液晶電気光学素子に印加し
た三角波電圧に対する光透過率の変化を示したものであ
る。 代理人 弁理士 1)代 蒸 冶
スペクトル図である。 第8.10.12図は実施例4の化合物のエレクトロク
リニック効果を示したもので、液晶電気光学素子に印加
した交番電圧に対する光透過率の変化を示したものであ
る。 第9.11.13図は実施例4の化合物の王女定状態ス
イッチングを示したもので、液晶電気光学素子に印加し
た三角波電圧に対する光透過率の変化を示したものであ
る。 代理人 弁理士 1)代 蒸 冶
Claims (2)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中; R_1は、炭素数1〜20のアルキル基;R_2は炭素
数1〜20のアルキル基 (A)は、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
式、表等があります▼; (B)は、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
あります▼ または▲数式、化学式、表等があります▼ Xはフルオロアルキル基; YおよびZは、▲数式、化学式、表等があります▼、▲
数式、化学式、表等があります▼、−OCH_2−また
は−CH_2O−〕 で表わされるピリミジン環骨格を有する液晶物質。 - (2)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中; R_1は、炭素数5〜15のアルキル基;R_2は炭素
数5〜15のアルキル基である;(A)は▲数式、化学
式、表等があります▼または▲数式、化学式、表等があ
ります▼;(B)は▲数式、化学式、表等があります▼
; Xは−CF_3; Yは▲数式、化学式、表等があります▼、 Zは▲数式、化学式、表等があります▼または−CH_
2O−〕 で表わされるピリミジン環骨格を有する三安定状態を示
す液晶物質。
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