CN103178132B - 太阳能电池 - Google Patents
太阳能电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103178132B CN103178132B CN201210300871.6A CN201210300871A CN103178132B CN 103178132 B CN103178132 B CN 103178132B CN 201210300871 A CN201210300871 A CN 201210300871A CN 103178132 B CN103178132 B CN 103178132B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- solaode
- semiconductor substrate
- resistance
- back surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 59
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013521 mastic Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- -1 for instance Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开一种太阳能电池。根据实施方式的太阳能电池包括：半导体衬底；形成在半导体衬底的前表面和后表面中的至少一个上的发射极层；形成在半导体衬底的后表面上的后表面场层；形成在发射极层上的第一电极；以及形成在后表面场层上的第二电极。后表面场层包括：形成在不形成第二电极的部分并且具有第一电阻的第一部分，以及与第二电极接触并具有低于第一电阻的第二电阻的第二部分。第二电极包括彼此平行并且间隔约0.1mm到约1mm的距离并且具有约50μm到约70μm的宽度的多个指状电极。
Description
技术领域
本发明的实施方式涉及太阳能电池，更具体地涉及具有发射极层和后表面场层的太阳能电池。
背景技术
近来，由于预期现有能源例如石油或煤将耗尽，所以增长了对替代石油或煤的替代能源的兴趣。特别地，直接将太阳能转换或转变成电力的太阳能电池获得了关注。
通过根据预定设计形成多个层和电极来制造太阳能电池。这样，太阳能电池的效率会根据多个层电极的设计而变化。例如，当电极的面积过分地大时，遮光损耗和用于制造太阳能电池的材料的量会增加。当电极的面积过分地小时，太阳能电池的电阻会增加。因此，为了最大化太阳能电池的效率，需要设计多个层和电极。
发明内容
本发明的实施方式关注于能够最大化效率并且最小化用于制造太阳能电池的材料的量的太阳能电池。
根据本发明的实施方式的太阳能电池包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的发射极层，该发射极层形成在所述半导体衬底的前表面和后表面中的至少一个上；形成在所述半导体衬底的后表面上的后表面场层；形成在所述发射极层上并且电连接到所述发射极层的第一电极；以及形成在所述后表面场层上并且电连接到所述后表面场层的第二电极。所述后表面场层包括：在未形成第二电极的部分上形成并且具有第一电阻的第一部分；以及与第二电极接触并且具有低于所述第一电阻的第二电阻的第二部分。所述第二电极包括多个指状电极。所述多个指状电极彼此平行并且彼此间隔约0.1到约1mm的距离，并且所述多个指状电极具有约50μm到约70μm的宽度。
附图说明
图1是根据本发明实施方式的太阳能电池的后立体图。
图2是图1中所示的太阳能电池的一部分的截面图。
图3是示出根据发明实施方式的太阳能电池的第二电极的平面图。
图4是本发明的实验性实施方式的太阳能电池的串联电阻的图。
图5是本发明的实验性实施方式的太阳能电池的饱和电流的图。
图6是本发明的实验性实施方式的太阳能电池的串联电阻和饱和电流的乘积的图。
图7是本发明的比较实施方式1的太阳能电池的串联电阻的图。
图8是本发明的比较实施方式1的太阳能电池的饱和电流的图。
图9是本发明的比较实施方式1的太阳能电池的串联电阻和饱和电流的乘积的图。
图10是本发明的比较实施方式2的太阳能电池的串联电阻和饱和电流的乘积的图。
图11是本发明的比较实施方式3的太阳能电池的串联电阻和饱和电流的乘积的图。
图12是根据发明的另一个实施方式的太阳能电池的截面图。
具体实施方式
在下文，将参照附图描述发明的实施方式。然而，本发明不限于这些实施方式，并且实施方式的多种修改是可能的。
为了清楚和简洁地例示发明的实施方式，在附图中省略了与本发明不相关的元件。而且，彼此类似或相同的元件具有相同的附图标记。另外，层和区域的尺寸被放大或示意性地示出，或者为了清楚例示，一些层被省略。另外，画出的每个部分的尺寸可能不反映真实尺寸。
在下面的描述中，当一层或衬底“包括”另一个层或部分时，可理解为该层或衬底还包括再一个层或部分。而且，当提到层或膜在另一个层或衬底“上”时，其可以直接在另一个层或衬底上，或者还可出现中间层。而且，当提到层或膜“直接”在另一个层或衬底“上”时，其可直接在另一个层或衬底上，因而没有中间层。
图1是根据本发明的实施方式的太阳能电池的后立体图，图2是图1示出的太阳能电池一部分的截面图。
参照图1和图2，根据本发明的实施方式的太阳能电池100包括：半导体衬底10、在或邻近半导体衬底10的第一表面(下文，称为“前表面”)和第二表面(下文，称为“后表面”)中的至少一个形成的发射极层20、以及在或邻近半导体衬底10的后表面形成的后表面场层30。而且，太阳能电池100还可包括在半导体衬底10的前表面上形成的防反射膜22和第一电极24(或者多个第一电极)，并且可以包括在半导体衬底10的后表面上形成的钝化膜32和第二电极34(或多个第二电极)。
半导体衬底10可以包括多种半导体材料。例如，半导体衬底10可以包括：具有第一导电类型掺杂剂的硅。对于硅，可以使用单晶硅或多晶硅。例如，该第一导电类型可以是n型。也就是说，半导体衬底10可以包括掺杂了诸如磷(P)、砷(As)、铋(Bi)、锑(Sb)等的V族元素的单晶硅或多晶硅。
当半导体衬底10具有上述的n型掺杂剂时，具有p型掺杂剂的发射极层20形成在半导体衬底10的前表面，因而形成p-n结。当光(诸如太阳光)入射到半导体衬底10上时，由光电效应生成的电子移动到半导体衬底10的后表面并被第二电极34收集，并且由光电效应产生的空穴移动到半导体衬底10的前表面并被第一电极24收集。从而，由此产生电能。
这种情况下，迁移率比电子的迁移率小的空穴移动到半导体衬底10的前表面而不是半导体衬底10的后表面。因此，可以增强太阳能电池100的转换效率。
然而，本发明的实施方式不限于此，因而，半导体衬底10可以具有p型掺杂剂并且发射极层20可以具有n型掺杂剂。
半导体衬底10的前表面和后表面可以是具有多种形状(例如金字塔形)的突出部分和/或凹陷部分的纹理表面。当通过突出部分和/或凹陷部分来增加表面粗糙度时，通过纹理可以降低太阳光在半导体衬底10的前表面的入射的反射率。接着，到达半导体衬底10和发射极层20之间的p-n结的光的数量可以增加，因而降低太阳能电池100的光损耗。
对于纹理化的方法，可以使用湿法刻蚀法或干法刻蚀法。在湿法刻蚀法中，半导体衬底10可以浸到纹理化溶液(或刻蚀溶液)中。根据湿法刻蚀法，处理时间可以较短。在干法刻蚀法中，半导体衬底10的表面被金刚石钻头或激光刻蚀。在干法刻蚀中可以均匀形成突出部分和/或凹陷部分，但是半导体衬底10可能被破坏并且处理时间可能较长。如以上示出，在本发明的此实施方式中，可以通过多种方法将半导体衬底10纹理化。
具有第二导电类型掺杂剂的发射极层20可以在半导体衬底10的前表面形成。发射极层20可以例如包括诸如硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)等的III族元素的p型掺杂剂。但是本发明的实施方式不限于此。这样，当半导体衬底10是p型时，发射极层20可以是n型。
在本发明的实施方式中，发射极层20包括：邻近(或者邻接)不形成第一电极24的防反射膜22形成的第一部分20a；以及与第一电极24接触的第二部分20b。第二部分20b具有比第一部分20a的第一电阻低的第二电阻。
这样，在太阳光入射的第一部分20a处可以实现浅的发射极，由此增强太阳能电池100的效率。另外，通过第二部分20b，可以降低第一电极24和第二部分20b之间的接触电阻。也就是说，由于发射极层20因具有第一部分20a和第二部分20b而具有选择性的发射极结构，所以太阳能电池100的效率能够最大化。
在这种情况下，发射极层20的第一部分20a具有约70-110欧姆/平方的电阻，并且发射极层20的第二部分20b具有约20-40欧姆/平方的电阻。当第一部分20a具有约70-110欧姆/平方的电阻时，其钝化特性能够被最大化。而且，当第二部分20b具有约20-40欧姆/平方的电阻时，其与第一电极24的电阻能够降低。然而，本发明的实施方式不限于此，因而，电阻可以变化。
可以通过多种方法形成发射极层20。例如，可以通过使用遮挡掩膜的离子注入法、使用掩膜的背面刻蚀法、激光掺杂法等形成发射极层20。
防反射膜22和第一电极24可以在半导体衬底10的前表面处的发射极层20上形成。
防反射膜22可以基本在半导体衬底10的整个前表面，除了形成第一电极24的部分以外。防反射膜22降低了入射到半导体衬底10的前表面的太阳光的反射(或反射率)。而且，防反射膜22钝化了存在于发射极层20的表面或体的缺陷。
由于防反射膜22降低了太阳光反射，所以到达形成在半导体衬底10和发射极层20之间的p-n结的太阳光的量增加，由此增加了太阳能电池100的短路电流(Isc)。而且，因为发射极层20的缺陷被钝化，所以少数载流子的复合处所被减少或消除，由此增加了太阳能电池100的开路电压(Voc)。因此，防反射层22增加了太阳能电池100的开路电压(Voc)和短路电流(Isc)，因而能够增加太阳能电池100的效率。
防反射膜22可以包括多种材料。防反射膜22可以具有单膜结构或多层膜结构，例如包括从由氮化硅、含氢的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、MgF2、ZnS、TiO2和CeO2组成的组选择的至少一种材料。但是，本发明的实施方式不限于此，因而，防反射膜22可以包括多种材料。
可以通过多种方法形成防反射膜22，例如，真空蒸镀法、化学气相沉积法、旋涂法、丝网印刷法或者喷涂法。可以使用其它方法。
第一电极24可以包括具有高的电导率的多种金属。例如，第一电极24可以包括具有高的电导率的铝(Al)或银(Ag)的至少一个汇流电极和/或至少一个指状电极。但是本发明的实施方式不限于此。第一电极24可以是包括透明导电材料的单层，或者可以具有包括透明导电层和位于该透明导电层上的金属层(称为“汇流条”或“指状电极”)的叠层结构。
可以通过多种方法形成第一电极24，例如丝网印刷法、镀覆法、沉积法等。
后表面场层30在半导体衬底10的后表面形成，并且具有掺杂浓度高于半导体衬底10的第一导电类型掺杂剂。后表面场层30可以阻止电荷-空穴对在半导体衬底10的后表面复合，并且可以增强太阳能电池100的效率。后表面场层30可以包括n型掺杂剂，例如，磷(P)、砷(As)、铋(Bi)、锑(Sb)等。然而，本发明的实施方式不限于此。因而，当半导体衬底10具有p型掺杂剂时，后表面场层30可以具有p型掺杂剂。
在此实施方式中，后表面场层30包括：在不形成第二电极34的部分处形成第二电极34之间的第一部分30a；以及与第二电极34接触的第二部分30b。第二部分30b具有比第一部分30a的第一电阻小的第二电阻。也就是说，通过具有第一部分30a和第二部分30b，后表面场层30可以具有选择性的后表面场结构，稍后将详细描述。
可以通过多种方法形成后表面场层30。例如，可以通过使用遮挡掩膜的离子注入法、使用掩膜的背面刻蚀法、激光掺杂法等形成后表面场层30。
钝化膜32和第二电极34可以形成在半导体衬底10的后表面。
钝化膜32基本可在半导体衬底10的整个后表面，除了形成第二电极34的部分以外。钝化膜32钝化了半导体衬底10后表面的缺陷。这样，太阳能电池100的开路电压(Voc)能够增加。
钝化膜32可以包括用于透射光的透明绝缘材料。因而，光可以透过钝化膜32而入射到半导体衬底10的后表面，并且由此增强太阳能电池100的效率。钝化膜32可具有单膜结构或多层膜结构，包括例如从氮化硅、含氢的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、MgF2、ZnS、TiO2和CeO2组成的组选择的至少一种材料。然而，本发明的实施方式不限于此，因而，钝化膜32可以包括多种材料。
可以通过多种方法形成钝化膜32，例如，真空蒸镀法、化学气相沉积法、旋涂法、丝网印刷法或者喷涂法。可以使用其它方法。
第二电极34可以包括具有高的电导率的多种金属。例如，第二电极34可以包括具有高的导电率和高的反射率的银(Ag)。当第二电极34包括具有高的反射率的银时，第二电极34可以向半导体衬底10的后表面，以及向半导体衬底10的内部反射光。因而，可使用的光的量能够增加。
可以通过多种方法形成第二电极34，例如，丝网印刷法、镀覆法、沉积法等。
在本发明的实施方式中，具有选择性的后表面场结构的后表面场层30和电连接到后表面场层30的第二电极34具有能够使太阳能电池100效率最大化的结构。上述将被更详细描述。
首先，将描述后表面场层30。当后表面场层30的掺杂浓度增加时，其钝化特性可以降低。另一方面，当后表面场层30的掺杂浓度降低时，其钝化特性增加并且在钝化区域的饱和电流(Jo)降低，尽管在电极区域的饱和电流增加并且串联电阻(Rse)也增加。因而，饱和电流和串联电阻的乘积也增加。相应地，即使后表面场层30的掺杂浓度整体上降低，饱和电流和串联电阻的乘积仍增加，因而，太阳能电池100的效率不能够被最大化。
这样，在后表面场层30中，钝化区域(涉及钝化)可以具有相对低的掺杂浓度，使得钝化特性改进，并且电极区域(与电极接触)可以具有相对高的掺杂浓度，使得电阻可被降低。
在本发明的实施方式中，后表面场层30的第一部分30a是用于阻止电子和空穴复合的钝化区域，并且后表面场层30的第二部分30b是与第二电极34接触的电极区域。因此，第一部分30a可以具有相对低的掺杂浓度和相对高的电阻，并且第二部分30b可以具有相对高的掺杂浓度和相对低的电阻。
由此，后表面场层30的第一部分30a具有约70-110欧姆/平方的电阻，并且后表面场层30的第二部分30b具有约20-40欧姆/平方的电阻。当第一部分30a具有约70-110欧姆/平方的电阻时，钝化特性能够被最大化。而且，当第二部分30b具有约20-40欧姆/平方的电阻时，第二电极34的电阻能够被减小。然而，本发明的实施方式不局限于此，因而，电阻可以变化。
将参照图3更详细地描述在第二部分30b上形成的第二电极34。图3是示出根据本发明的实施方式的太阳能电池的第二电极的平面图。
如图3所示，第二电极34可以包括多个指状电极34a。这些指状电极34a彼此平行并且彼此间隔第一距离D1。而且，第二电极34可以包括在与指状电极34a交叉的方向上延伸并且连接指状电极34a的汇流电极34b。汇流电极34b可以包括单个汇流电极34b，或者如图3所示汇流电极34b包括多个汇流电极34b。多个汇流电极34b彼此间隔大于第一距离D1的第二距离D2。
可以通过使用相同的材料(例如，银)通过相同的处理形成汇流电极34b和指状电极34a。汇流电极34b和指状电极34a具有约15μm到约30μm的厚度。当其厚度大于约30μm时，串联电阻不能够降低，并且用于制造电极34a和34b的材料可以增加并且产量可以降低。当其厚度小于约15μm时，串联电阻可以增加且填充因数也可以增加。
在这种情况下，指状电极34a具有约50μm到约70μm的宽度W1，并且指状电极34a彼此间隔约0.1mm到约1mm的第一距离D1。另外，汇流电极34b的宽度W2大于指状电极34a的宽度W1。例如，汇流电极34b可以具有约1到约2mm的宽度(更具体地，约1到约1.5mm)。汇流电极34b彼此间隔一致的第二距离D2。第二距离D2可以根据汇流电极34b的数量而变化。例如，在一个太阳能电池100上形成两个或三个汇流电极34b，并且第二距离D2可以是约20mm到约40mm。
当指状电极34a和/或汇流电极34b的宽度大于上述范围时，遮光损耗将会增加，因而，太阳能电池100的效率可以降低。而且，当指状电极34a和/或汇流电极34b的宽度小于上述范围时，电阻可以增加且可以难以将带状物附接到第二电极34以对太阳能电池100进行模块化。
而且，当指状电极34a之间的第一距离D1和/或汇流电极34b之间的第二距离D2大于上述范围时，难以有效地收集由太阳能电池100产生的电流。当指状电极34a之间的第一距离D1和/或汇流电极34b之间的第二距离D2小于上述范围时，用于制造第二电极34的材料的量可以增加。
由于第一宽度W1和第二宽度W2，以及第一距离D1和第二距离D2，第二电极34相对于半导体衬底10的面积比可以是约7％到约10％。
在传统太阳能电池中，后表面场层具有一致的掺杂浓度，并且第二电极相对于半导体衬底的面积比是大于约12％。也就是说，现有的太阳能电池中，后表面场层具有增加太阳能电池效率的结构，并且因为第二电极的面积大，所以用于制造第二电极的材料的量大并且且生产率低。
另一方面，在该实施方式中，后表面场层30包括具有不同电阻的第一部分30a和第二部分30b，因而，太阳能电池100的钝化特性和效率会被最大化。而且，在本发明的实施方式中，当太阳能电池100具有选择性的后表面场结构的后表面场层30时，第二电极34具有适于使饱和电流和串联电阻的乘积的值最小化的宽度和/或距离。接着，能够在不增加串联电阻的情况下增加后表面场层30的钝化特性，因而，太阳能电池100的效率能够最大化。另外，由于第二电极34的宽度和面积比降低，用于制造第二电极34的材料的量能够降低。
在下文，将通过实验性实例更详细描述发明的实施方式。实验性示例仅仅是用于例示本发明的实施方式的目而提供的，并且本发明的实施方式不局限于此。
实验性实施方式
制备n型半导体衬底。作为p型掺杂剂的硼被离子注入到半导体衬底的前表面，以形成发射极层，且作为n型掺杂剂的磷被离子注入到半导体衬底的后表面，形成后表面场层。在半导体衬底的前表面上形成包括氮化硅的防反射膜，并且在半导体衬底的后表面上形成包括氮化硅层和氧化硅层的钝化膜。接着，在半导体衬底的前表面上丝网印刷第一膏体，在半导体衬底的后表面上丝网印刷第二膏体，并且被烧制以形成第一电极和第二电极。接着，执行隔离处理。这样，后表面场层包括具有约90欧姆/平方的电阻的第一部分和约30欧姆/平方的电阻的第二部分。
制造十五个太阳能电池。在这十五个太阳能电池中，第二电极的指状电极具有约60μm、约70μm、约80μm、约90μm或者约100μm的宽度，并且指状电极之间的第一距离是约1mm、约1.5mm或者约2mm。
比较实施方式1
通过与实验性实施方式的相同的方法制造十五个太阳能电池，除了后表面场层具有约30欧姆/平方的一致的电阻以外。
比较实施实例2
通过与实验性实施方式的相同的方法制造十五个太阳能电池，除了后表面场层具有约60欧姆/平方的一致的电阻以外。
比较实施方式3
通过与实验性实施方式的相同的方法制造十五个太阳能电池，除了后表面场层具有约90欧姆/平方的一致的电阻以外。
图4是实验性实施方式的太阳能电池的串联电阻的图，图5是实验性实施方式的太阳能电池的饱和电流的图。图6是实验性实施方式的串联电阻和饱和电流的乘积的图。图7是比较实施方式1的太阳能电池的串联电阻，图8是由比较实施方式1制造的太阳能电池的饱和电流的图。图9是由比较实施方式1制造的太阳能电池的串联电阻和饱和电流乘积的图，图10是由比较实施方式2制造的太阳能电池的串联电阻和饱和电流乘积的图，图11是由比较实施方式3制造的太阳能电池的串联电阻和饱和电流乘积的图。
参照图4和图7，随着第一距离从约2mm减小到约1mm，并且指状电极的宽度从约60μm增加到约100μm，串联电阻降低。因而，可以看出由第一宽度引起的串联电阻的波动大于由指状电极的宽度引起的。
参照图5和图8，随着第一距离从约2mm减小到约1mm，并且指状电极的宽度从约60μm增加到约100μm，饱和电流增加。
参照图6，当指状电极的第一距离是约1mm时，相比于当指状电极的第一距离是约1.5mm或者约2mm时的情况，饱和电流和串联电阻的乘积被最小化。而且，当指状电极的宽度是约60μm或者70μm，相比于指状电极的宽度是约80μm、90μm或100μm时的情况，饱和电流和串联电阻的乘积被最小化。在此情形下，当第一距离小于约0.5mm或者宽度小于约50μm时，难于制造具有期望的尺寸的第一电极。
参照图9，当指状电极的第一距离是约1mm时，相比于当指状电极的第一距离是约1.5mm或约2mm时，指状电极的饱和电流和串联电阻的乘积被最小化。而且，当指状电极的宽度是约80μm时，饱和电流和串联电阻的乘积被最小化。
当比较图6和图9时，在实验性实施方式中，当饱和电流和串联电阻的乘积被最小化时(也就是说，当指状电极的宽度约60μm或者约70μm并且第一距离是约1mm当串联电阻是约30时)，遮光损耗是低的(约8.5％)。在比较实施方式1中，当饱和电流和串联电阻的乘积被最小化(也就是说当指状电极的宽度是约80μm且第一距离是约1mm当串联电阻是约30时)，遮光损耗是高的(约10.5％)。
也就是说，在该实施方式中，当指状电极具有约50-70μm的宽度并且具有约0.5-1.5mm的第一距离时，遮光损耗以及饱和电流和串联电阻的乘积能够被最小化。由此，太阳能电池的效率能够增强。另外，用于制造第二电极的材料的量能够降低，这样导电率能够增强。
参考图10和图11，比较实施方式2的饱和电流和串联电阻的乘积大于比较实施方式1的，并且比较实施方式3的饱和电流和串联电阻的乘积大于比较实施方式2的。这是通过串联电阻增加而期待的。当后表面场层的电阻是约30欧姆/平方时，饱和电流和串联电阻的乘积被最小化。考虑到这个，在该实施方式中，用于钝化的后表面场层的第一部分具有约20-40欧姆/平方的电阻，这样饱和电流和串联电阻的乘积能够被最小化。而且，与第二电极接触的后表面场的第二部分可具有约70-110欧姆/平方的电阻，因而，太阳能电池的性能会增强。
参照图2，在上述实施方式中，发射极层20包括：具有不同电阻的第一部分20a和第二部分20b。然而，本发明的实施方式不限于此。因而，如图12所示，发射极层210可以整体上具有基本一致的电阻。也就是说，形成第一电极24的部分的电阻可以与不形成第一电极24的部分的电阻基本相同。
根据发明的实施方式，后表面场层30包括：具有不同电阻的第一部分30a和第二部分30b，因而，太阳能电池100的钝化特性和效率能够最大化。
而且，当太阳能电池100包括：具有第一部分30a和第二部分30b的选择性的后表面场结构的后表面场层30，第二电极34能够具有适于饱和电流和串联电阻的乘积的值最小化的宽度和/或距离。接着，在不增加串联电阻的情况下能够提高钝化特性，因而，太阳能电池100的效率能够被最大化。另外，由于第二电极34的宽度和面积比降低，所以用于制造第二电极34的材料的量会降低。
描述了本发明的特定实施方式。然而，本发明不局限于上述的具体的实施方式；且在不脱离由所附的权利要求限定的范围内属于发明的实施方式的多种修改对本领域技术人员是可能的。
Claims (11)
1.一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：
第一导电类型的半导体衬底；
形成在所述半导体衬底的前表面上的第二导电类型的发射极层；
为第一导电类型并且形成在所述半导体衬底的后表面上的后表面场层；
形成在所述发射极层上并且电连接到所述发射极层的第一电极；以及
形成在所述后表面场层上并且电连接到所述后表面场层的第二电极，
其中，所述后表面场层包括：在未形成所述第二电极的部分形成并且具有第一电阻的第一部分，以及与所述第二电极接触并且具有低于所述第一电阻的第二电阻的第二部分，
其中，所述第一电极包括在第一方向上延伸的多个第一指状电极和在与该第一方向交叉的第二方向上延伸并且连接到所述多个第一指状电极的多个第一汇流电极，
所述第二电极包括在所述第一方向上延伸的多个第二指状电极和在所述第二方向上延伸并且连接到所述多个第二指状电极的多个第二汇流电极，
所述第二电极相对于所述半导体衬底的面积比是7％到10％，
所述后表面场层的所述第一电阻是70欧姆/平方到110欧姆/平方，并且所述后表面场层的所述第二电阻是20欧姆/平方到40欧姆/平方，
所述多个第二指状电极彼此平行并且彼此间隔0.1mm到1mm的距离，并且
所述多个第二指状电极具有50μm到70μm的宽度，
所述多个第二指状电极和所述多个第二汇流电极与所述后表面场层的所述第二部分接触。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第二指状电极具有15μm到30μm的厚度。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第二指状电极之间的距离一致。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第二汇流电极的宽度大于所述多个第二指状电极的宽度。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第二汇流电极具有1mm到2mm的宽度。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述第二汇流电极具有1mm到1.5mm的宽度。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第二汇流电极之间的距离一致。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中，所述多个第二汇流电极的数量小于所述多个第二指状电极的数量。
9.据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第二汇流电极之间的距离大于所述多个第二指状电极之间的距离。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，所述多个第二汇流电极彼此间隔20mm到40mm的距离。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第二汇流电极具有15μm到30μm的厚度。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110141144A KR101838278B1 (ko) | 2011-12-23 | 2011-12-23 | 태양 전지 |
| KR10-2011-0141144 | 2011-12-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103178132A CN103178132A (zh) | 2013-06-26 |
| CN103178132B true CN103178132B (zh) | 2016-06-29 |
Family
ID=46875606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210300871.6A Active CN103178132B (zh) | 2011-12-23 | 2012-07-18 | 太阳能电池 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130160840A1 (zh) |
| EP (1) | EP2608279A3 (zh) |
| KR (1) | KR101838278B1 (zh) |
| CN (1) | CN103178132B (zh) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120137821A (ko) * | 2011-06-13 | 2012-12-24 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 |
| KR101925928B1 (ko) * | 2013-01-21 | 2018-12-06 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그의 제조 방법 |
| TW201503393A (zh) * | 2013-07-15 | 2015-01-16 | Motech Ind Inc | 太陽能電池、其模組及其製造方法 |
| KR20150035189A (ko) * | 2013-09-27 | 2015-04-06 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
| CN103746006A (zh) * | 2014-01-23 | 2014-04-23 | 通用光伏能源(烟台)有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池的钝化层及其钝化工艺 |
| JP6300712B2 (ja) * | 2014-01-27 | 2018-03-28 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
| CN107978647A (zh) * | 2016-10-21 | 2018-05-01 | 英稳达科技股份有限公司 | 太阳能电池 |
| CN115000243B (zh) * | 2022-05-27 | 2023-11-21 | 中国科学院电工研究所 | 一种晶硅异质结太阳电池的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101164173A (zh) * | 2005-04-26 | 2008-04-16 | 信越半导体股份有限公司 | 一种太阳能电池的制造方法以及太阳能电池 |
| CN102203953A (zh) * | 2009-06-18 | 2011-09-28 | Lg电子株式会社 | 太阳能电池及其制造方法 |
| CN102217085A (zh) * | 2008-11-13 | 2011-10-12 | 应用材料股份有限公司 | 无图案化地形成硅太阳能电池之前触点的方法 |
| CN102244116A (zh) * | 2010-05-12 | 2011-11-16 | Lg电子株式会社 | 太阳能电池 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4232597B2 (ja) * | 2003-10-10 | 2009-03-04 | 株式会社日立製作所 | シリコン太陽電池セルとその製造方法 |
| WO2005109524A1 (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP4425246B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2010-03-03 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置および光起電力装置の製造方法 |
| WO2007059577A1 (en) * | 2005-11-24 | 2007-05-31 | Newsouth Innovations Pty Limited | Metallisation method for thin-film semiconductor structures |
| WO2009076382A2 (en) * | 2007-12-11 | 2009-06-18 | Evergreen Solar, Inc. | Shaped tab conductors for a photovoltaic cell |
| KR100974221B1 (ko) * | 2008-04-17 | 2010-08-06 | 엘지전자 주식회사 | 레이저 어닐링을 이용한 태양전지의 선택적 에미터형성방법 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법 |
| DE102008056456A1 (de) * | 2008-11-07 | 2010-06-17 | Centrotherm Photovoltaics Technology Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einer zweistufigen Dotierung |
| DE102009011306A1 (de) * | 2009-03-02 | 2010-09-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Beidseitig kontaktierte Solarzellen sowie Verfahren zu deren Herstellung |
| KR101145928B1 (ko) * | 2009-03-11 | 2012-05-15 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 태양 전지의 제조 방법 |
| JP5515367B2 (ja) | 2009-03-31 | 2014-06-11 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび太陽電池システム |
| US20100275995A1 (en) * | 2009-05-01 | 2010-11-04 | Calisolar, Inc. | Bifacial solar cells with back surface reflector |
| US8138070B2 (en) * | 2009-07-02 | 2012-03-20 | Innovalight, Inc. | Methods of using a set of silicon nanoparticle fluids to control in situ a set of dopant diffusion profiles |
| EP2469604B1 (en) * | 2009-08-19 | 2019-10-09 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solar battery module |
| US8153456B2 (en) * | 2010-01-20 | 2012-04-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Bifacial solar cell using ion implantation |
| KR101579318B1 (ko) * | 2010-04-29 | 2015-12-21 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
| US20110277825A1 (en) * | 2010-05-14 | 2011-11-17 | Sierra Solar Power, Inc. | Solar cell with metal grid fabricated by electroplating |
| WO2011149067A1 (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-01 | 京セラ株式会社 | 印刷版および該印刷版を用いた太陽電池素子の製造方法 |
| KR101661768B1 (ko) * | 2010-09-03 | 2016-09-30 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조 방법 |
| KR20120084104A (ko) * | 2011-01-19 | 2012-07-27 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 |
-
2011
- 2011-12-23 KR KR1020110141144A patent/KR101838278B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-07-12 EP EP12005142.0A patent/EP2608279A3/en not_active Ceased
- 2012-07-18 CN CN201210300871.6A patent/CN103178132B/zh active Active
- 2012-07-27 US US13/560,736 patent/US20130160840A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101164173A (zh) * | 2005-04-26 | 2008-04-16 | 信越半导体股份有限公司 | 一种太阳能电池的制造方法以及太阳能电池 |
| CN102217085A (zh) * | 2008-11-13 | 2011-10-12 | 应用材料股份有限公司 | 无图案化地形成硅太阳能电池之前触点的方法 |
| CN102203953A (zh) * | 2009-06-18 | 2011-09-28 | Lg电子株式会社 | 太阳能电池及其制造方法 |
| CN102244116A (zh) * | 2010-05-12 | 2011-11-16 | Lg电子株式会社 | 太阳能电池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101838278B1 (ko) | 2018-03-13 |
| CN103178132A (zh) | 2013-06-26 |
| EP2608279A3 (en) | 2014-07-23 |
| KR20130073346A (ko) | 2013-07-03 |
| EP2608279A2 (en) | 2013-06-26 |
| US20130160840A1 (en) | 2013-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103178132B (zh) | 太阳能电池 | |
| US20190245101A1 (en) | Solar cell | |
| USRE46515E1 (en) | Solar cell | |
| US10680122B2 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| JP5833350B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| US8835744B2 (en) | Solar cell module | |
| EP2219222B1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| EP2395553B1 (en) | Solar cell | |
| US20140373911A1 (en) | Solar cell | |
| EP2458649A2 (en) | Solar cell | |
| NL2034302B1 (en) | Solar cell and photovoltaic module | |
| CN117727810A (zh) | 太阳能电池及其制造方法、光伏组件 | |
| KR101135585B1 (ko) | 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
| NL2034299B1 (en) | Solar cell and photovoltaic module | |
| KR20230116748A (ko) | 태양전지 및 태양광 모듈 | |
| CN116913989A (zh) | 太阳能电池及光伏组件 | |
| KR101155890B1 (ko) | 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
| KR102132741B1 (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
| KR101983361B1 (ko) | 양면 수광형 태양전지 | |
| KR101209074B1 (ko) | 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
| KR101979843B1 (ko) | 태양전지 | |
| KR101579321B1 (ko) | 태양 전지의 제조 방법 | |
| KR20170090781A (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
| KR101757880B1 (ko) | 태양전지 | |
| CN118053931A (zh) | 太阳能电池及其制造方法、光伏组件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20130626 Assignee: Hanhua thinksin Co.,Ltd. Assignor: LG ELECTRONICS Inc. Contract record no.: X2022990000645 Denomination of invention: Solar battery Granted publication date: 20160629 License type: Common License Record date: 20220914 |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20221028 Address after: No. 3, Yingbin Avenue, Shangrao Economic and Technological Development Zone, Jiangxi Province Patentee after: Shangrao Jingke Green Energy Technology Development Co.,Ltd. Address before: Seoul, South Kerean Patentee before: LG ELECTRONICS Inc. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: No. 3, Yingbin Avenue, Shangrao Economic and Technological Development Zone, Jiangxi Province 334100 Patentee after: Shangrao Xinyuan Yuedong Technology Development Co.,Ltd. Address before: No. 3, Yingbin Avenue, Shangrao Economic and Technological Development Zone, Jiangxi Province 334100 Patentee before: Shangrao Jingke Green Energy Technology Development Co.,Ltd. |