JPH043471A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
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- JPH043471A JPH043471A JP2105547A JP10554790A JPH043471A JP H043471 A JPH043471 A JP H043471A JP 2105547 A JP2105547 A JP 2105547A JP 10554790 A JP10554790 A JP 10554790A JP H043471 A JPH043471 A JP H043471A
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 26
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、太陽電池を複数個接続する際の特性劣化を
抑えた太陽電池に関するものである。
抑えた太陽電池に関するものである。
［従来の技術］
第３図はｒ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅ
ｃｔ Ｄｅｓｉｇｎ ａｎｄＷｅｌｄ Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ：ＩＥＥＥ ＰＶＳＣ−１９８５ｐ、６３３〜６
６８Ｊに開示されている従来の太陽電池モジュールの構
造を示す断面図である。この図において、各太陽電池単
体は、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に成長されたｎ−ＧａＡｓ
層２とｐ−ＧａＡｓ層３と力）ら形成されており、その
各表面には第１接着剤４によってカバーガラス５が貼り
付けられている。さらに、これら同一型の太陽電池はイ
ンクコネクタ６によって、その第１番目の太陽電池の上
部電極を第２番目の太陽電池の下部電極に接続し、次に
、第２番目の太陽電池の上部電極を第３番目の太陽電池
の下部電極に接続するというように、隣り合う太陽電池
の一方の上部電極と他方の下部電極とが順次接続され、
これによって所定の個数の太陽電池が直列に接続されて
いる。そして、これら接続された複数個の太陽電池を第
２接着剤７によりハニカムボード８上に配列固定するこ
とにより太陽電池モジュールが構成されている。
ｃｔ Ｄｅｓｉｇｎ ａｎｄＷｅｌｄ Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ：ＩＥＥＥ ＰＶＳＣ−１９８５ｐ、６３３〜６
６８Ｊに開示されている従来の太陽電池モジュールの構
造を示す断面図である。この図において、各太陽電池単
体は、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に成長されたｎ−ＧａＡｓ
層２とｐ−ＧａＡｓ層３と力）ら形成されており、その
各表面には第１接着剤４によってカバーガラス５が貼り
付けられている。さらに、これら同一型の太陽電池はイ
ンクコネクタ６によって、その第１番目の太陽電池の上
部電極を第２番目の太陽電池の下部電極に接続し、次に
、第２番目の太陽電池の上部電極を第３番目の太陽電池
の下部電極に接続するというように、隣り合う太陽電池
の一方の上部電極と他方の下部電極とが順次接続され、
これによって所定の個数の太陽電池が直列に接続されて
いる。そして、これら接続された複数個の太陽電池を第
２接着剤７によりハニカムボード８上に配列固定するこ
とにより太陽電池モジュールが構成されている。
［発明が解決しようとする課題］
上記のような従来の同一型の太陽電池の多数個を直列接
続した構成の太陽電池モジュールは、ｐ型およびｎ型の
電極がそれぞれ上、下側面に形成されているために、隣
り合った太陽電池の間で一方の上部電極と他方の下部電
極とを接続しなければならず、太陽電池の厚みの分の大
きな段差のあるこれら２つの電極間を、インクコネクタ
６で接続する作業が困難であるばかりでなく、インクコ
ネクタ６の構造も複雑になるという問題点があった。
続した構成の太陽電池モジュールは、ｐ型およびｎ型の
電極がそれぞれ上、下側面に形成されているために、隣
り合った太陽電池の間で一方の上部電極と他方の下部電
極とを接続しなければならず、太陽電池の厚みの分の大
きな段差のあるこれら２つの電極間を、インクコネクタ
６で接続する作業が困難であるばかりでなく、インクコ
ネクタ６の構造も複雑になるという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、多数個の太陽電池を直列に接続する場合のインク
コネクタの構造が単純で、かつその接続作業も容易に行
うことができる太陽電池を得ることを目的とする。
ので、多数個の太陽電池を直列に接続する場合のインク
コネクタの構造が単純で、かつその接続作業も容易に行
うことができる太陽電池を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段１
この発明にかかる太陽電池は、段差を有する絶縁層、も
しくは半絶縁性の基板の段差以外の上部表面上に形成さ
れた第１導電型半導体結晶層と、この第１導電型半導体
結晶層と基板の段差表面上に形成された第２導電型半導
体結晶層と、互いに隣り合う太陽電池単体との電気的接
続のために第１導電型半導体結晶層の露出表面から基板
裏面の一部にまで基板端面を這わせて形成された第１導
電型半導体結晶層のみを導通させる第１導電型用電極と
、第２導電型半導体結晶層の露出表面から基板裏面の一
部にまで基板端面を這わせて形成された第２導電型半導
体結晶層のみを導通させる第２導電用電極とを備えたも
のである。
しくは半絶縁性の基板の段差以外の上部表面上に形成さ
れた第１導電型半導体結晶層と、この第１導電型半導体
結晶層と基板の段差表面上に形成された第２導電型半導
体結晶層と、互いに隣り合う太陽電池単体との電気的接
続のために第１導電型半導体結晶層の露出表面から基板
裏面の一部にまで基板端面を這わせて形成された第１導
電型半導体結晶層のみを導通させる第１導電型用電極と
、第２導電型半導体結晶層の露出表面から基板裏面の一
部にまで基板端面を這わせて形成された第２導電型半導
体結晶層のみを導通させる第２導電用電極とを備えたも
のである。
［作用］
この発明においては、基板の裏面にｐ型、ｎ型側電極を
それぞれ形成して太陽電池を構成したので、多数個の太
陽電池をインタコネクタで直列接続させる場合に、接続
段差がないために接続作業が容易になり、また、インク
コネクタの構造も簡単になる。
それぞれ形成して太陽電池を構成したので、多数個の太
陽電池をインタコネクタで直列接続させる場合に、接続
段差がないために接続作業が容易になり、また、インク
コネクタの構造も簡単になる。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第１図（ａ）〜（ｅ）はこの発明を利用したヘテロフェ
イス型ＧａＡｓ太陽電池単体の製造方法および最終構造
を示す断面構造図である。
イス型ＧａＡｓ太陽電池単体の製造方法および最終構造
を示す断面構造図である。
まず、半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上に有機金属気相成長
法（ＭＯＣＶＤ法）によりｎ−ＧａＡｓ層１２を成長さ
せ（第１図（ａ）） 、ウェハ端部を選択的にエツチン
グしてそれぞれｎ−ＧａＡｓ層１２．半絶縁性ＧａＡｓ
基板１１表面の露呈した段差を形成する（第１図（ｂ）
）。次に、その上にＭＯＣＶＤ法によりｐ −Ｇ ａ
Ａ ｓ層１３１表面再結合防止用のｐ−Ａｌ２ＧａＡｓ
窓層１４を成長させ、さらにその上に光ＣＶＤ法により
Ｓ ｉ ｓＮ４からなる反射防止膜１５を堆積させる（
第１図（Ｃ））。次に、段差のない方のウェハ端部を選
択的にエツチングしてｎ−ＧａＡｓ層１２を露呈させ、
段差のある方のウェハ端部については段差下部にあたる
部分を選択的に工・ソチングしてｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ
層１３を露呈させる（第１図（ｄ））、最後に、露呈し
たｎ−ＧａＡｓ層１２表面からウェハ側面を這わせて半
絶縁性ＧａＡｓ基板１１の裏面までｎ型電極２１を、ま
た、露呈したｐ−ＧａＡｓ層１３表面からウェハ側面を
這わせて半絶縁性ＧａＡｓ基板１１の裏面までｎ型電極
２２を、それぞれメツキ法等により形成し、太陽電池単
体が形成される（第１図（ｅ））・第２図は、第１図の
へテロフェイス型ＧａＡｓ太陽電池単体の製造方法を利
用した太陽電池モユルの一実施例を示す断面構造図であ
る。
法（ＭＯＣＶＤ法）によりｎ−ＧａＡｓ層１２を成長さ
せ（第１図（ａ）） 、ウェハ端部を選択的にエツチン
グしてそれぞれｎ−ＧａＡｓ層１２．半絶縁性ＧａＡｓ
基板１１表面の露呈した段差を形成する（第１図（ｂ）
）。次に、その上にＭＯＣＶＤ法によりｐ −Ｇ ａ
Ａ ｓ層１３１表面再結合防止用のｐ−Ａｌ２ＧａＡｓ
窓層１４を成長させ、さらにその上に光ＣＶＤ法により
Ｓ ｉ ｓＮ４からなる反射防止膜１５を堆積させる（
第１図（Ｃ））。次に、段差のない方のウェハ端部を選
択的にエツチングしてｎ−ＧａＡｓ層１２を露呈させ、
段差のある方のウェハ端部については段差下部にあたる
部分を選択的に工・ソチングしてｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ
層１３を露呈させる（第１図（ｄ））、最後に、露呈し
たｎ−ＧａＡｓ層１２表面からウェハ側面を這わせて半
絶縁性ＧａＡｓ基板１１の裏面までｎ型電極２１を、ま
た、露呈したｐ−ＧａＡｓ層１３表面からウェハ側面を
這わせて半絶縁性ＧａＡｓ基板１１の裏面までｎ型電極
２２を、それぞれメツキ法等により形成し、太陽電池単
体が形成される（第１図（ｅ））・第２図は、第１図の
へテロフェイス型ＧａＡｓ太陽電池単体の製造方法を利
用した太陽電池モユルの一実施例を示す断面構造図であ
る。
この図において、第１図と同一符号を付した部分は同じ
ものを示し、１６は第１接着剤、１７はカバーガラス、
１８はインクコネクタ、１９は第２接着剤、２０はハニ
カムボード、２１はｎ型電極、２２はｎ型電極である。
ものを示し、１６は第１接着剤、１７はカバーガラス、
１８はインクコネクタ、１９は第２接着剤、２０はハニ
カムボード、２１はｎ型電極、２２はｎ型電極である。
１つの太陽電池裏面のｎ型電極２１は別（隣）の太陽電
池裏面のｎ型電極２２に、また、１つの太陽電池裏面の
ｎ型電極２２はもう１つの別の太陽電池裏面のｎ型電極
２１にインクコネクタ１８によって接続されている。
池裏面のｎ型電極２２に、また、１つの太陽電池裏面の
ｎ型電極２２はもう１つの別の太陽電池裏面のｎ型電極
２１にインクコネクタ１８によって接続されている。
なお、上記実施例では太陽電池の基板に半絶縁性ＧａＡ
ｓ基板を用いたものを示したが、絶縁性、もしくは半絶
縁性であれば他の材料からなるものを用いても良い。
ｓ基板を用いたものを示したが、絶縁性、もしくは半絶
縁性であれば他の材料からなるものを用いても良い。
また、上記実施例では太陽電池の能動領域の材料として
ＧａＡｓやＡＪ２ＧａＡｓを用いたが、これも例えばＩ
ｎＰ等他の材料であってもかまわない。
ＧａＡｓやＡＪ２ＧａＡｓを用いたが、これも例えばＩ
ｎＰ等他の材料であってもかまわない。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明は、段差を有する絶縁性
、もしくは半絶縁性の基板の段差以外の上部表面上に形
成された第１導電型半導体結晶層と、この第１導電型半
導体結晶層と基板の段差表面上に形成された第２導電型
半導体結晶層と、互いに隣り合う太陽電池単体との電気
的接続のために第１導電型半導体結晶層の露出表面から
基板裏面の一部にまで基板端面を這わせて形成された第
１導電型半導体結晶層のみを導通させる第１導電型用電
極と、第２導電型半導体結晶層の露出表面から基板裏面
の一部にまで基板端面を這わせて形成された第２導電型
半導体結晶層のみを導通させる第２導電用電極とを備え
たので、容易に第１および第２導電型半導体結晶層の絶
縁が可能となる。そのため、多数個の太陽電池をインク
コネクタで直列接続させる場合に接続作業が容易になり
、また、インタコネクタの構造も簡単になるという効果
がある。
、もしくは半絶縁性の基板の段差以外の上部表面上に形
成された第１導電型半導体結晶層と、この第１導電型半
導体結晶層と基板の段差表面上に形成された第２導電型
半導体結晶層と、互いに隣り合う太陽電池単体との電気
的接続のために第１導電型半導体結晶層の露出表面から
基板裏面の一部にまで基板端面を這わせて形成された第
１導電型半導体結晶層のみを導通させる第１導電型用電
極と、第２導電型半導体結晶層の露出表面から基板裏面
の一部にまで基板端面を這わせて形成された第２導電型
半導体結晶層のみを導通させる第２導電用電極とを備え
たので、容易に第１および第２導電型半導体結晶層の絶
縁が可能となる。そのため、多数個の太陽電池をインク
コネクタで直列接続させる場合に接続作業が容易になり
、また、インタコネクタの構造も簡単になるという効果
がある。
第１図はこの発明の一実施例によるヘテロフェイス型Ｇ
ａＡｓ太陽電池単体の製造方法および最終構造を示す断
面構造図、第２図は、第１図の製造方法を利用した太陽
電池モジュールの一実施例を示す断面構造図、第３図は
従来の太陽電池モジュールの構造を示す断面図である。 図において、１１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、１２はｎ−
ＧａＡｓ層、１３はｐ−ＧａＡｓ層、１４はｐ−Ａｌ２
ＧａＡｓ窓層、１５は反射防止膜、１６は第１接着剤、
１７はカバーガラス、１８はインタコネクタ、１９は第
２接着剤、２Ｑはハニカムボード、２１はｎ型電極、２
２はｐ型電極である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 代理人 大 岩 増 雄 （外２名） 第 図 第 図
ａＡｓ太陽電池単体の製造方法および最終構造を示す断
面構造図、第２図は、第１図の製造方法を利用した太陽
電池モジュールの一実施例を示す断面構造図、第３図は
従来の太陽電池モジュールの構造を示す断面図である。 図において、１１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、１２はｎ−
ＧａＡｓ層、１３はｐ−ＧａＡｓ層、１４はｐ−Ａｌ２
ＧａＡｓ窓層、１５は反射防止膜、１６は第１接着剤、
１７はカバーガラス、１８はインタコネクタ、１９は第
２接着剤、２Ｑはハニカムボード、２１はｎ型電極、２
２はｐ型電極である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 代理人 大 岩 増 雄 （外２名） 第 図 第 図
Claims (1)
- 段差を有する絶縁性、もしくは半絶縁性の基板の前記
段差以外の上部表面上に形成された第１導電型半導体結
晶層と、この第１導電型半導体結晶層と前記基板の段差
表面上に形成された第２導電型半導体結晶層と、互いに
隣り合う太陽電池単体との電気的接続のために前記第１
導電型半導体結晶層の露出表面から前記基板裏面の一部
にまで前記基板端面を這わせて形成された前記第１導電
型半導体結晶層のみを導通させる第１導電用電極と、前
記第２導電型半導体結晶層の露出表面から前記基板裏面
の一部にまで前記基板端面を這わせて形成された第２導
電型半導体結晶層のみを導通させる第２導電用電極とを
備えたことを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2105547A JPH043471A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2105547A JPH043471A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH043471A true JPH043471A (ja) | 1992-01-08 |
Family
ID=14410604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2105547A Pending JPH043471A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH043471A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5620904A (en) * | 1996-03-15 | 1997-04-15 | Evergreen Solar, Inc. | Methods for forming wraparound electrical contacts on solar cells |
| US20150243815A1 (en) * | 2008-10-23 | 2015-08-27 | Alta Devices, Inc. | Photovoltaic device with back side contacts |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP2105547A patent/JPH043471A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5620904A (en) * | 1996-03-15 | 1997-04-15 | Evergreen Solar, Inc. | Methods for forming wraparound electrical contacts on solar cells |
| US20150243815A1 (en) * | 2008-10-23 | 2015-08-27 | Alta Devices, Inc. | Photovoltaic device with back side contacts |
| US10797187B2 (en) * | 2008-10-23 | 2020-10-06 | Alta Devices, Inc. | Photovoltaic device with back side contacts |
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