JPS62221166A - ＧａＡｓ太陽電池 - Google Patents
ＧａＡｓ太陽電池Info
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- JPS62221166A JPS62221166A JP61066142A JP6614286A JPS62221166A JP S62221166 A JPS62221166 A JP S62221166A JP 61066142 A JP61066142 A JP 61066142A JP 6614286 A JP6614286 A JP 6614286A JP S62221166 A JPS62221166 A JP S62221166A
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- electrode
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Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は通信衛星などの各種電源に使用されるＧ ａ
Ａ ｓ太陽電池に関し、特にそのクエハを個々のセル
に分割する際に適したＧａＡｓ太陽電池のパターン構造
に関するものである。
Ａ ｓ太陽電池に関し、特にそのクエハを個々のセル
に分割する際に適したＧａＡｓ太陽電池のパターン構造
に関するものである。
近年、ＧａＡｓ太陽電池は光電変換効率の向上に伴って
クリーンなエネルギー源として民生用０機器用に製品化
が急速に進められつつある。
クリーンなエネルギー源として民生用０機器用に製品化
が急速に進められつつある。
第３図（ａ）および申）に従来のＧａＡｓ太陽電池クエ
へり正面図および同図（ａ）のト」線断面図を示して、
その製造工程を第３図を参照して説明する。
へり正面図および同図（ａ）のト」線断面図を示して、
その製造工程を第３図を参照して説明する。
これは、第３図に示すように、キャリア濃度〜１０／ｍ
、基板厚み３ｏｏミクロン程度の片面ミラー仕上したＧ
ａ Ａ ｓ単結晶基板をｎ型ＧａＡｓ、７板１として
用い、とのＧａＡｓ基板１の一方の主表面に周知の液相
エピタキシャル成長法によυ高比抵抗をもつｎ−型Ｇ
ａ Ａ ｓ層２を形成する。次に、このｎ−型Ｇ ａ
Ａ ｓ層２の表面に周知の液相エピタキシャル成長法で
低比抵抗をもつｐ型ＧａＡｓ層３をｐ型拡散層として形
成するとともに、このＧ ａ Ａ ｓ層３上に同様の液
相エピタキシャル成長法にてｐ型ＡｌＧａＡｓ層４を形
成する。
、基板厚み３ｏｏミクロン程度の片面ミラー仕上したＧ
ａ Ａ ｓ単結晶基板をｎ型ＧａＡｓ、７板１として
用い、とのＧａＡｓ基板１の一方の主表面に周知の液相
エピタキシャル成長法によυ高比抵抗をもつｎ−型Ｇ
ａ Ａ ｓ層２を形成する。次に、このｎ−型Ｇ ａ
Ａ ｓ層２の表面に周知の液相エピタキシャル成長法で
低比抵抗をもつｐ型ＧａＡｓ層３をｐ型拡散層として形
成するとともに、このＧ ａ Ａ ｓ層３上に同様の液
相エピタキシャル成長法にてｐ型ＡｌＧａＡｓ層４を形
成する。
次いで、前記ｐ型ＡＪＧａＡｓ層４の表面に常圧ＣＶＤ
法により窒化膜などの反射防止膜５を数百オングストロ
ーム程度に形成したうえ、この反射防止膜５上にレジス
ト（図示せず）を塗布する。
法により窒化膜などの反射防止膜５を数百オングストロ
ーム程度に形成したうえ、この反射防止膜５上にレジス
ト（図示せず）を塗布する。
そして、このレジスト塗布膜を写真製版技術でパターニ
ングして選択的に開孔部を施し、その開孔部に相当する
反射防止膜をプラズマエツチング法によシ除去し、さら
に弗酸系のエツチング液で下部のｐ型ＡｌＧａＡｓ／％
を取シ除く。続いて、この露出したコンタクトホール部
分のｐ型ＧａＡｓ１３の表面にスパッタ法または蒸着法
によりＴｉ／Ａｔなどからなるｐ側金属電極６を形成し
た後、この金Ｍ’に極６を写真製版技術と化学エッチ法
で選択的にバターニングする。これによシ、第３図に示
すように、各グリッド７−１が互いに平行して等間隔に
形成されたグリッド電極部７と、このグリッド電極部７
の一端側に形成されたバー電極部８から表面電極を各セ
ルごとに形成する。
ングして選択的に開孔部を施し、その開孔部に相当する
反射防止膜をプラズマエツチング法によシ除去し、さら
に弗酸系のエツチング液で下部のｐ型ＡｌＧａＡｓ／％
を取シ除く。続いて、この露出したコンタクトホール部
分のｐ型ＧａＡｓ１３の表面にスパッタ法または蒸着法
によりＴｉ／Ａｔなどからなるｐ側金属電極６を形成し
た後、この金Ｍ’に極６を写真製版技術と化学エッチ法
で選択的にバターニングする。これによシ、第３図に示
すように、各グリッド７−１が互いに平行して等間隔に
形成されたグリッド電極部７と、このグリッド電極部７
の一端側に形成されたバー電極部８から表面電極を各セ
ルごとに形成する。
次いで、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板１の裏面の全面にスパ
ッタ法または蒸着法により ＡｕＧｅ／Ｎ ｉ／Ａｕ
／Ａｌなどからなるｎ側金属電極９を形成し、上記各電
極形成後、当該基板を例えば４００〜５００℃の電気炉
に入れて電気的なオーミック性を良好にする。
ッタ法または蒸着法により ＡｕＧｅ／Ｎ ｉ／Ａｕ
／Ａｌなどからなるｎ側金属電極９を形成し、上記各電
極形成後、当該基板を例えば４００〜５００℃の電気炉
に入れて電気的なオーミック性を良好にする。
しかる後、このようにして形成されたＧａＡｓ太陽電池
ウェハを、図示する点線で示す切断箇所１１＆１つてダ
イシングソーにてそれぞれ切断することによシ、個々の
Ｇ ａ Ａ ｓ太陽電池セルを分割するのである。
ウェハを、図示する点線で示す切断箇所１１＆１つてダ
イシングソーにてそれぞれ切断することによシ、個々の
Ｇ ａ Ａ ｓ太陽電池セルを分割するのである。
しかし、かかる従来のＧ ａ Ａ ｓ太陽電池は、俯３
図に示すように、各セルのパターンが画一化されておシ
、受光面積部分つまシセル周辺部に欠陥層１０が１箇所
でもあると、電気的特性および外観検査工程において不
良セルとなシ、セル歩留を著しく低下させるという問題
点があった。
図に示すように、各セルのパターンが画一化されておシ
、受光面積部分つまシセル周辺部に欠陥層１０が１箇所
でもあると、電気的特性および外観検査工程において不
良セルとなシ、セル歩留を著しく低下させるという問題
点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、ＧａＡｓ太陽電池の受光面積部に欠陥層が
あってもその欠陥層を避けてダイシングを可能にするこ
とによシ、セル歩留を大幅に向上させることを目的とす
る。
れたもので、ＧａＡｓ太陽電池の受光面積部に欠陥層が
あってもその欠陥層を避けてダイシングを可能にするこ
とによシ、セル歩留を大幅に向上させることを目的とす
る。
この発明に係るＧ ａ Ａ ｓ太陽電池は、ｎ型ＧａＡ
ｓ基板の一方の主表面に形成された高比抵抗をもつｎ型
Ｇ ａ Ａ ｓ層と、このＧ ａ Ａ ｓ層の表面に順
次形成されたそれぞれｐ型を有する低比抵抗のＧａＡｓ
層およびＡｌＧａＡｓ層と、このＡｌＧａＡｓ層上の表
面に選択的に形成された反射防止膜と、前記ｐ型のＧ
ａ Ａ ｓ層上の表面に、前記反射防止膜に対応した前
記ＡＪＧａＡｓ層の領域を除いて形成された第１の金属
電極と、前記Ｇ ａ Ａ ｓ基板の裏面に形成された第
２の金属電極とから構成されるＧａＡｓ太陽電池におい
て、前記第１の金ｇ′Ｎ、極は、受光領域に対して複数
個のグリッドが互いに平行して等間隔に形成されたグリ
ッド電極部と、前記各グリッドの一端側に、該各グリッ
ドの配列方向と直交する方向に配設されるとともに、前
記各グリッドの中央部に位置する箇所にそれぞれ設けら
れた前記ｌＧａＡｓ層を含む反射防止膜を介して各々の
グリッドを連結すべく形成されたバー電極部から構成し
たものである。
ｓ基板の一方の主表面に形成された高比抵抗をもつｎ型
Ｇ ａ Ａ ｓ層と、このＧ ａ Ａ ｓ層の表面に順
次形成されたそれぞれｐ型を有する低比抵抗のＧａＡｓ
層およびＡｌＧａＡｓ層と、このＡｌＧａＡｓ層上の表
面に選択的に形成された反射防止膜と、前記ｐ型のＧ
ａ Ａ ｓ層上の表面に、前記反射防止膜に対応した前
記ＡＪＧａＡｓ層の領域を除いて形成された第１の金属
電極と、前記Ｇ ａ Ａ ｓ基板の裏面に形成された第
２の金属電極とから構成されるＧａＡｓ太陽電池におい
て、前記第１の金ｇ′Ｎ、極は、受光領域に対して複数
個のグリッドが互いに平行して等間隔に形成されたグリ
ッド電極部と、前記各グリッドの一端側に、該各グリッ
ドの配列方向と直交する方向に配設されるとともに、前
記各グリッドの中央部に位置する箇所にそれぞれ設けら
れた前記ｌＧａＡｓ層を含む反射防止膜を介して各々の
グリッドを連結すべく形成されたバー電極部から構成し
たものである。
〔作用〕
この発明においては、Ｇ ａ Ａ ｓ太陽電池の複数個
のグリッドを同電位にするためのバー電極部を連結状に
形成するとともに１該バー’＋ｔ ｔｏ部の各々のグリ
ッドとグリッドの中央部に位置する箇所にそれぞれ等間
隔にｐ型ＡＡ！ＧａＡｓ層と反射防止膜を残した状態で
金属電極を表面電極として形成することＫよシ、従来の
ようにセルパターンが画一化されることはなくなる。こ
れによって、受光面積部分に欠陥層があっても、その欠
陥ハ１を避けて希望するセルサイズでダイシングを行う
ことかできる。
のグリッドを同電位にするためのバー電極部を連結状に
形成するとともに１該バー’＋ｔ ｔｏ部の各々のグリ
ッドとグリッドの中央部に位置する箇所にそれぞれ等間
隔にｐ型ＡＡ！ＧａＡｓ層と反射防止膜を残した状態で
金属電極を表面電極として形成することＫよシ、従来の
ようにセルパターンが画一化されることはなくなる。こ
れによって、受光面積部分に欠陥層があっても、その欠
陥ハ１を避けて希望するセルサイズでダイシングを行う
ことかできる。
第１図（ａ）および（ｂ）はこの発明の一笑施例會示す
ＧａＡｓ太陽電池ウェハの正面図および同図（ａ）のＩ
−■線断面図である。
ＧａＡｓ太陽電池ウェハの正面図および同図（ａ）のＩ
−■線断面図である。
この実施例では、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板１上に、従来
と同様の液相エピタキシャル成長法で高比抵抗をもつｎ
−型Ｇ ａ Ａ ｓ層２を形成するとともに、低比抵抗
のｐ型ＧａＡｓ層３およびｐ型ＡＩ Ｇ ａ Ａ ｓ層
４をそれぞれ析出させて順次形成する。そして、このｐ
型ＡＡ！ＧａＡｓ層４上の表面に輪圧ＣＶＤ法にて反射
防止ｊ１５を数百オングストローム程度形成する。なお
、この反射防止膜５の形成工程までは上述した第３図に
示す従来例と同様である。
と同様の液相エピタキシャル成長法で高比抵抗をもつｎ
−型Ｇ ａ Ａ ｓ層２を形成するとともに、低比抵抗
のｐ型ＧａＡｓ層３およびｐ型ＡＩ Ｇ ａ Ａ ｓ層
４をそれぞれ析出させて順次形成する。そして、このｐ
型ＡＡ！ＧａＡｓ層４上の表面に輪圧ＣＶＤ法にて反射
防止ｊ１５を数百オングストローム程度形成する。なお
、この反射防止膜５の形成工程までは上述した第３図に
示す従来例と同様である。
次いで、反射防止膜形成後の写真製版においてその反射
防止膜５上の表面にレジストを塗布し、このレジスト塗
布膜をパターニングして選択的に開孔部を施したうえ、
その開孔部に相当する反射防止膜をプラズマエツチング
によシ除去するとともに、弗酸系のエツチング液でその
下部のｐ型Ａ７ＧａＡｓ層を取り除く。しかる後、この
露出したコンタクトホール部分のｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層
３の表面にスパッタ法または蒸着法によ＃）ｐ細金属電
極６を形成し、この金属電極６を写真製版技術と化学エ
ッチ法にて部分的にパターニングする。これにより、第
１図に示すように、各セルの受光領域に対して複数個の
グリッド７−１が互いに平行して等間隔に形成されたグ
リッド電極部７と、これらグリッド１１の一端側におい
てその配列方向と直交する方向に、各々のグリッド７−
１の中央部に位置する箇所にそれぞれ等間隔を保って残
存しである数百ミクロンの幅を有するｐ型ＡＪＧａＡｓ
層４ａおよび反射防止膜５ａを介して連結状に形成され
たパー電極部８Ａとからｐ細金属電極６が表面電極とし
て形成される。
防止膜５上の表面にレジストを塗布し、このレジスト塗
布膜をパターニングして選択的に開孔部を施したうえ、
その開孔部に相当する反射防止膜をプラズマエツチング
によシ除去するとともに、弗酸系のエツチング液でその
下部のｐ型Ａ７ＧａＡｓ層を取り除く。しかる後、この
露出したコンタクトホール部分のｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層
３の表面にスパッタ法または蒸着法によ＃）ｐ細金属電
極６を形成し、この金属電極６を写真製版技術と化学エ
ッチ法にて部分的にパターニングする。これにより、第
１図に示すように、各セルの受光領域に対して複数個の
グリッド７−１が互いに平行して等間隔に形成されたグ
リッド電極部７と、これらグリッド１１の一端側におい
てその配列方向と直交する方向に、各々のグリッド７−
１の中央部に位置する箇所にそれぞれ等間隔を保って残
存しである数百ミクロンの幅を有するｐ型ＡＪＧａＡｓ
層４ａおよび反射防止膜５ａを介して連結状に形成され
たパー電極部８Ａとからｐ細金属電極６が表面電極とし
て形成される。
次いで、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面の全面にスパッタ法
または蒸着法によりＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ／Ａｔなどから
なるｎ側金属電極９を形成したうえ、これら電極形成後
、４００〜５００℃の電気炉の中で３０分程度シンクし
て電極のオーミック性を良好にする。しかる後、このよ
うにして形成されたＧａＡｓ太陽電池ウェハを、図示す
る点線で示す切断箇所１１に泊ってグイシングツ−にて
それぞれ切断することにより、個々のＧａＡｓ太陽電池
セルに分割することができる。なお、図中、同一符号は
同一または相当部分を示している。
または蒸着法によりＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ／Ａｔなどから
なるｎ側金属電極９を形成したうえ、これら電極形成後
、４００〜５００℃の電気炉の中で３０分程度シンクし
て電極のオーミック性を良好にする。しかる後、このよ
うにして形成されたＧａＡｓ太陽電池ウェハを、図示す
る点線で示す切断箇所１１に泊ってグイシングツ−にて
それぞれ切断することにより、個々のＧａＡｓ太陽電池
セルに分割することができる。なお、図中、同一符号は
同一または相当部分を示している。
したがって、本発明によるときは、ｐ細金属電極６を形
成するパー電極部８Ａが各セルごとに分離されず連結さ
れているため、その受光面積部に欠陥層１０があっても
それを避けてグイシングツ−にて切断でき、ＧａＡｓ太
陽電池のセル数を効率良く取ることができる。例えば、
ＧａＡｓ太陽電池のダイシング工程において、１セルの
周辺部に欠陥層１０などがある場合、第３図に示す従来
のものでは１個のセルしか製品化できなかったが、第１
図の本発明の構造であれば２個製品にすることができる
。また、各電極セルを連結、配線し、電気的にも同電位
を保つことができるため、ＧａＡｓ太陽電池の大面積化
がはかれ、かつ組立も容易になる利点を奏する。
成するパー電極部８Ａが各セルごとに分離されず連結さ
れているため、その受光面積部に欠陥層１０があっても
それを避けてグイシングツ−にて切断でき、ＧａＡｓ太
陽電池のセル数を効率良く取ることができる。例えば、
ＧａＡｓ太陽電池のダイシング工程において、１セルの
周辺部に欠陥層１０などがある場合、第３図に示す従来
のものでは１個のセルしか製品化できなかったが、第１
図の本発明の構造であれば２個製品にすることができる
。また、各電極セルを連結、配線し、電気的にも同電位
を保つことができるため、ＧａＡｓ太陽電池の大面積化
がはかれ、かつ組立も容易になる利点を奏する。
第２図はこの発明の他の実施例を示すもので、大面積Ｇ
ａ Ａ ｓ太陽電池に適用した場合を示す。この実施
例が第１図のものと異なる点は、大面積ＧａＡｓ太陽電
池の複数個のグリシ）７−１を同電位にするために形成
されたパー電極部８Ａの中央部の各グリッド間に対応す
る箇所に少くとも１つのｐ型ＡＪＧａＡｓ層４ａｌを含
む反射防止＃ ５ａｌを残した状態でｐ細金属電極６を
形成したことである。
ａ Ａ ｓ太陽電池に適用した場合を示す。この実施
例が第１図のものと異なる点は、大面積ＧａＡｓ太陽電
池の複数個のグリシ）７−１を同電位にするために形成
されたパー電極部８Ａの中央部の各グリッド間に対応す
る箇所に少くとも１つのｐ型ＡＪＧａＡｓ層４ａｌを含
む反射防止＃ ５ａｌを残した状態でｐ細金属電極６を
形成したことである。
したがって、この実施例によると、第２図に示すように
、受光面積部に１つの欠陥層１０があってもそれを避け
て切断できるので、半分のＧａＡｓ太陽電池セルとして
利用できる。すなわち、第４・図に示すような従来の大
面積ＧａＡｓ太陽電池においては、欠陥層１０が周辺部
に１個でもあると不良ウェハとなるが、上記実施例の構
造であれば、第２図のように半分のＧ ａ Ａ ｓ太陽
電池セルとして利用することができる。
、受光面積部に１つの欠陥層１０があってもそれを避け
て切断できるので、半分のＧａＡｓ太陽電池セルとして
利用できる。すなわち、第４・図に示すような従来の大
面積ＧａＡｓ太陽電池においては、欠陥層１０が周辺部
に１個でもあると不良ウェハとなるが、上記実施例の構
造であれば、第２図のように半分のＧ ａ Ａ ｓ太陽
電池セルとして利用することができる。
なお、本発明は、上記実施例のものに限らず、任意のｐ
ｎ接合構造をもつＧａＡｓ太陽電池のすべてに適用する
こともできる。
ｎ接合構造をもつＧａＡｓ太陽電池のすべてに適用する
こともできる。
以上のようＫこの発明によれば、ＧａＡｓ太陽電池の受
光面積部に欠陥層があっても、その欠陥層を避けて希望
するセルサイズをどの位置からでもダイシングできるの
で、ＧａＡｓ太陽電池のセル歩留を大幅に向上させるこ
とができる効果がある。
光面積部に欠陥層があっても、その欠陥層を避けて希望
するセルサイズをどの位置からでもダイシングできるの
で、ＧａＡｓ太陽電池のセル歩留を大幅に向上させるこ
とができる効果がある。
第１図（ａ）および（ｂ）はこの発明の一実施例による
ＧａＡｓ太陽電池ウェハの正面図および同図（ａ）の■
−Ｉ線断面図、第２図（ａ）およびΦ）はこの発明の他
の実施例によるＧ ａ Ａ ｓ太陽電池ウニへの正面図
および同図（ａ）のト］線断面図、第３図（ａ） 、
（ｂ）は従来例によるＧａＡｓ太陽電池の正面図、同図
（ａ）のｌ−１線断面図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は
同じ〈従来例によるＧａＡｓ太陽電池の正面図、同図（
ａ）のＩＶ−Ｎ線断面図である。 １＊＠＠＠Ｑ型Ｇ ａＡ ｓ基板、２６８＠＠ｉｌ 型
ＧａＡｓ層、３６＠＠＠ｐ型ＧａＡｓ層、４．４ａ＃４
ａｌ １１ ａ ａ ｍ ｐ型ＡＪＧａＡｓ層 ５ ＊
５ａ＊５ａｚ １１ ＠・・反射防止膜、Ｂ・・−・
ｐ側金属電極、７・・φ・グリッド電極部、７−１６
ａ・・グリッド、８Ａ・・・・バー電極部、９・拳・・
ｎ側金属電極、１０・・・・欠陥層、１１・・・・切断
箇所。 Φ Ｔ 」コ
ＧａＡｓ太陽電池ウェハの正面図および同図（ａ）の■
−Ｉ線断面図、第２図（ａ）およびΦ）はこの発明の他
の実施例によるＧ ａ Ａ ｓ太陽電池ウニへの正面図
および同図（ａ）のト］線断面図、第３図（ａ） 、
（ｂ）は従来例によるＧａＡｓ太陽電池の正面図、同図
（ａ）のｌ−１線断面図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は
同じ〈従来例によるＧａＡｓ太陽電池の正面図、同図（
ａ）のＩＶ−Ｎ線断面図である。 １＊＠＠＠Ｑ型Ｇ ａＡ ｓ基板、２６８＠＠ｉｌ 型
ＧａＡｓ層、３６＠＠＠ｐ型ＧａＡｓ層、４．４ａ＃４
ａｌ １１ ａ ａ ｍ ｐ型ＡＪＧａＡｓ層 ５ ＊
５ａ＊５ａｚ １１ ＠・・反射防止膜、Ｂ・・−・
ｐ側金属電極、７・・φ・グリッド電極部、７−１６
ａ・・グリッド、８Ａ・・・・バー電極部、９・拳・・
ｎ側金属電極、１０・・・・欠陥層、１１・・・・切断
箇所。 Φ Ｔ 」コ
Claims (1)
- ｎ型ＧａＡｓ基板の一方の主表面に形成された高比抵抗
をもつｎ型ＧａＡｓ層と、このＧａＡｓ層の表面に順次
形成されたそれぞれｐ型を有する低比抵抗のＧａＡｓ層
およびＡｌＧａＡｓ層と、このＡｌＧｓＡｓ層上の表面
に選択的に形成された反射防止膜と、前記ｐ型のＧａＡ
ｓ層上の表面に、前記反射防止膜に対応した前記ＡｌＧ
ａＡｓ層の領域を除いて形成された第１の金属電極と、
前記ＧａＡｓ基板の裏面に形成された第２の金属電極と
から構成されるＧａＡｓ太陽電池において、前記第１の
金属電極は、受光領域に対して複数個のグリッドが互い
に平行して等間隔に形成されたグリッド電極部と、前記
各グリッドの一端側に、該各グリッドの配列方向と直交
する方向に配設され、かつ前記各グリッドの中央部に位
置する箇所にそれぞれ設けられた前記ＡｌＧａＡｓ層を
含む反射防止膜を介して各々のグリッドを連結すべく形
成されたバー電極部から構成してなることを特徴とする
ＧａＡｓ太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61066142A JPS62221166A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | ＧａＡｓ太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61066142A JPS62221166A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | ＧａＡｓ太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62221166A true JPS62221166A (ja) | 1987-09-29 |
Family
ID=13307311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61066142A Pending JPS62221166A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | ＧａＡｓ太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62221166A (ja) |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP61066142A patent/JPS62221166A/ja active Pending
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