JPH02123770A - 太陽電池の電極の製造方法 - Google Patents
太陽電池の電極の製造方法Info
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- JPH02123770A JPH02123770A JP63278443A JP27844388A JPH02123770A JP H02123770 A JPH02123770 A JP H02123770A JP 63278443 A JP63278443 A JP 63278443A JP 27844388 A JP27844388 A JP 27844388A JP H02123770 A JPH02123770 A JP H02123770A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 14
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は太陽電池の電極特に基板と点状に接する構造を
有するものの製法に関するものである。
有するものの製法に関するものである。
（従来の技術）
通常の太陽電池は、その受光面の表面に櫛形の電極を配
置しているが、電極の金属とシリコン基板の接触面では
、表面再結合速度が大きくなシ、効率が減少する。
置しているが、電極の金属とシリコン基板の接触面では
、表面再結合速度が大きくなシ、効率が減少する。
この電極金属とシリコン基板との接触面積を減らす九め
に、基板の表面の反射防止膜に多数の点状の穴を開け、
これらを真空蒸着法、リフトオフ法によって金属膜で接
続して電力を集める方法がある。シリーズ抵抗を減少さ
せ効率の向上を図るためには、電極の表面にメツキを施
し厚くすることが行われている。
に、基板の表面の反射防止膜に多数の点状の穴を開け、
これらを真空蒸着法、リフトオフ法によって金属膜で接
続して電力を集める方法がある。シリーズ抵抗を減少さ
せ効率の向上を図るためには、電極の表面にメツキを施
し厚くすることが行われている。
従来の基板と点状に接する構造を有する電極の形成の工
程の一例を下記に示す。
程の一例を下記に示す。
第５図（ａ）（ｂ）はそれぞれシリコン基板１の表面２
に反射防止膜３を施した状態の平面図及びそのＸ５−Ｘ
５断面図を示す。シリコン基板１はその内部に光電変換
用のＰＮ接合が形成されている。
に反射防止膜３を施した状態の平面図及びそのＸ５−Ｘ
５断面図を示す。シリコン基板１はその内部に光電変換
用のＰＮ接合が形成されている。
次に、反射防止膜３の表面に多数の点状の小孔４−１を
有するレジストパターン４を形成する。
有するレジストパターン４を形成する。
この時の平面図が第６図（ａ）であり、そのｘ６−ｘ６
断面因が同図（ｂ）である。同図（ａ）において上方に
は小孔４−１が下方より多く形成されているが、これは
、電流を外部に取り出す九めの接続用の幅の広い電極を
上方に設けるためである。
断面因が同図（ｂ）である。同図（ａ）において上方に
は小孔４−１が下方より多く形成されているが、これは
、電流を外部に取り出す九めの接続用の幅の広い電極を
上方に設けるためである。
エツチングその他により反射防止膜３に多数の点状の小
孔３−１．３−１・・・を形成し、レジストを除去する
と第７図（１１）の平面図に示すようＫなシ、そのＸ７
−Ｘ７断面図が同図（ｂ）である。
孔３−１．３−１・・・を形成し、レジストを除去する
と第７図（１１）の平面図に示すようＫなシ、そのＸ７
−Ｘ７断面図が同図（ｂ）である。
前記のようにして形成され九多数の小孔３−１゜３−１
・・・を連結する電極を形成するために、小孔３−１．
３−１・・・を連結する溝５−１．５−１・・・を有す
る電極連結用のレジストパターンを施したものが第８図
（ａ）の平面図に示される。同図６）はそのｘｇ−Ｘｇ
断面図であり、そのＹｇ−Ｙｇ断面因が同図（ｃ）であ
る。
・・・を連結する電極を形成するために、小孔３−１．
３−１・・・を連結する溝５−１．５−１・・・を有す
る電極連結用のレジストパターンを施したものが第８図
（ａ）の平面図に示される。同図６）はそのｘｇ−Ｘｇ
断面図であり、そのＹｇ−Ｙｇ断面因が同図（ｃ）であ
る。
次に、この表面に真空蒸着及びリフトオフを施すことに
よって、第９図（ａ）に示すように、小孔３−１．３−
１．・・・を連結する金属層６が形成される。シリコン
基板１の裏面にも金属層７を形成する。これは他方の電
極となる。同図（ｂ）はｘｇ −ｘｇ断面図であシ、同
図（ｅ）はｙｇ−ｙｇ断面図である。
よって、第９図（ａ）に示すように、小孔３−１．３−
１．・・・を連結する金属層６が形成される。シリコン
基板１の裏面にも金属層７を形成する。これは他方の電
極となる。同図（ｂ）はｘｇ −ｘｇ断面図であシ、同
図（ｅ）はｙｇ−ｙｇ断面図である。
次に、第１０図（ａ）に示すように、この金属層６及び
７の表面をメツキにより金属膜８で覆って厚くする。そ
のＸｌ０−ｘｔｏ断面図が同図（ｂ）であシ、そのＹＩ
Ｏ−Ｙ １Ｇ断面図が同図（ｃ）である。
７の表面をメツキにより金属膜８で覆って厚くする。そ
のＸｌ０−ｘｔｏ断面図が同図（ｂ）であシ、そのＹＩ
Ｏ−Ｙ １Ｇ断面図が同図（ｃ）である。
（発明が解決しようとする課題）
前記のような従来の方法では、反射防止膜を点状に除去
する九めのレジストパターンの形成及び、点状の穴を連
結する電極形成のためのレジストパターンの形成で、レ
ジストパターンを２度形成する必要があった。また、そ
れぞれのレジストパターンを高精度に位置合わせするた
め、高度の技術を必要とし次。さらに、シリーズ抵抗を
減少させ、効率の向上を図るためには、この電極の上に
メツキを施す必要があり、工数の増大、歩留まりの低下
を招いていた。
する九めのレジストパターンの形成及び、点状の穴を連
結する電極形成のためのレジストパターンの形成で、レ
ジストパターンを２度形成する必要があった。また、そ
れぞれのレジストパターンを高精度に位置合わせするた
め、高度の技術を必要とし次。さらに、シリーズ抵抗を
減少させ、効率の向上を図るためには、この電極の上に
メツキを施す必要があり、工数の増大、歩留まりの低下
を招いていた。
（課題を解決するための手段）
本発明においては前記の問題を除くため、反射防止膜を
点状に除去したのち、レジストを除去することなく、点
状に除去された部分にメツキの核となる点状電極形成し
た後、レジストを除去し、点状電極を連結する金属層を
メツキにより形成する。
点状に除去したのち、レジストを除去することなく、点
状に除去された部分にメツキの核となる点状電極形成し
た後、レジストを除去し、点状電極を連結する金属層を
メツキにより形成する。
（作用）
レジストパターンを一度形成するだけで、反射防止膜を
点状に除去し、その部分に点状電極を形成することがで
きるから、工程を大幅に短縮し、かつ、単純な作業で基
板と電極の接触面積を小さくすることができる。点状電
極の幅或は直径を適当に選択することにより、メツキ層
の核とすることができるので、これらの点状の電極を連
結する金属層をメツキによって形成することができる。
点状に除去し、その部分に点状電極を形成することがで
きるから、工程を大幅に短縮し、かつ、単純な作業で基
板と電極の接触面積を小さくすることができる。点状電
極の幅或は直径を適当に選択することにより、メツキ層
の核とすることができるので、これらの点状の電極を連
結する金属層をメツキによって形成することができる。
（５！施例）
以下図面について本発明の一実施例を説明する。
第１図（ａ）の平面図及びそのＸｌ−ｘｌ断面図である
同図（′ｂ）に示すように、ＰＮ接合を有するシリコン
基板１の表面２には反射防止！［３が設けられている。
同図（′ｂ）に示すように、ＰＮ接合を有するシリコン
基板１の表面２には反射防止！［３が設けられている。
これは第５図（ａ）及び（ｂ）と同様である。反射防止
膜３としては、Ａ／２０Ｂ、 ＴｉＯ２、Ｔａ２０５゜
ＳｉＯｘ、Ｓｉ８Ｎ４等の絶縁被膜が用いられる。
膜３としては、Ａ／２０Ｂ、 ＴｉＯ２、Ｔａ２０５゜
ＳｉＯｘ、Ｓｉ８Ｎ４等の絶縁被膜が用いられる。
これらの反射防止１１！３の表面に、第２図（ａ）に示
すように、多数の点状の小孔４−１．４−１・・・を有
するレジストパターンを形成する。このレジストパター
ンは周知の７オトレジストの技術により作成される。同
図（ａ）のｘ２−ｘ２断面図が同図（ｂ）である。
すように、多数の点状の小孔４−１．４−１・・・を有
するレジストパターンを形成する。このレジストパター
ンは周知の７オトレジストの技術により作成される。同
図（ａ）のｘ２−ｘ２断面図が同図（ｂ）である。
次に、酸処理により小孔４−４．４−１・・・に対応す
る反射防止膜３を点状に除去し、レジストを除去するこ
となく、真空蒸着によって金属膜を形成した後レジスト
及び不必要な金属膜を除去すると、第３図（ａ）の平面
図に示すように、小孔４−１゜４−１・・・に対応する
部分に反射防止膜３０表面に突出する点状の電極９，９
．・・・を得ることができる。同図（ｂ）は同図（ａ）
のｘＢ−ｘＢ断面図である。点状の電極９，９・・・の
高さはシリコン基板１の表面から、除去される以前のレ
ジストの表面迄の高さにすることができる。金属Ｎ７も
このとき蒸着され裏面電極となる、 このようにして形成された多数の点状の電極９゜９・・
・を核として、メツキを行なうと、メツキされる金属は
厚さ方向と共に横方向にも広がるので、メツキする時間
、メツキ電流等を適当に調節することにより点状の電極
９．９・・・を連結することができる。！ｊｘ４６ （
ａ）は、このようにメツキされた状態の平面図であり、
８はメツキ金属である。同図（ｂ）は同図（ａ）のＸ４
−Ｘ４断面図であシ、同図（ｃ）は同図（ａ）のｙ４−
Ｙ４断面因である。メツキ金属８が厚さ方向と共に横方
向にも広がり、点状の電極９゜９、・・・を連結してい
る状態が示される。
る反射防止膜３を点状に除去し、レジストを除去するこ
となく、真空蒸着によって金属膜を形成した後レジスト
及び不必要な金属膜を除去すると、第３図（ａ）の平面
図に示すように、小孔４−１゜４−１・・・に対応する
部分に反射防止膜３０表面に突出する点状の電極９，９
．・・・を得ることができる。同図（ｂ）は同図（ａ）
のｘＢ−ｘＢ断面図である。点状の電極９，９・・・の
高さはシリコン基板１の表面から、除去される以前のレ
ジストの表面迄の高さにすることができる。金属Ｎ７も
このとき蒸着され裏面電極となる、 このようにして形成された多数の点状の電極９゜９・・
・を核として、メツキを行なうと、メツキされる金属は
厚さ方向と共に横方向にも広がるので、メツキする時間
、メツキ電流等を適当に調節することにより点状の電極
９．９・・・を連結することができる。！ｊｘ４６ （
ａ）は、このようにメツキされた状態の平面図であり、
８はメツキ金属である。同図（ｂ）は同図（ａ）のＸ４
−Ｘ４断面図であシ、同図（ｃ）は同図（ａ）のｙ４−
Ｙ４断面因である。メツキ金属８が厚さ方向と共に横方
向にも広がり、点状の電極９゜９、・・・を連結してい
る状態が示される。
以上の実施例において、電極９は点状と述べられたが、
縦横同一の寸法である必要はなく、任意の形状とするこ
とができる。
縦横同一の寸法である必要はなく、任意の形状とするこ
とができる。
電極となる金属膜の形成は真空蒸着に限られることはな
く、シリコン基板とオーミック接触がとれ、密着力のあ
るメツキ法等の手段を用いることができる。
く、シリコン基板とオーミック接触がとれ、密着力のあ
るメツキ法等の手段を用いることができる。
また、シリコン基板に代えて、ＧａＡｓその他の半導体
を用いることができる。
を用いることができる。
（発明の効果）
反射防止膜除去用のレジストパターンと、点状の電極形
成及び連結用のレジストパターンを兼用することにより
、作業工程を短縮できるので、従来の基板と・点状に接
する構造を有する電極を形成する方式に比し、コストを
低くすることができる。
成及び連結用のレジストパターンを兼用することにより
、作業工程を短縮できるので、従来の基板と・点状に接
する構造を有する電極を形成する方式に比し、コストを
低くすることができる。
メツキを厚くすれば、点状の電極を中心に横方向にも大
きく広がるため、点状の電極の密度を小さくすることが
でき、従って、基板と電極との接触面積を小さくするこ
とができるので、メツキを厚くする必要のある大型高効
率太陽電池セルに有効である。
きく広がるため、点状の電極の密度を小さくすることが
でき、従って、基板と電極との接触面積を小さくするこ
とができるので、メツキを厚くする必要のある大型高効
率太陽電池セルに有効である。
第１図（ａ） 、 （ｂ）、第２１１（ａ） 、 （ｂ
）、第３図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施例の工
程を示す図面で、各６において（ａ）は平面図、伽）は
断面図である。第４図（ａ）。 （ｂ） 、 （ｃ）はその最終段階であって（ａ）は平
面図、（ｂ）及び（Ｃ〕は切断面の異なる断面図である
。第５図（ａ）。 缶）、第６図（ａ）、（ｂ）、第７図（ａ）、（ｂ）は
それぞれ従来の工程の各工程の平面図及び断面図である
。第８図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）、第９図（ａ
） 、 （ｂ） 、 （ｅ）、及び第１０図（ａ） 、
（ｂ） 、 （ｃ）はそれぞれ前述の工程に続く各工
程の平面図及び切断面の異なる断面図である。
）、第３図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施例の工
程を示す図面で、各６において（ａ）は平面図、伽）は
断面図である。第４図（ａ）。 （ｂ） 、 （ｃ）はその最終段階であって（ａ）は平
面図、（ｂ）及び（Ｃ〕は切断面の異なる断面図である
。第５図（ａ）。 缶）、第６図（ａ）、（ｂ）、第７図（ａ）、（ｂ）は
それぞれ従来の工程の各工程の平面図及び断面図である
。第８図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）、第９図（ａ
） 、 （ｂ） 、 （ｅ）、及び第１０図（ａ） 、
（ｂ） 、 （ｃ）はそれぞれ前述の工程に続く各工
程の平面図及び切断面の異なる断面図である。
Claims (1)
- １、太陽電池基板の表面を被覆する反射防止膜の面にレ
ジストパターンを設け、太陽電池基板の表面に達する多
数の小孔を穿設し、小孔内に点状の電極を形成した後レ
ジストパターンを除去し、点状の電極を連結する金属層
を設けることを特徴とする太陽電池の電極の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63278443A JPH02123770A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 太陽電池の電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63278443A JPH02123770A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 太陽電池の電極の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02123770A true JPH02123770A (ja) | 1990-05-11 |
Family
ID=17597412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63278443A Pending JPH02123770A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 太陽電池の電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02123770A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009150741A1 (ja) * | 2008-06-12 | 2009-12-17 | 三菱電機株式会社 | 光起電力装置の製造方法 |
| JP2013175706A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-05 | Lg Electronics Inc | 太陽電池及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-11-01 JP JP63278443A patent/JPH02123770A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009150741A1 (ja) * | 2008-06-12 | 2009-12-17 | 三菱電機株式会社 | 光起電力装置の製造方法 |
| JP2013175706A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-05 | Lg Electronics Inc | 太陽電池及びその製造方法 |
| CN103296093A (zh) * | 2012-02-23 | 2013-09-11 | Lg电子株式会社 | 太阳能电池及其制造方法 |
| US9306086B2 (en) | 2012-02-23 | 2016-04-05 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and method for manufacturing the same |
| CN103296093B (zh) * | 2012-02-23 | 2016-06-22 | Lg电子株式会社 | 太阳能电池及其制造方法 |
| US9548403B2 (en) | 2012-02-23 | 2017-01-17 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and method for manufacturing the same |
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