JPH01293622A - ウェットエッチング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ウェットエツチング装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、ウェットエツチング装置としては第３図に示すよ
うな酸化膜処理用のウェットエツチング装置がある。

第３図において、界面活性剤槽２は、ポンプ６とフィル
ター７の働きにより界面活性剤槽２の内槽に界面活性剤
液をオーバーフローさせ、内槽内の界面活性剤を清浄な
液状態に保っている。エツチング槽３も、界面活性性剤
槽２と同様にポンプ６とフィルター７の働きにより、エ
ツチング槽３の内槽にバッフアートフッ酸液（以下ＢＨ
Ｆ液と記す）をオーバーフローさせ、内槽内のＢＨＦ液
を清浄な液状態に保っている。

例えばＢＨＦ液でウェハーを処理する場合、キャリアに
セットされたウェハーを界面活性剤槽２に浸し、界面活
性剤液によってウェハー表面の濡れ性を良くする０次に
界面活性剤槽２からキャリアをとり出し、エツチング槽
３にキャリアを浸して、ウェハーをＢＨＦ液でエツチン
グする。エツチングが終了した後直ちにエツチング槽３
からシャワー槽４にキャリアを移し、′ウェハーおよび
キャリアに付着しているＢＨＦ液を洗い落とすためシャ
ワー水洗を行う、シャワー水洗終了後、キャリアをシャ
ワー槽４から保管槽５に移し、その後スピンドライヤー
などでキャリアとウェハーを乾燥させる。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のウェットエツチング装置は、前工程での
ウェハーベルト搬送時に付着するウェハー裏面のごみや
、ウェハー運搬時に付着する浮遊塵およびキャリアのハ
ンドリング時に付着するごみ等が界面活性剤槽２に持ち
込まれ、液中のごみが増加する欠点がある。さらに、−
度ごみが増加した界面活性剤槽２は３０分以上フィルタ
リングをしないと液が清浄にならず、フィルタリング時
間が短かい時および槽内へのごみの持ち込み量の多い場
合には、次の処理槽であるエツチング槽３にまでごみが
持ち込まれ、エツチング液の清浄度を低下させる欠点が
ある。また、フィルタリングの時間が処理時間より長く
、生産性の低下をまねく欠点もある。

被エツチングパターンの微細化の進んだ現在では、エツ
チング液、純水、界面活性剤液等の清浄度が重要であり
、これらの液が汚染されると安定したＬＳＩの製造が行
えないという欠点がある。

〔課題を解決するための手段〕 本発明のウェットエツチング装置は、複数の処理槽から
なるウェットエツチング装置であって、外槽と内槽より
なる二重構造の水洗槽と貯水槽を具備し、内槽よりオー
バーフローした純水を外槽に集めて貯水槽に送り、フィ
ルタリングした後に内槽へ純水を循環させる機能を有す
るシャワー水洗槽を第１の処理槽とするものである。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の第１の実施例の構成図である。

シャワー水洗槽１は内槽１２Ｂと外槽１２Ａの二重構造
を有する水洗槽１２と貯水槽１１とから主に構成されて
おり、外槽１２Ａに入った純水は直接貯水槽１１へ排出
され、内槽１２Ｂに入った純水は電磁弁９を開けた時の
み貯水槽１１に排出されるように構成されている。貯水
槽１１にたまっている純水は常時ポンプ６により配管１
０を通ってシャワーノズル８から噴出する。またフィル
ター７によりフィルタリングされているため、配管１０
の中にごみはない、ウェハーの入ったキャリアがセット
されるまでは、シャワーノズル８は外槽側を向いており
、電磁弁９が開いている。ウェハーの入ったキャリアが
内槽１２Ｂにセットされると、シャワーノズル８は内槽
側に角度を変え、同時に電磁弁９を閉じる。これにより
ウェハーおよびキャリアをシャワー水洗し、内槽１２Ｂ
にたまった純水は、外槽１２Ａへとオーバーフローした
後、貯水槽１１へ戻る。電磁弁９は閉じてから一定時間
１例えば３分後に開き、内槽１２Ｂ内にたまった純水を
１度内槽１２Ｂから貯水層１１へと排出する。排出終了
後また電磁弁９を閉じ、内槽部をオーバーフローさせる
。電磁弁９の開閉による内槽１２Ｂでのオーバーフロー
と排出を３回繰り換した後、シャワーノズル８を外槽側
に角度を変え、電磁弁９を開いて純水を排出する。この
シャワー水洗によりキャリアおよびウェハーに付着した
ごみは除去される。

シャワー水洗終了後、キャリアを水洗槽１２の内槽１２
Ｂからとり出し、次の界面活性剤槽２に移す、キャリア
の中のウェハーの濡れ性を界面活性剤液で良くした後、
キャリアを界面活性剤槽２からエツチング槽３に移し、
ウェハー表面の酸化膜をＢＨＦ液でエツチングする。エ
ツチング終了後キャリアとウェハーをシャワー槽４に移
し、キャリアとウェハーに付着したＢＨＦ液とシャワー
水洗で洗い落とす、その後キャリアを保管槽５に移し、
最後にスピンドライヤーで乾燥させてから次工程にウェ
ハーを送る。

このように構成された実施例でエツチングを行うことに
より、シャワー水洗槽１でウェハー及びキャリアに付着
したごみを落としてから界面活性剤槽２にキャリアを移
すため、界面活性剤槽２以降の処理槽のごみのレベルを
増加させずにエツチングを行うことが可能となる。

さらにウェハー処理待以外の時は、シャワー水洗槽１に
おいてはポンプ６により外槽１２Ａ→貯水槽１１→フイ
ルター７→配管１０→シヤワーノズル８→外槽１２Ａと
純水が常時循環しフィルタリングされているため、純水
は清浄化される。

第２図は本発明の第２の実施例の構成図であり、第１の
実施例のシャワー水洗槽１における水洗槽１２と貯水槽
１１をつないでいる配管の途中に、液体微粒子計測器１
３を設けたものである。

液体微粒子計測器１３は一定時間毎に配管内を通過する
純水中の０．１μｍ以上の粒子数をリアルタイムでカウ
ントする。ウェハーを処理しない時は、シャワーノズル
８から外槽に出て貯水槽１１にもどる純水中の粒子数を
液体粒子計測器１３で測定し、その値が特定値Ｘより大
きい時はウェハー処理を行わない。純水の粒子数が特定
値Ｘ以下となってからウェハー処理を行う。

ウェハー処理する時は、ウェハーの入ったキャリアを内
槽１２Ｂにセットし、電磁弁９を閉じシャワーノズル８
を内槽側に角度を変える。内槽１２Ｂより外槽１２Ａヘ
オーバーフローし貯水槽１１にもどる純水中の、液体微
粒子計測器１３でカウントした粒子数が特定値Ｙ以下に
なるまで電磁弁９を閉じオーバーフローを継続する。カ
ウント数が特定値Ｙ以下になったら電磁弁９を開けて内
槽内の純水を排水する。排水時に液体微粒子計測器１３
は純水中の粒子数を測定し、この時の粒子数が特性値Ｚ
より大きければ電磁弁９を閉じ、ウェハーおよびキャリ
アのシャワー水洗に戻る。

特定値ＸとＹ、Ｚの関係はｘ＜ｙ、ｘ＜ｚであり、特定
値の設定は１０〜１０００個まで可変可能である。電磁
弁９が開いて内槽１２Ｂから排水された純水中の粒子数
が特定値Ｚ以下の場合にシャワー水洗槽１での処理は終
了し、次の活面活性剤槽２の処理へと進む。この装置に
よってウェハー及びキャリアに付着したごみを完全にシ
ャワー水洗槽１で落と°してから次の界面活性剤槽２の
処理に移ることが可能となるが、ウェハー及びキャリア
の汚れがひどい場合はウェハーの処理能力は落ちる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、エツチング処理を行う前
にシャワー水洗槽において前工程で付着したウェハー表
面のごみを取り除くことができるため、エツチング槽の
ごみのレベルを低減できる効果がある。また、エツチン
グ槽内のごみのレベルが高くならないため、ウェハーの
連続処理が可能となり、安定した半導体装置の製造を行
うことができる。さらに純水を循環フィルタリングして
再利用しているために、純水の使用量を少なくできる効
果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の構
成図、第３図は従来のウェットエッチングン装置の構成
図である。 １・・・シャワー水洗槽、２・・・界面活性剤槽、３・
・・エツチング槽、４・・・シャワー槽、５・・・保管
槽、６・・・ポンプ、７・・・フィルター、８・・・シ
ャワーノズル、９・・・電磁弁、１０・・・配管、１１
・・・貯水槽、１２・・・水洗槽、１．２Ａ・・・外槽
、１２Ｂ・・・内槽、１３・・・液体微粒子計測器。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　複数の処理槽からなるウェットエッチング装置におい
   て、外槽と内槽よりなる二重構造の洗浄槽と貯水槽を具
   備し、内槽よりオーバーフローした純水を外槽で集めて
   貯水槽に送りフィルタリングした後に内槽へ純水を循環
   させる機能を有するシャワー水洗槽を第１の処理槽とす
   ることを特徴とするウェットエッチング装置。