JPH01313340A - 耐放射線イメージファイバおよびその製造方法 - Google Patents
耐放射線イメージファイバおよびその製造方法Info
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- JPH01313340A JPH01313340A JP63143775A JP14377588A JPH01313340A JP H01313340 A JPH01313340 A JP H01313340A JP 63143775 A JP63143775 A JP 63143775A JP 14377588 A JP14377588 A JP 14377588A JP H01313340 A JPH01313340 A JP H01313340A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/02—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor
- C03B37/025—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor from reheated softened tubes, rods, fibres or filaments, e.g. drawing fibres from preforms
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、耐放射線イメージファイバおよびその製造
方法に関するもので、イメージファイバを構成するシリ
カガラスの全てにドーパントとしてフッ素を含有させる
ことによりガラスの粘性を低下させてファイバ内に泡が
なく、かつまた細ｔものが得られるようにしたものであ
る。
方法に関するもので、イメージファイバを構成するシリ
カガラスの全てにドーパントとしてフッ素を含有させる
ことによりガラスの粘性を低下させてファイバ内に泡が
なく、かつまた細ｔものが得られるようにしたものであ
る。
（従来の技術）
従来の耐放射線イメージファイバは、純粋シリカコアと
、フッ素および／または二酸化ホウ素をドープしたシリ
カクラッドとシリカジャケットとからなる画素用のファ
イバを多数束ね、これをジャケット用のシリカパイプ内
に詰込んでプリフォームとなし、しかる後これを一端か
ら線引きして溶融一体化して形成している。
、フッ素および／または二酸化ホウ素をドープしたシリ
カクラッドとシリカジャケットとからなる画素用のファ
イバを多数束ね、これをジャケット用のシリカパイプ内
に詰込んでプリフォームとなし、しかる後これを一端か
ら線引きして溶融一体化して形成している。
（発明が解決しようとするｋ ｊｉＭ ）しかしながら
イメージファイバの画素数が増すにつれプリフォームの
径が太き（なり、これを−端から線引きして溶融一体化
するに際して熱がプリフォーム中心にまで到達せしめる
のが困難となり、ただでさえ高温を要する純粋シリカコ
アが溶融せず、得られるイメージファイバの外周部に泡
が残存して強度を低下させるのみならず画像のコントラ
ストを悪化させるという問題があった。またイメージフ
ァイバ全体の細径化を図ろうとした場合、クラッドにの
みドーパントが入っているため、コアとクラッドとの粘
度差が大きくこれを束ねて溶融一体化しようとすると泡
が発生するという問題があり、それを避けるためにシリ
カジャケットが不可欠となり細径化が困難であった。そ
のため小さな曲り径を必要としたり、繰返し曲げを要求
される布設環境で使用できないということがあった。
イメージファイバの画素数が増すにつれプリフォームの
径が太き（なり、これを−端から線引きして溶融一体化
するに際して熱がプリフォーム中心にまで到達せしめる
のが困難となり、ただでさえ高温を要する純粋シリカコ
アが溶融せず、得られるイメージファイバの外周部に泡
が残存して強度を低下させるのみならず画像のコントラ
ストを悪化させるという問題があった。またイメージフ
ァイバ全体の細径化を図ろうとした場合、クラッドにの
みドーパントが入っているため、コアとクラッドとの粘
度差が大きくこれを束ねて溶融一体化しようとすると泡
が発生するという問題があり、それを避けるためにシリ
カジャケットが不可欠となり細径化が困難であった。そ
のため小さな曲り径を必要としたり、繰返し曲げを要求
される布設環境で使用できないということがあった。
（課題を解決するための手段）
この発明は、以上の観点から耐放射線イメージファイバ
を構成するシリカガラス材の全てにドーパントとしてフ
ッ素を含ませたものである。
を構成するシリカガラス材の全てにドーパントとしてフ
ッ素を含ませたものである。
これによりイメージ用プリフォームを瀉融一体化すると
きに熱が中心部まで十分に達するため泡の発生が防止さ
れ、その機械的強度ならびに画像の鮮明度の高いものが
得られる。また画素用ファイバをなすコアとクラッドと
の間にはさほど粘性の差がなくなることとなり１画素用
ファイバそれぞれの上にジャケットを設ける必要性がな
いので細径化が可能となる。
きに熱が中心部まで十分に達するため泡の発生が防止さ
れ、その機械的強度ならびに画像の鮮明度の高いものが
得られる。また画素用ファイバをなすコアとクラッドと
の間にはさほど粘性の差がなくなることとなり１画素用
ファイバそれぞれの上にジャケットを設ける必要性がな
いので細径化が可能となる。
なおシリカガラス内にフッ素を含ませる手段としては、
予め多孔質のシリカガラス微粒子からなるプリフォーム
をＶＡＤ法や外付は法によって形成し、これを透明ガラ
ス化する際に雰囲気にフッ素含有がスを供給する方法、
プラズマ炎内に硅素化合物とフッ素化合物を供給して直
接ガラス化させてフッ素を含むシリカガラスを得る方法
等が挙げられる。
予め多孔質のシリカガラス微粒子からなるプリフォーム
をＶＡＤ法や外付は法によって形成し、これを透明ガラ
ス化する際に雰囲気にフッ素含有がスを供給する方法、
プラズマ炎内に硅素化合物とフッ素化合物を供給して直
接ガラス化させてフッ素を含むシリカガラスを得る方法
等が挙げられる。
（実施例１）
ＶＡＤ法により直径３０ｒａｔｓ、長さ６０ ［１ａｒ
ｍのＳｉｎｇガラス微粒子からなる多孔質体を作り、こ
れをフッ素含有ガス雰囲気で透明万ラス化した後延伸し
て直径１０ａ＋ｍ、長さ５００ ｍｍ のフッ素を０
．７モル％含むコア用ロッドとなし、この上に外付は法
によりＳｉＯ□ガラス微粒子層を４０ｍｍ厚に形成し、
引続きフッ素含有ガス雰囲気で透明ガラス化してフッ素
を３．０モル％含むクラッドガラスとなし外径１２ｍ園
△＝０．８％のイメージ用フッ素ドープシリカプリフ
ォームとした０次にこのプリフォームを紡糸して直径３
００μｍのファイバを得た、最後にこのファイバを長さ
３００ ＋ｗ＋ｗづつ切断してＩ Ｏ、Ｑ ＯＯ本の画
素ファイバとした。一方ＶＡＤ法により５ｉＯｚガラス
微粒子からなるプリフォームを作り、これをフッ素含有
ガス雰囲気で透明ガラス化してフッ素を０．５モル％含
むジャケット用ガラスとした。次にこれを溶融して内径
３０ ＋ｕｎ 。
ｍのＳｉｎｇガラス微粒子からなる多孔質体を作り、こ
れをフッ素含有ガス雰囲気で透明万ラス化した後延伸し
て直径１０ａ＋ｍ、長さ５００ ｍｍ のフッ素を０
．７モル％含むコア用ロッドとなし、この上に外付は法
によりＳｉＯ□ガラス微粒子層を４０ｍｍ厚に形成し、
引続きフッ素含有ガス雰囲気で透明ガラス化してフッ素
を３．０モル％含むクラッドガラスとなし外径１２ｍ園
△＝０．８％のイメージ用フッ素ドープシリカプリフ
ォームとした０次にこのプリフォームを紡糸して直径３
００μｍのファイバを得た、最後にこのファイバを長さ
３００ ＋ｗ＋ｗづつ切断してＩ Ｏ、Ｑ ＯＯ本の画
素ファイバとした。一方ＶＡＤ法により５ｉＯｚガラス
微粒子からなるプリフォームを作り、これをフッ素含有
ガス雰囲気で透明ガラス化してフッ素を０．５モル％含
むジャケット用ガラスとした。次にこれを溶融して内径
３０ ＋ｕｎ 。
外径３３−１長さ５００ ａ＋ｎ＋のパイプに成形した
。
。
そしてこのフッ素ドープシリカパイプ内に前記イメージ
用フッ素ドープシリカファイバのｔｏ、ｏｏｏ本を詰め
てプリフォームとなし、一端を１９００℃に加熱溶融し
て直径１．１ ｏ ｏμｍに線引きしイメージファイバ
とした。第１図は、かくして得られた＼この発明の耐放
射線イメージファイバの断面図である１図において、ｌ
は直径ｌＯμｍ のフッ素ドープシリカコアからなる画
素で、共通のフッ素ドープシリカクラッド２内にｉ ｏ
、ｏ ｏｏ本が埋設されているが図においては一部だけ
が示されている。３はこれら画素ｌを囲む厚さ５０μｍ
のフッ素ドープシリカジャケットで、全外径は１，１０
０μｌである。得られたファイバは内部に泡の存在もな
く十分に画像の伝送の可能なものであった。なお従来は
本実施例の画素数のものを得ようとすると画素径１４μ
ｍ程度までが限界であった。
用フッ素ドープシリカファイバのｔｏ、ｏｏｏ本を詰め
てプリフォームとなし、一端を１９００℃に加熱溶融し
て直径１．１ ｏ ｏμｍに線引きしイメージファイバ
とした。第１図は、かくして得られた＼この発明の耐放
射線イメージファイバの断面図である１図において、ｌ
は直径ｌＯμｍ のフッ素ドープシリカコアからなる画
素で、共通のフッ素ドープシリカクラッド２内にｉ ｏ
、ｏ ｏｏ本が埋設されているが図においては一部だけ
が示されている。３はこれら画素ｌを囲む厚さ５０μｍ
のフッ素ドープシリカジャケットで、全外径は１，１０
０μｌである。得られたファイバは内部に泡の存在もな
く十分に画像の伝送の可能なものであった。なお従来は
本実施例の画素数のものを得ようとすると画素径１４μ
ｍ程度までが限界であった。
（実施例２）
プラズマ法により、画素となるコア用ロッドおよびクラ
ッド用パイプ、多数の画素用ファイバを囲むジャケット
用バイブを以下のようにして作った。まずコア用ロッド
を得るためにプラズマ炎内に５ＩＣ１４を１５０ ｃｃ
／分、 ＣＦ、を６０ ｃｃ／分供給して支持台上にフ
ッ素を０．７モル％含むシリカロッドを堆積させ、これ
を切出して直径１０ｍｍ 。
ッド用パイプ、多数の画素用ファイバを囲むジャケット
用バイブを以下のようにして作った。まずコア用ロッド
を得るためにプラズマ炎内に５ＩＣ１４を１５０ ｃｃ
／分、 ＣＦ、を６０ ｃｃ／分供給して支持台上にフ
ッ素を０．７モル％含むシリカロッドを堆積させ、これ
を切出して直径１０ｍｍ 。
長さ６００ＩＩＩ１１のロッドとした。同様にしてフッ
素を４．４モル％含むクラッド用のシリカロッドを得、
これを切出して内径１０ ｍｓ、外径１２ ａ＋＊のバ
イブになし、このパイプ内に前記コア用ロッドを挿入し
てロッド−インチューブ法により２００ ／’ｍにファ
イバ化した。得られたファイバを長さ３０ ｃｍづつに
切断し、画素用にｌ Ｏ，０００本用意した。
素を４．４モル％含むクラッド用のシリカロッドを得、
これを切出して内径１０ ｍｓ、外径１２ ａ＋＊のバ
イブになし、このパイプ内に前記コア用ロッドを挿入し
てロッド−インチューブ法により２００ ／’ｍにファ
イバ化した。得られたファイバを長さ３０ ｃｍづつに
切断し、画素用にｌ Ｏ，０００本用意した。
さらに同様にしてフッ素を０．６モル％含むジャケット
用のシリカロッドを得、これを切出して内径２０ ｍｓ
＋、外径２２ ｍｍ、長さ４０ｃ１１のバイブになし、
このパイプ内に前記画素用ファイバのｔｏ、ｏｏｏ本を
詰めてイメージファイバげリフォームとした。そしてこ
のイメージファイバプリフォーム−端を１．９００℃に
加熱して線引きし１．１００μｍのイメージファイバと
した。得られたファイバは内部に泡もなく鮮明な画像の
伝送が可能であった。
用のシリカロッドを得、これを切出して内径２０ ｍｓ
＋、外径２２ ｍｍ、長さ４０ｃ１１のバイブになし、
このパイプ内に前記画素用ファイバのｔｏ、ｏｏｏ本を
詰めてイメージファイバげリフォームとした。そしてこ
のイメージファイバプリフォーム−端を１．９００℃に
加熱して線引きし１．１００μｍのイメージファイバと
した。得られたファイバは内部に泡もなく鮮明な画像の
伝送が可能であった。
（発明の効果）
イメージファイバを構成する画素ファイバ用コアおよび
クラッド、多数のこれら画素ファイバを覆うジャケット
の全てをフッ素ドープシリカガラスで形成したので、夫
々の間に粘性の差がなく溶融一体化時に熱が中心のコア
用ガラスにまで十分に達するので泡の発生が防止され鮮
明な画像が得られる。また個々の画素ファイバをコアと
クラッドのみで構成でき従来のようにコアークラッド−
τ゛ ジャケットの３層にする必要がない詠ｉ径化を図ること
かでき、以って小さな曲り径を必要とする場所や繰返し
曲げが加えられる場所に適用しても画像の鮮明なものを
得ることができる。
クラッド、多数のこれら画素ファイバを覆うジャケット
の全てをフッ素ドープシリカガラスで形成したので、夫
々の間に粘性の差がなく溶融一体化時に熱が中心のコア
用ガラスにまで十分に達するので泡の発生が防止され鮮
明な画像が得られる。また個々の画素ファイバをコアと
クラッドのみで構成でき従来のようにコアークラッド−
τ゛ ジャケットの３層にする必要がない詠ｉ径化を図ること
かでき、以って小さな曲り径を必要とする場所や繰返し
曲げが加えられる場所に適用しても画像の鮮明なものを
得ることができる。
第１図はこの発明による耐放射線イメージファイバの断
面図である。 ■＝フッ素ドープシリカ画素、 ２：フッ素ドープシ
リカ共通りラッド、 ３：フッ素ドープシリカジャケッ
ト。
面図である。 ■＝フッ素ドープシリカ画素、 ２：フッ素ドープシ
リカ共通りラッド、 ３：フッ素ドープシリカジャケッ
ト。
Claims (2)
- （１）多数の画素用のシリカ系ファイバと、これを覆う
シリカジャケットとを溶融一体化してなる耐放射線イメ
ージファイバにおいて、これらシリカ系ファイバおよび
シリカジャケットにドーパントとしてフッ素を含有させ
てなることを特徴とする耐放射線イメージファイバ。 - （２）フッ素をドーパントとして含有する多数の画素用
シリカ系ファイバを、フッ素をドーパントとして含有す
るジャケット用のシリカパイプ内に詰込みイメージ用プ
リフォームとなし、しかる後このプリフォームを線引き
して溶融一体化することを特徴とする耐放射線イメージ
ファイバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63143775A JP2603106B2 (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 耐放射線イメージファイバおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63143775A JP2603106B2 (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 耐放射線イメージファイバおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01313340A true JPH01313340A (ja) | 1989-12-18 |
| JP2603106B2 JP2603106B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=15346729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63143775A Expired - Lifetime JP2603106B2 (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 耐放射線イメージファイバおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2603106B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH046120A (ja) * | 1990-04-23 | 1992-01-10 | Fujikura Ltd | イメージファイバ用母材 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63189806A (ja) * | 1987-02-02 | 1988-08-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 石英系イメ−ジフアイバ |
-
1988
- 1988-06-13 JP JP63143775A patent/JP2603106B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63189806A (ja) * | 1987-02-02 | 1988-08-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 石英系イメ−ジフアイバ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH046120A (ja) * | 1990-04-23 | 1992-01-10 | Fujikura Ltd | イメージファイバ用母材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2603106B2 (ja) | 1997-04-23 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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