JPH01307277A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPH01307277A JPH01307277A JP63137960A JP13796088A JPH01307277A JP H01307277 A JPH01307277 A JP H01307277A JP 63137960 A JP63137960 A JP 63137960A JP 13796088 A JP13796088 A JP 13796088A JP H01307277 A JPH01307277 A JP H01307277A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＩｎＰ半導体から成る太陽電池の製造方法に
関し、例えば人工衛星などの宇宙用機器の電源として用
いて特に好適な太陽電池に関するものである。
関し、例えば人工衛星などの宇宙用機器の電源として用
いて特に好適な太陽電池に関するものである。
ｐ型のＩｎＰを基板としたＩｎＰ太陽電池は従来衣のよ
うな順序で製造されている。
うな順序で製造されている。
■ｐ型１ｎＰ基板にｎ゛型層形成する。
■ｐｐ型層側電極（Ｎ面電極）をつくる。
例えば＾ｕ−Ｚｎ層を用いた場合、４５０〜４７５℃で
５〜１０分間熱処理を行う。
５〜１０分間熱処理を行う。
■ｎ型層側の電極（表面電極）をつくる。
０表面上に反射防止膜を形成する。
以上の工程において、表面電極をつくる前に裏面電極を
つくり、かつ熱処理を行なわざるを得ないのは次の理由
による。すなわち、ＩｎＰ太陽電池の高効率化のために
は薄いｐ−ｎ接合が必要である。また、低濃度のｐ型Ｉ
ｎＰ基板上に良好なｐ型層側の電極をつくることは困難
なことが多（、前記のように例えばＡｕ−Ｚｎ層を用い
てつくられた裏面電極は常温のままではショツトキー性
であるのでこれをオーミック性にするためには４５０〜
４７５℃の熱処理が必要となる（Ｘ、Ｓ、 ５ｒｅｅ
１ｌａｒｓｈａｅｔ ａｌ、： アプライド フィズッ
クス レター（Ａｐｐｌ。
つくり、かつ熱処理を行なわざるを得ないのは次の理由
による。すなわち、ＩｎＰ太陽電池の高効率化のために
は薄いｐ−ｎ接合が必要である。また、低濃度のｐ型Ｉ
ｎＰ基板上に良好なｐ型層側の電極をつくることは困難
なことが多（、前記のように例えばＡｕ−Ｚｎ層を用い
てつくられた裏面電極は常温のままではショツトキー性
であるのでこれをオーミック性にするためには４５０〜
４７５℃の熱処理が必要となる（Ｘ、Ｓ、 ５ｒｅｅ
１ｌａｒｓｈａｅｔ ａｌ、： アプライド フィズッ
クス レター（Ａｐｐｌ。
Ｐｈｙ、ｓ、、 Ｌｅｔｔ、）、 ３０ 、６４５（１
９７７）およびＴ、Ｊ、Ｃｏｕｌ−ｔａｎｄ、 Ｓ、
Ｎａ５ｅｅｎニアブライド フイズックス レター（Ａ
ｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、）、 ４６．１６４
（１９８５））。もし表面電極をつくった後に裏面電極
をつくり、その後にこのような熱処理を行うと、例えば
Ａｇ −Ｐｄ層から成る表面電極も熱処理を受けること
になるので、その電極を形成しているＡｇ又はＰｄが薄
いｎ”型層を通過してＩｎＰ中に拡散し、ｐ−ｎ接合が
劣化して、太陽電池の特性が低下する。
９７７）およびＴ、Ｊ、Ｃｏｕｌ−ｔａｎｄ、 Ｓ、
Ｎａ５ｅｅｎニアブライド フイズックス レター（Ａ
ｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、）、 ４６．１６４
（１９８５））。もし表面電極をつくった後に裏面電極
をつくり、その後にこのような熱処理を行うと、例えば
Ａｇ −Ｐｄ層から成る表面電極も熱処理を受けること
になるので、その電極を形成しているＡｇ又はＰｄが薄
いｎ”型層を通過してＩｎＰ中に拡散し、ｐ−ｎ接合が
劣化して、太陽電池の特性が低下する。
以上の理由によってｐ−ｎ接合型１ｎＰ太陽電池を製造
するには前記の製造工程を採らざるを得ない。しかし、
その場合、ＩｎＰ Ｗ板自体は晩いため、歩留りよく製
造しようとすると、必然的に表面電極形成のりソゲラフ
イエ程中にＩｎＰ基板が割れないようにＩｎＰ ％仮を
厚＜（４００μｍ程度の厚さが必要）しなければならな
い。
するには前記の製造工程を採らざるを得ない。しかし、
その場合、ＩｎＰ Ｗ板自体は晩いため、歩留りよく製
造しようとすると、必然的に表面電極形成のりソゲラフ
イエ程中にＩｎＰ基板が割れないようにＩｎＰ ％仮を
厚＜（４００μｍ程度の厚さが必要）しなければならな
い。
また前記の熱処理温度が高いとＩｎＰ基板自体の熱分解
といった問題も生じてくる。
といった問題も生じてくる。
一般に、ｍ−ｖ族化合物半導体太陽電池は効率等におい
てすぐれた特性を持ち、特にＩｎＰ太陽電池は耐放射線
特性がすぐれていることが知られている。しかし、Ｉｎ
Ｐ太陽電池め動作領域は１０μｍと狭いのに対し、現在
つくられているＩｎＰ太陽電池のＩｎＰ基板の厚さは前
記の理由によって４ｏ゛０μｍと非常に厚くなっている
。従って、ＩｎＰ太陽電池は高い効率及びすぐれた耐放
射線特性を持っているにもかかわらず、その重量を軽く
することができないために、例えば宇宙用機器に適用し
た場合、ロケット打ち上げ時の重量が増え、宇宙用機器
類の電源へ応用する場合の欠点となっている。
てすぐれた特性を持ち、特にＩｎＰ太陽電池は耐放射線
特性がすぐれていることが知られている。しかし、Ｉｎ
Ｐ太陽電池め動作領域は１０μｍと狭いのに対し、現在
つくられているＩｎＰ太陽電池のＩｎＰ基板の厚さは前
記の理由によって４ｏ゛０μｍと非常に厚くなっている
。従って、ＩｎＰ太陽電池は高い効率及びすぐれた耐放
射線特性を持っているにもかかわらず、その重量を軽く
することができないために、例えば宇宙用機器に適用し
た場合、ロケット打ち上げ時の重量が増え、宇宙用機器
類の電源へ応用する場合の欠点となっている。
この太陽電池を軽量化する手段として特公昭６２−２７
１２号公報に記載の製造方法があるが、これはｎ型Ｇａ
Ａｓ半導体基板の一方の面にｐ型層を形成した後に表面
電極をつ（す、その表面全体をカバーガラス等で覆うこ
とによって素子全体の強度を高めた後に、裏面電極を形
成する他方の面を化学的にエツチングし、しかる後に裏
面電極をつくる方法である。この方法をｐ型１ｎＰ太陽
電池の製造法に適用する場合に、必須となることは、ｐ
型層側の電極（裏面電極）を良好なオーミツ゛り性電極
とするための熱処理が表面電極のつくられた後に行なわ
れるので、その熱処理によってＩｎＰ中のｐ−ｎ接合の
劣化のような悪影響があられれないことである。すなわ
ち、ｐ型層側の電極にオーミック性のすぐれた電極を低
い温度の熱処理によってつくることができれば、ＩｎＰ
太陽電池を軽量化できかつ歩留りよく製造できるように
なる。
１２号公報に記載の製造方法があるが、これはｎ型Ｇａ
Ａｓ半導体基板の一方の面にｐ型層を形成した後に表面
電極をつ（す、その表面全体をカバーガラス等で覆うこ
とによって素子全体の強度を高めた後に、裏面電極を形
成する他方の面を化学的にエツチングし、しかる後に裏
面電極をつくる方法である。この方法をｐ型１ｎＰ太陽
電池の製造法に適用する場合に、必須となることは、ｐ
型層側の電極（裏面電極）を良好なオーミツ゛り性電極
とするための熱処理が表面電極のつくられた後に行なわ
れるので、その熱処理によってＩｎＰ中のｐ−ｎ接合の
劣化のような悪影響があられれないことである。すなわ
ち、ｐ型層側の電極にオーミック性のすぐれた電極を低
い温度の熱処理によってつくることができれば、ＩｎＰ
太陽電池を軽量化できかつ歩留りよく製造できるように
なる。
本発明によると、軽量のＩｎＰ太陽電池を製造する手段
として、ＩｎＰを含むｐ型半導体基板の一方の面にｎ型
半導体層を形成し、このｎ型半導体層の上に第１のオー
ミック電極を形成し、次に前記半導体基板の他方の面を
研削し、その後前記半導体基板の前記他方の面上にＡｇ
を含む第２の電極を形成し、しかる後、例えば４００℃
以下の温度、より望ましくは３７０〜３８０℃の温度で
熱処理をする。そして、この熱処理によって第２の電極
をオーミック性にする。なお、Ａｇを含む第２の電極材
料として、Ｚｎが２０重重量以下であるＡｇ −Ｚｎ合
金を用いるのが好ましい。
として、ＩｎＰを含むｐ型半導体基板の一方の面にｎ型
半導体層を形成し、このｎ型半導体層の上に第１のオー
ミック電極を形成し、次に前記半導体基板の他方の面を
研削し、その後前記半導体基板の前記他方の面上にＡｇ
を含む第２の電極を形成し、しかる後、例えば４００℃
以下の温度、より望ましくは３７０〜３８０℃の温度で
熱処理をする。そして、この熱処理によって第２の電極
をオーミック性にする。なお、Ａｇを含む第２の電極材
料として、Ｚｎが２０重重量以下であるＡｇ −Ｚｎ合
金を用いるのが好ましい。
本発明によると、ｐ型ＴｎＰ基板につくられたｐ型層側
の電極は熱処理によって良好なオーミック性を示し、し
かもその熱処理の温度を低くすることができるので、Ｉ
ｎＰ中のｐ−ｎ接合の劣化、ＩｎＰ基板の熱分解等の悪
影響を避けることができる。
の電極は熱処理によって良好なオーミック性を示し、し
かもその熱処理の温度を低くすることができるので、Ｉ
ｎＰ中のｐ−ｎ接合の劣化、ＩｎＰ基板の熱分解等の悪
影響を避けることができる。
これによってＩｎＰ太陽電池の素子作成の工程上、最初
にｐ型層側の電極を作成しなければならないという制約
を取り除くことができる。
にｐ型層側の電極を作成しなければならないという制約
を取り除くことができる。
本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図に示す本実施例のＩｎＰ太陽電池を次のようにし
て製造した。ＩｎＰ基板１１は厚さが０．４ ｎｕｎで
１〜１０×１０１ｂ原子ｃｍ−’程度のＺｎを含有し、
ｐ型となっている。このＩｎＰ基板１１の一方の面に熱
拡散によってｌＸｌ０”原子Ｃｌ１１−３以上のＳを導
入し、厚さ０．３μｍ程度のｎ゛型層１２を形成する。
て製造した。ＩｎＰ基板１１は厚さが０．４ ｎｕｎで
１〜１０×１０１ｂ原子ｃｍ−’程度のＺｎを含有し、
ｐ型となっている。このＩｎＰ基板１１の一方の面に熱
拡散によってｌＸｌ０”原子Ｃｌ１１−３以上のＳを導
入し、厚さ０．３μｍ程度のｎ゛型層１２を形成する。
次に、リソグラフィ法を用いてこのｎ゛型層１２の上に
厚さ５００人のＰｄ層１６を蒸着によって形成し、更に
厚さ３μｍ程度のＡｇ層１７をめっきあるいは蒸着によ
って形成した後、第２図に示すような櫛状のｎ型層側の
電極（表面電極）１９をつくる。更に、この表面電極１
９および表面電極１９が形成されていない部分の全体に
スパッタリングによってＳｉ＋Ｎａ Ｎを形成して反射
防止膜１８とする。この後、第３図＜ａ）（ｂ）に示す
ようにＩｎＰ基板１１の他方の面（第３図（ａ）におい
ては下側の面）を研削する（機械的にラッピング、研磨
することも含む）ことによって薄くし、厚さを０．２
ｍｍとする。これにより、その表面は平坦なものとなっ
ている。この機械加工したＩｎＰ 基板の面上に厚さ０
．２μｍ程度のＡｇ−Ｚｎ合金層１３（ただし、Ｚｎは
５重量％）を蒸着あるいはスパッタリングによって形成
し、更にこのＡｇ −Ｚｎ合金層１３の上に厚さ１μｍ
程度のＡｇ層１４を蒸着によって形成する。このＡｇ
−Ｚｎ合金層１３とＡｇ層１４とが、ｐ型層側の電極１
５となる。
厚さ５００人のＰｄ層１６を蒸着によって形成し、更に
厚さ３μｍ程度のＡｇ層１７をめっきあるいは蒸着によ
って形成した後、第２図に示すような櫛状のｎ型層側の
電極（表面電極）１９をつくる。更に、この表面電極１
９および表面電極１９が形成されていない部分の全体に
スパッタリングによってＳｉ＋Ｎａ Ｎを形成して反射
防止膜１８とする。この後、第３図＜ａ）（ｂ）に示す
ようにＩｎＰ基板１１の他方の面（第３図（ａ）におい
ては下側の面）を研削する（機械的にラッピング、研磨
することも含む）ことによって薄くし、厚さを０．２
ｍｍとする。これにより、その表面は平坦なものとなっ
ている。この機械加工したＩｎＰ 基板の面上に厚さ０
．２μｍ程度のＡｇ−Ｚｎ合金層１３（ただし、Ｚｎは
５重量％）を蒸着あるいはスパッタリングによって形成
し、更にこのＡｇ −Ｚｎ合金層１３の上に厚さ１μｍ
程度のＡｇ層１４を蒸着によって形成する。このＡｇ
−Ｚｎ合金層１３とＡｇ層１４とが、ｐ型層側の電極１
５となる。
このようにして製造したＩｎＰ太陽電池素子のｎ型層側
の電極（表面電極）１９は、ｎ゛型ＩＪ１２の不純物濃
度を高（しているために常温で良好なオーミック性を示
すが、ｐ型層側の電極（Ｎ面電極）１５はショツトキー
性を示す。しかしながら、太陽電池として有効に機能す
るためには画電極ともにオーミック性であることが必要
である。従って、ｐ！ａＪｉｌ側の電極をオーミック性
に変えるために熱処理を行うことが必要となるが、この
熱処理は１ｎＰ基板、ｎ型層側の電極等に悪影響を与え
て、太陽電池の特性をかえって悪化させるものであっは
ならない。
の電極（表面電極）１９は、ｎ゛型ＩＪ１２の不純物濃
度を高（しているために常温で良好なオーミック性を示
すが、ｐ型層側の電極（Ｎ面電極）１５はショツトキー
性を示す。しかしながら、太陽電池として有効に機能す
るためには画電極ともにオーミック性であることが必要
である。従って、ｐ！ａＪｉｌ側の電極をオーミック性
に変えるために熱処理を行うことが必要となるが、この
熱処理は１ｎＰ基板、ｎ型層側の電極等に悪影響を与え
て、太陽電池の特性をかえって悪化させるものであっは
ならない。
ここで太陽電池の出力特性を表わすパラメーターを第４
図を用いて説明する。すなわち、開放電圧Ｖ。Ｃ（以下
単にｒＶｏｃＪと呼ぶ）、短絡電流ｔｓｃおよび曲線因
子（Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ） Ｆ Ｆ （以下単に「
ＦＦＪと呼ぶ）の三つのパラメーターがあり、これらは
エネルギー変換効率に関連した性能指数である。このう
ちＦＦは次のように定義される。
図を用いて説明する。すなわち、開放電圧Ｖ。Ｃ（以下
単にｒＶｏｃＪと呼ぶ）、短絡電流ｔｓｃおよび曲線因
子（Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ） Ｆ Ｆ （以下単に「
ＦＦＪと呼ぶ）の三つのパラメーターがあり、これらは
エネルギー変換効率に関連した性能指数である。このう
ちＦＦは次のように定義される。
Ｆ Ｆ ＝Ｐ＋＋＋ ／ （ＶｏｃＸ ｌ５ｃ） ＝
（Ｖ＠ Ｘ ＩＩＩ ）／ （ＶｏｃＸ ｌ１ｃ） ここで、熱処理条件を、その温度を変え、その各々の場
合についてＦＦ、Ｖｏ。を求める実験を行うことによっ
て、比較検討した。
（Ｖ＠ Ｘ ＩＩＩ ）／ （ＶｏｃＸ ｌ１ｃ） ここで、熱処理条件を、その温度を変え、その各々の場
合についてＦＦ、Ｖｏ。を求める実験を行うことによっ
て、比較検討した。
本実験において熱処理時間は１分で、その雰囲気は水素
であり、熱処理温度を種々変えて、その各々の場合につ
いて太陽電池の出力特性Ｖ。Ｃｓ ＦＦを求めた結果を
第５図に示した。この第５図より、熱処理温度を変える
とｖｏ。及びＦＦが変化することがわかり、熱処理温度
が３５０℃のときにＦＦは０．８０を超え、３７０℃か
ら３８０℃にかけてＦＦは最高値を示し、０．８４０と
なる。現在報告されているＩｎＰ太陽電池の最も高いＦ
Ｆは０．８３７である（Ｍ、Ｂ、 ５ｐｉｔｚｅｒ ｅ
ｔ ａｌ、ニアブライド フィズックス レター （Ａ
ｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、）、 ５１ 。
であり、熱処理温度を種々変えて、その各々の場合につ
いて太陽電池の出力特性Ｖ。Ｃｓ ＦＦを求めた結果を
第５図に示した。この第５図より、熱処理温度を変える
とｖｏ。及びＦＦが変化することがわかり、熱処理温度
が３５０℃のときにＦＦは０．８０を超え、３７０℃か
ら３８０℃にかけてＦＦは最高値を示し、０．８４０と
なる。現在報告されているＩｎＰ太陽電池の最も高いＦ
Ｆは０．８３７である（Ｍ、Ｂ、 ５ｐｉｔｚｅｒ ｅ
ｔ ａｌ、ニアブライド フィズックス レター （Ａ
ｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、）、 ５１ 。
３６４（１９８７））。
以上の実験結果から、本発明によるＩｎＰ太陽電池のｐ
型層側の電極は、３７０〜３８０℃の熱処理によって、
接触抵抗の小さい、きわめて良質のオーミック電極が形
成されていると言える。しかも他の部分に対して熱処理
の悪影響がなく、出力特性のすぐれた太陽電池となる。
型層側の電極は、３７０〜３８０℃の熱処理によって、
接触抵抗の小さい、きわめて良質のオーミック電極が形
成されていると言える。しかも他の部分に対して熱処理
の悪影響がなく、出力特性のすぐれた太陽電池となる。
また、この電極の接着強度も十分あり、ピンセットで剥
ごうとしても’１４Ｍ１．．なかった。
ごうとしても’１４Ｍ１．．なかった。
熱処理温度が３９０℃を超えるとＶ。Ｃの劣化が起こり
始め、４００℃を超えるとｖｏいＦＦはともに急激に低
（なる。この原因はｎ型層側の電極１９を形成している
Ａｇ、 Ｐｄがｎ０型１ｉ１２を通過してＩｎＰ中に拡
散し、ｐ−ｎ接合が劣化するためである。本実験に用い
たＩｎＰ太陽電池のｎ°型層１２の厚さは０．３μｍ程
度であったが、ｎ０型層が厚くなり、０．５μｍを超え
るような場合は４００℃で熱処理を行っても劣化はおこ
らない。
始め、４００℃を超えるとｖｏいＦＦはともに急激に低
（なる。この原因はｎ型層側の電極１９を形成している
Ａｇ、 Ｐｄがｎ０型１ｉ１２を通過してＩｎＰ中に拡
散し、ｐ−ｎ接合が劣化するためである。本実験に用い
たＩｎＰ太陽電池のｎ°型層１２の厚さは０．３μｍ程
度であったが、ｎ０型層が厚くなり、０．５μｍを超え
るような場合は４００℃で熱処理を行っても劣化はおこ
らない。
なお、ｎ３型層の形成方法は、エビタキシャル成長法あ
るいはイオン注入法でもよい。ｎ型層側の電極として、
Ｔｉ−八ｇＮ、なども可能である。ｐ型層側の電極に使
用したＡｇ −Ｚｎ合金は、同一合金相が形成されるＺ
ｎが２０重量％以下の合金であるのが好ましいが、Ｚｎ
ｆＷを形成して、その上にＡｇ層を同様の方法で別々に
形成してもよい。この場合は、熱処理によって合金化さ
れる。
るいはイオン注入法でもよい。ｎ型層側の電極として、
Ｔｉ−八ｇＮ、なども可能である。ｐ型層側の電極に使
用したＡｇ −Ｚｎ合金は、同一合金相が形成されるＺ
ｎが２０重量％以下の合金であるのが好ましいが、Ｚｎ
ｆＷを形成して、その上にＡｇ層を同様の方法で別々に
形成してもよい。この場合は、熱処理によって合金化さ
れる。
従来の技術ではＩｎＰ太陽電池を製造する場合に４５０
℃以上の熱処理を必要としたのに対し、本発明ではそれ
よりも１００℃も低い温度の熱処理によってｐ型層側の
電極を良質のオーミック性に変えることができ、しかも
熱処理による他の部分への悪影古といった問題もなくな
る。従って、１ｎＰ太陽電池の製造工程上、ｐ型層側の
電極（裏面電極）をつくる前に、この電極を形成する面
を研削して薄くし、この後裏面電極をつくるという工程
が実施可能となった。このことによりＩｎＰ太陽電池を
軽量化し歩留りよく製造できるようになり、しかもその
出力特性はきわめて良い。
℃以上の熱処理を必要としたのに対し、本発明ではそれ
よりも１００℃も低い温度の熱処理によってｐ型層側の
電極を良質のオーミック性に変えることができ、しかも
熱処理による他の部分への悪影古といった問題もなくな
る。従って、１ｎＰ太陽電池の製造工程上、ｐ型層側の
電極（裏面電極）をつくる前に、この電極を形成する面
を研削して薄くし、この後裏面電極をつくるという工程
が実施可能となった。このことによりＩｎＰ太陽電池を
軽量化し歩留りよく製造できるようになり、しかもその
出力特性はきわめて良い。
第１図は本発明の一実施例による太陽電池の部分拡大正
面図、第２図は同上の平面図である。第３図はＩｎＰ基
板を研削して薄＜シた後、ｐ型層側の電極をつくる本発
明実施例の一工程を示すものである。第４図は太陽電池
の出力特性を示す特性図、番第５図は熱処理温度と本実
施例による太陽電池のＶ。Ｃ及びＦＦの関係を示すグラ
フである。 なお図面に用いた符号において、 １１・・−・−・・・−・・・−−−−−１ｎＰ基板１
３−・−−−−−・・−・−・・・・・−Ａｇ−Ｚｎ合
金層１４・−・・・−・−・・・−・−・・・１８層１
５−・−・・・−ｍ−−−−−−・・・−裏面電極１９
−・・−・・・−・・−・・・−・・表面電極である。
面図、第２図は同上の平面図である。第３図はＩｎＰ基
板を研削して薄＜シた後、ｐ型層側の電極をつくる本発
明実施例の一工程を示すものである。第４図は太陽電池
の出力特性を示す特性図、番第５図は熱処理温度と本実
施例による太陽電池のＶ。Ｃ及びＦＦの関係を示すグラ
フである。 なお図面に用いた符号において、 １１・・−・−・・・−・・・−−−−−１ｎＰ基板１
３−・−−−−−・・−・−・・・・・−Ａｇ−Ｚｎ合
金層１４・−・・・−・−・・・−・−・・・１８層１
５−・−・・・−ｍ−−−−−−・・・−裏面電極１９
−・・−・・・−・・−・・・−・・表面電極である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＩｎＰを含むｐ型半導体基板の一方の面にｎ型半導体
層を形成し、 このｎ型半導体層の上に第１のオーミック電極を形成し
、 次に前記半導体基板の他方の面を研削し、 その後前記半導体基板の前記他方の面上にＡｇを含む第
２の電極を形成し、 しかる後に熱処理を行うことを特徴とする太陽電池の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63137960A JPH01307277A (ja) | 1988-06-04 | 1988-06-04 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63137960A JPH01307277A (ja) | 1988-06-04 | 1988-06-04 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01307277A true JPH01307277A (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=15210747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63137960A Pending JPH01307277A (ja) | 1988-06-04 | 1988-06-04 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01307277A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0529639A (ja) * | 1991-07-25 | 1993-02-05 | Sharp Corp | 太陽電池 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54158188A (en) * | 1978-06-02 | 1979-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5839074A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JPS58137263A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 太陽電池 |
| JPS611063A (ja) * | 1984-06-13 | 1986-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | ＧａＡｓ光電変換素子 |
-
1988
- 1988-06-04 JP JP63137960A patent/JPH01307277A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54158188A (en) * | 1978-06-02 | 1979-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5839074A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JPS58137263A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 太陽電池 |
| JPS611063A (ja) * | 1984-06-13 | 1986-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | ＧａＡｓ光電変換素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0529639A (ja) * | 1991-07-25 | 1993-02-05 | Sharp Corp | 太陽電池 |
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