JP2603106B2 - 耐放射線イメージファイバおよびその製造方法 - Google Patents
耐放射線イメージファイバおよびその製造方法Info
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- JP2603106B2 JP2603106B2 JP63143775A JP14377588A JP2603106B2 JP 2603106 B2 JP2603106 B2 JP 2603106B2 JP 63143775 A JP63143775 A JP 63143775A JP 14377588 A JP14377588 A JP 14377588A JP 2603106 B2 JP2603106 B2 JP 2603106B2
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- fluorine
- fiber
- image fiber
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/02—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor
- C03B37/025—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor from reheated softened tubes, rods, fibres or filaments, e.g. drawing fibres from preforms
- C03B37/028—Drawing fibre bundles, e.g. for making fibre bundles of multifibres, image fibres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、耐放射線イメージファイバおよびその製
造方法に関するもので、イメージファイバを構成するシ
リカガラスの全てにドーパントとしてフッ素を含有させ
ることによりガラスの粘性を低下させてファイバ内に泡
がなく、かつまた細径のものが得られるようにしたもの
である。
造方法に関するもので、イメージファイバを構成するシ
リカガラスの全てにドーパントとしてフッ素を含有させ
ることによりガラスの粘性を低下させてファイバ内に泡
がなく、かつまた細径のものが得られるようにしたもの
である。
（従来の技術） 従来の耐放射線イメージファイバは、純粋シリカコア
と、フッ素および／または二酸化ホウ素をドープしたシ
リカクラッドとシリカジャケットとからなる画素用のフ
ァイバを多数束ね、これをジャケット用のシリカパイプ
内に詰込んでプリフォームとなし、しかる後これを一端
から線引きして溶融一体化して形成している。
と、フッ素および／または二酸化ホウ素をドープしたシ
リカクラッドとシリカジャケットとからなる画素用のフ
ァイバを多数束ね、これをジャケット用のシリカパイプ
内に詰込んでプリフォームとなし、しかる後これを一端
から線引きして溶融一体化して形成している。
（発明が解決しょうとする課題） しかしながらイメージファイバの画素数が増すにつれ
プリフォームの径が大きくなり、これを一端から線引き
して溶融一体化するに際して熱がプリフォーム中心にま
で到達せしめるのが困難となり、ただでさえ高温を要す
る純粋シリカコアが溶融せず、得られるイメージファイ
バの外周部に泡が残存して強度を低下させるのみならず
画像のコントラストを悪化させるという問題があった。
またイメージファイバ全体の細径化を図ろうとした場
合、クラッドにのみドーパントが入っているため、コア
とクラッドとの粘度差が大きくこれを束ねて溶融一体化
しょうとすると泡が発生するという問題があり、それを
避けるためにシリカジャケットが不可欠となり細径化が
困難であった。そのため小さな曲り径を必要としたり、
繰返し曲げを要求される布設環境で使用できないという
ことがあった。
プリフォームの径が大きくなり、これを一端から線引き
して溶融一体化するに際して熱がプリフォーム中心にま
で到達せしめるのが困難となり、ただでさえ高温を要す
る純粋シリカコアが溶融せず、得られるイメージファイ
バの外周部に泡が残存して強度を低下させるのみならず
画像のコントラストを悪化させるという問題があった。
またイメージファイバ全体の細径化を図ろうとした場
合、クラッドにのみドーパントが入っているため、コア
とクラッドとの粘度差が大きくこれを束ねて溶融一体化
しょうとすると泡が発生するという問題があり、それを
避けるためにシリカジャケットが不可欠となり細径化が
困難であった。そのため小さな曲り径を必要としたり、
繰返し曲げを要求される布設環境で使用できないという
ことがあった。
（課題を解決するための手段） この発明は、以上の観点から耐放射線イメージファイ
バを構成するシリカガラス材の全てにドーパントとして
フッ素を含ませたものである。
バを構成するシリカガラス材の全てにドーパントとして
フッ素を含ませたものである。
これによりイメージ用プリフォームを溶融一体化する
ときに熱が中心部まで十分に達するため泡の発生が防止
され、その機械的強度ならびに画像の鮮明度の高いもの
が得られる。また画素用ファイバをなすコアとクラッド
との間にはさほど粘性の差がなくなることとなり、画素
用ファイバそれぞれの上にジャケットを設ける必要性が
ないので細径化が可能となる。
ときに熱が中心部まで十分に達するため泡の発生が防止
され、その機械的強度ならびに画像の鮮明度の高いもの
が得られる。また画素用ファイバをなすコアとクラッド
との間にはさほど粘性の差がなくなることとなり、画素
用ファイバそれぞれの上にジャケットを設ける必要性が
ないので細径化が可能となる。
なおシリカガラス内にフッ素を含ませる手段として
は、予め多孔質のシリカガラス微粒子からなるプリフォ
ームをVAD法や外付け法によって形成し、これを透明ガ
ラス化する際に雰囲気にフッ素含有がスを供給する方
法、プラズマ炎内に珪素化合物とフッ素化合物を供給し
て直接ガラス化させてフッ素を含むシリカガラスを得る
方法等が挙げられる。
は、予め多孔質のシリカガラス微粒子からなるプリフォ
ームをVAD法や外付け法によって形成し、これを透明ガ
ラス化する際に雰囲気にフッ素含有がスを供給する方
法、プラズマ炎内に珪素化合物とフッ素化合物を供給し
て直接ガラス化させてフッ素を含むシリカガラスを得る
方法等が挙げられる。
（実施例１） VAD法により直径30mm,長さ600mmのSiO2ガラス微粒子
からなる多孔質体を作り、これをフッ素含有ガス雰囲気
で透明ガラス化した後延伸して直径10mm、長さ500mmの
フッ素を0.7モル％含むコア用ロッドとなし、この上に
外付け法によりSiO2ガラス微粒子層を40mm厚に形成し、
引続きフッ素含有ガス雰囲気で透明ガラス化してフッ素
を3.0モル％含むクラッドガラスとなし外径12mm、△＝
0.8％のイメージ用フッ素ドープシリカプリフォームと
した。次にこのプリフォームを紡糸して直径300μｍの
ファイバを得た。最後にこのファイバを長さ300mmづつ
切断して10,000本の画素ファイバとした。一方VAD法に
よりSiO2ガラス微粒子からなるプリフォームを作り、こ
れをフッ素含有ガス雰囲気で透明ガラス化してフッ素を
0.5モル％含むジャケット用ガラスとした。次にこれを
溶融して内径30mm,外径33mm、長さ500mmのパイプに成形
した。そしてこのフッ素ドープシリカパイプ内に前記イ
メージ用フッ素ドープシリカファイバの10,000本を詰め
てプリフォームとなし、一端を1900℃に加熱溶融して直
径1,100μｍに線引きしイメージファイバとした。第１
図は、かくして得られたこの発明の耐放射線イメージフ
ァイバの断面図である。図において、１は直径10μｍの
フッ素ドープシリカコアからなる画素で、共通のフッ素
ドープシリカクラッド２内に10,000本が埋設されている
が図においては一部だけが示されている。３はこれら画
素１を囲む厚さ50μｍのフッ素ドープシリカジャケット
で、全外径は1,100μｍである。得られたファイバは内
部に泡の存在もなく十分に画像の伝送の可能なものであ
った。なお従来は本実施例の画素数のものを得ようとす
ると画素径14μｍ程度までが限界であった。
からなる多孔質体を作り、これをフッ素含有ガス雰囲気
で透明ガラス化した後延伸して直径10mm、長さ500mmの
フッ素を0.7モル％含むコア用ロッドとなし、この上に
外付け法によりSiO2ガラス微粒子層を40mm厚に形成し、
引続きフッ素含有ガス雰囲気で透明ガラス化してフッ素
を3.0モル％含むクラッドガラスとなし外径12mm、△＝
0.8％のイメージ用フッ素ドープシリカプリフォームと
した。次にこのプリフォームを紡糸して直径300μｍの
ファイバを得た。最後にこのファイバを長さ300mmづつ
切断して10,000本の画素ファイバとした。一方VAD法に
よりSiO2ガラス微粒子からなるプリフォームを作り、こ
れをフッ素含有ガス雰囲気で透明ガラス化してフッ素を
0.5モル％含むジャケット用ガラスとした。次にこれを
溶融して内径30mm,外径33mm、長さ500mmのパイプに成形
した。そしてこのフッ素ドープシリカパイプ内に前記イ
メージ用フッ素ドープシリカファイバの10,000本を詰め
てプリフォームとなし、一端を1900℃に加熱溶融して直
径1,100μｍに線引きしイメージファイバとした。第１
図は、かくして得られたこの発明の耐放射線イメージフ
ァイバの断面図である。図において、１は直径10μｍの
フッ素ドープシリカコアからなる画素で、共通のフッ素
ドープシリカクラッド２内に10,000本が埋設されている
が図においては一部だけが示されている。３はこれら画
素１を囲む厚さ50μｍのフッ素ドープシリカジャケット
で、全外径は1,100μｍである。得られたファイバは内
部に泡の存在もなく十分に画像の伝送の可能なものであ
った。なお従来は本実施例の画素数のものを得ようとす
ると画素径14μｍ程度までが限界であった。
（実施例２） プラズマ法により、画素となるコア用ロッドおよびク
ラッド用パイプ、多数の画素用ファイバを囲むジャケッ
ト用パイプを以下のようにして作った。まずコア用ロッ
ドを得るためにプラズマ炎内にSiCl4を150cc/分、CF4を
60cc/分供給して支持台上にフッ素を0.7モル％含むシリ
カロッドを堆積させ、これを切出して直径10mm,長さ600
mmのロッドとした。同様にしてフッ素を4.4モル％含む
クラッド用のシリカロッドを得、これを切出して内径10
mm,外径12mmのパイプになし、このパイプ内に前記コア
用ロッドを挿入してロッド−インチューブ法により200
μｍにファイバ化した。得られたファイバを長さ30cmづ
つに切断し、画素用に10,000本用意した。さらに同様に
してフッ素を0.6モル％含むジャケット用のシリカロッ
ドを得、これを切出して内径20mm,外径22mm、長さ40cm
のパイプになし、このパイプ内に前記画素用ファイバの
10,000本を詰めてイメージファイバプリフォームとし
た。そしてこのイメージファイバプリフォーム一端を1,
900℃に加熱して線引きし1,100μｍのイメージファイバ
とした。得られたファイバは内部に泡もなく鮮明な画像
の伝送が可能であった。
ラッド用パイプ、多数の画素用ファイバを囲むジャケッ
ト用パイプを以下のようにして作った。まずコア用ロッ
ドを得るためにプラズマ炎内にSiCl4を150cc/分、CF4を
60cc/分供給して支持台上にフッ素を0.7モル％含むシリ
カロッドを堆積させ、これを切出して直径10mm,長さ600
mmのロッドとした。同様にしてフッ素を4.4モル％含む
クラッド用のシリカロッドを得、これを切出して内径10
mm,外径12mmのパイプになし、このパイプ内に前記コア
用ロッドを挿入してロッド−インチューブ法により200
μｍにファイバ化した。得られたファイバを長さ30cmづ
つに切断し、画素用に10,000本用意した。さらに同様に
してフッ素を0.6モル％含むジャケット用のシリカロッ
ドを得、これを切出して内径20mm,外径22mm、長さ40cm
のパイプになし、このパイプ内に前記画素用ファイバの
10,000本を詰めてイメージファイバプリフォームとし
た。そしてこのイメージファイバプリフォーム一端を1,
900℃に加熱して線引きし1,100μｍのイメージファイバ
とした。得られたファイバは内部に泡もなく鮮明な画像
の伝送が可能であった。
（発明の効果） イメージファイバを構成する画素ファイバ用コアおよ
びクラッド、多数のこれら画素ファイバを覆うジャケッ
トの全てをフッ素ドープシリカガラスで形成したので、
夫々の間に粘性の差がなく溶融一体化時に熱が中心のコ
ア用ガラスにまで十分に達するので泡の発生が防止され
鮮明な画像が得られる。また個々の画素ファイバをコア
とクラッドのみで構成でき従来のようにコア−クラッド
−ジャケットの３層にする必要がないので細径化を図る
ことができ、以って小さな曲り径を必要とする場所や繰
返し曲げが加えられる場所に適用しても画像の鮮明なも
のを得ることができる。
びクラッド、多数のこれら画素ファイバを覆うジャケッ
トの全てをフッ素ドープシリカガラスで形成したので、
夫々の間に粘性の差がなく溶融一体化時に熱が中心のコ
ア用ガラスにまで十分に達するので泡の発生が防止され
鮮明な画像が得られる。また個々の画素ファイバをコア
とクラッドのみで構成でき従来のようにコア−クラッド
−ジャケットの３層にする必要がないので細径化を図る
ことができ、以って小さな曲り径を必要とする場所や繰
返し曲げが加えられる場所に適用しても画像の鮮明なも
のを得ることができる。
第１図はこの発明による耐放射線イメージファイバの断
面図である。 1:フッ素ドープシリカ画素、2:フッ素ドープシリカ共通
クラッド、3:フッ素ドープシリカジャケット。
面図である。 1:フッ素ドープシリカ画素、2:フッ素ドープシリカ共通
クラッド、3:フッ素ドープシリカジャケット。
Claims (2)
- 【請求項１】多数の画素用のコア、クラッドからなるシ
リカ系ファイバと、これを覆うシリカジャケットとを溶
融一体化してなる耐放射線イメージファイバにおいて、
前記多数のシリカ系ファイバを構成するコアとクラッド
およびこれらファイバを覆うシリカジャケットのいずれ
もがフッ素のみをドーパントとして構成されてなる耐放
射線イメージファイバ。 - 【請求項２】コアとクラッドにドーパントとしてフッ素
のみが含有されてなる、多数の画素用シリカ系ファイバ
を、フッ素のみをドーパントとして含有するジャケット
用のシリカパイプ内に詰込んでイメージ用プリフォーム
となし、しかる後このプリフォームを線引きして溶融一
体化することを特徴とする耐放射線イメージファイバの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63143775A JP2603106B2 (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 耐放射線イメージファイバおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63143775A JP2603106B2 (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 耐放射線イメージファイバおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01313340A JPH01313340A (ja) | 1989-12-18 |
| JP2603106B2 true JP2603106B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=15346729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63143775A Expired - Lifetime JP2603106B2 (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 耐放射線イメージファイバおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2603106B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH046120A (ja) * | 1990-04-23 | 1992-01-10 | Fujikura Ltd | イメージファイバ用母材 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0812301B2 (ja) * | 1987-02-02 | 1996-02-07 | 住友電気工業株式会社 | 石英系イメ−ジフアイバ |
-
1988
- 1988-06-13 JP JP63143775A patent/JP2603106B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01313340A (ja) | 1989-12-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080129 Year of fee payment: 11 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090129 Year of fee payment: 12 |