CN103296093A - 太阳能电池及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

太阳能电池及其制造方法。根据本发明的实施方式的太阳能电池包括：第一导电类型的基板；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区，其被设置在所述基板处；减反射层，其包括暴露所述发射极区的第一开口以及暴露所述发射极区并且彼此分离的多个第二开口；第一电极，其被设置在通过所述第一开口暴露的所述发射极区的第一部分上，并连接至所述第一部分；第一总线条，其被设置在通过所述多个第二开口暴露的所述发射极区的第二部分上，并连接至所述第二部分和所述第一电极；以及第二电极，其被设置在所述基板上，并连接至所述基板。

Description

太阳能电池及其制造方法
技术领域
本发明的实施方式涉及太阳能电池及其制造方法。
背景技术
近来，由于预计诸如石油和煤的现有能源将耗尽，对代替现有能源的替代能源的关注正在增加。在替代能源中，从太阳能产生电能的太阳能电池尤其引人关注。
太阳能电池通常包括：半导体部，其分别具有不同的导电类型，例如p型和n型，从而形成p-n结；以及电极，其分别连接至具有不同导电类型的所述半导体部。
当光入射到太阳能电池上时，半导体部中生成电子和空穴。在半导体部的p-n结的影响下，电子向n型半导体部移动，空穴向p型半导体部移动。然后，由分别连接至n型半导体部和p型半导体部的不同电极来收集电子和空穴。所述电极利用电线彼此连接，从而获得电力。
发明内容
在一个方面中，存在一种太阳能电池，该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区，其设置在所述基板处；减反射层，其包括第一开口和多个第二开口，所述第一开口设置在所述发射极区上并暴露所述发射极区，所述多个第二开口暴露所述发射极区并彼此分离；第一电极，其设置在通过所述第一开口暴露的所述发射极区的第一部分上，并连接至所述发射极区的所述第一部分；第一总线条(bus bar)，其设置在通过所述多个第二开口暴露的所述发射极区的第二部分上，并连接至所述发射极区的所述第二部分和所述第一电极；以及第二电极，其设置在所述基板上，并连接至所述基板。
所述多个第二开口的数量可以是30至70。
所述减反射层的总线条形成区域的宽度与所述第一总线条下面的所述多个第二开口的总宽度之比可以是大约1:0.2至1:0.5。
所述多个第二开口可按照均匀的间隔彼此分离。
所述多个第二开口可按照不同的间隔彼此分离。
所述减反射层可包括总线条形成区域，所述多个第二开口形成在所述总线条形成区域中。所述第一总线条可设置在所述减反射层的所述总线条形成区域中。设置在所述总线条形成区域中部的两个相邻第二开口之间的距离可以大于设置在所述总线条形成区域边缘处的两个相邻第二开口之间的距离。
设置在所述总线条形成区域中部的两个相邻第二开口之间的距离可以是设置在所述总线条形成区域边缘处的两个相邻第二开口之间的距离的大约1.5倍至5倍。
所述两个相邻第二开口之间的距离可以是大约15μm至30μm。
所述第一总线条可另外设置在位于所述多个第二开口之间的所述减反射层上。
所述第一总线条的上表面可以是曲面。
设置在所述减反射层上的第一总线条的高度可以小于设置在通过所述多个第二开口暴露的所述发射极区的所述第二部分上的第一总线条的高度。
所述第一总线条的边缘的高度可以大于所述第一总线条的中间部分的高度。
所述第一开口可以沿第一方向在所述第一电极下方延伸。所述多个第二开口中的每一个可以沿与所述第一方向交叉的第二方向在所述第一总线条下方延伸。
所述第一开口和第二开口中的至少一个的侧面可以是平坦表面或不平坦表面。
所述发射极区可包括具有第一薄层电阻(sheet resistance)的第一发射极区以及具有比所述第一薄层电阻小的第二薄层电阻的第二发射极区。
所述第二发射极区可设置在通过所述第一开口暴露的所述发射极区的所述第一部分和通过所述多个第二开口暴露的所述发射极区的所述第二部分中。
所述第二发射极区的宽度可以基本上等于所述第一开口的宽度和所述多个第二开口中的每一个的宽度。
形成在通过所述第一开口暴露的所述发射极区的所述第一部分中的所述第二发射极区的宽度可以小于所述第一电极的宽度。
所述减反射层可包括总线条形成区域，所述多个第二开口形成在所述总线条形成区域中。所述第一总线条可设置在所述减反射层的所述总线条形成区域中。所述第一总线条的宽度可以大于所述总线条形成区域的宽度。
所述太阳能电池还可以包括所述第一导电类型的表面场区，其设置在所述第二电极下面的基板处，并连接至所述基板。
所述太阳能电池还可以包括钝化层，其设置在所述表面场区上，并包括暴露所述表面场区的第一部分的第三开口。所述第二电极可设置在通过所述第三开口暴露的所述表面场区的所述第一部分上，并连接至所述表面场区。
所述钝化层还可以包括多个第四开口，其被设置为与所述表面场区的第二部分分离，所述表面场区的所述第二部分不同于所述表面场区的所述第一部分。所述太阳能电池还可以包括第二总线条，其设置在通过所述多个第四开口暴露的所述表面场区的所述第二部分上，并连接至所述第二电极。
所述多个第四开口的数量可以是30至70。
所述钝化层的总线条形成区域的宽度与所述第二总线条下面的所述多个第四开口的总宽度之比可以是大约1:0.2至1:0.5。
所述多个第四开口可以按照不同的间隔彼此分离。所述第二总线条可以另外设置在所述多个第四开口之间的钝化层上。
另一方面中，存在一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：在第一导电类型的半导体基板的第一表面上掺杂所述第一导电类型的杂质或与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质，以形成杂质区；在所述杂质区上形成钝化层；选择性地将激光束照射到所述钝化层上，以在所述钝化层中形成暴露所述杂质区的第一部分的第一开口以及多个第二开口，所述第二开口与所述第一开口分离并暴露所述杂质区的第二部分；以及在通过第一开口暴露的所述杂质区的所述第一部分上形成电极，并在通过所述多个第二开口暴露的所述杂质区的所述第二部分上形成总线条，所述总线条连接至所述电极。
所述第一开口的宽度可以基本上等于所述多个第二开口中的每一个的宽度。
所述多个第二开口可以按照均匀的间隔彼此分离。
所述多个第二开口可以按照不同的间隔彼此分离。
两个相邻的第二开口之间的距离可以是大约15μm至30μm。
所述电极和总线条可利用镀覆方法同时形成。
所述方法还可包括以下步骤：在所述钝化层上形成与所述杂质区相同导电类型的杂质层。激光束可选择性地照射到所述杂质层上。因此，所述钝化层下面的所述杂质区的一部分可以成为具有第一薄层电阻的第一杂质区。通过所述第一开口和所述多个第二开口暴露的所述杂质区的第一部分和第二部分可以成为具有比所述第一薄层电阻小的第二薄层电阻的第二杂质区。
根据上述特性，由于多个第二开口局部设置在第一总线条下方，所以多个第二开口的形成面积减小。因此，形成多个第二开口所需的时间减少，暴露于激光束以便形成多个第二开口的基板的暴露面积减小。因此，防止或减少了基板的劣化。结果，制造太阳能电池所需的时间减少，防止或减少了基板特性的改变。
另外，由于第一电极利用镀覆方法形成，所以第一电极的宽度减小。因此，入射在基板上的光量增加，太阳能电池的效率提高。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步理解，并且附图被并入且构成本说明书的一部分，附图示出本发明的实施方式，并与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1是根据本发明的示例实施方式的太阳能电池的局部立体图；
图2是沿图1的线II-II截取的截面图；
图3和图4是示意性地示出根据本发明的示例实施方式的太阳能电池的前电极部的一部分以及前电极部下面的发射极区的一部分的平面图；
图5是根据本发明的示例实施方式的导电膜设置在前总线条上的示例的示意性截面图；
图6A至图6F顺序地示出根据本发明的示例实施方式的制造太阳能电池的方法；
图7和图8是形成在减反射层上的多个第一开口和第二开口的示意性平面图；
图9是通过第二开口暴露的第二发射极区上镀覆的前总线条的一部分的示意性截面图；
图10是在通过第二开口暴露的第二发射极区上执行镀覆工艺以形成前总线条的示例的示意性截面图；以及
图11是根据本发明的另一示例实施方式的太阳能电池的局部截面图。
具体实施方式
现在将详细说明本发明的实施方式，其示例示出在附图中。然而，本发明可以按照许多不同的形式实施，而不应解释为限于本文阐述的实施方式。只要可能，在全部附图中将使用相同的标号来指代相同或相似的部件。应该注意的是，如果确定已知技术会导致对本发明的实施方式的误解，则将省略对所述已知技术的详细描述。
在附图中，层、膜、面板、区等的厚度为清晰起见而被夸大。应该理解，当诸如层、膜、区或基板的元件被称作“在”另一元件“上”时，其可直接在所述另一元件上，或者也可存在中间元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
将参照图1至图11描述本发明的示例实施方式。
参照图1至图3详细描述根据本发明的示例实施方式的太阳能电池。
如图1和图2所示，根据本发明的示例实施方式的太阳能电池包括：基板110；发射极区121，其设置在光入射在上面的基板110的前表面(或第一表面)处；减反射层130，其设置在发射极区121上；前电极部(或第一电极部)140，其设置在基板110的前表面上，并包括多个前电极(或多个第一电极)141以及连接至所述多个前电极141的多个前总线条(或多个第一总线条)142；多个表面场区172，其设置在基板110的与前表面相对的后表面(或第二表面)处；以及背电极部(或第二电极部)150，其设置在表面场区172和基板110的后表面上，并包括背电极(或第二电极)151以及连接至背电极151的多个后总线条(或多个第二总线条)152。
基板110是由诸如第一导电类型硅(例如，p型硅)的半导体形成的半导体基板，但也不是必需的。基板110中使用的半导体是晶体半导体，例如单晶硅和多晶硅。
当基板110为p型时，基板110掺杂有例如硼(B)、镓(Ga)和铟(In)的III族元素的杂质。另选地，基板110可为n型和/或可由除硅之外的半导体材料形成。如果基板110为n型，则基板110可掺杂有例如磷(P)、砷(As)和锑(Sb)的V族元素的杂质。
基板110的整个表面可纹理化，以形成与具有多个凸起和多个凹陷或具有不平坦特性的不平坦表面对应的纹理化表面。在这种情况下，基板110的表面积会由于基板110的纹理化表面而增大，因此光的入射面积可增大。另外，由于基板110反射的光量会减少，所以入射在基板110上的光量可增加。
发射极区121是掺杂区，其掺杂有与基板110的第一导电类型(例如，p型)相反的第二导电类型(例如，n型)的杂质。发射极区121设置在基板110的前表面处。因此，第二导电类型的发射极区121与基板110的第一导电类型区一起形成p-n结。
发射极区121包括第一发射极区(或第一掺杂区)1211和第二发射极区(或第二掺杂区)1212，其各自具有不同的掺杂厚度和不同的薄层电阻。
在本发明的实施方式中，第一发射极区1211的掺杂厚度(或深度)小于第二发射极区1212的掺杂厚度(或深度)。因此，第一发射极区1211的掺杂浓度小于第二发射极区1212的掺杂浓度。另外，第一发射极区1211的薄层电阻大于第二发射极区1212的薄层电阻。例如，第一发射极区1211的薄层电阻可以是大约80Ω/sq至120Ω/sq，第二发射极区1212的薄层电阻可以是大约10Ω/sq至50Ω/sq。
换言之，根据本发明的实施方式的发射极区121具有选择性发射极结构，该本发明实施方式包括各自具有不同的掺杂厚度和不同的薄层电阻的第一发射极区1211和第二发射极区1212。
第一发射极区1211和基板110(即，基板110的第一导电类型区)之间的p-n结表面(以下称为“第一结表面”)以及第二发射极区1212和基板110之间的p-n结表面(以下称为“第二结表面”)设置在不同的高度水平。因此，基板110的后表面与第一结表面之间的厚度(或距离)大于基板110的后表面与第二结表面之间的厚度。
如图1至图3所示，第一发射极区1211设置在减反射层130下方，第二发射极区1212设置在前电极141和前总线条142下方。第二发射极区1212包括分别设置在前电极141下方的多个电极发射极区12a(或发射极区的第一部分)以及分别设置在前总线条142下方的多个总线条发射极区12b(或发射极区的第二部分)。
各个电极发射极区12a的宽度W11基本上等于各个总线条发射极区12b的宽度W12。例如，电极发射极区12a的宽度W11和总线条发射极区12b的宽度W12可以是大约5μm至15μm。
如图3所示，前电极141下面的电极发射极区12a在与前电极141相同的方向上沿着前电极141延伸。因此，电极发射极区12a分别设置在前电极141下方。
前总线条142下面的总线条发射极区12b在与前总线条142相同的方向上沿着前总线条142延伸。另外，总线条发射极区12b彼此分离，相邻的总线条发射极区12b之间存在第一发射极区1211。
如图3所示，由于前电极141的延伸方向和前总线条142的延伸方向彼此交叉，前电极141和前总线条142在前电极141和前总线条142的交叉点处彼此连接。因此，设置在前电极141和前总线条142下方并在与前电极141和前总线条142相同的方向上延伸的电极发射极区12a和总线条发射极区12b在电极发射极区12a和总线条发射极区12b的交叉点处彼此连接。
因此，多个第二发射极区1212(即，分离的总线条发射极区12b)设置在除前电极141和前总线条142的交叉点之外的各个前总线条142下方。两个相邻总线条发射极区12b之间的距离D11可以是大约15μm至30μm。
如图1至图3所示，在本发明的实施方式中，各个前总线条142下面的多个第二发射极区1212(即，多个总线条发射极区12b)按照均匀的间隔D11彼此分离。
另选地，如图4所示，各个前总线条142下面的多个第二发射极区1212(即，多个总线条发射极区12b)可以按照不同的间隔(或距离)D11彼此分离。
例如，如图4所示，在总线条发射极区12b之间的不同距离D11中，处于与各个前总线条142对应的多个总线条发射极区12b的形成宽度W3的中部的距离D11可以大于处于形成宽度W3的边缘的距离D11。甚至，在这种情况下，处于形成宽度W3的中部的多个距离D11可以基本上彼此相等，处于形成宽度W3的边缘的多个距离D11可以基本上彼此相等。
处于形成宽度W3的中部的总线条发射极区12b之间的距离D11可以是处于形成宽度W3的边缘的总线条发射极区12b之间的距离D11的大约1.5倍至5倍。
另选地，总线条发射极区12b之间的距离D11可以彼此不同，而与多个总线条发射极区12b的形成宽度W3的位置无关。
在本发明的实施方式中，各个前总线条142下面的第二发射极区1212(即，总线条发射极区12b)的数量根据各个第二发射极区1212的宽度、两个相邻总线条发射极区12b之间的距离D11以及各个总线条发射极区12b的宽度来确定。例如，所述数量可以是大约30至70。
关于载流子，例如，通过入射在基板110上的光生成的电子和空穴，电子和空穴通过由基板110和发射极区121之间的p-n结导致的内建势差而分别向n型半导体和p型半导体移动。因此，当基板110为p型，发射极区121为n型时，电子向发射极区121移动，空穴向基板110的后表面移动。
由于发射极区121与基板110一起形成p-n结，所以与上述实施方式相反，当基板110为n型时，发射极区121可为p型。在这种情况下，电子向基板110的后表面移动，空穴向发射极区121移动。
返回本发明的实施方式，当发射极区121为n型时，发射极区121可掺杂有例如P、As和Sb的V族元素的杂质。相反，当发射极区121为p型时，发射极区121可掺杂有例如B、Ga和In的III族元素的杂质。
当第一发射极区1211的薄层电阻是大约80Ω/sq至120Ω/sq时，第一发射极区1211中吸收的光量减少，入射在基板110上的光量增加。因此，由杂质导致的载流子的损耗量减少。
另外，当第二发射极区1212的薄层电阻是大约10Ω/sq至50Ω/sq时，第二发射极区1212和前电极部140之间的接触电阻减小。因此，由源自载流子移动的接触电阻导致的载流子的损耗量减小。
如上所述，由于发射极区121的第一发射极区1211设置在减反射层130下方，所以减反射层130设置在第一发射极区1211上。因此，由于第一发射极区1211存在于各个前总线条142下面的多个总线条发射极区12b中的两个相邻总线条发射极区12b之间，所以减反射层130设置在两个相邻总线条发射极区12b之间的第一发射极区1211上。
减反射层130可由加氢氮化硅(SiNx:H)、加氢氧化硅(SiOx:H)、加氢氧氮化硅(SiOxNy:H)或氧化铝(AlxOy)等形成。也可使用其它材料。
减反射层130降低入射在太阳能电池上的光的反射率，并增加预定波长段的选择性，从而增加太阳能电池的效率。
减反射层130执行钝化功能，其利用减反射层130中包含的氢(H)或氧气(O2)将存在于基板110表面及周围的缺陷(例如，悬空键)转换为稳定键，从而防止或减少向基板110的表面移动的载流子的复合和/或消失。因此，减反射层130用作钝化层。减反射层130减少由于基板110表面及周围的缺陷而损耗的载流子量，从而提高太阳能电池的效率。
在本发明的实施方式中，减反射层130具有单层结构，但在本发明的其它实施方式中，减反射层130可具有多层结构，例如，双层结构。也可根据需要省略减反射层130。
包括前电极141和前总线条142的前电极部140设置在发射极区121和减反射层130上，并且还连接至发射极区121的第二发射极区1212。
前电极141彼此分离，并在固定方向上彼此平行地延伸。前电极141电连接且物理连接至第二发射极区1212的电极发射极区12a。
减反射层130被部分(或局部)移除，因此包括多个第一开口181，所述多个第一开口181暴露减反射层130的移除部分下面的电极发射极区12a，以分别将前电极141连接至第二发射极区1212的电极发射极区12a。另外，减反射层130被部分(或局部)移除，因此包括多个第二开口182，所述多个第二开口182暴露减反射层130的移除部分下面的总线条发射极区12b，以将各个前总线条142连接至第二发射极区1212的总线条发射极区12b。
多个第一开口181和第二开口182可通过将激光束照射到减反射层130的对应位置上来形成。
通过多个第一开口181和第二开口182暴露的第二发射极区12a和12b中的每一个的两侧的形状可以是平坦表面或不平坦表面。
前电极141设置在电极发射极区12a上，并且前电极141的一部分还设置在与前电极141相邻的减反射层130上。因此，如图1至图3所示，设置在电极发射极区12a上的前电极141的宽度W21大于电极发射极区12a的宽度W11。例如，前电极141的宽度W21可以是大约20μm至40μm。因此，前电极141的外伸部分形成在减反射层130的表面上。
因此，前电极141电连接且物理连接至发射极区121的第二发射极区1212(即，电极发射极区12a)。
前电极141收集通过发射极区121的第一发射极区1211向第二发射极区1212的电极发射极区12a移动的载流子(例如，电子)。
如上所述，暴露电极发射极区12a的一个第一开口181用于形成一个前电极141，暴露总线条发射极区12b的大约30至70个第二开口182可用于形成一个前总线条142。
在本发明的实施方式中，与一个前总线条142对应的总线条发射极区12b的形成宽度W3与一个前总线条142下面的第二开口182的总宽度的比率可以是大约1:0.2至1:0.5。
当所述比率等于或大于大约1:0.2时，一个前总线条142更稳定地形成在通过第二开口182暴露的总线条发射极区12b上，因此具有所需的宽度和所需的电导率。
当所述比率等于或小于大约1:0.5时，可进一步节省形成第二开口182所需的时间。另外，暴露于热以便形成第二开口182的发射极区121的面积可进一步减小。
前总线条142彼此分离，并在与前电极141交叉的方向上彼此平行地延伸。各个前总线条142电连接且物理连接至通过第二开口182暴露的第二发射极区1212的总线条发射极区12b。
由于减反射层130设置在两个相邻的总线条发射极区12b之间，所以一个前总线条142连接至减反射层130以及多个总线条发射极区12b。
另外，由于第一发射极区1211设置在两个相邻的总线条发射极区12b之间的减反射层130下方，所以第一发射极区1211以及多个总线条发射极区12b设置在一个前总线条142下方。
类似于前电极141，一个前总线条142的宽度W22大于一个前总线条142下面的多个总线条发射极区12b所在的基板110的总宽度(即，多个总线条发射极区12b的形成宽度W3)。如图3所示，形成宽度W3在一个前总线条142下面的多个总线条发射极区12b中的从最上侧总线条发射极区12b的最外表面至最下侧总线条发射极区12b的最外表面的范围内。例如，各个前总线条142的宽度W22可以是大约1mm至1.5mm。
换言之，各个前总线条142电连接且物理连接至第二发射极区1212的电极发射极区12a和总线条发射极区12b。
前总线条142设置在与前电极141相同水平的层上，并且在前电极141和前总线条142的交叉点处电连接且物理连接至前电极141。
因此，如图1至图3所示，多个前电极141具有在固定方向(或第一方向)（例如，横向或纵向方向）上延伸的条纹形状，多个前总线条142具有在与前电极141交叉的方向(或第二方向)（例如，纵向或横向方向）上延伸的条纹形状。因此，前电极部140在基板110的前表面上具有格状形状。
多个前总线条142收集由前电极141收集的载流子以及从第二发射极区1212移动的载流子，然后在对应方向上转移收集的载流子。
前总线条142必须收集与前总线条142交叉的前电极141所收集的载流子，并且必须使收集的载流子在所需的方向上移动。因此，各个前总线条142的宽度W22可大于各个前电极141的宽度W21。
根据本发明的实施方式的发射极区121具有包括第一发射极区1211和第二发射极区1212的选择性发射极结构。因此，第一发射极区1211主要执行(或允许)载流子向着前电极部140的移动，并具有低于第二发射极区1212的掺杂浓度，而与前电极部140接触的第二发射极区1212具有高掺杂浓度。因此，由于通过第一发射极区121向前电极部140移动的载流子量的增加以及由杂质浓度增加而导致的电导率的增加，从第二发射极区1212向前电极部140移动的载流子的量增加。结果，发射极区121处的由前电极部140收集的载流子的量增加，极大提高了太阳能电池的效率。
另外，由于其高掺杂浓度，主要接触前电极141和前总线条142并输出载流子的第二发射极区1212具有大于第一发射极区1211的电导率和小于第一发射极区1211的薄层电阻。因此，第二发射极区1212和前电极部140之间的接触电阻减小，从第二发射极区1212向前电极部140移动的载流子的转移效率提高。
由于电极发射极区12a的宽度W11小于前电极141的宽度W21，所以作为高度掺杂区的电极发射极区12a的形成面积减小。另外，多个总线条发射极区12b的形成宽度W3小于前总线条142的宽度W22，并且前总线条142与第二发射极区1212部分(或局部)接触，并且部分(或局部)连接至作为高度掺杂区的总线条发射极区12b。因此，各个前总线条142下面的高度掺杂区(即，总线条发射极区12b)的形成面积减小。因此，高度掺杂区(即，第二发射极区1212)占据的发射极区121的面积减小，由杂质导致的载流子的损耗量极大地减少。结果，太阳能电池的效率提高。
导电带(conductive tape)（例如，带缆(ribbon)）附接至多个前总线条142，以将多个太阳能电池彼此串联或并联。多个前总线条142通过导电带连接至外部装置。因此，前总线条142收集的载流子(例如，电子)通过导电带输出至外部装置。
由于前电极141和前总线条142设置在减反射层130以及第二发射极区12a和12b上，所以前电极141和前总线条142中的每一个的宽度大于开口181和182中的每一个的宽度。前电极141和前总线条142中的每一个的电导率由于前电极141和前总线条142的表面积和横截面积的增加而稳定保持，因此，载流子的移动稳定地进行。另外，附接至前总线条142的导电带和前总线条142之间的接触面积增加，因此，各个前总线条142和导电带之间的粘合强度进一步提高。
在本发明的实施方式中，前电极部140利用镀覆方法形成。更具体地讲，在减反射层130中形成暴露发射极区121的多个第一开口181和第二开口182，然后在通过多个第一开口181和第二开口182暴露的发射极区121上执行电镀工艺。
在水平方向以及垂直方向上进行镀覆生长。垂直方向和水平方向上的镀覆生长是具有几乎相等的厚度的各向同性生长。
因此，前电极141和前总线条142设置在位于第一开口181和第二开口182周围的减反射层130以及通过第一开口181和第二开口182暴露的第二发射极区12a和12b上。另外，水平方向和垂直方向上的镀覆生长的厚度彼此几乎相等。因此，电极发射极区12a和总线条发射极区12b中的每一个的镀覆生长部分具有曲面形状。
由于两个相邻的总线条发射极区12b彼此分离开较短距离，所以在两个相邻的总线条发射极区12b之间的减反射层130的一部分中，分别在两个总线条发射极区12b上生长并朝着减反射层130向上生长的镀覆生长部分交叠并彼此连接。因此，在用于一个前总线条142的多个总线条发射极区12b上生长的镀覆生长部分彼此接触并形成为一体，从而形成一个前总线条142。
各个前总线条142的上表面(即，与各个前总线条142的下表面相对设置的表面)是不均匀表面，其高度根据位置而不同。因此，各个前总线条142的上表面是具有多个凸起和多个凹陷的不平坦表面(即，曲面)。设置在通过第二开口182暴露的总线条发射极区12b上的前总线条142的上表面的高度大于设置在减反射层130上的前总线条142的上表面的高度。
因此，各个前总线条142的上表面的粗糙度增加，并且各个前总线条142和导电带之间的接触面积增大。结果，从前总线条142向导电带移动的载流子的量增加。
另外，如图4所示，当设置在各个前总线条142下方的多个总线条发射极区12b之间的距离D11根据位置而彼此不同时，设置在各个前总线条142的边缘处的相邻总线条发射极区12b上的镀覆生长部分的交叠面积大于设置在各个前总线条142的中部的相邻总线条发射极区12b上的镀覆生长部分的交叠面积。因此，一个前总线条142的边缘处生长的前总线条142的高度大于一个前总线条142的中部生长的前总线条142的高度。
如图5所示，在通过连接一个前总线条142的上表面的凸起而获得的虚拟线L1所形成的虚拟上表面中，前总线条142的中间部分的上表面的最小高度与前总线条142的边缘处的上表面的最大高度之差H1增大。因此，虚拟上表面中的高度差H2远大于由两个相邻的第二开口182形成的两个相邻凸起之间的高度差H2。
如图5所示，前总线条142的示意性上表面(即，虚拟上表面)在其边缘处具有凸起的横截面形状，而在其中间部分具有凹陷的横截面形状。因此，一个前总线条142的中间部分的高度不同于一个前总线条142的边缘的高度。即，前总线条142的边缘的高度大于前总线条142的中间部分的高度。
如图5所示，导电膜200(通常设置在前总线条142上并连接至前总线条142)的下表面具有凸起的曲面，其中，该下表面的中间部分的高度大于其边缘处的高度。
因此，导电膜200和前总线条142之间的接触面积由于前总线条142的不平坦上表面而增大。另外，彼此接触的前总线条142的上表面和导电膜200的下表面具有互补的形状。因此，前总线条142和导电膜200可容易地且稳定地彼此接触。
当设置在与各个前总线条142对应的多个总线条发射极区12b的形成宽度W3的中部的总线条发射极区12b之间的距离D11等于或大于设置在形成宽度W3的边缘处的总线条发射极区12b之间的距离D11的大约1.5倍时，前总线条142的上表面的中间部分可以是凹陷的。因此，前总线条142和导电膜200之间的结效率(junctionefficiency)可提高。当设置在与各个前总线条142对应的多个总线条发射极区12b的形成宽度W3的中部的总线条发射极区12b之间的距离D11等于或小于设置在形成宽度W3的边缘处的总线条发射极区12b之间的距离D11的大约5倍时，可更稳定地形成具有所需的表面积和电导率的前总线条142。
在本发明的实施方式中，前总线条142的中间部分和前总线条142的边缘之间的上表面的高度差或斜率H1可根据设置在前总线条142上的导电膜的下表面的斜率而改变。前总线条142的上表面的高度差或斜率H1可根据第二开口182的宽度以及两个相邻的第二开口182之间的距离而改变。
另一方面，由于各个前电极141是利用一个第一开口181形成的，所以前电极141可具有凸起形状的平滑曲面，而不是具有多个凸起和多个凹陷的不平坦表面。
由于前电极141和前总线条142通过相同的镀覆工艺同时形成，所以前电极141和前总线条142具有相同的结构和材料。
另外，由于前电极部140通过镀覆工艺形成，所以通过镀覆工艺形成的前电极部140的密度远大于利用银浆料等通过丝网印刷方法形成的前电极部的密度。因此，极大提高了前电极部140的电导率。
包括前电极141和前总线条142的前电极部140可具有由银(Ag)等形成的单层结构或者多层结构（例如双层结构和三层结构）。
当前电极部140具有由银(Ag)形成的单层结构时，前电极部140的比电阻(specificresistance)可以是大约1.6uΩcm至2.5uΩcm，远小于利用银浆料通过丝网印刷方法形成的前电极部140的比电阻(大约6.7uΩcm)。
当前电极部140具有双层结构时，前电极部140的与发射极区121接触的下层可以由镍(Ni)形成，前电极部140的设置在所述下层上的上层可以由银(Ag)形成。在这种情况下，下层的厚度可以是大约0.5μm至1μm，上层的厚度可以是大约5μm至10μm。当前电极部140具有三层结构时，前电极部140的与发射极区121接触的下层可以由镍(Ni)形成，前电极部140的设置在所述下层上的中间层可以由铜(Cu)形成，前电极部140的设置在所述中间层上的上层可以由银(Ag)或锡(Sn)形成。在这种情况下，下层和上层中的每一个的厚度可以是大约0.5μm至1μm，中间层的厚度可以是大约5μm至10μm。
当前电极部140的下层由镍(Ni)形成时，由于镍(Ni)与形成发射极区121的材料(即，基板110的第二导电类型区的硅)之间的耦合，下层和发射极区121之间存在硅化镍。
另一方面，当前电极141和前总线条142利用包含玻璃粉的Ag浆料通过丝网印刷方法形成时，玻璃粉穿过减反射层130并与发射极区1212接触。因此，在前电极141和前总线条142接触发射极区1212的部分中检测到玻璃粉的至少一个组分。例如，检测到铅(Pb)基材料(例如，PbO)、铋(Bi)基材料(例如，Bi2O3)、铝(Al)基材料(例如，Al2O3)、硼(B)基材料(例如，B2O3)、锡(Sn)基材料、锌(Zn)基材料(例如，ZnO)、钛(Ti)基材料(例如，TiO)和磷(P)基材料(例如，P2O5)中的至少一种。
然而，在本发明的实施方式中，由于前电极141和前总线条142通过镀覆工艺形成，使用不会检测到玻璃粉的组分。
图1示出设置在基板110上的多个前电极141、多个前总线条142和多个第二发射极区1212的示例。前电极141的数量、前总线条142的数量和/或第二发射极区1212的数量可根据需要变化。
表面场区172是比基板110更多地掺杂有导电类型与基板110相同的杂质的区(例如，p+型区)。
通过基板110的第一导电类型区与表面场区172之间的掺杂浓度的差形成垫垒。因此，所述垫垒防止或减少电子向用作空穴的移动路径的表面场区172移动，而使空穴更易于向表面场区172移动。因此，表面场区172减少由于基板110的后表面处以及周围的电子和空穴的复合和/或消失而损耗的载流子的量，并加速所需的载流子(例如，空穴)的移动，从而增加载流子向背电极部150的移动。
背电极部150包括背电极151以及连接至背电极151的多个后总线条152。
背电极151接触设置在基板110的后表面处的表面场区172，并基本上设置在基板110的整个后表面上(除基板110的后表面的边缘以及后总线条152的形成区域之外)。
背电极151包含导电材料，例如铝(Al)或银(Ag)。
背电极151收集向表面场区172移动的载流子(例如，空穴)。
由于背电极151接触掺杂浓度高于基板110的表面场区172，所以基板110(即，表面场区172)和背电极151之间的接触电阻减小。因此，从基板110至背电极151的载流子的转移效率提高。
多个后总线条152设置在基板110的未设置背电极151的后表面上，并连接至背电极151。
另外，多个后总线条152与多个前总线条142相对地设置，且基板110介于该两者间。在本发明的实施方式中，多个后总线条152和多个前总线条142对齐。
后总线条152收集从背电极151转移的载流子，类似于前总线条142。
导电膜以与前总线条142相同的方式设置在后总线条152上。因此，后总线条152通过导电膜连接至外部装置，并将收集的载流子(例如，空穴)输出至外部装置。
后总线条152可由电导率比背电极151好的材料形成。后总线条152可包含至少一种导电材料，例如银(Ag)。因此，背电极151和后总线条152可以由不同的材料形成。
在另选的示例中，太阳能电池的发射极区121可以不具有选择性发射极结构。
在这种情况下，减反射层130下面的发射极区121的一部分的掺杂浓度、掺杂厚度和薄层电阻与未设置减反射层130的发射极区121(前电极部140下面)的一部分的掺杂浓度、掺杂厚度和薄层电阻相同。因此，发射极区121可具有相同的薄层电阻，例如大约50Ω/sq至80Ω/sq的薄层电阻，而与其位置无关。
下面描述具有上述结构的太阳能电池的操作。
当照射太阳能电池的光穿过减反射层130入射在基板110上时，通过基于入射光生成的光能在半导体部110中产生多个电子空穴对。在这种情况下，由于减反射层130减小了入射在基板110上的光的反射损耗，所以入射在基板110上的光量增加。
由于基板110和发射极区121的p-n结，电子向n型发射极区121移动，空穴向p型基板110移动。向发射极区121移动的电子顺序地向第一发射极区1211和第二发射极区1212移动，被前电极141和前总线条142收集，并沿着前总线条142移动。向基板110移动的空穴被背电极151和后总线条152收集，并沿着后总线条152移动。当前总线条142利用导电带连接至后总线条152时，在其中流过电流，从而使得所述电流能够用于电力。
载流子的损耗量由于具有选择性发射极结构的发射极区121而减小，向前电极141移动的载流子的量增加。因此，极大提高了太阳能电池的效率。
由于根据本发明的实施方式的前电极部140是利用镀覆方法形成的，所以各个前电极141的宽度远小于利用丝网印刷方法形成的各个前电极141的宽度(例如，大约80μm至120μm)。因此，阻挡光入射的前电极141的形成面积减小，从而入射在太阳能电池上的光的入射面积增大。结果，太阳能电池的效率提高。
当形成具有选择性发射极结构的发射极区121时，发射极区121的高度掺杂区(即，第二发射极区1212)选择性地设置在前总线条142下方，并且第二发射极区1212的宽度也小于前电极141的宽度。因此，高度掺杂区的形成面积减小。结果，由于杂质而损耗的载流子的量大大减少。
下面参照图6A至图6F描述根据本发明的示例实施方式的太阳能电池的制造方法。
如图6A所示，在第一导电类型(例如，p型)的基板110的前表面形成包含第二导电类型的杂质(例如，磷(P))的发射极层120，所述基板由单晶硅或多晶硅形成。发射极层120可利用离子注入(ion implantation)方法或热扩散方法形成，并可与基板110的第一导电类型区一起形成p-n结。发射极层120的薄层电阻可以是大约80Ω/sq至120Ω/sq。如上所述，由于将第二导电类型的杂质注入基板110中以形成发射极层120，所以发射极层120是由与基板110相同的材料(即，例如单晶硅和多晶硅的晶体半导体)形成的。因此，基板110和发射极层120形成同质结。
在另选的示例中，在形成发射极层120之前或在形成发射极层120之后，可在基板110的平坦前表面(或发射极层120的表面)或基板110的平坦前表面和平坦后表面上执行诸如反应离子蚀刻方法的干法蚀刻方法或湿法蚀刻方法，以在基板110的前表面或基板110的前表面和后表面上形成与具有多个凸起和多个凹陷或具有不平坦特性的不平坦表面对应的纹理化表面。如上所述，当基板110的表面具有纹理化表面时，入射在基板110上的光的减反射效果提高，入射在基板110上的光量增加。
接下来，如图6B所示，利用沉积方法（例如等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)方法）在形成在基板110的前表面处的发射极层120上形成减反射层130。减反射层130可由加氢氮化硅(SiNx:H)、加氢氧化硅(SiOx:H)、加氢氧氮化硅(SiOxNy:H)或氧化铝(AlxOy)等形成。
接下来，如图6C所示，利用喷墨印刷方法、旋涂方法或丝网印刷方法等在减反射层130上形成包含第二导电类型的杂质的杂质层20。
接下来，如图6D所示，将激光束经由杂质层20局部照射到减反射层130上，以在减反射层130中形成暴露发射极层120的多个第一开口181和第二开口182。
第一开口181和第二开口182的宽度W41和W42基本上彼此相等，可以是大约5μm至15μm。多个第一开口181是用于形成多个前电极141的前电极开口，多个第二开口182是用于形成多个前总线条142的前总线条开口。如图7所示，由于一个第一开口181用于形成一个前电极141，所以在减反射层130的用于形成一个前电极141的区域AA(以下称为“前电极形成区域”或“第一电极形成区域”)中形成一个第一开口181。因此，第一开口181的数量与前电极141的数量相等。
另一方面，大约30至70个第二开口182用于形成宽度为大约1mm至1.5mm的一个前总线条142。因此，在减反射层130的用于形成一个前总线条142的区域AB(以下称为“前总线条形成区域”或“第一总线条形成区域”)中形成大约30至70个第二开口182。因此，第二开口182的数量远大于前总线条142的数量。
如上所述，当使用分离的第二开口182而不是使用宽度与一个前总线条142相同的一个第二开口182来形成一个前总线条142时，减反射层130的前总线条形成区域AB的宽度或与一个前总线条142对应的多个总线条发射极区12b的形成宽度W3与一个前总线条142下面的第二开口182的总宽度之比可以是大约1:0.2至1:0.5。
当激光束照射到涂覆有杂质层20的减反射层130上，以形成暴露发射极层120的多个第一开口181和第二开口182时，设置在减反射层130上的杂质层20中所包含的第二导电类型的杂质另外注入发射极层120的通过第一开口181和第二开口182暴露的部分中。因此，发射极层120被局部掺杂。
因此，照射激光束是为了通过移除减反射层130的所需部分来在减反射层130的所需位置处形成多个第一开口181和第二开口182，并另外利用第二导电类型的杂质对发射极层120的所需部分掺杂。
发射极层120的被激光束照射(通过第一开口181和第二开口182暴露)的部分的掺杂浓度高于发射极层120的未被激光束照射的其它部分，因此，其薄层电阻小于发射极层120的初始薄层电阻。
例如，发射极层120的通过第一开口181和第二开口182暴露的部分的薄层电阻是大约10Ω/sq至50Ω/sq，小于发射极层120的初始薄层电阻(例如，大约80Ω/sq至120Ω/sq)。
在完成激光束的照射之后，发射极层120变成具有选择性发射极结构的发射极区121，发射极区121包括：第一发射极区1211，其设置在减反射层130下方，并具有大约80Ω/sq至120Ω/sq的薄层电阻(或第一薄层电阻)；第二发射极区1212，其设置在发射极层120的通过第一开口181和第二开口182暴露的部分中，并具有大约10Ω/sq至50Ω/sq的薄层电阻(或第二薄层电阻)。因此，第一开口181和第二开口182的宽度W41和W42可以基本上与通过第一开口181和第二开口182形成的第二发射极区1212的宽度W11和W12相同。用于形成一个前总线条142的多个第二开口182中的两个相邻的第二开口182之间的距离D11可以基本上与通过两个相邻的第二开口182形成的两个相邻的第二发射极区1212之间的距离D11相同。
然后，利用氢氟酸(HF)或纯水去除减反射层130上剩余的杂质层20。
如图7所示，在一个前总线条形成区域AB中，多个第二开口182可按照其间的均匀距离D11彼此分离。另选地，如图8所示，在一个前总线条形成区域AB中，多个第二开口182可按照其间的不同距离D11彼此分离。例如，两个相邻的第二开口182之间的距离D11可以是大约15μm至30μm。
当在一个前总线条形成区域AB中，多个第二开口182按照其间的不同距离D11彼此分离时，设置在一个前总线条形成区域AB或一个前总线条142的中部的两个相邻的第二开口182之间的距离D11可以是设置在一个前总线条形成区域AB或一个前总线条142的边缘的两个相邻的第二开口182之间的距离D11的大约1.5倍至5倍。
如图8所示，当在一个前总线条形成区域AB中，多个第二开口182按照不同的距离D11彼此分离时，设置在一个前总线条形成区域AB的中部的两个相邻的第二开口182之间的距离D11可以大于设置在一个前总线条形成区域AB的边缘的两个相邻的第二开口182之间的距离D11。前总线条形成区域AB在与前总线条142交叉的方向(例如，Y轴方向)上可划分为三个部分，以获得三个子区域AB1、AB2和AB3。在这种情况下，前总线条形成区域AB的边缘可对应于设置在前总线条形成区域AB的两端的两个子区域AB1和AB3，前总线条形成区域AB的中部可对应于设置在前总线条形成区域AB的中部的子区域AB2。
减反射层130的多个第一开口181和第二开口182用于在利用镀覆方法形成前电极141和前总线条142时，使发射极区121(即，第二发射极区1212)接触前电极141和前总线条142。
下面更详细地描述形成在减反射层130的一个前总线条形成区域AB中并用于形成一个前总线条142的多个第二开口182。
在根据比较例的太阳能电池中，包括多个前电极和多个前总线条的前电极部通常通过以下步骤来制造：利用丝网印刷方法根据前电极部的形状将包含银(Ag)的银(Ag)浆料按照固定图案涂敷到前电极部，并执行热处理。
利用Ag浆料制造的各个前总线条的比电阻是大约6.7uΩcm，一个前总线条的横截面积可以是大约37,500μm2(=1,500μm宽×25μm厚)。另外，各个前总线条的接触电阻是大约3uΩcm。
如上所述，比较例中使用的各个前总线条的宽度和厚度分别是大约1,500μm(15mm)和大约25μm。
前电极部可利用镀覆方法制造，以通过在保持与利用丝网印刷方法制造的前电极和前总线条相同的操作性能的同时减小前电极和前总线条的宽度，来增加太阳能电池的入射面积。在这种情况下，利用镀覆方法制造的前电极和前总线条的宽度可减小。
因此，根据本发明的实施方式的太阳能电池的前总线条142是利用镀覆方法制造的。
当利用镀覆方法制造前总线条142时，设置在发射极层120上的减反射层130被部分(或局部)移除，以形成多个第二开口182，使得发射极区121接触前总线条142。
当在通过多个第二开口182暴露的第二发射极区1212上执行镀覆工艺时，在第二发射极区1212的垂直方向和水平方向上执行镀覆工艺。第二发射极区1212的镀覆生长是各向同性生长，其中第二发射极区1212的镀覆厚度在垂直方向和水平方向上是几乎均匀的。因此，镀覆金属材料(例如，银)完全填充第二开口182并向上生长至与第二开口182相邻的减反射层130的上表面(即，减反射层130和前电极部140之间的接触表面)的高度。然后，在水平方向上在减反射层130的上表面上方执行镀覆工艺，因此，在与第二开口182相邻、超过第二开口182的宽度的减反射层130上执行镀覆工艺。
下面参照图9和图10描述利用镀覆方法制造的前电极141和前总线条142的特性。
在图9和图10中，为了简明和易于阅读起见，基板110的表面没有被示出为纹理化表面，而是示出为平坦表面。
如图9所示，移除减反射层130以形成固定宽度为Wc的第二开口182(或第一开口181)。然后，当在通过第二开口182暴露的第二发射极区1212上执行镀覆工艺时，从减反射层130的上表面开始测量的镀覆厚度被表示为“Hf”。由于进行的是各向同性镀覆生长，所以在水平方向上从第二开口182(或第一开口181)的末端开始测量的减反射层130的镀覆厚度被表示为“Hf”。因此，通过第二开口182(或第一开口181)暴露的第二发射极区1212的镀覆部分的上表面具有曲面。
在图9中，镀覆前总线条142的总宽度Wf等于(或基本上等于)第二开口182的宽度Wc与减反射层130的镀覆厚度Hf的两倍(即，2Hf)之和(Wc+2Hf)。镀覆金属(例如，银)的比电阻是大约2.2uΩcm，对应于利用Ag浆料制造的前总线条的比电阻(大约6.7uΩcm)的大约1/3。另外，镀覆金属(例如，银)的接触电阻是大约1mΩcm，对应于利用Ag浆料制造的前总线条的接触电阻(大约3uΩcm)的大约1/3。
如上所述，利用镀覆方法制造的前总线条142的比电阻和接触电阻对应于利用Ag浆料制造的前总线条的比电阻和接触电阻的大约1/3。因此，当利用制造镀覆方法的前总线条142和利用Ag浆料制造的前总线条具有相同的横截面积时，利用制造镀覆方法的前总线条142的操作特性(例如，接触特性和电导率)比利用Ag浆料制造的前总线条的操作特性好大约三倍。
在图9中，当Wc和Hf均等于或大约是10μm时，从一个第二开口182镀覆生长的前总线条142的部分横截面积“A”是大约257μm2。
线电阻与利用Ag浆料制造的前总线条相同的一个前总线条142的横截面积A1可基于下式计算：R(线电阻)=[ρ(比电阻)×l(长度)]/A1(横截面积)。在这种情况下，假设利用镀覆方法制造的前总线条142和利用Ag浆料制造的前总线条具有相同的长度“l”。因此，上式中省略长度“l”。
当利用Ag浆料制造的前总线条的线电阻由Rpaste表示时，由于前总线条的比电阻是6.7uΩcm，前总线条的横截面积是37,500μm2，所以Rpaste是6.7/37500(=1.786×10-4Ω)。
当利用镀覆方法制造的前总线条142的线电阻Rplating等于利用Ag浆料制造的前总线条的线电阻Rpaste时，前总线条142的横截面积A1如下计算。在这种情况下，如上所述，利用镀覆方法制造的前总线条142的比电阻是2.2uΩcm.
在利用镀覆方法制造的前总线条142的线电阻Rplating(=ρ/A1)中，由于线电阻Rplating(=ρ/A1)是1.786×10-4Ω(=2.2/A1)，所以前总线条142的横截面积A1是大约12,313μm2。
用于形成一个前总线条142的减反射层130的第二开口182的数量通过将一个前总线条142的横截面积A1除以一个第二开口182的镀覆生长部分的横截面积A来计算。宽度各为大约10μm的第二开口182的数量可以是大约48个。
换言之，减反射层130中形成有48个大约10μm宽的第二开口182以形成大约1.5mm宽的一个前总线条，而不是在减反射层130中形成大约1.5mm宽的一个第二开口182。然后，当在第二开口182上执行镀覆工艺以形成一个前总线条142时，由于前总线条142的镀覆生长是在第二开口182的垂直方向和水平方向上执行的各向同性生长，所以形成在第二开口182上的一个前总线条142的宽度是大约1.5mm。
因此，当利用镀覆方法在通过第二开口182暴露的发射极区121上形成宽度为大约1mm至1.5mm的前总线条142时，可能需要大约30至70个宽度为大约5μm至15μm的第二开口182。在这种情况下，两个相邻的第二开口182之间的距离可以是大约15μm至30μm。第二开口182的数量根据各个第二开口182的宽度以及两个相邻的第二开口182之间的距离改变。
当两个相邻的第二开口182之间的距离等于或大于大约15μm时，高度掺杂区(即，总线条发射极区12b)的形成面积减小。因此，由总线条发射极区12b导致的载流子的损耗量更稳定地减少。当两个相邻的第二开口182之间的距离等于或小于大约30μm时，前总线条142的生长在两个相邻的第二开口182中的部分稳定地彼此接触。因此，在多个第二开口182上形成具有稳定电导率的一个前总线条142。
代替利用激光束完全去除具有形成一个前总线条142的区域的减反射层130，利用激光束将具有形成一个前总线条142的区域的减反射层130部分地或选择性地去除，从而形成前总线条142。因此，减反射层130的被激光束照射的照射面积减小。
因此，激光束的照射时间减少，防止或减少了由激光束施加的热导致的发射极区121或基板110的劣化。另外，太阳能电池的制造时间减少，防止或减少了太阳能电池的特性改变。
在本发明的实施方式中，当用于形成一个前总线条142的第二开口182的数量等于或大于30时，形成各自具有稳定的电导率和表面积的前总线条142。另外，当用于形成一个前总线条142的第二开口182的数量等于或小于70时，节省了制造时间，激光束的照射面积减小。
代替利用蚀刻浆料或单独的掩模去除减反射层130，将激光束直接照射到减反射层130上以去除减反射层130的所需部分。因此，如此形成的第一开口181和第二开口182的宽度远小于利用蚀刻浆料或单独的掩模形成的第一开口181和第二开口182的宽度。
因此，第二发射极区1212(即，高度掺杂区)的形成面积减小，前电极141的形成宽度减小。结果，前电极141的形成面积减小。
在本发明的实施方式中，用于形成第一开口181和第二开口182的激光束可以具有大约532nm的波长以及大约5W至20W的功率。激光束的功率或照射时间可根据减反射层130的材料或厚度来确定。
通过照射激光束而形成的各个第一开口181和各个第二开口182可以具有平坦的侧面或不平坦的侧面。
当通过第一开口181和第二开口182暴露的第二发射极区12a和12b中的每一个的两个侧面是平坦的时，所使用的激光束可以具有宽度与第一开口181和第二开口182相同的条纹形状。当通过第一开口181和第二开口182暴露的第二发射极区12a和12b中的每一个的两个侧面是不平坦的时，所使用的激光束可以具有宽度与第一开口181和第二开口182相同的点形状。
当通过第一开口181和第二开口182暴露的第二发射极区12a和12b中的每一个的两个侧面是不平坦的时，通过第一开口181和第二开口182暴露的第二发射极区12a和12b的面积增大。因此，前电极141和前总线条142与第二发射极区12a和12b接触的接触面积增大。当利用具有条纹形状的激光束形成第一开口181和第二开口182时，第一开口181和第二开口182的形成时间减少。
如图6E所示，当利用镀覆方法在减反射层130中形成多个第一开口181和第二开口182以形成前电极部140时，在通过多个第一开口181和第二开口182暴露的第二发射极区1212上执行镀覆工艺，以形成包括前电极141和前总线条142的前电极部140。在这种情况下，可使用诸如电镀方法和光诱导镀(LIP)方法等的镀覆方法。
因此，将包含对应金属离子(例如，Ag离子)的溶液(例如，氰化银钾(KAg(CN)2))沉积到通过多个第一开口181和第二开口182暴露的第二发射极区1212中，以执行镀覆工艺。
如图10的(a)所示，当执行镀覆工艺时，在设置在第一开口181和第二开口182内部的第二发射极区1212上执行金属镀覆工艺，以生长第二发射极区1212的所需金属。因此，包括前电极141和前总线条142的前电极部140开始形成，然后逐渐向第一开口181和第二开口182的外部生长。
如上所述，用于形成前电极部140的金属的镀覆生长是在垂直方向和水平方向上以相同的速度执行的各向同性生长。如图10的(b)所示，当在第一开口181和第二开口182内部镀覆生长的前电极141和前总线条142向上朝着减反射层130的上表面生长时，由于除了垂直方向上以外还在水平方向上进行镀覆生长，所以在与第一开口181和第二开口182相邻的减反射层130上生长前电极141和前总线条142。
因此，各个前电极141的上表面和各个前总线条142的上表面具有曲面。
在本发明的实施方式中，多个第二开口182彼此相邻地设置，以形成一个前总线条142。如图10的(c)所示，多个第二开口182中的两个相邻的第二开口182中生长的金属部分(即，前总线条142的一部分)在减反射层130上彼此相遇。
尽管在各个分离的第二开口182中进行金属镀覆生长，但是两个相邻的第二开口182之间的距离D11在水平方向上的金属镀覆生长的范围内。因此，两个相邻的第二开口182中生长的金属部分在设置在两个相邻的第二开口182之间的减反射层130上彼此相遇，由此形成一个前总线条142。
因此，最终形成的前总线条142中的每一个的宽度(即，接触减反射层130和第二发射极区1212的各个前总线条142的下表面的宽度)大于前总线条形成区域AB的宽度D21。
如上所述，由于金属镀覆生长是各向同性生长，所以设置在各个第二开口182中的各个前总线条142的镀覆部分，即，各个前总线条142的上表面具有弯曲形状。另外，由于在两个相邻的第二开口182中的每一个中进行金属镀覆生长，所以金属镀覆部分在设置在两个相邻的第二开口182之间的减反射层130上彼此交叠。因此，镀覆生长金属部分的交叠部分的上表面的高度小于通过第二开口182暴露的第二发射极区1212上的镀覆生长金属部分的上表面的高度。
因此，形成在减反射层130以及通过第二开口182暴露的第二发射极区1212上的各个前总线条142的上表面是具有多个凸起和多个凹陷的不平坦表面(即，曲面)。如上所述，设置在通过第二开口182暴露的第二发射极区1212上的前总线条142的上表面的高度大于设置在减反射层130的高度上的前总线条142的上表面的高度。
因此，各个前总线条142的上表面的粗糙度增大，各个前总线条142和导电膜之间的接触面积增大。结果，从前总线条142向导电膜移动的载流子的量增加。
在本发明的实施方式中，利用镀覆方法形成的前电极部140的各个前电极141和各个前总线条142具有由诸如银(Ag)的金属形成的单层结构。另选地，它们可以各自具有多层结构，例如双层结构和三层结构。
当前总线条142具有由银(Ag)形成的单层结构时，前总线条142的比电阻可以是大约1.6uΩcm至2.5uΩcm。由于前总线条142是利用镀覆方法形成的，利用镀覆方法形成的前总线条142的密度远大于利用银浆料通过丝网印刷方法形成的前总线条的密度。因此，利用镀覆方法形成的前总线条142的比电阻远小于利用银浆料形成的前总线条的比电阻(大约6.7uΩcm)。因此，极大提高了前总线条142的电导率。
当各个前电极141和各个前总线条142具有双层结构时，各个前电极141和前总线条142的接触发射极区121的下层可以由镍(Ni)形成，设置在所述下层上的上层可以由银(Ag)形成。当各个前电极141和各个前总线条142具有三层结构时，各个前电极141和前总线条142的接触发射极区121的下层可以由镍(Ni)形成，设置在所述下层上的中层可以由铜(Cu)形成，设置在所述中层上的上层可以由银(Ag)或锡(Sn)形成。
各个前电极141和前总线条142的下层是为了通过减小下层与接触下层的第二发射极区1212之间的接触电阻来提高粘合特性。中层是为了降低成本，因此可由具有良好电导率的相对便宜的材料形成，例如铜(Cu)。当中层是由铜(Cu)形成的时，中层下面的下层防止可能与硅(Si)容易且稳定地耦合的铜(Cu)被渗透到(或吸收到)由硅(Si)形成的第二发射极区1212中。即，下层防止铜(Cu)用作阻挡载流子运动的杂质。
另外，上层是为了防止上层下面的下层或中层氧化，并提高设置在上层上的导电带与前电极部之间的粘合强度。
如上所述，当前电极部140具有多层结构时，前电极部140的多个层利用镀覆方法按照所需厚度顺序地形成。
由于前电极141和前总线条142通过相同的镀覆工艺同时形成，所以前电极141和前总线条142具有相同的层结构和相同的材料。
返回参照图6F，如图6F所示，利用丝网印刷方法印刷含银浆料然后干燥，以在基板110的后表面上与前总线条142对应的位置处局部形成后总线条图案52。另外，利用丝网印刷方法在未形成后总线条图案52的基板110的后表面上印刷铝(Al)、Al-Ag或含银浆料然后干燥，以在基板110的后表面上局部形成背电极图案51。因此，完成包括背电极图案51和后总线条图案52的背电极部图案50。
背电极图案51设置在与背电极图案51相邻的后总线条图案52的一部分上，并可与后总线条图案52的所述部分交叠。在基板110的后表面的边缘可不形成背电极图案51。
当基板110为p型时，背电极图案51可利用含铝浆料形成。另选地，当基板110为n型时，背电极图案51可利用含Al-Ag浆料或含银浆料形成。
图案51和52的干燥温度可以是大约120°C至200°C，图案51和52的形成顺序可根据需要变化。
接下来，在形成有背电极部图案50的基板110上以大约750°C至800°C的温度执行热处理。
因此，形成背电极部150和多个表面场区172，背电极部150包括电连接至基板110的背电极151以及连接至基板110和背电极151的多个后总线条152，多个表面场区172接触背电极151并设置在基板110的后表面处(参见图1和图2)。
背电极部图案50的背电极图案51和后总线条图案52由于基板110的热处理而与基板110化学耦合，由此变成背电极151和后总线条152。在这种情况下，因为背电极图案51由于基板110的热处理而与后总线条图案52化学耦合，所以背电极151和后总线条152之间进行电连接。
在热处理过程中，背电极图案51中包含的铝或银扩散到基板110中，以在基板110的后表面处形成掺杂浓度高于基板110的表面场区172。因此，背电极151接触电导率大于基板110的表面场区172，并电连接至基板110。结果，更容易从基板110收集载流子。
在本发明的实施方式中，由于发射极区121仅形成在基板110的前表面处，不需要用于隔离基板110的后表面处形成的发射极区的电连接的边缘隔离处理、或者用于去除基板110的后表面处形成的发射极区的分离处理。因此，太阳能电池的制造时间和制造成本降低，太阳能电池的生产率提高。
在本发明的实施方式中，在形成包括前电极141和前总线条142的前电极部140之后，形成包括背电极151和后总线条152的背电极部150。相反，在形成背电极部150之后，可形成前电极部140。
如上所述，由于利用镀覆方法形成前电极141，利用镀覆方法形成的各个前电极141的宽度小于利用丝网印刷方法形成的各个前电极的宽度。因此，太阳能电池的入射面积增大。结果，太阳能电池的效率提高。
与本发明的实施方式不同，当发射极区121不具有选择性发射极结构，即，发射极区121具有与其位置无关的相同薄层电阻，使得前电极部140下面的发射极区121的薄层电阻基本上等于减反射层130下面的发射极区121的薄层电阻时，在太阳能电池的上述制造方法中省略图6C所示的处理。
因此，紧接在发射极层120上形成减反射层130之后，将激光束直接照射到减反射层130上，以在减反射层130中形成多个第一开口181和第二开口182。
在这种情况下，在减反射层130上及下方不存在能够将第二导电类型的杂质另外注入发射极层120中的单独的杂质层。另外，激光束的照射不是为了另外掺杂第二导电类型的杂质，而是为了仅移除减反射层130的所需部分。因此，在发射极层120的被激光束照射的照射部分上不执行额外的掺杂处理。
因此，发射极层120的照射部分和未照射部分可具有相同的掺杂浓度和相同的薄层电阻。
由于激光束的照射原因不同于参照图6D的描述，所以所使用的激光束的波长可以是大约355nm。另外，所使用的激光束的功率(大约5W至20W)和照射时间可根据减反射层130的材料或厚度来确定。
在这种情况下，由于省略了形成和移除杂质层20的处理，所以太阳能电池的制造时间和制造成本降低。
在本发明的实施方式中，背电极151是通过丝网印刷方法利用包含铝(Al)或银(Ag)的浆料形成的，后总线条152是通过丝网印刷方法利用包含银(Ag)的浆料形成的。
在另选的示例中，背电极151和后总线条152可以按照与前电极141和前总线条142相同的方式利用镀覆方法形成。在这种情况下，背电极151和后总线条152可以按照与前电极141和前总线条142相同的方式通过相同的镀覆方法利用相同的材料同时形成。另外，背电极151和后总线条152可以通过用于前电极141和前总线条142的镀覆工艺与前电极141和前总线条142同时形成。在这种情况下，背电极部150可以利用与前电极部140相同的材料形成。另外，背电极部150可具有单层结构或多层结构，例如双层结构和三层结构。
如上所述，当背电极151和后总线条152是利用镀覆方法形成的并具有双层结构或三层结构，并且双层结构或三层结构的接触表面场区172(即，基板110的高度掺杂有第一导电类型的杂质的区)的下层是由镍(Ni)形成的时，下层和表面场区172之间由于镍(Ni)与表面场区172的硅(Si)之间的耦合而存在硅化镍。
另外，在包括背电极151和后总线条152的背电极部150与表面场区172之间没有检测到包含铅(Pb)基材料(例如，PbO)、铋(Bi)基材料(例如，Bi2O3)、铝(Al)基材料(例如，Al2O3)、硼(B)基材料(例如，B2O3)、锡(Sn)基材料、锌(Zn)基材料(例如，ZnO)、钛(Ti)基材料(例如，TiO)和磷(P)基材料(例如，P2O5)中的至少一种的玻璃粉。
在本发明的实施方式中，由于前总线条142和前电极141交叉，所以前总线条本身具有这样的结构，其中第一部分以薄层形式形成在减反射层130的表面上，第二部分以格状形式穿过减反射层130形成。
根据本发明的实施方式的太阳能电池具有这样的结构，其中光入射在基板110的前表面和后表面中的一个上(本发明的实施方式中的前表面)。另选地，如图11所示，根据本发明的实施方式的太阳能电池可应用于双面太阳能电池，其中光入射在基板110的前表面和后表面上。
当在减反射层130中形成多个第一开口181和第二开口182之后，以暴露发射极区121的一部分时，在发射极区121的暴露部分上执行镀覆工艺以形成前电极部140，按照与上述太阳能电池相同的方式使用多个第二开口182来形成双面太阳能电池的各个前总线条142，不同之处在于多个第一开口181和第二开口182的交叉。另外，所述结构可应用于双面太阳能电池的背电极部150的形成。
参照图11描述双面太阳能电池。
图11示出具有图2所示的太阳能电池的构造的双面太阳能电池。在图11所示的双面太阳能电池中，为与图1和图2所示的太阳能电池中所述的那些结构和部件相同或等同的结构和组件指定相同的标号，进一步的描述可简要进行，或者可完全省略。
如图11所示，双面太阳能电池包括：钝化层192，其具有多个第三开口183和第四开口184(或多个第一开口和第二开口)，并且位于基板110的后表面上；表面场区172a，其设置在基板110的位于钝化层192的下面的后表面处，并且比基板110更多地掺杂有与基板110相同导电类型的杂质。表面场区172a的第一部分通过多个第三开口183暴露，表面场区172a的第二部分通过多个第四开口184暴露。
表面场区172a的结构类似于选择性发射极结构。因此，表面场区172a包括第一场区和第二场区(或第一杂质区和第二杂质区)1721和1722，其根据其位置各自具有不同的掺杂浓度和不同的薄层电阻。例如，第二场区1722的掺杂浓度高于第一场区1721的掺杂浓度，第二场区1722的薄层电阻小于第一场区1721的薄层电阻。表面场区172a的第二场区1722是表面场区172a通过多个第三开口183和第四开口184暴露的部分，并对应于表面场区172a的第一部分和第二部分。表面场区172a的第一场区1721是表面场区172a位于钝化层192下面的部分。
类似于减反射层130，钝化层192执行钝化功能，其将存在于基板110的后表面及周围的缺陷(例如，悬空键)转换为稳定键。另外，钝化层192用作反射层，其将穿过基板110的光反射到基板110。钝化层192可由加氢氮化硅(SiNx:H)或氧化铝(Al2O3)等形成。
类似于前电极部140，背电极部150a包括彼此分离的多个背电极151a以及彼此分离并连接至所述多个背电极151a的多个后总线条152a。
各个背电极151a在与各个前电极141相同的方向上延伸，各个后总线条152a在与各个前总线条142相同的方向上延伸。因此，各个后总线条152a在各个后总线条152a与多个背电极151a的交叉点处连接至多个背电极151a。在本发明的实施方式中，前电极141中的全部或一些可与背电极151a中的那些对齐，或者前电极141都不与背电极151a中的那些对齐，前总线条152a中的全部或一些可与背电极总线条152a中的那些对齐，或者前总线条152a都不与背电极总线条152a中的那些对齐。
各个第三开口183用于形成各个背电极151a，多个第四开口184用于形成各个后总线条152a。
因此，由于背电极151a和后总线条152a接触掺杂浓度高于第一场区1721的第二场区1722，所以从基板110向背电极151a和后总线条152a移动的载流子的转移效率提高。
在本发明的实施方式中，类似于各个前电极141，一个第三开口183用于形成各个背电极151a，类似于各个前总线条142，多个第四开口184（例如，30至70个第四开口184）可用于形成各个后总线条152a。与一个后总线条152a对应的多个第二场区1722的形成宽度或表面场区172的后总线条形成区域(或第二总线条形成区域)与一个后总线条152a下面的第四开口184的总宽度之比可以是大约1:0.2至1:0.5。
对用于各个背电极151a的第三开口183的宽度、用于各个后总线条152a的第四开口184的宽度以及用于一个后总线条152a的多个第四开口184中的两个相邻的第四开口184之间的距离的描述基本上与基于第一开口181和第二开口182的描述相同。
因此，当一个后总线条形成区域中，多个第四开口184按照其间不同的距离彼此分离时，设置在一个后总线条形成区域或一个后总线条152a的中部的两个相邻的第四开口184之间的距离可以是设置在一个后总线条形成区域或一个后总线条152a的边缘处的两个相邻的第四开口182之间的距离的大约1.5倍至5倍。
由于第二场区1722局部形成在通过第三开口183和第四开口184暴露的表面场区172a中，所以形成在钝化层192中的第三开口183和第四开口184中的每一个的宽度可以基本上等于第二场区1722的宽度。
因此，各个背电极151a利用镀覆方法形成在通过一个对应的第三开口183暴露的第二场区1722上。另外，各个后总线条152a利用镀覆方法形成在通过多个对应的第四开口184暴露的第二场区1722上。
如上所述，镀覆生长是在垂直方向和水平方向上以相同的速度执行的各向同性生长。
因此，各个背电极151a设置在通过各个第三开口183暴露的表面场区172a的第一部分上以及与各个第三开口183相邻的钝化层192上，并且各个背电极151a的宽度W61大于各个第三开口183的宽度W51。另外，各个后总线条152a设置在通过多个第四开口184暴露的表面场区172a的第二部分上以及与第四开口184相邻的钝化层192上，并且还设置在(或交叠在)两个相邻的第四开口184之间的钝化层192上。因此，各个后总线条152a的宽度W62大于形成有用于各个后总线条152a的多个第四开口184的钝化层192的宽度W52。位于交叠部分中的后总线条152a的上表面(即，与后总线条152a的接触表面场区172a或钝化层192的表面相对的表面)的高度可小于位于通过第四开口184暴露的表面场区172a的第二部分上的后总线条152a的上表面的高度。在这种情况下，背电极151a的数量可以等于或大于前电极141的数量。
如上所述，当背电极151a和后总线条152a利用镀覆方法形成并具有双层结构或三层结构，并且双层结构或三层结构的接触表面场区172a(即，基板110的高度掺杂有第一导电类型的杂质的区)的下层是由镍(Ni)形成的时，由于镍(Ni)和表面场区172a的硅(Si)之间的耦合而在下层和表面场区172a之间存在硅化镍。
在本发明的实施方式中，在包括背电极151a和后总线条152a的背电极部150a与表面场区172a之间未检测到包含铅(Pb)基材料(例如，PbO)、铋(Bi)基材料(例如，Bi2O3)、铝(Al)基材料(例如，Al2O3)、硼(B)基材料(例如，B2O3)、锡(Sn)基材料、锌(Zn)基材料(例如，ZnO)、钛(Ti)基材料(例如，TiO)和磷(P)基材料(例如，P2O5)中的至少一种的玻璃粉。
类似于已经参照图1和图2描述的发射极区121，可使用具有与位置无关的均匀薄层电阻和均匀掺杂浓度的表面场区来代替包括第一场区1721和第二场区1722的表面场区172a。
在本发明的实施方式中，除了所使用的材料之外，表面场区172a的形成过程基本上与发射极区121相同，背电极部150a的形成过程基本上与前电极部140相同。因此，进一步的描述可简要进行或者可完全省略。
在本发明的实施方式中，由于后总线条152a和背电极151a交叉，所以后总线条152a具有这样的结构，其中第一部分以薄层形式形成在钝化层192的表面上，第二部分以格状形式穿过钝化层192形成。
在该双面太阳能电池中，由于光入射在基板110的前表面和后表面上，入射在基板110上的光量增加。因此，双面太阳能电池的效率提高。
本发明的实施方式描述了一种太阳能电池，其中发射极区121和表面场区172(或172a)由与基板110相同的半导体(即，晶体半导体)形成，并与基板110一起形成同质结。然而，根据本发明的实施方式的前电极部和背电极部中的至少一个及其制造方法可应用于形成异质结的太阳能电池的前电极部和背电极部中的至少一个。在形成异质结的太阳能电池中，基板可由诸如单晶硅和多晶硅的晶体半导体形成，并且发射极区和表面场区中的至少一个可由诸如非晶硅的非晶体半导体形成。
尽管已经参照许多示例性实施方式描述了实施方式，但是应该理解，本领域技术人员可想到落入本发明的原理的范围内的许多其它修改和实施方式。更具体地讲，在本公开、附图和所附权利要求书的范围内的主题组合布置方式的组成部件和/或布置方式中可进行各种变化和修改。除了组成部件和/或布置方式的变化和修改，另选的使用对于本领域技术人员而言也将是明显的。

Claims (27)

1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：
第一导电类型的基板；
与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区，其被设置在所述基板处；
减反射层，其包括第一开口和多个第二开口，所述第一开口被设置在所述发射极区上并暴露所述发射极区，所述多个第二开口暴露所述发射极区并彼此分离；
第一电极，其被设置在通过所述第一开口暴露的所述发射极区的第一部分上，并连接至所述发射极区的所述第一部分；
第一总线条，其被设置在通过所述多个第二开口暴露的所述发射极区的第二部分上，并连接至所述发射极区的所述第二部分和所述第一电极；以及
第二电极，其被设置在所述基板上，并连接至所述基板。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第二开口的数量是30至70。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述减反射层的总线条形成区域的宽度与所述第一总线条下面的所述多个第二开口的总宽度之比是大约1:0.2至1:0.5。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第二开口按照均匀的间隔彼此分离。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第二开口按照不同的间隔彼此分离。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述减反射层包括总线条形成区域，所述多个第二开口形成在所述总线条形成区域中，
其中，所述第一总线条被设置在所述减反射层的所述总线条形成区域中，并且
其中，设置在所述总线条形成区域的中部的两个相邻的第二开口之间的距离大于设置在所述总线条形成区域的边缘处的两个相邻的第二开口之间的距离。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，设置在所述总线条形成区域的中部的两个相邻的第二开口之间的距离是设置在所述总线条形成区域的边缘处的两个相邻的第二开口之间的距离的大约1.5倍至5倍。
8.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中，两个相邻的第二开口之间的距离是大约15μm至30μm。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一总线条被另外设置在位于所述多个第二开口之间的所述减反射层上。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一总线条的上表面是曲面。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，设置在所述减反射层上的第一总线条的高度小于设置在通过所述多个第二开口暴露的所述发射极区的所述第二部分上的第一总线条的高度。
12.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，所述第一总线条的边缘的高度大于所述第一总线条的中间部分的高度。
13.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一开口沿第一方向在所述第一电极下方延伸，并且
其中，各个所述第二开口沿与所述第一方向交叉的第二方向在所述第一总线条下方延伸。
14.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一开口和第二开口中的至少一个的侧面是平坦表面。
15.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一开口和第二开口中的至少一个的侧面是不平坦表面。
16.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述发射极区包括具有第一薄层电阻的第一发射极区以及具有比所述第一薄层电阻小的第二薄层电阻的第二发射极区。
17.根据权利要求16所述的太阳能电池，其中，所述第二发射极区被设置在通过所述第一开口暴露的所述发射极区的所述第一部分和通过所述多个第二开口暴露的所述发射极区的所述第二部分中。
18.根据权利要求17所述的太阳能电池，其中，所述第二发射极区的宽度基本上等于所述第一开口的宽度和所述多个第二开口中的每一个的宽度。
19.根据权利要求17所述的太阳能电池，其中，形成在通过所述第一开口暴露的所述发射极区的所述第一部分中的所述第二发射极区的宽度小于所述第一电极的宽度。
20.根据权利要求17所述的太阳能电池，其中，所述减反射层包括总线条形成区域，所述多个第二开口形成在所述总线条形成区域中，
其中，所述第一总线条被设置在所述减反射层的所述总线条形成区域中，并且
其中，所述第一总线条的宽度大于所述总线条形成区域的宽度。
21.根据权利要求1所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括所述第一导电类型的表面场区，该表面场区被设置在所述第二电极下面的所述基板处，并连接至所述基板。
22.根据权利要求21所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括钝化层，该钝化层被设置在所述表面场区上，并包括暴露所述表面场区的第一部分的第三开口，并且
其中，所述第二电极被设置在通过所述第三开口暴露的所述表面场区的所述第一部分上，并连接至所述表面场区。
23.根据权利要求22所述的太阳能电池，其中，所述钝化层还包括多个第四开口，所述多个第四开口被设置为与所述表面场区的第二部分分离，所述表面场区的所述第二部分不同于所述表面场区的所述第一部分，
其中，所述太阳能电池还包括第二总线条，该第二总线条被设置在通过所述多个第四开口暴露的所述表面场区的所述第二部分上，并连接至所述第二电极。
24.根据权利要求23所述的太阳能电池，其中，所述多个第四开口的数量是30至70。
25.根据权利要求23所述的太阳能电池，其中，所述钝化层的总线条形成区域的宽度与所述第二总线条下面的所述多个第四开口的总宽度之比是大约1:0.2至1:0.5。
26.根据权利要求23所述的太阳能电池，其中，所述多个第四开口按照不同的间隔彼此分离。
27.根据权利要求20所述的太阳能电池，其中，所述第二总线条被另外设置在所述多个第四开口之间的钝化层上。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107871790A (zh) * 2016-08-31 2018-04-03 材料概念有限公司 太阳能电池及其制造方法
CN109904067A (zh) * 2019-01-21 2019-06-18 东方环晟光伏（江苏）有限公司 一种perc双面电池制作工艺
CN114975648A (zh) * 2022-06-28 2022-08-30 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及其制备方法、光伏组件

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130096822A (ko) * 2012-02-23 2013-09-02 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
TWI492400B (zh) * 2013-02-21 2015-07-11 茂迪股份有限公司 太陽能電池及其製造方法與太陽能電池模組
JP2016528738A (ja) * 2013-08-21 2016-09-15 ジーティーエイティー・コーポレーション 金属片を太陽電池へ連結するためのアクティブはんだの使用
TW201511306A (zh) * 2013-09-09 2015-03-16 Terasolar Energy Materials Corp Ltd 鈍化發射極背電極矽晶太陽能電池及其製造方法
DE102014224679A1 (de) * 2014-12-02 2016-06-02 Solarworld Innovations Gmbh Solarzelle
EP3358627A1 (en) * 2017-02-07 2018-08-08 LG Electronics Inc. Solar cell
CN111146302B (zh) * 2019-12-18 2021-06-15 英利能源（中国）有限公司 一种光伏组件的敷设方法及光伏组件
WO2022087677A1 (en) * 2020-10-29 2022-05-05 Newsouth Innovations Pty Limited A solar cell structure and a method of forming a solar cell structure
CN117238980A (zh) * 2022-10-24 2023-12-15 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及光伏组件
TWI818793B (zh) * 2022-11-03 2023-10-11 長生太陽能股份有限公司 太陽能電池及其製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02123770A (ja) * 1988-11-01 1990-05-11 Sharp Corp 太陽電池の電極の製造方法
US5011565A (en) * 1989-12-06 1991-04-30 Mobil Solar Energy Corporation Dotted contact solar cell and method of making same
US5116427A (en) * 1987-08-20 1992-05-26 Kopin Corporation High temperature photovoltaic cell
CN1554113A (zh) * 2001-07-20 2004-12-08 纳托尔公司 平面金属电加工
US20090007962A1 (en) * 2005-11-24 2009-01-08 Stuart Ross Wenham Low area screen printed metal contact structure and method
JP2010135562A (ja) * 2008-12-04 2010-06-17 Sharp Corp 光電変換素子、光電変換素子モジュールおよび光電変換素子の製造方法
US20100224228A1 (en) * 2009-03-03 2010-09-09 Jinah Kim Solar cell and method for manufacturing the same, and solar cell module
CN101884115A (zh) * 2008-04-17 2010-11-10 Lg电子株式会社 太阳能电池、太阳能电池的发射极层的形成方法、和太阳能电池的制造方法
CN102077359A (zh) * 2008-06-26 2011-05-25 三菱电机株式会社 太阳能电池单元及其制造方法

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6524880B2 (en) * 2001-04-23 2003-02-25 Samsung Sdi Co., Ltd. Solar cell and method for fabricating the same
US20030178057A1 (en) * 2001-10-24 2003-09-25 Shuichi Fujii Solar cell, manufacturing method thereof and electrode material
JP4404753B2 (ja) * 2004-11-24 2010-01-27 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
CN106409970A (zh) * 2005-12-21 2017-02-15 太阳能公司 背面触点太阳能电池及制造方法
KR101181820B1 (ko) * 2005-12-29 2012-09-11 삼성에스디아이 주식회사 태양 전지의 제조 방법
US20080092944A1 (en) * 2006-10-16 2008-04-24 Leonid Rubin Semiconductor structure and process for forming ohmic connections to a semiconductor structure
WO2010009297A2 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 Applied Materials, Inc. Hybrid heterojunction solar cell fabrication using a doping layer mask
JP5368022B2 (ja) * 2008-07-17 2013-12-18 信越化学工業株式会社 太陽電池
KR100984701B1 (ko) * 2008-08-01 2010-10-01 엘지전자 주식회사 태양 전지의 제조 방법
CN101656273B (zh) * 2008-08-18 2011-07-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 选择性发射极太阳能电池单元及其制造方法
US7820532B2 (en) * 2008-12-29 2010-10-26 Honeywell International Inc. Methods for simultaneously forming doped regions having different conductivity-determining type element profiles
US8298850B2 (en) 2009-05-01 2012-10-30 Silicor Materials Inc. Bifacial solar cells with overlaid back grid surface
KR101248163B1 (ko) * 2009-09-10 2013-03-27 엘지전자 주식회사 이면 접합형 태양 전지 및 그 제조 방법
US8614115B2 (en) * 2009-10-30 2013-12-24 International Business Machines Corporation Photovoltaic solar cell device manufacture
KR101057124B1 (ko) * 2009-11-03 2011-08-16 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101627377B1 (ko) * 2009-12-09 2016-06-03 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
TWI483403B (zh) * 2010-04-02 2015-05-01 Gintech Energy Corp 形成光伏面板導電通道的方法
KR100990108B1 (ko) * 2010-04-14 2010-10-29 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101626162B1 (ko) * 2010-04-26 2016-05-31 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101579318B1 (ko) * 2010-04-29 2015-12-21 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101579320B1 (ko) * 2010-05-12 2015-12-21 엘지전자 주식회사 태양 전지
US8071418B2 (en) * 2010-06-03 2011-12-06 Suniva, Inc. Selective emitter solar cells formed by a hybrid diffusion and ion implantation process
US8110431B2 (en) * 2010-06-03 2012-02-07 Suniva, Inc. Ion implanted selective emitter solar cells with in situ surface passivation
US20110139231A1 (en) * 2010-08-25 2011-06-16 Daniel Meier Back junction solar cell with selective front surface field
KR100997111B1 (ko) * 2010-08-25 2010-11-30 엘지전자 주식회사 태양 전지
KR101733055B1 (ko) * 2010-09-06 2017-05-24 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
KR101665722B1 (ko) * 2010-09-27 2016-10-24 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
US8834664B2 (en) * 2010-10-22 2014-09-16 Guardian Industries Corp. Photovoltaic modules for use in vehicle roofs, and/or methods of making the same
CN102593204B (zh) * 2011-01-10 2014-09-24 Lg电子株式会社 太阳能电池和制造该太阳能电池的方法
KR101745683B1 (ko) * 2011-01-14 2017-06-09 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101258938B1 (ko) * 2011-07-25 2013-05-07 엘지전자 주식회사 태양 전지
TW201327897A (zh) * 2011-10-28 2013-07-01 Applied Materials Inc 光伏單元的背點接觸製程
KR101295552B1 (ko) * 2011-11-16 2013-08-12 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101860919B1 (ko) * 2011-12-16 2018-06-29 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR101902887B1 (ko) * 2011-12-23 2018-10-01 엘지전자 주식회사 태양 전지의 제조 방법
KR102052503B1 (ko) * 2012-01-19 2020-01-07 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이를 제조하는 제조 장치와 방법
KR20130096822A (ko) * 2012-02-23 2013-09-02 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
KR20130096823A (ko) * 2012-02-23 2013-09-02 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
KR101831405B1 (ko) * 2012-03-28 2018-02-22 엘지전자 주식회사 태양 전지

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5116427A (en) * 1987-08-20 1992-05-26 Kopin Corporation High temperature photovoltaic cell
JPH02123770A (ja) * 1988-11-01 1990-05-11 Sharp Corp 太陽電池の電極の製造方法
US5011565A (en) * 1989-12-06 1991-04-30 Mobil Solar Energy Corporation Dotted contact solar cell and method of making same
CN1554113A (zh) * 2001-07-20 2004-12-08 纳托尔公司 平面金属电加工
US20090007962A1 (en) * 2005-11-24 2009-01-08 Stuart Ross Wenham Low area screen printed metal contact structure and method
CN101884115A (zh) * 2008-04-17 2010-11-10 Lg电子株式会社 太阳能电池、太阳能电池的发射极层的形成方法、和太阳能电池的制造方法
CN102077359A (zh) * 2008-06-26 2011-05-25 三菱电机株式会社 太阳能电池单元及其制造方法
JP2010135562A (ja) * 2008-12-04 2010-06-17 Sharp Corp 光電変換素子、光電変換素子モジュールおよび光電変換素子の製造方法
US20100224228A1 (en) * 2009-03-03 2010-09-09 Jinah Kim Solar cell and method for manufacturing the same, and solar cell module

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107871790A (zh) * 2016-08-31 2018-04-03 材料概念有限公司 太阳能电池及其制造方法
US11404597B2 (en) 2016-08-31 2022-08-02 Material Concept, Inc. Solar cell and method of manufacturing the same
CN109904067A (zh) * 2019-01-21 2019-06-18 东方环晟光伏（江苏）有限公司 一种perc双面电池制作工艺
CN114975648A (zh) * 2022-06-28 2022-08-30 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
CN114975648B (zh) * 2022-06-28 2024-02-06 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及其制备方法、光伏组件

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