JPH0129054B2 - - Google Patents
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- JPH0129054B2 JPH0129054B2 JP58088388A JP8838883A JPH0129054B2 JP H0129054 B2 JPH0129054 B2 JP H0129054B2 JP 58088388 A JP58088388 A JP 58088388A JP 8838883 A JP8838883 A JP 8838883A JP H0129054 B2 JPH0129054 B2 JP H0129054B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体、磁気記録媒体に使用されるセ
ラミツク、ガラス、金属その他の基板の多数枚を
洗浄する装置に関する。
ラミツク、ガラス、金属その他の基板の多数枚を
洗浄する装置に関する。
従来この種基板にスパツタリング蒸着等の高真
空処理を施すに際し予め該基板表面のダスト、油
類等による汚れを落すべく例えば該基板を洗浄液
に漬けて超音波を与える洗浄処理を行なうを一般
とするが、汚れを完全に除去することが出来ず、
その結果基板に施される蒸着等の処理が残存する
汚れのために不良化する欠点があつた。
空処理を施すに際し予め該基板表面のダスト、油
類等による汚れを落すべく例えば該基板を洗浄液
に漬けて超音波を与える洗浄処理を行なうを一般
とするが、汚れを完全に除去することが出来ず、
その結果基板に施される蒸着等の処理が残存する
汚れのために不良化する欠点があつた。
また従来の洗浄処理は繰返し各種の特殊な洗浄
液に漬ける複雑な工程を伴うので蒸着等を行なう
高真空処理と別個に設備しなければならない程洗
浄装置が大型化する不便があり、さらに洗浄装置
のための運転保守要員を必要として経済的でない
不利があつた。
液に漬ける複雑な工程を伴うので蒸着等を行なう
高真空処理と別個に設備しなければならない程洗
浄装置が大型化する不便があり、さらに洗浄装置
のための運転保守要員を必要として経済的でない
不利があつた。
本願はこうした欠点を解消することを目的とす
るもので、セラミツク、ガラス、金属その他の半
導体もしくは磁気記録媒体等の基板の多数枚を、
ドアバルブにより密閉可能な洗浄室内の横方向へ
移動自在のキヤリヤに垂直に設けた板状の基板ホ
ルダの垂直の板面に取付け、該洗浄室内に、該基
板に向けて斜め上方から温水、有機溶剤等の洗浄
剤の液体を噴射する列状に配列した複数個の洗浄
ノズル及びスチームを噴射する列状に配列した複
数個の洗浄ノズルを該基板ホルダの板面に沿つて
上下２段に且つ上下動自在に設けると共に該キヤ
リヤの移動方向の側方に該基板に向けて乾燥気体
を噴射する乾燥ノズルを設けたことを特徴とす
る。
るもので、セラミツク、ガラス、金属その他の半
導体もしくは磁気記録媒体等の基板の多数枚を、
ドアバルブにより密閉可能な洗浄室内の横方向へ
移動自在のキヤリヤに垂直に設けた板状の基板ホ
ルダの垂直の板面に取付け、該洗浄室内に、該基
板に向けて斜め上方から温水、有機溶剤等の洗浄
剤の液体を噴射する列状に配列した複数個の洗浄
ノズル及びスチームを噴射する列状に配列した複
数個の洗浄ノズルを該基板ホルダの板面に沿つて
上下２段に且つ上下動自在に設けると共に該キヤ
リヤの移動方向の側方に該基板に向けて乾燥気体
を噴射する乾燥ノズルを設けたことを特徴とす
る。
本発明の実施例を図面につき説明するに、第１
図及び第２図に於いて符号１は前後のドアバルブ
２，２により外部と密閉可能な洗浄室、３は該ド
アバルブ２，２を介して洗浄室１の内外に移動可
能な平板状のキヤリヤを示し、該キヤリヤ３の両
側には例えば４個の基板ホルダ４が垂直に取付け
られる。各基板ホルダ４の外面には例えば540個
の半導体用基板５が比較的強固に取付けられる。
６ａ，６ｂは該キヤリヤ３の両側に夫々上下２群
に分けて設けられた洗浄ノズル群で、各ノズル群
６ａ，６ｂは該キヤリヤ３の両側に上下に張設し
たチエン７に夫々ヘツダ８ａ，８ｂを介して取付
けし、該チエン７の回動に伴いノズル群６ａ，６
ｂが下動すると、その噴口が半導体基板５に対向
するようにした。各ノズル群６ａ，６ｂは多少の
俯角を有して各ヘツダ８ａ，８ｂに取付けられ
る。上方のヘツダ８ａはフレキシブルチユーブ９
を介して第３図示の温水ライン１０又は洗浄液ラ
イン１１に選択的に接続され、下方のヘツダ８ｂ
はフレキシブルチユーブ１２を介して第３図示の
スチームライン１３に接続される。１４はチエン
７のスプロケツト７ａを回動させヘツダ８ａ，８
ｂ及びそのノズル群６ａ，６ｂを上下動するモー
タ、１５はヘツダ８ａ，８ｂの案内杆、１６は半
導体等の基板５の表面に乾燥チツソガスその他の
乾燥用気体を吹き付ける乾燥ノズルで、該ノズル
１６はキヤリヤ３の移動方向の側方に対向して１
対設けられる。１７は排気口、また１８はキヤリ
ヤ３を移動自在に釣下げるレールで、該キヤリヤ
３はその上方に取付けたラツク１９と咬合するピ
ニオン歯車２０の回転により該レール１８に沿つ
て移動されるものとする。
図及び第２図に於いて符号１は前後のドアバルブ
２，２により外部と密閉可能な洗浄室、３は該ド
アバルブ２，２を介して洗浄室１の内外に移動可
能な平板状のキヤリヤを示し、該キヤリヤ３の両
側には例えば４個の基板ホルダ４が垂直に取付け
られる。各基板ホルダ４の外面には例えば540個
の半導体用基板５が比較的強固に取付けられる。
６ａ，６ｂは該キヤリヤ３の両側に夫々上下２群
に分けて設けられた洗浄ノズル群で、各ノズル群
６ａ，６ｂは該キヤリヤ３の両側に上下に張設し
たチエン７に夫々ヘツダ８ａ，８ｂを介して取付
けし、該チエン７の回動に伴いノズル群６ａ，６
ｂが下動すると、その噴口が半導体基板５に対向
するようにした。各ノズル群６ａ，６ｂは多少の
俯角を有して各ヘツダ８ａ，８ｂに取付けられ
る。上方のヘツダ８ａはフレキシブルチユーブ９
を介して第３図示の温水ライン１０又は洗浄液ラ
イン１１に選択的に接続され、下方のヘツダ８ｂ
はフレキシブルチユーブ１２を介して第３図示の
スチームライン１３に接続される。１４はチエン
７のスプロケツト７ａを回動させヘツダ８ａ，８
ｂ及びそのノズル群６ａ，６ｂを上下動するモー
タ、１５はヘツダ８ａ，８ｂの案内杆、１６は半
導体等の基板５の表面に乾燥チツソガスその他の
乾燥用気体を吹き付ける乾燥ノズルで、該ノズル
１６はキヤリヤ３の移動方向の側方に対向して１
対設けられる。１７は排気口、また１８はキヤリ
ヤ３を移動自在に釣下げるレールで、該キヤリヤ
３はその上方に取付けたラツク１９と咬合するピ
ニオン歯車２０の回転により該レール１８に沿つ
て移動されるものとする。
半導体用基板５を取付けたキヤリヤ３が第１図
の左方のドアバルブ２を開けて洗浄室１内に運び
込まれると、まず下方のヘツダ８ｂのノズル群６
ｂからスチームが噴出して該基板５周辺のキヤリ
ヤ３等の洗浄を開始し、続いてチエン７が回動さ
れてヘツダ８ｂは基板５の表面に沿いスチームを
該基板５に吹き付け乍ら下降する。スチームがノ
ズル群６ｂから噴出を開始した直後からヘツダ８
ａのノズル群６ａは界面活性剤水溶液等の洗浄剤
の水溶液の噴出を開始し、スチームを噴出中のノ
ズル群６ｂと共に下降する。これらノズル群６
ａ，６ｂからの洗浄剤とスチームの噴出は一定時
間例えば120秒後に停止され、ノズル群６ａ，６
ｂは上方位置に戻る。次いでノズル群６ａは温水
ライン１０に接続され、これにより基板５に温水
を吹き付けつつ下方位置まで移動する。この温水
の吹き付け時間は約35秒であり、これによつて洗
浄剤が基板５から洗い流される。温水が止められ
た後、ノズル６ｂは再びスチームを噴出し基板５
に沿つて上下する。このスチームの噴出は約120
秒後に止められ、ノズル群６ａ，６ｂは下方の位
置で停止する。
の左方のドアバルブ２を開けて洗浄室１内に運び
込まれると、まず下方のヘツダ８ｂのノズル群６
ｂからスチームが噴出して該基板５周辺のキヤリ
ヤ３等の洗浄を開始し、続いてチエン７が回動さ
れてヘツダ８ｂは基板５の表面に沿いスチームを
該基板５に吹き付け乍ら下降する。スチームがノ
ズル群６ｂから噴出を開始した直後からヘツダ８
ａのノズル群６ａは界面活性剤水溶液等の洗浄剤
の水溶液の噴出を開始し、スチームを噴出中のノ
ズル群６ｂと共に下降する。これらノズル群６
ａ，６ｂからの洗浄剤とスチームの噴出は一定時
間例えば120秒後に停止され、ノズル群６ａ，６
ｂは上方位置に戻る。次いでノズル群６ａは温水
ライン１０に接続され、これにより基板５に温水
を吹き付けつつ下方位置まで移動する。この温水
の吹き付け時間は約35秒であり、これによつて洗
浄剤が基板５から洗い流される。温水が止められ
た後、ノズル６ｂは再びスチームを噴出し基板５
に沿つて上下する。このスチームの噴出は約120
秒後に止められ、ノズル群６ａ，６ｂは下方の位
置で停止する。
このあと約180秒間乾燥チツソガスが乾燥ノズ
ル１６から噴出し、その噴出開始とほぼ同時にキ
ヤリヤ３が第１図の右方へ移動し、基板５、キヤ
リヤ３等に残留する水滴、濡れた部分を乾燥した
のち第１図の右方のドアバルブ２を開いて運び出
される。
ル１６から噴出し、その噴出開始とほぼ同時にキ
ヤリヤ３が第１図の右方へ移動し、基板５、キヤ
リヤ３等に残留する水滴、濡れた部分を乾燥した
のち第１図の右方のドアバルブ２を開いて運び出
される。
試験に於いて半導体用基板５として表面が無研
摩状態で数ミクロンの凹凸が多数存在するセラミ
ツク基板を使用し、その表面に指紋、鉛筆の芯を
用いたグラフアイト粉を一定の力で押し付け或い
はこすりつける方法で汚れを付着させた。これを
キヤリヤ３の基板ホルダ４に取付け、本発明の如
くノズル６ａ，６ｂを上下に移動させ乍らスチー
ム、界面活性剤水溶液、温水、スチームの順で洗
浄剤を吹き付けすると汚れは100％の除去率であ
つた。
摩状態で数ミクロンの凹凸が多数存在するセラミ
ツク基板を使用し、その表面に指紋、鉛筆の芯を
用いたグラフアイト粉を一定の力で押し付け或い
はこすりつける方法で汚れを付着させた。これを
キヤリヤ３の基板ホルダ４に取付け、本発明の如
くノズル６ａ，６ｂを上下に移動させ乍らスチー
ム、界面活性剤水溶液、温水、スチームの順で洗
浄剤を吹き付けすると汚れは100％の除去率であ
つた。
また上記の如く汚れを付着させた基板５を界面
活性剤水溶液を用いることなく、スチームと温水
だけで洗浄した場合汚れの除去率は98％〜100％
を示し、通常の超音波除去法による場合の汚れの
除去率が80％強であるに較べ除去率が高く、これ
はノズル６ｂから噴出するスチームが基板５の表
面で凝縮してその表面の微細な汚れを洗い流す作
用と、ノズル６ａから噴射される洗浄剤の運動エ
ネルギが除去作用に有効に作用しているものと判
断される。
活性剤水溶液を用いることなく、スチームと温水
だけで洗浄した場合汚れの除去率は98％〜100％
を示し、通常の超音波除去法による場合の汚れの
除去率が80％強であるに較べ除去率が高く、これ
はノズル６ｂから噴出するスチームが基板５の表
面で凝縮してその表面の微細な汚れを洗い流す作
用と、ノズル６ａから噴射される洗浄剤の運動エ
ネルギが除去作用に有効に作用しているものと判
断される。
該洗浄室１は、内部にキヤリヤ３、ノズル群を
設けたヘツダ８ａ，８ｂ、乾燥ノズル１６、ヘツ
ダ８ａ，８ｂの移動手段及び基板ホルダ４を備え
る程度であるので、基板ホルダ４よりも多少大き
い程度の比較的小型に構成出来、該洗浄室１１の
１側に第１乾燥室２２及び第２乾燥室２を介して
基板５にスパツタリング、蒸着等を施す高真空処
理室２１を連設することが出来る。この場合、該
処理室２１の他側に取出室２４を設け、各室を区
画密閉するドアバルブ２を順次開閉することによ
り、洗浄室１から取出室２４まで人手に触れられ
ることなくキヤリヤ３の基板５を搬送することが
出来る。高真空処理室２１、第２乾燥室２３及び
取出室２４には夫々高真空排気装置２５を設けて
各室を10-5乃至10-6Torrの高真空に維持し、第
１乾燥室２２及び取出室２４には大気圧又は低真
空から10-1Torrに排気する粗引き用真空排気装
置２６が設けられる。
設けたヘツダ８ａ，８ｂ、乾燥ノズル１６、ヘツ
ダ８ａ，８ｂの移動手段及び基板ホルダ４を備え
る程度であるので、基板ホルダ４よりも多少大き
い程度の比較的小型に構成出来、該洗浄室１１の
１側に第１乾燥室２２及び第２乾燥室２を介して
基板５にスパツタリング、蒸着等を施す高真空処
理室２１を連設することが出来る。この場合、該
処理室２１の他側に取出室２４を設け、各室を区
画密閉するドアバルブ２を順次開閉することによ
り、洗浄室１から取出室２４まで人手に触れられ
ることなくキヤリヤ３の基板５を搬送することが
出来る。高真空処理室２１、第２乾燥室２３及び
取出室２４には夫々高真空排気装置２５を設けて
各室を10-5乃至10-6Torrの高真空に維持し、第
１乾燥室２２及び取出室２４には大気圧又は低真
空から10-1Torrに排気する粗引き用真空排気装
置２６が設けられる。
第３図に於いて２７は純水供給装置、２８はス
チームボイラ、２９は洗剤供給装置３０から界面
活性剤が供給される洗浄液タンク、３１は温水タ
ンクを示し、該ボイラ２８はフイルタ３２並びに
スチーム過熱用電源３３で加熱された過熱器３４
を介して洗浄室１に連なるスチームライン１３に
接続される。また洗浄液タンク２９及び温水タン
ク３１にはボイラ２８からの初期過熱用エゼクタ
が設けられ、これらタンク２９，３１は夫々ポン
プ３５，３６及びフイルタ３７，３８を介し洗浄
液ライン１１及び温水ライン１０に接続される。
３９は乾燥ノズル１６へチツソガスを送るチツソ
ガス供給装置、４０はドレンポンプ、４１は排水
装置である。
チームボイラ、２９は洗剤供給装置３０から界面
活性剤が供給される洗浄液タンク、３１は温水タ
ンクを示し、該ボイラ２８はフイルタ３２並びに
スチーム過熱用電源３３で加熱された過熱器３４
を介して洗浄室１に連なるスチームライン１３に
接続される。また洗浄液タンク２９及び温水タン
ク３１にはボイラ２８からの初期過熱用エゼクタ
が設けられ、これらタンク２９，３１は夫々ポン
プ３５，３６及びフイルタ３７，３８を介し洗浄
液ライン１１及び温水ライン１０に接続される。
３９は乾燥ノズル１６へチツソガスを送るチツソ
ガス供給装置、４０はドレンポンプ、４１は排水
装置である。
以上のように、本発明の洗浄装置は、多数枚の
基板を洗浄室内のキヤリヤに垂直に設けた基板ホ
ルダの板面に取付け、該板面に沿つて上下に移動
すると共に該基板に斜め上方から温水、洗浄剤を
噴射する複数個の洗浄ノズルとスチームを噴射す
る複数個のノズルとを上下２段に設けるように
し、該キヤリヤの移動方向側方に乾燥ノズルを設
けたので、多数枚の基板はその上方のものから下
方のものへと斜め上方からのスチームと温水、洗
浄剤の噴流によつて順次洗浄され、上方のものは
下方のものの洗浄液を浴びることがなく、また、
温水や洗浄剤の洗浄に先立ちスチームを基板に噴
射することが出来るので基板の汚れをほぼ完全に
除去することが出来、乾燥ノズルによりその洗浄
後にキヤリヤを移動し乍ら基板を乾燥出来、ほぼ
基板ホルダの寸法よりも少し大きい程度の小型の
洗浄室で多数枚の基板の洗浄を行なえるので該洗
浄室を高真空室処理室に連設し、洗浄済の多数の
基板を人手を介さずに移送し得て基板の汚染を防
げる等の効果がある。
基板を洗浄室内のキヤリヤに垂直に設けた基板ホ
ルダの板面に取付け、該板面に沿つて上下に移動
すると共に該基板に斜め上方から温水、洗浄剤を
噴射する複数個の洗浄ノズルとスチームを噴射す
る複数個のノズルとを上下２段に設けるように
し、該キヤリヤの移動方向側方に乾燥ノズルを設
けたので、多数枚の基板はその上方のものから下
方のものへと斜め上方からのスチームと温水、洗
浄剤の噴流によつて順次洗浄され、上方のものは
下方のものの洗浄液を浴びることがなく、また、
温水や洗浄剤の洗浄に先立ちスチームを基板に噴
射することが出来るので基板の汚れをほぼ完全に
除去することが出来、乾燥ノズルによりその洗浄
後にキヤリヤを移動し乍ら基板を乾燥出来、ほぼ
基板ホルダの寸法よりも少し大きい程度の小型の
洗浄室で多数枚の基板の洗浄を行なえるので該洗
浄室を高真空室処理室に連設し、洗浄済の多数の
基板を人手を介さずに移送し得て基板の汚染を防
げる等の効果がある。
第１図は本発明の実施例の要部の截断側面図、
第２図はその―線断面図、第３図は使用状態
の全体平面線図である。 １……洗浄室、２，２……ドアバルブ、３……
キヤリヤ、４……基板ホルダ、５……基板、６
ａ，６ｂ……洗浄ノズル群、１６……乾燥ノズ
ル。
第２図はその―線断面図、第３図は使用状態
の全体平面線図である。 １……洗浄室、２，２……ドアバルブ、３……
キヤリヤ、４……基板ホルダ、５……基板、６
ａ，６ｂ……洗浄ノズル群、１６……乾燥ノズ
ル。
Claims (1)
- １ セラミツク、ガラス、金属その他の半導体も
しくは磁気記録媒体等の基板の多数枚をドアバル
ブにより密閉可能な洗浄室内の横方向へ移動自在
のキヤリヤに垂直に設けた板状の基板ホルダの垂
直の板面に取付け、該洗浄室内に、該基板に向け
て斜め上方から温水、有機溶剤等の洗浄剤の液体
を噴射する列状に配置した複数個の洗浄ノズル及
びスチームを噴出する列状に配置した複数個の洗
浄ノズルを該基板ホルダの板面に沿つて上下２段
に且つ上下動自在に設けると共に該キヤリヤの移
動方向の側方に該基板に向けて乾燥気体を噴射す
る乾燥ノズルを設けたことを特徴とする半導体も
しくは磁気記録媒体等の基板の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8838883A JPS59215729A (ja) | 1983-05-21 | 1983-05-21 | 半導体もしくは磁気記録媒体等の基板の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8838883A JPS59215729A (ja) | 1983-05-21 | 1983-05-21 | 半導体もしくは磁気記録媒体等の基板の洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59215729A JPS59215729A (ja) | 1984-12-05 |
| JPH0129054B2 true JPH0129054B2 (ja) | 1989-06-07 |
Family
ID=13941405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8838883A Granted JPS59215729A (ja) | 1983-05-21 | 1983-05-21 | 半導体もしくは磁気記録媒体等の基板の洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59215729A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0695382B2 (ja) * | 1987-10-17 | 1994-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | ディスクの洗浄方法 |
| JPH0749790Y2 (ja) * | 1989-02-02 | 1995-11-13 | 山形日本電気株式会社 | 半導体ウェーハの洗浄装置 |
| EP0423761A3 (en) * | 1989-10-17 | 1992-08-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for particle removal by forced fluid convection |
| JPH0757913B2 (ja) * | 1989-10-27 | 1995-06-21 | オリエンタルエンヂニアリング株式会社 | 脱脂洗浄方法および装置 |
| DE19522525A1 (de) * | 1994-10-04 | 1996-04-11 | Kunze Concewitz Horst Dipl Phy | Verfahren und Vorrichtung zum Feinstreinigen von Oberflächen |
| JP5104174B2 (ja) | 2007-10-01 | 2012-12-19 | 富士通株式会社 | 洗浄乾燥装置及び洗浄乾燥方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5020571A (ja) * | 1973-05-21 | 1975-03-04 | ||
| JPS5067577A (ja) * | 1973-10-15 | 1975-06-06 | ||
| JPS5544780A (en) * | 1978-09-27 | 1980-03-29 | Toshiba Corp | Cleaning device for semiconductor wafer |
| JPS5645017A (en) * | 1979-09-20 | 1981-04-24 | Toshiba Corp | Moving method and apparatus for semiconductor wafer |
| JPS56125842A (en) * | 1980-03-06 | 1981-10-02 | Nec Corp | Injection-type cleaning device |
| JPS5756930A (en) * | 1980-09-22 | 1982-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | Wafer washing and drying device |
| JPS57154836A (en) * | 1981-03-20 | 1982-09-24 | Hitachi Ltd | Washing method for semiconductor wafer, mask, etc. |
-
1983
- 1983-05-21 JP JP8838883A patent/JPS59215729A/ja active Granted
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5020571A (ja) * | 1973-05-21 | 1975-03-04 | ||
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| JPS57154836A (en) * | 1981-03-20 | 1982-09-24 | Hitachi Ltd | Washing method for semiconductor wafer, mask, etc. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59215729A (ja) | 1984-12-05 |
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