JPH01302823A - 半導体基板の平坦化方法 - Google Patents
半導体基板の平坦化方法Info
- Publication number
- JPH01302823A JPH01302823A JP13364888A JP13364888A JPH01302823A JP H01302823 A JPH01302823 A JP H01302823A JP 13364888 A JP13364888 A JP 13364888A JP 13364888 A JP13364888 A JP 13364888A JP H01302823 A JPH01302823 A JP H01302823A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicone resin
- modified silicone
- flattening
- substrate
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 7
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 abstract description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- ITVPBBDAZKBMRP-UHFFFAOYSA-N chloro-dioxido-oxo-$l^{5}-phosphane;hydron Chemical compound OP(O)(Cl)=O ITVPBBDAZKBMRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 abstract 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 abstract 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 abstract 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 abstract 1
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 abstract 1
- -1 phosphorus modified silicon Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 abstract 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001465382 Physalis alkekengi Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
集積回路を形成する半導体被処理基板の表面平坦化方法
に関し、 被処理基板に悪影響を及ぼすことなく絶縁被覆を行うこ
とを目的とし、 被処理基板上に酸化物薄膜を形成して絶縁したる後、該
酸化物薄膜の上に燐変成シリコーン樹脂をスピンコート
することにより半導体基板の平坦化方法を構成する。
に関し、 被処理基板に悪影響を及ぼすことなく絶縁被覆を行うこ
とを目的とし、 被処理基板上に酸化物薄膜を形成して絶縁したる後、該
酸化物薄膜の上に燐変成シリコーン樹脂をスピンコート
することにより半導体基板の平坦化方法を構成する。
本発明は集積回路を形成する半導体被処理基板の表面平
坦化方法に関する。
坦化方法に関する。
大量の情報を迅速に処理する必要性から情報処理装置の
主体を構成する半導体装置は大容量化が行われており、
ＬＳＩやりＬＳＩが実用化されているが、この大容量化
は単位素子の小形化により行われており、電極や導体配
線は微少化し、導体配線についてはサブミクロン・パタ
ーンが使用されるに到っている。
主体を構成する半導体装置は大容量化が行われており、
ＬＳＩやりＬＳＩが実用化されているが、この大容量化
は単位素子の小形化により行われており、電極や導体配
線は微少化し、導体配線についてはサブミクロン・パタ
ーンが使用されるに到っている。
また、集積回路を構成する各単位素子を結ぶ、導体配線
も複雑になり、導体配線が交叉する場合も多く、そのた
めに立体配線が必要になった。
も複雑になり、導体配線が交叉する場合も多く、そのた
めに立体配線が必要になった。
こ＼で、立体配線はパターン形成の終わった被処理基板
上に絶縁層を被覆して絶縁し、この」二に導体線路を形
成し、相互の配線をパイヤホールで導通する手法をとる
が、絶縁層が薄い場合はパターン形成された被処理基板
の凹凸がそのま＼現れて、段差があるために、微細パタ
ーンの形成に当たってはパターン精度の低下と断線障害
が多発する。
上に絶縁層を被覆して絶縁し、この」二に導体線路を形
成し、相互の配線をパイヤホールで導通する手法をとる
が、絶縁層が薄い場合はパターン形成された被処理基板
の凹凸がそのま＼現れて、段差があるために、微細パタ
ーンの形成に当たってはパターン精度の低下と断線障害
が多発する。
そのため、集積回路の形成に当たってはパターン形成を
行う被処理基板の表面は平坦化されていることが必要で
ある。
行う被処理基板の表面は平坦化されていることが必要で
ある。
半導体集積回路の集積度の向上と共に被処理基板上に形
成した絶縁層の段差は０．５μｍ程度にまで及んでいる
。
成した絶縁層の段差は０．５μｍ程度にまで及んでいる
。
こ−で、絶縁被覆の方法としては化学気相成長法（略称
ＣＶＤ法）とスピンコート法が使用されている。
ＣＶＤ法）とスピンコート法が使用されている。
すなわち、ＣＶＤ法は水素化物或いは有機金属化合物か
らなるガスと酸素ガス（ｏ２）やアンモニア（Ｎ１１、
）などのガスを加熱している被処理基板上で分解反応さ
せ、酸化物や窒化物の薄膜を形成する方法であり、また
スピンコート法は溶剤に溶した樹脂を遠心力を用いて均
一に塗布し、被覆する方法である。
らなるガスと酸素ガス（ｏ２）やアンモニア（Ｎ１１、
）などのガスを加熱している被処理基板上で分解反応さ
せ、酸化物や窒化物の薄膜を形成する方法であり、また
スピンコート法は溶剤に溶した樹脂を遠心力を用いて均
一に塗布し、被覆する方法である。
こ＼で、シリコン（Ｓｉ）のような単体半導体或いはガ
リウム砒素（ＧａＡｓ）のような化合物半導体からなる
被処理基板上にパターン形成される集積回路の絶縁被覆
法としてはＣＶＤ法を用いては二酸化硅素（ＳｔＯｚ）
、窒化硅素（５ｉｓＮ４）、 １７２ガラス（Ｐｈｏｓ
ｐｈ。
リウム砒素（ＧａＡｓ）のような化合物半導体からなる
被処理基板上にパターン形成される集積回路の絶縁被覆
法としてはＣＶＤ法を用いては二酸化硅素（ＳｔＯｚ）
、窒化硅素（５ｉｓＮ４）、 １７２ガラス（Ｐｈｏｓ
ｐｈ。
−５ｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ略称ＰＳＧ）などが、
またスピンコート法としてはポリイミド樹脂、シリコー
ン樹脂などが使用されている。
またスピンコート法としてはポリイミド樹脂、シリコー
ン樹脂などが使用されている。
然し、ＣＶＤ法による絶縁膜の形成は段差形状を保持し
た状態で成膜されるので、段差の平坦化は困難であり、
そのため、平坦化が可能なスピンコート法が使用されて
いる。
た状態で成膜されるので、段差の平坦化は困難であり、
そのため、平坦化が可能なスピンコート法が使用されて
いる。
然し、ポリイミド樹脂は加熱すると４００ ”Ｃ付近か
ら分解を開始すると云う問題があり、１０００℃近い高
温で加熱すると膜として使用できなくなってしまう。
ら分解を開始すると云う問題があり、１０００℃近い高
温で加熱すると膜として使用できなくなってしまう。
また、シリコーン樹脂は熱処理によりＳｉｎ、 （但し
ｘ＝１〜２）に変化し、クラックを生ずると云う問題が
ある。
ｘ＝１〜２）に変化し、クラックを生ずると云う問題が
ある。
また、クランクの生じない程度の薄膜として用いる場合
でも、有機基の分解によりピンホールを生じたり、膜の
密度が減少するために、弗酸（ＨＦ）の洗滌を行うと絶
縁膜がエツチングされて無くなってしまうと云う問題が
あり、絶縁層として高温で使用するには問題がある。
でも、有機基の分解によりピンホールを生じたり、膜の
密度が減少するために、弗酸（ＨＦ）の洗滌を行うと絶
縁膜がエツチングされて無くなってしまうと云う問題が
あり、絶縁層として高温で使用するには問題がある。
発明者等はこの問題を解決する方法として図に構造式を
示す燐変成シリコーン樹脂のスピンコートを提案してい
る。（昭和６３年２月１０日付は特許出願中） この燐変成シリコーン樹脂はメチルトリメトキシシラン
またはテトラメトキシジシランを加水分解すると共に重
縮合させて得られる低分子重合体の水酸基をクロロ燐酸
により燐酸エステル化して得られたものであり、Ｒとし
ては図に示すようにメチル基（−ＣＩ、） 、エチル基
（−Ｃｚｌ（ｓ） 、ノルマル・ブチル基（ｎ−ＣｓＨ
ｙ） 、イソ・ブチル基（ｉ−ＣＪｔ）、ベンジル基（
−ＣＪｌｓＯｔｌ） 、メトキシ基（−０ＣＨ３） 、
エトキシ基（−０ＣＪｓ） 、ノルマル・プロポキシ基
（−０−１１−Ｃ３Ｈ７） １イソ・プロポキシ基（−
０−ｉ−Ｃ：＋Ｌ）の何れについても使用可能である。
示す燐変成シリコーン樹脂のスピンコートを提案してい
る。（昭和６３年２月１０日付は特許出願中） この燐変成シリコーン樹脂はメチルトリメトキシシラン
またはテトラメトキシジシランを加水分解すると共に重
縮合させて得られる低分子重合体の水酸基をクロロ燐酸
により燐酸エステル化して得られたものであり、Ｒとし
ては図に示すようにメチル基（−ＣＩ、） 、エチル基
（−Ｃｚｌ（ｓ） 、ノルマル・ブチル基（ｎ−ＣｓＨ
ｙ） 、イソ・ブチル基（ｉ−ＣＪｔ）、ベンジル基（
−ＣＪｌｓＯｔｌ） 、メトキシ基（−０ＣＨ３） 、
エトキシ基（−０ＣＪｓ） 、ノルマル・プロポキシ基
（−０−１１−Ｃ３Ｈ７） １イソ・プロポキシ基（−
０−ｉ−Ｃ：＋Ｌ）の何れについても使用可能である。
然し、この燐変成シリコーン樹脂は酸素雰囲気のもとで
加熱し、有機成分を分解させて無機膜として使用する関
係で、内部応力をなるべく少なくする見地から有機基は
分子容の小さな単純な基を用いることが好ましい。
加熱し、有機成分を分解させて無機膜として使用する関
係で、内部応力をなるべく少なくする見地から有機基は
分子容の小さな単純な基を用いることが好ましい。
この燐変成シリコーン樹脂はＯｘ雰囲気で４２０℃以上
の温度で加熱するとＰＳＧ （燐ガラス）に変質するた
め、その後は１０００℃以上まで熱分解を起こさない。
の温度で加熱するとＰＳＧ （燐ガラス）に変質するた
め、その後は１０００℃以上まで熱分解を起こさない。
またＰＳＧは１０００℃以下の温度で溶融するために絶
縁層の緻密化が可能であり、そのためにクランクやピン
ホールの発生と云った従来の欠点を無くすることができ
た。
縁層の緻密化が可能であり、そのためにクランクやピン
ホールの発生と云った従来の欠点を無くすることができ
た。
然し、素子形成を行った半導体被処理基板の上にスピン
コートして平坦化した後、高温で熱処理を行うとＰＳＧ
中のｅ （Ｐ）原子が被処理基板の中に拡散して素子特
性を変化させることが判り、この対策が必要になった。
コートして平坦化した後、高温で熱処理を行うとＰＳＧ
中のｅ （Ｐ）原子が被処理基板の中に拡散して素子特
性を変化させることが判り、この対策が必要になった。
集積度が向上した集積回路を形成するには、段差を伴う
被処理基板を平坦化することが必要であり、その方法と
して発明者等が提案している燐変成シリコーン樹脂をス
ピンコートした後、これを加熱してＰＳＧとする方法が
適している。
被処理基板を平坦化することが必要であり、その方法と
して発明者等が提案している燐変成シリコーン樹脂をス
ピンコートした後、これを加熱してＰＳＧとする方法が
適している。
然し、この加熱処理に際してＰ原子が被処理基板の中に
拡散して素子特性を変化させることが問題である。
拡散して素子特性を変化させることが問題である。
上記の課題は半導体被処理基板上へのパターン形成によ
り生ずる段差を絶縁層により平坦化する方法として、こ
の被処理基板上に酸化物薄膜を形成して絶縁したる後、
この酸化物薄膜の上に塙変成シリコーン樹脂をスピンコ
ートして平坦化することにより解決することができる。
り生ずる段差を絶縁層により平坦化する方法として、こ
の被処理基板上に酸化物薄膜を形成して絶縁したる後、
この酸化物薄膜の上に塙変成シリコーン樹脂をスピンコ
ートして平坦化することにより解決することができる。
本発明は段差の解消法として被処理基板の上に直接に燐
変成シリコーン樹脂をスピンコートするのを改め、酸化
膜を被覆した後に燐変成シリコーン樹脂を被覆すること
によってＰ原子の拡散を阻止するものである。
変成シリコーン樹脂をスピンコートするのを改め、酸化
膜を被覆した後に燐変成シリコーン樹脂を被覆すること
によってＰ原子の拡散を阻止するものである。
こ＼で、酸化膜の形成はＣＶＤ法で行うのが良く、膜厚
数１０００人の被覆によりＰ原子の拡散を完全に阻止す
ることができる。
数１０００人の被覆によりＰ原子の拡散を完全に阻止す
ることができる。
実施例１：
フォトレジストをマスクとしてＳｉウェハに不純物イオ
ンの注入を行い、取り出し電極と導体線路のパターン形
成を行うことによって０．７μｍの表面段差を生じたＳ
ｉウェハの上にＣＶＤ法により５ｉＯＸ（但しＸ＝１〜
２）を３０００人の厚さに形成した後、この上にメチル
イソブチルケトンに溶解した燐変成シリコーン樹脂液を
回転数３００Ｏｒｐｍ、 ３０秒の条件でスピンコート
して１μｍの厚さの燐変成シリコーン樹脂層を作った。
ンの注入を行い、取り出し電極と導体線路のパターン形
成を行うことによって０．７μｍの表面段差を生じたＳ
ｉウェハの上にＣＶＤ法により５ｉＯＸ（但しＸ＝１〜
２）を３０００人の厚さに形成した後、この上にメチル
イソブチルケトンに溶解した燐変成シリコーン樹脂液を
回転数３００Ｏｒｐｍ、 ３０秒の条件でスピンコート
して１μｍの厚さの燐変成シリコーン樹脂層を作った。
これを８０℃で２０分乾燥して溶剤を除去した後、層内
の歪の発生を抑えるために、２５０℃で３０分、４５０
℃で６０分と緩やかに熱処理を施して燐ガラス層を形成
した結果、表面は平滑であり、また段差は平坦化されて
いた。
の歪の発生を抑えるために、２５０℃で３０分、４５０
℃で６０分と緩やかに熱処理を施して燐ガラス層を形成
した結果、表面は平滑であり、また段差は平坦化されて
いた。
次に、このＳｉウェハに９００℃で１時間の熱処理を行
い燐変成シリコーン層をＰＳＧに変えたが膜には全くク
ランクの発生は見られなかった。
い燐変成シリコーン層をＰＳＧに変えたが膜には全くク
ランクの発生は見られなかった。
更に、ＰＳＧをＣＶＤ法により５０００人形成した後に
直径が１μｍのパイヤホールをＳｉウェハの電極面まで
形成し、次にこの上に導体線路のパターン形成を行った
。
直径が１μｍのパイヤホールをＳｉウェハの電極面まで
形成し、次にこの上に導体線路のパターン形成を行った
。
そして、この上に保護膜としてＣＶＤ法により２３６層
を形成して半導体装置の形成を終えた。
を形成して半導体装置の形成を終えた。
この装置は樹脂を用いずに従来の無機膜を用いて形成し
た半導体装置と同等の素子特性を示すとともに、−６０
℃〜１５０℃の１０回の熱衝撃試験によっても特性の変
化は認められなかった。
た半導体装置と同等の素子特性を示すとともに、−６０
℃〜１５０℃の１０回の熱衝撃試験によっても特性の変
化は認められなかった。
比較例１：
実施例１と同様に０．７μｍの表面段差を生じたＳｉウ
エハニＣｖＤニよるＳｉＯｘ （但しｘ＝１〜２）の形
成を行わずに、直接にメチルイソブチルケトンに溶解し
た燐変成シリコーン樹脂液を回転数３０００ｒｐｍ、
３Ｑ秒の条件でスピンコートして１μｍの厚さの燐変成
シリコーン樹脂層を作った。
エハニＣｖＤニよるＳｉＯｘ （但しｘ＝１〜２）の形
成を行わずに、直接にメチルイソブチルケトンに溶解し
た燐変成シリコーン樹脂液を回転数３０００ｒｐｍ、
３Ｑ秒の条件でスピンコートして１μｍの厚さの燐変成
シリコーン樹脂層を作った。
これを８０℃で２０分乾燥して溶剤を除去した後、層内
の歪の発生を抑えるために、２５０℃で３０分、４５０
℃で６０分と緩やかに熱処理を施したが、表面の段差は
平坦化されていた。
の歪の発生を抑えるために、２５０℃で３０分、４５０
℃で６０分と緩やかに熱処理を施したが、表面の段差は
平坦化されていた。
次に、このこのＳｉウェハに７００℃で１時間の熱処理
を行ったが、この熱処理条件でも伝導型がｐ型の基板は
ｎ型に反転してしまった。
を行ったが、この熱処理条件でも伝導型がｐ型の基板は
ｎ型に反転してしまった。
本発明の実施により被処理基板の平坦化に使用する燐変
成シリコーン層からのＰ原子の拡散を阻止することが可
能となり、製造歩留まりの向上と共に信頼性の向上が可
能となる。
成シリコーン層からのＰ原子の拡散を阻止することが可
能となり、製造歩留まりの向上と共に信頼性の向上が可
能となる。
図は発明者等が提案している燐変成シリコーン樹脂の構
造式である。 ＳＳＺ゛ Ｒ（＝Ｊ ＣＨ３，ＣｚＨｓ、７ｔ−Ｃ３
Ｈ７ズーＣ３Ｈ７゜−Ｃ４Ｈ５０ｔ４．−０ＣＩ−！３
．−ＱＣ２Ｈ５゜−〇−” ”３Ｈ７，−０−１，−
Ｃ３Ｈ７ｒ；ｌ”重を平均分子量（：Ｊ １０００〜１
００００府旬月堵でＶ炉゛才是禁（マ＼・る力与愛ヤ生
シリコーン千灯能の嬶遷式
造式である。 ＳＳＺ゛ Ｒ（＝Ｊ ＣＨ３，ＣｚＨｓ、７ｔ−Ｃ３
Ｈ７ズーＣ３Ｈ７゜−Ｃ４Ｈ５０ｔ４．−０ＣＩ−！３
．−ＱＣ２Ｈ５゜−〇−” ”３Ｈ７，−０−１，−
Ｃ３Ｈ７ｒ；ｌ”重を平均分子量（：Ｊ １０００〜１
００００府旬月堵でＶ炉゛才是禁（マ＼・る力与愛ヤ生
シリコーン千灯能の嬶遷式
Claims (1)
- 半導体被処理基板上に生ずる段差を絶縁層により平坦
化する方法として、該被処理基板上に酸化物薄膜を形成
して絶縁したる後、該酸化物薄膜の上に燐変成シリコー
ン樹脂をスピンコートして平坦化することを特徴とする
半導体基板の平坦化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13364888A JPH01302823A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 半導体基板の平坦化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13364888A JPH01302823A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 半導体基板の平坦化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01302823A true JPH01302823A (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=15109712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13364888A Pending JPH01302823A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 半導体基板の平坦化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01302823A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0837190A (ja) * | 1994-07-22 | 1996-02-06 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US6423651B1 (en) | 1993-12-27 | 2002-07-23 | Kawasaki Steel Corporation | Insulating film of semiconductor device and coating solution for forming insulating film and method of manufacturing insulating film |
-
1988
- 1988-05-31 JP JP13364888A patent/JPH01302823A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6423651B1 (en) | 1993-12-27 | 2002-07-23 | Kawasaki Steel Corporation | Insulating film of semiconductor device and coating solution for forming insulating film and method of manufacturing insulating film |
| US6828258B2 (en) | 1993-12-27 | 2004-12-07 | Kawasaki Microelectronics, Inc. | Method of forming an insulating film having SI-C, SI-O and SI-H bonds to cover wiringlines of a semiconductor device |
| JPH0837190A (ja) * | 1994-07-22 | 1996-02-06 | Nec Corp | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3174416B2 (ja) | 酸化ケイ素膜の形成方法 | |
| JP3418458B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4040083A (en) | Aluminum oxide layer bonding polymer resin layer to semiconductor device | |
| JP3174417B2 (ja) | 酸化ケイ素膜の形成方法 | |
| KR880001029A (ko) | 집적회로 다층 상호접속장치 및 방법 | |
| US20050153533A1 (en) | Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus | |
| JPH01307247A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01302823A (ja) | 半導体基板の平坦化方法 | |
| JP3982073B2 (ja) | 低誘電率絶縁膜形成方法 | |
| JP3485425B2 (ja) | 低誘電率絶縁膜の形成方法及びこの膜を用いた半導体装置 | |
| JP3229419B2 (ja) | 酸化ケイ素膜の形成方法 | |
| JP2000228399A (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液、その製造法、シリカ系被膜及び半導体装置 | |
| JP2000021872A (ja) | 低誘電率樹脂組成物、低誘電率絶縁膜形成方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP2000049155A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61187346A (ja) | 絶縁膜構造および半導体装置 | |
| JPS5831731B2 (ja) | 配線形成方法 | |
| JP2705078B2 (ja) | 半導体素子表面の平坦化方法 | |
| JP3624823B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS63293862A (ja) | 段差を有する半導体基板の平坦化方法 | |
| JPH0629282A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02192729A (ja) | 絶縁層の製造方法 | |
| JPH05198689A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6227745B2 (ja) | ||
| JPH05218214A (ja) | 有機硅素重合体と半導体装置の製造方法 | |
| JPH02235331A (ja) | 半導体装置の製造方法 |