JPS6140151B2 - - Google Patents
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- JPS6140151B2 JPS6140151B2 JP54061418A JP6141879A JPS6140151B2 JP S6140151 B2 JPS6140151 B2 JP S6140151B2 JP 54061418 A JP54061418 A JP 54061418A JP 6141879 A JP6141879 A JP 6141879A JP S6140151 B2 JPS6140151 B2 JP S6140151B2
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- semiconductor
- semiconductor device
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0475—PV cell arrays made by cells in a planar, e.g. repetitive, configuration on a single semiconductor substrate; PV cell microarrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/047—PV cell arrays including PV cells having multiple vertical junctions or multiple V-groove junctions formed in a semiconductor substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電磁放射線を電気エネルギーに変換
するため、多数の直列に配置した感光セルを含む
単結晶半導体本体を有し、各感光セルは第１導電
形式の第１領域を有し、第１領域を半導体本体内
で第２導電形式の第２領域によつて囲み、第１お
よび第２領域は電磁放射線が入射する半導体本体
の主表面と隣接しかつプレーナ感光ｐ−ｎ接合を
形成し、感光セールは第１導電形式の共通半導体
サブストレート上に配設し、かつ前記主表面から
サブストレートへ延在する条溝を介して互に分離
し、前記主表面上で感光セルの第１領域を隣接感
光セルの第２領域に導通可能な態様で接続する半
導体装置に関するものである。
するため、多数の直列に配置した感光セルを含む
単結晶半導体本体を有し、各感光セルは第１導電
形式の第１領域を有し、第１領域を半導体本体内
で第２導電形式の第２領域によつて囲み、第１お
よび第２領域は電磁放射線が入射する半導体本体
の主表面と隣接しかつプレーナ感光ｐ−ｎ接合を
形成し、感光セールは第１導電形式の共通半導体
サブストレート上に配設し、かつ前記主表面から
サブストレートへ延在する条溝を介して互に分離
し、前記主表面上で感光セルの第１領域を隣接感
光セルの第２領域に導通可能な態様で接続する半
導体装置に関するものである。
かかる半導体装置は英国特許第1010476号から
既知である。
既知である。
例えば無線またはラジオ技術および時計製造業
においては多くの場合、感光セルを例えば太陽電
池の形態で使用するのが有利である。個々の感光
セルは発生電圧が１ボルトより低いから、通常は
数個の感光セルを直列に接続配置することが所望
される。
においては多くの場合、感光セルを例えば太陽電
池の形態で使用するのが有利である。個々の感光
セルは発生電圧が１ボルトより低いから、通常は
数個の感光セルを直列に接続配置することが所望
される。
個々の感光セルは１個の絶縁支持部材上に配設
することができ、結線を施すことによつて直列に
接続することができる。かかる構成は導体の接着
の点についての難点と、通常は所望されるにも拘
らず感光表面が厳密に単一平面内に配置されない
という事実に起因する難点とがしばしば問題とな
る。
することができ、結線を施すことによつて直列に
接続することができる。かかる構成は導体の接着
の点についての難点と、通常は所望されるにも拘
らず感光表面が厳密に単一平面内に配置されない
という事実に起因する難点とがしばしば問題とな
る。
前記英国特許第1010476号から既知の半導体装
置は共通な共平面内感光表面を有する機械的に剛
固な単結晶構造を有するが、接続導体を条溝を介
して分離した比較的低度のドーピングを施した領
域と接触するようにするので、低オーミツク接触
の実現が難かしいだけでなく、不所望の直列抵抗
をも生じてしまう。更に、光子がサブストレート
内に入射して電荷キヤリアを発生し、その結果隣
接感光セルの間の電気的分離度が低下する。
置は共通な共平面内感光表面を有する機械的に剛
固な単結晶構造を有するが、接続導体を条溝を介
して分離した比較的低度のドーピングを施した領
域と接触するようにするので、低オーミツク接触
の実現が難かしいだけでなく、不所望の直列抵抗
をも生じてしまう。更に、光子がサブストレート
内に入射して電荷キヤリアを発生し、その結果隣
接感光セルの間の電気的分離度が低下する。
本発明の一つの目的は、上記既知の半導体装置
に附随する欠点を除去するかまたは大幅に軽減
し、感光セル相互間に良好適な電気的分離度を有
し、相互電気接続を簡単な態様で行うことのでき
る半導体装置を提供するにある。
に附随する欠点を除去するかまたは大幅に軽減
し、感光セル相互間に良好適な電気的分離度を有
し、相互電気接続を簡単な態様で行うことのでき
る半導体装置を提供するにある。
本発明の半導体装置は、各第２領域および前記
サブストレートの間に第２導電形式の高ドーピン
グ中間層が存在し、各感光セルの周縁部の少なく
とも一部を、前記主表面から条溝の壁部に沿つて
前記中間層に対し下方へ延在する第２導電形式の
高ドーピング半導体区域によつて囲み、第２導電
形式の前記高ドーピング半導体区域を隣接感光セ
ルに所属する第２導電形式の半導体区域から前記
サブストレートによつて分離するよう構成したこ
とを特徴とする。
サブストレートの間に第２導電形式の高ドーピン
グ中間層が存在し、各感光セルの周縁部の少なく
とも一部を、前記主表面から条溝の壁部に沿つて
前記中間層に対し下方へ延在する第２導電形式の
高ドーピング半導体区域によつて囲み、第２導電
形式の前記高ドーピング半導体区域を隣接感光セ
ルに所属する第２導電形式の半導体区域から前記
サブストレートによつて分離するよう構成したこ
とを特徴とする。
前記高度にドーピングを施した中間層が存在す
るため、光子は第２領域からサブストレートに入
射できず、従つて感光セル相互間において良好な
電気的分離が達成される。条溝の壁部に沿つて延
在する半導体区域は中間層と共に、第２領域との
低オーミツク電気接続部として作用し、かつ例え
ば浅い拡散により容易に配設することができ、こ
れに対し条溝が存在しない場合には深い拡散が必
要であり、かつ深い拡散には遥かに長時間を要す
る他、遥かに広いスペースを必要とする。
るため、光子は第２領域からサブストレートに入
射できず、従つて感光セル相互間において良好な
電気的分離が達成される。条溝の壁部に沿つて延
在する半導体区域は中間層と共に、第２領域との
低オーミツク電気接続部として作用し、かつ例え
ば浅い拡散により容易に配設することができ、こ
れに対し条溝が存在しない場合には深い拡散が必
要であり、かつ深い拡散には遥かに長時間を要す
る他、遥かに広いスペースを必要とする。
本発明による半導体装置の機械的および電気的
に高信頼性で完全な集積回路構造により、約35cm2
までの面積を有する半導体装置の製造が可能にな
る。
に高信頼性で完全な集積回路構造により、約35cm2
までの面積を有する半導体装置の製造が可能にな
る。
前記半導体区域は前記主表面の一部に沿つた延
設部を有するよう構成すると好適である。２個の
隣接感光セルは、その第１感光セルの第１領域お
よびその第２感光セルの半導体区域の前記延設部
と隣接する金属層を介して直列に配置するように
すると好適である。前記金属層は前記主表面上に
延設しかつ前記条溝の壁部および底部に沿つて延
設し、更に絶縁層により半導体表面から分離する
ようにするのが好適である。
設部を有するよう構成すると好適である。２個の
隣接感光セルは、その第１感光セルの第１領域お
よびその第２感光セルの半導体区域の前記延設部
と隣接する金属層を介して直列に配置するように
すると好適である。前記金属層は前記主表面上に
延設しかつ前記条溝の壁部および底部に沿つて延
設し、更に絶縁層により半導体表面から分離する
ようにするのが好適である。
本発明の重要な好適実施例においては、前記半
導体本体をシリコン板とし、その主表面が実際上
（100）方位を有し、かつ前記条溝の壁部が
（111）方位を有するようにする。既知のように、
かかるＶ字状条溝は、例えば水酸化カリウムを含
む選択エツチング液により極めて簡単な態様で得
ることができる。その場合条溝の壁部は、条溝壁
部および主表面の間の角度55゜（54゜50′）に実
際上対応する傾斜を有する。かかる傾斜と共に金
属層を、接続切断の可能性を付随することなく条
溝の縁部上に延設することが可能になる。
導体本体をシリコン板とし、その主表面が実際上
（100）方位を有し、かつ前記条溝の壁部が
（111）方位を有するようにする。既知のように、
かかるＶ字状条溝は、例えば水酸化カリウムを含
む選択エツチング液により極めて簡単な態様で得
ることができる。その場合条溝の壁部は、条溝壁
部および主表面の間の角度55゜（54゜50′）に実
際上対応する傾斜を有する。かかる傾斜と共に金
属層を、接続切断の可能性を付随することなく条
溝の縁部上に延設することが可能になる。
結晶格子の（100）面において例えばKOHを含
むエツチング剤と共に条溝の化学的エツチングを
行う場合、前記表面に垂直な方向におけるエツチ
ング速度が前記表面に平行な方向におけるエツチ
ング速度よりかなり大きいから、エツチング用窓
または開口の深さおよび寸法が同一であれば得ら
れる条溝は、例えば結晶格子の（111）面に従つ
て延在する表面に配設される条溝に比べ幅が狭く
なる。これにより、重大なスペースの節減が達成
される。
むエツチング剤と共に条溝の化学的エツチングを
行う場合、前記表面に垂直な方向におけるエツチ
ング速度が前記表面に平行な方向におけるエツチ
ング速度よりかなり大きいから、エツチング用窓
または開口の深さおよび寸法が同一であれば得ら
れる条溝は、例えば結晶格子の（111）面に従つ
て延在する表面に配設される条溝に比べ幅が狭く
なる。これにより、重大なスペースの節減が達成
される。
図面につき本発明を説明する。
第１図に示したモノリシツク半導体装置は半導
体板１の主表面１ａに隣接する数個の感光セル１
０を備え、光は主表面１ａを介して入射する。感
光セル１０は第１導電形式の板状部材１１上に配
設し、この板状部材１１は感光セル１０の共通サ
ブストレートを構成する。
体板１の主表面１ａに隣接する数個の感光セル１
０を備え、光は主表面１ａを介して入射する。感
光セル１０は第１導電形式の板状部材１１上に配
設し、この板状部材１１は感光セル１０の共通サ
ブストレートを構成する。
各感光セル１０は第１導電形式の第１領域１２
を備え、第１領域１２は半導体本体内で第２導電
形式の第２領域１３によつて囲まれる。第１およ
び第２領域１２および１３は主表面１ａと隣接す
る。第１および第２領域１２および１３はそのイ
ンターフエース部においてプレーナ感光接合Ｊを
規定する。本発明では第２領域１３およびサブス
トレート１１の間に高度にドーピングを施した第
２導電形式の中間層１４を配設する。
を備え、第１領域１２は半導体本体内で第２導電
形式の第２領域１３によつて囲まれる。第１およ
び第２領域１２および１３は主表面１ａと隣接す
る。第１および第２領域１２および１３はそのイ
ンターフエース部においてプレーナ感光接合Ｊを
規定する。本発明では第２領域１３およびサブス
トレート１１の間に高度にドーピングを施した第
２導電形式の中間層１４を配設する。
ここで上記用語“高度にドーピングを施した即
ち高ドーピング”とは、少なくとも1019原子／cm3
のドーピング濃度を意味しており、その結果中間
層１４の半導体材料は著しい導電性を有する。
ち高ドーピング”とは、少なくとも1019原子／cm3
のドーピング濃度を意味しており、その結果中間
層１４の半導体材料は著しい導電性を有する。
各感光セル１０の横方向境界を主表面１ａから
サブストレート１１に延在する条溝１５によつて
規定する。
サブストレート１１に延在する条溝１５によつて
規定する。
本発明では更に、各感光セル１０の周縁の少な
くとも一部を、主表面１ａの条溝１５に対応する
１５ａに沿つて中間層１４の方へ下方に延在する
高度にドーピングを施した第２導電形式の半導体
区域１６によつて囲み、半導体区域１６は隣接感
光セルに所属する半導体区域１６からサブストレ
ート１１を介して分離する。
くとも一部を、主表面１ａの条溝１５に対応する
１５ａに沿つて中間層１４の方へ下方に延在する
高度にドーピングを施した第２導電形式の半導体
区域１６によつて囲み、半導体区域１６は隣接感
光セルに所属する半導体区域１６からサブストレ
ート１１を介して分離する。
感光セルは、当該感光セルの第１領域１２上の
接触区域１８から他の感光セルの半導体区域１６
上に存在する他の接触区域１９まで延在する導電
層１７を介して直列接続され、導電層１７は絶縁
層２２により半導体表面から分離する。半導体区
域１６は条溝１５の壁部１５ａと隣接するから、
条溝１５の壁部１５ａ上に接触区域を配設するこ
とは原理的には可能であるが、傾斜表面上に窓を
設けることは難かしいから、主表面上即ち半導体
区域１６の延設部上に接触区域１９を形成する方
が遥かに好適である。
接触区域１８から他の感光セルの半導体区域１６
上に存在する他の接触区域１９まで延在する導電
層１７を介して直列接続され、導電層１７は絶縁
層２２により半導体表面から分離する。半導体区
域１６は条溝１５の壁部１５ａと隣接するから、
条溝１５の壁部１５ａ上に接触区域を配設するこ
とは原理的には可能であるが、傾斜表面上に窓を
設けることは難かしいから、主表面上即ち半導体
区域１６の延設部上に接触区域１９を形成する方
が遥かに好適である。
他の形態においては半導体区域１６は感光セル
を完全に囲む必要はなく、また第１図に示す如く
半導体区域１６を中間層１４を越える深さに延設
する必要もない。
を完全に囲む必要はなく、また第１図に示す如く
半導体区域１６を中間層１４を越える深さに延設
する必要もない。
第１図に示した半導体装置を製造するための出
発材料は単結晶シリコン・サブストレート１１で
あり、その厚さは約300ミクロンでありかつの表
面は結晶格子の（100）面に平行であり、サブス
トレート１１は例えばｎ導電形で、その抵抗率は
0.1〜１Ωcmである。
発材料は単結晶シリコン・サブストレート１１で
あり、その厚さは約300ミクロンでありかつの表
面は結晶格子の（100）面に平行であり、サブス
トレート１１は例えばｎ導電形で、その抵抗率は
0.1〜１Ωcmである。
拡散または硼素注入を介してサブストレート１
１の表面上にP+導電区域１１４を形成し、その
場合硼素濃度は約1019原子／cm3とし、導電区域１
１４の厚さは２〜３ミクロンとする。
１の表面上にP+導電区域１１４を形成し、その
場合硼素濃度は約1019原子／cm3とし、導電区域１
１４の厚さは２〜３ミクロンとする。
次いで導電区域１１４上にドーピング濃度1015
〜1016原子／cm3および厚さ15〜20ミクロンを有す
るＰ導電形エピタキシヤル層１１３を配設する。
〜1016原子／cm3および厚さ15〜20ミクロンを有す
るＰ導電形エピタキシヤル層１１３を配設する。
エピタキシヤル層１１３には厚さ0.2〜0.5ミク
ロンの酸化シリコン層２０を被着する。
ロンの酸化シリコン層２０を被着する。
かかる態様で得た半導体板１を第２ａ図に示
す。
す。
酸化シリコン層２０に配設した幅50〜100ミク
ロンを有する開口を介して、作製すべき感光セル
１０の横方向境界を規定する条溝１５を化学的エ
ツチングにより半導体板１に形成する。条溝１５
はサブストレート１１内に延設し、本例ではサブ
ストレート１１内に位置する平坦底部を有する。
ロンを有する開口を介して、作製すべき感光セル
１０の横方向境界を規定する条溝１５を化学的エ
ツチングにより半導体板１に形成する。条溝１５
はサブストレート１１内に延設し、本例ではサブ
ストレート１１内に位置する平坦底部を有する。
条溝１５の壁部１５ａは半導体板１の主表面１
ａに対し傾斜角α＝54゜50′をする。この角度54
゜50′は結晶格子の（100）面および（111）面の
間の角度に対応する。
ａに対し傾斜角α＝54゜50′をする。この角度54
゜50′は結晶格子の（100）面および（111）面の
間の角度に対応する。
酸化シリコン層２０の下に生ずるアンダーカツ
テイングは、結晶格子の（100）面による主表面
１ａの方位に起因して小さい。
テイングは、結晶格子の（100）面による主表面
１ａの方位に起因して小さい。
ここまでの製造状態を第２ｂ図に示す。
次いで、条溝１５の底部および製造すべき感光
セルの上側表面の一部を保護する新鮮な酸化シリ
コン・マスク２１を形成し、然る後例えば拡散に
より硼素でドーピングしたP+導電形半導体区域
１６を配設し、その硼素濃度を1019硼素原子／cm3
としかつその厚さを１〜２ミクロンとする（第２
ｃ図参図）。
セルの上側表面の一部を保護する新鮮な酸化シリ
コン・マスク２１を形成し、然る後例えば拡散に
より硼素でドーピングしたP+導電形半導体区域
１６を配設し、その硼素濃度を1019硼素原子／cm3
としかつその厚さを１〜２ミクロンとする（第２
ｃ図参図）。
次いで、上記構体上に形成した別の酸化シリコ
ン・マスク２２により、露光された半導体板１の
主表面１ａにおいて感光セルのN+導電形第１領
域１２が形成される表面部分を残存させるように
する（第２ｄ図参照）。これは燐を厚さ0.5ミクロ
ンにわたり拡散することによつて行うことができ
る第１領域１２の面抵抗は例えば30〜50Ω/cm2と
する。
ン・マスク２２により、露光された半導体板１の
主表面１ａにおいて感光セルのN+導電形第１領
域１２が形成される表面部分を残存させるように
する（第２ｄ図参照）。これは燐を厚さ0.5ミクロ
ンにわたり拡散することによつて行うことができ
る第１領域１２の面抵抗は例えば30〜50Ω/cm2と
する。
半導体板１の光による再度の酸化後、各感光セ
ルの上側表面上のマスク層２２において第１領域
１２および半導体区域１６上に接触部材用窓１８
および１９を配設し、然る後導体層１７を例えば
アルミニウム層の蒸着およびエツチングにより配
設して感光セルを互に直列に接続する。このよう
にして得た半導体装置を第２ｅ図に示す。
ルの上側表面上のマスク層２２において第１領域
１２および半導体区域１６上に接触部材用窓１８
および１９を配設し、然る後導体層１７を例えば
アルミニウム層の蒸着およびエツチングにより配
設して感光セルを互に直列に接続する。このよう
にして得た半導体装置を第２ｅ図に示す。
上記の例ではサブストレート１１はＮ導電形で
あり、第１領域１２はN+導電形であり、第２領
域１３はＰ導電形であり、中間層１４はP+導電
形であり、半導体区域１６もP+導電形である。
本発明は反対導電形式の場合にも使用することが
でき、その場合Ｐ導電形サブストレート１１、
P+導電形第１領域１２、Ｎ導電形第２領域１
３、N+導電形中間層１４およびN+導電形半導体
区域１６を備える。絶縁層２２は酸化物層に代え
他の任意の絶縁層とすることができ、例えば窒化
シリコン層または合成絶縁層とすることができ
る。
あり、第１領域１２はN+導電形であり、第２領
域１３はＰ導電形であり、中間層１４はP+導電
形であり、半導体区域１６もP+導電形である。
本発明は反対導電形式の場合にも使用することが
でき、その場合Ｐ導電形サブストレート１１、
P+導電形第１領域１２、Ｎ導電形第２領域１
３、N+導電形中間層１４およびN+導電形半導体
区域１６を備える。絶縁層２２は酸化物層に代え
他の任意の絶縁層とすることができ、例えば窒化
シリコン層または合成絶縁層とすることができ
る。
第１図は本発明の実施例として直列接続配置し
た感光セルを有するモノリツク半導体装置を示す
要部断面図、第２ａ〜２ｅ図は第１図の実施例を
製造段階順に示す断面図である。 １……半導体板、１ａ……主表面、１０……感
光セル、１１……サブストレート、１２……第１
領域、１３……第２領域、１４……高ドーピング
中間層、１５……条溝、１５ａ……壁部、１６…
…高ドーピング半導体区域、１７……導電層、１
８，１９……接触区域、２０……酸化シリコン、
２１……酸化シリコン・マスク、２２……絶縁
層、Ｊ……プレーナ感光接合、１１３……エピタ
キシヤル層、１１４……導電区域。
た感光セルを有するモノリツク半導体装置を示す
要部断面図、第２ａ〜２ｅ図は第１図の実施例を
製造段階順に示す断面図である。 １……半導体板、１ａ……主表面、１０……感
光セル、１１……サブストレート、１２……第１
領域、１３……第２領域、１４……高ドーピング
中間層、１５……条溝、１５ａ……壁部、１６…
…高ドーピング半導体区域、１７……導電層、１
８，１９……接触区域、２０……酸化シリコン、
２１……酸化シリコン・マスク、２２……絶縁
層、Ｊ……プレーナ感光接合、１１３……エピタ
キシヤル層、１１４……導電区域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電磁放射線を電気エネルギーに変換するた
め、多数の直列に配置した感光セルを含む単結晶
半導体本体を有し、各感光セルは第１導電形式の
第１領域を有し、第１領域は半導体本体内で第２
導電形式の第２領域によつて囲み、第１および第
２領域は電磁放射線が入射する半導体本体の主表
面と隣接しかつプレーナ感光ｐ−ｎ接合を形成
し、感光セルは第１導電形式の共通半導体サブス
トレート上に配設し、かつ前記主表面から前記サ
ブストレートへ延在する条溝を介して互に分離
し、前記主表面上で感光セルの第１領域を隣接感
光セルの第２領域に導通可能な態様で接続する半
導体装置において、各第２領域および前記サブス
トレートの間に第２導電形式の高ドーピング中間
層が存在し、各感光セルの周縁部の少なくとも一
部を、前記主表面から条溝の壁部に沿つて前記中
間層に対し下方へ延在する第２導電形式の高ドー
ピング半導体区域によつて囲み、第２導電形式の
前記高ドーピング半導体区域を隣接感光セルに所
属する第２導電形式の半導体区域から前記サブス
トレートによつて分離するよう構成したことを特
徴とする半導体装置。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の半導体装置にお
いて、第２導電形式の前記半導体区域が前記主表
面の一部に沿つた延設部を有するよう構成したこ
とを特徴とする半導体装置。 ３ 特許請求の範囲第２項記載の半導体装置にお
いて、各隣接感光セル対を、その第１感光セルの
第１領域およびその第２感光セルの半導体区域の
前記延設部と隣接する金属層を介して直列に配置
するよう構成したことを特徴とする半導体装置。 ４ 特許請求の範囲第３項記載の半導体装置にお
いて、前記金属層を前記主表面上に延設しかつ前
記条溝の壁部および底部に沿つて延設し、更に絶
縁層により半導体表面から分離するよう構成した
ことを特徴とする半導体装置。 ５ 特許請求の範囲第１〜４項中の一項に記載の
半導体装置において、前記半導体本体をシリコン
板とし、その主表面が実際上（100）方位を有
し、かつ前記条溝の壁部が（111）方位を有する
構成としたことを特徴とする半導体装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7814890A FR2426335A1 (fr) | 1978-05-19 | 1978-05-19 | Dispositif semi-conducteur monolithique comportant une pluralite de cellules photosensibles |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54152881A JPS54152881A (en) | 1979-12-01 |
| JPS6140151B2 true JPS6140151B2 (ja) | 1986-09-08 |
Family
ID=9208458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6141879A Granted JPS54152881A (en) | 1978-05-19 | 1979-05-17 | Semiconductor device |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4219368A (ja) |
| JP (1) | JPS54152881A (ja) |
| CA (1) | CA1128181A (ja) |
| DE (1) | DE2920108A1 (ja) |
| FR (1) | FR2426335A1 (ja) |
| GB (1) | GB2030001B (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4278473A (en) * | 1979-08-24 | 1981-07-14 | Varian Associates, Inc. | Monolithic series-connected solar cell |
| DE3038910A1 (de) * | 1980-10-15 | 1986-06-19 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zur herstellung eines infrarotempfindlichen silizium-substrats mit integrierter verarbeitungselektronik |
| US4431858A (en) * | 1982-05-12 | 1984-02-14 | University Of Florida | Method of making quasi-grain boundary-free polycrystalline solar cell structure and solar cell structure obtained thereby |
| US4694561A (en) * | 1984-11-30 | 1987-09-22 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Method of making high-performance trench capacitors for DRAM cells |
| JPH0831617B2 (ja) * | 1990-04-18 | 1996-03-27 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
| US5639314A (en) * | 1993-06-29 | 1997-06-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device including plural interconnected photoelectric cells, and method of making the same |
| DE19730329C2 (de) * | 1997-07-15 | 2001-02-15 | Siemens Ag | Integriertes Fotozellenarray mit PN-Isolation |
| US7709921B2 (en) | 2008-08-27 | 2010-05-04 | Udt Sensors, Inc. | Photodiode and photodiode array with improved performance characteristics |
| US8686529B2 (en) * | 2010-01-19 | 2014-04-01 | Osi Optoelectronics, Inc. | Wavelength sensitive sensor photodiodes |
| US8519503B2 (en) | 2006-06-05 | 2013-08-27 | Osi Optoelectronics, Inc. | High speed backside illuminated, front side contact photodiode array |
| JP2005045125A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出素子の製造方法 |
| WO2005060011A1 (ja) * | 2003-12-16 | 2005-06-30 | National University Corporation Shizuoka University | 広域エネルギーレンジ放射線検出器及び製造方法 |
| US20110108081A1 (en) * | 2006-12-20 | 2011-05-12 | Jds Uniphase Corporation | Photovoltaic Power Converter |
| MX2011002852A (es) | 2008-09-15 | 2011-08-17 | Udt Sensors Inc | Fotodiodo de espina de capa activa delgada con una capa n+ superficial y metodo para fabricacion del mismo. |
| US8633374B2 (en) * | 2008-12-18 | 2014-01-21 | Gtat Corporation | Photovoltaic cell comprising contact regions doped through a lamina |
| US8399909B2 (en) | 2009-05-12 | 2013-03-19 | Osi Optoelectronics, Inc. | Tetra-lateral position sensing detector |
| US8101451B1 (en) * | 2010-12-29 | 2012-01-24 | Twin Creeks Technologies, Inc. | Method to form a device including an annealed lamina and having amorphous silicon on opposing faces |
| US8912615B2 (en) | 2013-01-24 | 2014-12-16 | Osi Optoelectronics, Inc. | Shallow junction photodiode for detecting short wavelength light |
| FR3006107B1 (fr) * | 2013-05-22 | 2015-06-26 | Electricite De France | Procede de fabrication d'un systeme photovoltaique a concentration de lumiere |
| CN107615425B (zh) * | 2015-08-06 | 2019-12-17 | 株式会社藤仓 | 光电转换元件 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1010476A (en) * | 1962-01-15 | 1965-11-17 | Secr Aviation | Improved photo-electric generators |
| US3546542A (en) * | 1967-01-30 | 1970-12-08 | Westinghouse Electric Corp | Integrated high voltage solar cell panel |
| US3994012A (en) * | 1975-05-07 | 1976-11-23 | The Regents Of The University Of Minnesota | Photovoltaic semi-conductor devices |
| US4110122A (en) * | 1976-05-26 | 1978-08-29 | Massachusetts Institute Of Technology | High-intensity, solid-state-solar cell device |
| GB1553356A (en) * | 1976-12-27 | 1979-09-26 | Hamasawa Kogyo Kk | Solar battery |
| US4156309A (en) * | 1977-12-23 | 1979-05-29 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method of construction of a multi-cell solar array |
-
1978
- 1978-05-19 FR FR7814890A patent/FR2426335A1/fr active Granted
-
1979
- 1979-05-10 US US06/037,784 patent/US4219368A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-05-10 CA CA327,400A patent/CA1128181A/en not_active Expired
- 1979-05-16 GB GB7917123A patent/GB2030001B/en not_active Expired
- 1979-05-17 JP JP6141879A patent/JPS54152881A/ja active Granted
- 1979-05-18 DE DE19792920108 patent/DE2920108A1/de not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4219368A (en) | 1980-08-26 |
| JPS54152881A (en) | 1979-12-01 |
| FR2426335B1 (ja) | 1980-09-19 |
| FR2426335A1 (fr) | 1979-12-14 |
| GB2030001B (en) | 1982-06-30 |
| GB2030001A (en) | 1980-03-26 |
| DE2920108A1 (de) | 1979-11-22 |
| CA1128181A (en) | 1982-07-20 |
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