JPH0749790Y2 - 半導体ウェーハの洗浄装置 - Google Patents
半導体ウェーハの洗浄装置Info
- Publication number
- JPH0749790Y2 JPH0749790Y2 JP1989012041U JP1204189U JPH0749790Y2 JP H0749790 Y2 JPH0749790 Y2 JP H0749790Y2 JP 1989012041 U JP1989012041 U JP 1989012041U JP 1204189 U JP1204189 U JP 1204189U JP H0749790 Y2 JPH0749790 Y2 JP H0749790Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- semiconductor wafer
- solution
- tank
- liquid
- Prior art date
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は半導体ウェーハの洗浄装置に関する。
従来、半導体ウェーハの洗浄装置では、例えばアンモニ
ア水と過酸化水素水の混合液を50〜80℃程度に加熱して
使用するため、それぞれ蒸発し濃度は低下する。また、
洗浄するウェーハの汚染物等と激しく反応し、洗浄液は
劣化していく。そのため、液交換までの間まで定期的に
各薬品溶液を洗浄液に補充し、濃度制御を行なうが、補
充される各薬品の溶液は特にあたためることなく個々に
洗浄槽へ直接補充される構造となっていた。
ア水と過酸化水素水の混合液を50〜80℃程度に加熱して
使用するため、それぞれ蒸発し濃度は低下する。また、
洗浄するウェーハの汚染物等と激しく反応し、洗浄液は
劣化していく。そのため、液交換までの間まで定期的に
各薬品溶液を洗浄液に補充し、濃度制御を行なうが、補
充される各薬品の溶液は特にあたためることなく個々に
洗浄槽へ直接補充される構造となっていた。
上述した半導体ウェーハの洗浄装置は、室温（15〜30
℃）の各薬品の溶液を個々に洗浄槽に直接補充する構造
となっているので、洗浄槽内の洗浄液との温度差が大き
く、補充された薬品溶液が洗浄槽下部に分離停滞し均一
に混合するのに時間を要する。そのため槽内の薬品の濃
度分布が不均一になり、それに伴って半導体ウェーハの
槽内で洗浄効果に差が発生し半導体素子の特性にばらつ
きを生じ、半導体装置の歩留りを低下させるという欠点
がある。
℃）の各薬品の溶液を個々に洗浄槽に直接補充する構造
となっているので、洗浄槽内の洗浄液との温度差が大き
く、補充された薬品溶液が洗浄槽下部に分離停滞し均一
に混合するのに時間を要する。そのため槽内の薬品の濃
度分布が不均一になり、それに伴って半導体ウェーハの
槽内で洗浄効果に差が発生し半導体素子の特性にばらつ
きを生じ、半導体装置の歩留りを低下させるという欠点
がある。
〔課題を解決するための手段〕 本考案の半導体ウェーハの洗浄装置は、複数の薬品溶液
を混合して洗浄液とし、この洗浄液を洗浄槽に満たし、
定期的に洗浄液を補充しながら半導体ウェーハを洗浄す
る半導体ウェーハの洗浄装置において、補充する前記洗
浄液を調製する為の前記薬品溶液をそれぞれ加熱するた
めの手段を設けたものである。
を混合して洗浄液とし、この洗浄液を洗浄槽に満たし、
定期的に洗浄液を補充しながら半導体ウェーハを洗浄す
る半導体ウェーハの洗浄装置において、補充する前記洗
浄液を調製する為の前記薬品溶液をそれぞれ加熱するた
めの手段を設けたものである。
次に本考案について図面を参照して説明する。
第１図は本考案の第１の実施例の構成図である。
第１図において、洗浄槽11中にはアンモニア水と過酸化
水素水からなる洗浄液９が満され半導体ウェーハが洗浄
される。そして、この洗浄液９内の薬品の濃度制御のた
め、アンモニア水７及び過酸化水素水８が補充液供給ポ
ンプ６によって、一定量、一定頻度で加熱槽２を通して
混合槽13に供給される。加熱槽２では、ヒータ４、液温
計３及び液温コントローラ５によって40〜80℃に加熱保
持された純水１が入っており、各補充液は加熱槽２内の
配管を通過する間に間接的に40〜80℃に加熱される。
水素水からなる洗浄液９が満され半導体ウェーハが洗浄
される。そして、この洗浄液９内の薬品の濃度制御のた
め、アンモニア水７及び過酸化水素水８が補充液供給ポ
ンプ６によって、一定量、一定頻度で加熱槽２を通して
混合槽13に供給される。加熱槽２では、ヒータ４、液温
計３及び液温コントローラ５によって40〜80℃に加熱保
持された純水１が入っており、各補充液は加熱槽２内の
配管を通過する間に間接的に40〜80℃に加熱される。
また、洗浄槽11内の洗浄液９は、液温計３、棒状ヒータ
ー10及び液温コントローラ５により50〜80℃に加熱保持
され、常に循環ポンプ12により混合槽13を通って循環し
ている。混合槽13の幅は洗浄液循環配管の径より広いた
め、洗浄液９が供給されると混合槽13内に乱流が発生す
る。
ー10及び液温コントローラ５により50〜80℃に加熱保持
され、常に循環ポンプ12により混合槽13を通って循環し
ている。混合槽13の幅は洗浄液循環配管の径より広いた
め、洗浄液９が供給されると混合槽13内に乱流が発生す
る。
洗浄液９と同等の液温まで加熱された各補充液が乱流の
発生している混合槽13に供給されることにより、液温差
による分離停滞が発生することなしに十分に混合されて
洗浄槽11に戻され、洗浄槽11内の洗浄液９と混合する構
造となっている。
発生している混合槽13に供給されることにより、液温差
による分離停滞が発生することなしに十分に混合されて
洗浄槽11に戻され、洗浄槽11内の洗浄液９と混合する構
造となっている。
第２図は、本考案の第２の実施例の構成図である。
アンモニア水７及び過酸化水素水８の各補充液は、それ
ぞれエア駆動式バルブ14を通して一定量加熱層２に供給
される。そしてヒーター４、液温径３、及び液温コント
ローラ５によって、直接加熱層４を加熱する方法でこれ
らの補充液は40〜80℃に常時保持される。加熱された各
補充液は、洗浄液９内の薬品濃度制御のため一定量、一
定頻度で補充液供給ポンプ６によって混合槽13に供給さ
れ第１の実施例と同様に洗浄槽11内の洗浄液９と混合さ
れるように構成されている。
ぞれエア駆動式バルブ14を通して一定量加熱層２に供給
される。そしてヒーター４、液温径３、及び液温コント
ローラ５によって、直接加熱層４を加熱する方法でこれ
らの補充液は40〜80℃に常時保持される。加熱された各
補充液は、洗浄液９内の薬品濃度制御のため一定量、一
定頻度で補充液供給ポンプ６によって混合槽13に供給さ
れ第１の実施例と同様に洗浄槽11内の洗浄液９と混合さ
れるように構成されている。
この第２の実施例では、補充液の加熱を補充直前に行な
う第１の実施例と異なり、補充前に常時加熱保持する構
造であるため、室温の変化によって補充液の液温が変化
しても、補充前に十分液温をコントロール出来る利点が
ある。
う第１の実施例と異なり、補充前に常時加熱保持する構
造であるため、室温の変化によって補充液の液温が変化
しても、補充前に十分液温をコントロール出来る利点が
ある。
尚、上記実施例においては洗浄液としてアンモニア水と
過酸化水素水を用いた場合について説明したが、これに
限定されるものではなく、ギ酸をと過酸化水素水、硫酸
と過酸化水素水等を用いてもよい。
過酸化水素水を用いた場合について説明したが、これに
限定されるものではなく、ギ酸をと過酸化水素水、硫酸
と過酸化水素水等を用いてもよい。
以上説明したように本考案は、補充する薬品溶液を加熱
する手段を設け、加熱され混合された補充溶液を洗浄槽
に補充することにより、洗浄槽内での薬品の濃度分布が
均一になるため、槽内の洗浄効果の差を最小限に押える
ことが出来る。それにより、表面状態の影響を受けやす
いMOSFETのVT特性等のウェーハ内及びウェーハ間のばら
つきが低減されるため、半導体装置の歩留りの低下防止
等に効果がある。
する手段を設け、加熱され混合された補充溶液を洗浄槽
に補充することにより、洗浄槽内での薬品の濃度分布が
均一になるため、槽内の洗浄効果の差を最小限に押える
ことが出来る。それにより、表面状態の影響を受けやす
いMOSFETのVT特性等のウェーハ内及びウェーハ間のばら
つきが低減されるため、半導体装置の歩留りの低下防止
等に効果がある。
第１図及び第２図は本考案の第１及び第２の実施例の構
成図である。 １……純水、２……加熱槽、３……液温計、４……ヒー
ター、５……液温コントローラ、６……補充液供給ポン
プ、７……アンモニア水、８……過酸化水素水、９……
洗浄液、10……棒状ヒーター、11……洗浄槽、12……循
環ポンプ、13……混合槽、14……エア駆動式バルブ。
成図である。 １……純水、２……加熱槽、３……液温計、４……ヒー
ター、５……液温コントローラ、６……補充液供給ポン
プ、７……アンモニア水、８……過酸化水素水、９……
洗浄液、10……棒状ヒーター、11……洗浄槽、12……循
環ポンプ、13……混合槽、14……エア駆動式バルブ。
Claims (1)
- 【請求項１】複数の薬品溶液を混合して洗浄液とし、こ
の洗浄液を洗浄槽に満たし、定期的に洗浄液を補充しな
がら半導体ウェーハを洗浄する半導体ウェーハの洗浄装
置において、補充する前記洗浄液を調製する為の前記薬
品溶液をそれぞれ加熱するための手段を設けたことを特
徴とする半導体ウェーハの洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989012041U JPH0749790Y2 (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 半導体ウェーハの洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989012041U JPH0749790Y2 (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 半導体ウェーハの洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02102725U JPH02102725U (ja) | 1990-08-15 |
| JPH0749790Y2 true JPH0749790Y2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=31221128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989012041U Expired - Lifetime JPH0749790Y2 (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 半導体ウェーハの洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0749790Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109673107A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-04-23 | 重庆方正高密电子有限公司 | 褪洗设备和生产线 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59215729A (ja) * | 1983-05-21 | 1984-12-05 | Ulvac Corp | 半導体もしくは磁気記録媒体等の基板の洗浄装置 |
| JPS63128186A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | Hitachi Ltd | 湿式エツチング装置 |
| JPS63272040A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-09 | Fujitsu Ltd | 循環濾過洗浄装置 |
-
1989
- 1989-02-02 JP JP1989012041U patent/JPH0749790Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02102725U (ja) | 1990-08-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |