JPS611063A - GaAs光電変換素子 - Google Patents
GaAs光電変換素子Info
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- JPS611063A JPS611063A JP59124090A JP12409084A JPS611063A JP S611063 A JPS611063 A JP S611063A JP 59124090 A JP59124090 A JP 59124090A JP 12409084 A JP12409084 A JP 12409084A JP S611063 A JPS611063 A JP S611063A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は太陽電池などへして用いられるGaAs光電
変換素子に関し、特にA I GaAs/GaAsヘテ
ロフェイス形、あるいはGaAgモノリシック形光電変
換素子におけるメタライズ電極構造の改良に係るもので
ある。
変換素子に関し、特にA I GaAs/GaAsヘテ
ロフェイス形、あるいはGaAgモノリシック形光電変
換素子におけるメタライズ電極構造の改良に係るもので
ある。
従来からこの種のGaAs光電変換素子における p形
GaAs層へのオーミック材料としては、Au−Zn、
Au市などの、 ZnおよびBeを含有する合金が用い
られている。そしてこれらの金属とp形GaAs層との
密着強度を高めるためには、同金属と p形GaAsと
の充分な厚みを有する合金層を形成させる必要があるが
、例えばp形GaAs層側を受光面側とするp on
n形の太陽電池などでは、p形GaAs層の厚さが1
ルm以下程度になるために、このような電極金属と p
形GaAsとの充分な密着強度をもった合金層を得るこ
とが非常に困難なものである。
GaAs層へのオーミック材料としては、Au−Zn、
Au市などの、 ZnおよびBeを含有する合金が用い
られている。そしてこれらの金属とp形GaAs層との
密着強度を高めるためには、同金属と p形GaAsと
の充分な厚みを有する合金層を形成させる必要があるが
、例えばp形GaAs層側を受光面側とするp on
n形の太陽電池などでは、p形GaAs層の厚さが1
ルm以下程度になるために、このような電極金属と p
形GaAsとの充分な密着強度をもった合金層を得るこ
とが非常に困難なものである。
一方、こへでTj、Crなどの金属は、それ自体の吸着
力が強いことから、前記のような浅いp−n接合を有す
る半導体素子のオーミック材料として使用されているが
、これをp−GaAsに対するオーミック材料としてみ
るときは、前記したZn、Beなど゛を含む合金の場合
、その接触面抵抗が1o Ω−CI02程度であるの
に比較して、Ti、Crなどは10 Ω−cm2以上
、つまり 1桁以上もの大きな抵抗値を示すために、こ
れを使用し得ないものであった。
力が強いことから、前記のような浅いp−n接合を有す
る半導体素子のオーミック材料として使用されているが
、これをp−GaAsに対するオーミック材料としてみ
るときは、前記したZn、Beなど゛を含む合金の場合
、その接触面抵抗が1o Ω−CI02程度であるの
に比較して、Ti、Crなどは10 Ω−cm2以上
、つまり 1桁以上もの大きな抵抗値を示すために、こ
れを使用し得ないものであった。
この発明は従来のこのような実情に鑑み、p onn形
のGaAs系光電変換素子における p形電極にあって
、強い芭着力が要求される外部接続電極部分でのp−G
aAs接続部分に対しては、Tj、Crまたはこれらを
含む合金などを用い、また密着力はさほどでなくとも低
接触抵抗が要求される集電々極部分でのp−GaAs接
続部分に対しては、Zn、Beを含む合金などを用いる
ことにより、所要部分で強い接続強度および低接触抵抗
を有するGaAs系光電変換素子を得ようとするもので
ある。
のGaAs系光電変換素子における p形電極にあって
、強い芭着力が要求される外部接続電極部分でのp−G
aAs接続部分に対しては、Tj、Crまたはこれらを
含む合金などを用い、また密着力はさほどでなくとも低
接触抵抗が要求される集電々極部分でのp−GaAs接
続部分に対しては、Zn、Beを含む合金などを用いる
ことにより、所要部分で強い接続強度および低接触抵抗
を有するGaAs系光電変換素子を得ようとするもので
ある。
以下この発明に係るGaAs光電変換素子の一実施例に
つき、添付図面、第1図および第2図を参照して詳細に
説明する。
つき、添付図面、第1図および第2図を参照して詳細に
説明する。
これらの第1図および第2図実施例装置は、この発明を
p−A JJ GaAs層側を受光面側とするヘテロフ
ェイス形太陽電池に適用した場合である。
p−A JJ GaAs層側を受光面側とするヘテロフ
ェイス形太陽電池に適用した場合である。
これらの各図において、この実施例装置では、まず n
形GaAs基板10上に p形GaAs層11.p形
A文GaAs層20を液相エピタキシャルにより順次に
形成させる。ついでこのp形AM GaAs層20の表
面にCVD法により 5i3N4反射防止膜30を形成
した際1例えば写真製版により集電々極形成部分を除い
た部分にレジスト層を設けた上で、この集電々極形成部
分について、プラズマエツチングにより 513N4反
射防市膜30を、また湿式エツチングにより AlGa
As層20をそれぞれ工、7チング除去して p形Ga
As層11を露出させる。
形GaAs基板10上に p形GaAs層11.p形
A文GaAs層20を液相エピタキシャルにより順次に
形成させる。ついでこのp形AM GaAs層20の表
面にCVD法により 5i3N4反射防止膜30を形成
した際1例えば写真製版により集電々極形成部分を除い
た部分にレジスト層を設けた上で、この集電々極形成部
分について、プラズマエツチングにより 513N4反
射防市膜30を、また湿式エツチングにより AlGa
As層20をそれぞれ工、7チング除去して p形Ga
As層11を露出させる。
続いて、蒸着方法などによりAg−Zn層41aおよび
Ag層41bを形成した上で、写真製版工程および工・
ンチング工程によりp−GaAs面の露出部分(集電々
極形成部分)の金属層を残し除去して集電々極41を形
成する。また外部接続電極形成部分についても同様の工
程により、p形(iaAs層11全11させたのちに、
蒸着、スパッタリ〉′グ方法などによってTi層42a
およびA、層42hを形成し、かつ外部接続電極42を
形成する。そしてさらにこのようにして形成されるこれ
らの集電々極41および外部接続電極42は、写真製版
工程でのパターン合わせのズレなどにより電気的接続が
不充分な場合があるので、これらの両電極」二に別に共
通のAg層を設けるか、あるいは予備はんだ層により両
電極間を短絡接続させるのである。
Ag層41bを形成した上で、写真製版工程および工・
ンチング工程によりp−GaAs面の露出部分(集電々
極形成部分)の金属層を残し除去して集電々極41を形
成する。また外部接続電極形成部分についても同様の工
程により、p形(iaAs層11全11させたのちに、
蒸着、スパッタリ〉′グ方法などによってTi層42a
およびA、層42hを形成し、かつ外部接続電極42を
形成する。そしてさらにこのようにして形成されるこれ
らの集電々極41および外部接続電極42は、写真製版
工程でのパターン合わせのズレなどにより電気的接続が
不充分な場合があるので、これらの両電極」二に別に共
通のAg層を設けるか、あるいは予備はんだ層により両
電極間を短絡接続させるのである。
すなわち1以上のようにして、この実施例装置では、来
電々極とp−GaAs層とがZn、Beを含む合金など
により接続されて低接触抵抗が果され、外部 ・接続
電極とp−GaAs層とがTi、crまたはこれらを含
む合金などにより接続されて強い密着力が達成されるの
である。
電々極とp−GaAs層とがZn、Beを含む合金など
により接続されて低接触抵抗が果され、外部 ・接続
電極とp−GaAs層とがTi、crまたはこれらを含
む合金などにより接続されて強い密着力が達成されるの
である。
以上詳述したようにこの発明によれば、少なくともn形
溝電層上のp形溝電層に反射防止膜を形成させると共に
、 p形溝電層の反射防止膜側面の一部に、集電々極、
および外部接続電極を接続させたGaAs光電変換素子
であって、集電々極については、少なくともZnまたは
Beを含む合金層を介して、また外部接続電極について
は、少なくともT1またはCr層もしくはTiまたはC
rを含む合金層を介してそれぞれに接続され、かつこれ
らの集電々極と外部接続電極とを、電気的に短絡接続さ
せた構成であるから、集電々極が低接触抵抗となって電
気的特性上、その直列抵抗を低下させることができ、ま
た外部接続電極の密着強度を充分に向上し得るなどの特
長を有し、簡単な構造であるにも拘わらず極めて効果的
なものである。
溝電層上のp形溝電層に反射防止膜を形成させると共に
、 p形溝電層の反射防止膜側面の一部に、集電々極、
および外部接続電極を接続させたGaAs光電変換素子
であって、集電々極については、少なくともZnまたは
Beを含む合金層を介して、また外部接続電極について
は、少なくともT1またはCr層もしくはTiまたはC
rを含む合金層を介してそれぞれに接続され、かつこれ
らの集電々極と外部接続電極とを、電気的に短絡接続さ
せた構成であるから、集電々極が低接触抵抗となって電
気的特性上、その直列抵抗を低下させることができ、ま
た外部接続電極の密着強度を充分に向上し得るなどの特
長を有し、簡単な構造であるにも拘わらず極めて効果的
なものである。
第1図および第2図はこの発明の一実施例を適用したG
aAs光電変換素子の概要構成をそれぞれ模式的に示す
一部断面斜視図である。 10・・・・n形GaAs基板、11−−−− p形G
aAs層、20−・・・p形Au GaAs層、30・
・・・反射防止膜、41・・・・集電々極、41aおよ
び41b・・・・集電々極となる Ag−Zn層および
Ag層、42・・・・外部接続電極、42aおよび42
b・・・・外部接続電極となるTi層およびAg層。 代 理 人 大 岩 増 雄磨1図 篇2図
aAs光電変換素子の概要構成をそれぞれ模式的に示す
一部断面斜視図である。 10・・・・n形GaAs基板、11−−−− p形G
aAs層、20−・・・p形Au GaAs層、30・
・・・反射防止膜、41・・・・集電々極、41aおよ
び41b・・・・集電々極となる Ag−Zn層および
Ag層、42・・・・外部接続電極、42aおよび42
b・・・・外部接続電極となるTi層およびAg層。 代 理 人 大 岩 増 雄磨1図 篇2図
Claims (2)
- (1)少なくともn形導電層と、このn形導電層上に形
成されるp形導電層と、このp形導電層上に形成される
反射防止膜とを有し、p形導電層の反射防止膜側の面の
一部に、集電々極、および外部接続電極をそれぞれに接
続させたGaAs光電変換素子において、前記集電々極
は、少なくともZnまたはBeを含む合金層を介し、ま
た前記外部接続電極は、少なくともTiまたはCr層も
しくはTiまたはCrを含む合金層を介してそれぞれに
接続され、かつこれらの集電々極と外部接続電極とを、
電気的に短絡接続させたことを特徴とするGaAs光電
変換素子。 - (2)集電々極と外部接続電極とを、はんだ層により電
気的に短絡接続させたことを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載のGaAs光電変換素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59124090A JPS611063A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | GaAs光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59124090A JPS611063A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | GaAs光電変換素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS611063A true JPS611063A (ja) | 1986-01-07 |
Family
ID=14876677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59124090A Pending JPS611063A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | GaAs光電変換素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS611063A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01307277A (ja) * | 1988-06-04 | 1989-12-12 | Nippon Mining Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
-
1984
- 1984-06-13 JP JP59124090A patent/JPS611063A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01307277A (ja) * | 1988-06-04 | 1989-12-12 | Nippon Mining Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
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