JPH01286447A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH01286447A JPH01286447A JP11736388A JP11736388A JPH01286447A JP H01286447 A JPH01286447 A JP H01286447A JP 11736388 A JP11736388 A JP 11736388A JP 11736388 A JP11736388 A JP 11736388A JP H01286447 A JPH01286447 A JP H01286447A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、上温の熱処理に対して安定な耐熱性配線を有
する半導体装置、及びその製造方法に関するものである
。
する半導体装置、及びその製造方法に関するものである
。
第５図は高融点金属配線工程における従来の半導体装置
の断面図、第６図（ａ）〜（ｅ）は従来の半導体装置の
製造方法を示した断面図である。以下図に従って説明す
る。まず、第５図において、半導体基板例えばシリコン
基板１上に絶縁層２を熱酸化、化学的気相成長法（以下
ＣＶＤという）等にょシ形成し、写真製版、エツチング
によ）コンタクトホール３を絶縁部２に設ける。次に、
コンタクトホール３内のシリコン基板１の表面に選択的
にチタンシリサイド層８を形成し、その表面に窒化チタ
ン層５を形成する。そして、この窒化チタン層５の表面
に低抵抗の配線となる高融点金属層９を形成する。ここ
で、窒化チタン層５はこの高融点金属層γとシリコン基
板１との反応を防止する反応障壁となる。また、窒化チ
タン層５及び高融点金属層７は、パターニングされ、半
導体活性領域を相互接続する配線層として用いられる。
の断面図、第６図（ａ）〜（ｅ）は従来の半導体装置の
製造方法を示した断面図である。以下図に従って説明す
る。まず、第５図において、半導体基板例えばシリコン
基板１上に絶縁層２を熱酸化、化学的気相成長法（以下
ＣＶＤという）等にょシ形成し、写真製版、エツチング
によ）コンタクトホール３を絶縁部２に設ける。次に、
コンタクトホール３内のシリコン基板１の表面に選択的
にチタンシリサイド層８を形成し、その表面に窒化チタ
ン層５を形成する。そして、この窒化チタン層５の表面
に低抵抗の配線となる高融点金属層９を形成する。ここ
で、窒化チタン層５はこの高融点金属層γとシリコン基
板１との反応を防止する反応障壁となる。また、窒化チ
タン層５及び高融点金属層７は、パターニングされ、半
導体活性領域を相互接続する配線層として用いられる。
このように従来の半導体装置は、高融点金属層９とシリ
コン基板１上のコンタクトホール３における電気的接続
部（以下コンタクトという）との間に反応障壁として窒
化チタン層５が存在するため、後の高温の熱処理に対し
て電気的導通が劣化することが少ない。このため、多く
の熱処理工程を必要とする三次元ＬＳＩ等に用いられて
いる。
コン基板１上のコンタクトホール３における電気的接続
部（以下コンタクトという）との間に反応障壁として窒
化チタン層５が存在するため、後の高温の熱処理に対し
て電気的導通が劣化することが少ない。このため、多く
の熱処理工程を必要とする三次元ＬＳＩ等に用いられて
いる。
次に、第６図に従って製造方法を説明する。半導体基板
例えばシリコン基板１上に絶縁層２を熱酸化、ＣＶＤ等
により形成した後、写真製版、エツチングによりコンタ
クトホール３を形成する（第６図（ａ））。次に、チタ
ン層γをスパッタリング法で、窒化チタン層５を反応性
スパッタ法によシそれぞれ堆積する（同図（ｂ））。こ
こで、シリコン基板１とチタン層７とを反応させてチタ
ンシリサイドノーを形成するため、ランプ加熱炉等を用
いて窒素雰囲気で熱処理を行なう。これによシ、同図（
Ｃ）に示すようにチタン層７がシリコン基板１と面する
部分のみにチタンシリサイド層が形成され、それ以外の
チタン層Ｔは窒化され窒化チタン層５となる。そして、
この熱処理の際、チタン層５は還元性を肩するため、シ
リコン基板１上に存在する絶縁性の自然酸化膜を除去す
る。この後、低抵抗で高温処理に対して安定な高融点金
属層（例えば、タングステンシリサイド）９を形成しく
同図（ｄ） ） 、写真製版、エツチングによるパター
ニングにより、同図（ｅ） Ｋ示す配線層１０を形成す
る。
例えばシリコン基板１上に絶縁層２を熱酸化、ＣＶＤ等
により形成した後、写真製版、エツチングによりコンタ
クトホール３を形成する（第６図（ａ））。次に、チタ
ン層γをスパッタリング法で、窒化チタン層５を反応性
スパッタ法によシそれぞれ堆積する（同図（ｂ））。こ
こで、シリコン基板１とチタン層７とを反応させてチタ
ンシリサイドノーを形成するため、ランプ加熱炉等を用
いて窒素雰囲気で熱処理を行なう。これによシ、同図（
Ｃ）に示すようにチタン層７がシリコン基板１と面する
部分のみにチタンシリサイド層が形成され、それ以外の
チタン層Ｔは窒化され窒化チタン層５となる。そして、
この熱処理の際、チタン層５は還元性を肩するため、シ
リコン基板１上に存在する絶縁性の自然酸化膜を除去す
る。この後、低抵抗で高温処理に対して安定な高融点金
属層（例えば、タングステンシリサイド）９を形成しく
同図（ｄ） ） 、写真製版、エツチングによるパター
ニングにより、同図（ｅ） Ｋ示す配線層１０を形成す
る。
従来の半導体装置及びその製造方法は以上のような槽数
となっているため、配線層及びコンタクト形成後の高温
処理、例えば８５０℃で３０分間の加熱を行なった場合
、チタンシリサイド層８が熱的に不安定となり、その結
果チタンシリサイド層８が凝集し塊状になシ、電気的特
性が劣化するという欠点があった。
となっているため、配線層及びコンタクト形成後の高温
処理、例えば８５０℃で３０分間の加熱を行なった場合
、チタンシリサイド層８が熱的に不安定となり、その結
果チタンシリサイド層８が凝集し塊状になシ、電気的特
性が劣化するという欠点があった。
本発明は上記のような欠点を解消するためになされたも
ので、熱処理に安定なコンタクトを有する半導体装置及
びその製造方法を得ることを目的とする。
ので、熱処理に安定なコンタクトを有する半導体装置及
びその製造方法を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
前述の欠点を解消するため本発明は、半導体基板上に形
成された絶縁層と、この絶縁層に設けられた前記半導体
基板が露出する開口部と、この開口部の表面に形成され
たタングステンシリサイド層と、このタングステンシリ
サイド層の表面に形成された反応障壁層と、この反応障
壁層の表面に形成された高融点金属層とを備えている。
成された絶縁層と、この絶縁層に設けられた前記半導体
基板が露出する開口部と、この開口部の表面に形成され
たタングステンシリサイド層と、このタングステンシリ
サイド層の表面に形成された反応障壁層と、この反応障
壁層の表面に形成された高融点金属層とを備えている。
また、半導体基板上に絶縁層を形成する工程と、この絶
縁膜に前記半導体基板が露出する開口部を設ける工程と
、この開口部の表面にタングステン層を形成する工程と
、このタングステン層の表面に反応障壁層を形成する工
程と、この反応障壁層の表面に高融点金属配線層を形成
する工程と、前記タングステン層を前記半導体基板と反
応させてタングステンシリサイド層を形成する高温熱処
理を行なう工程とを肩している。
縁膜に前記半導体基板が露出する開口部を設ける工程と
、この開口部の表面にタングステン層を形成する工程と
、このタングステン層の表面に反応障壁層を形成する工
程と、この反応障壁層の表面に高融点金属配線層を形成
する工程と、前記タングステン層を前記半導体基板と反
応させてタングステンシリサイド層を形成する高温熱処
理を行なう工程とを肩している。
さらに、半導体基板上に形成された絶縁層と、この絶縁
層に選択的に設けられた前記半導体基板が露出する開口
部と、この開口部の表面に形成されたタングステンシリ
サイド層と、このタングステンシリサイドＪ−の表面に
形成されたチタンシリサイド層と、このチタンシリサイ
ド層の表面に形成された反応障壁と、この反応障壁の表
面に形成された高融点金属層とを備えている。
層に選択的に設けられた前記半導体基板が露出する開口
部と、この開口部の表面に形成されたタングステンシリ
サイド層と、このタングステンシリサイドＪ−の表面に
形成されたチタンシリサイド層と、このチタンシリサイ
ド層の表面に形成された反応障壁と、この反応障壁の表
面に形成された高融点金属層とを備えている。
また、半導体基板上に絶縁層を形成する工程と、この絶
縁層に前記半導体基板が露出する開口部を設ける工程と
、この開口部の表面にタングステン層を形成する工程と
、このタングステン層の表面に反応障壁を形成する工程
と、前記タングステン層及び前記チタン層をそれぞれ反
応させ、タングステンシリサイド層及びチタンシリサイ
ド層を形成する高温熱処理を行なう工程とを有している
。
縁層に前記半導体基板が露出する開口部を設ける工程と
、この開口部の表面にタングステン層を形成する工程と
、このタングステン層の表面に反応障壁を形成する工程
と、前記タングステン層及び前記チタン層をそれぞれ反
応させ、タングステンシリサイド層及びチタンシリサイ
ド層を形成する高温熱処理を行なう工程とを有している
。
反応障壁層は高融点金属層と半導体基板との反応を防止
する。そして、タングステンシリサイド層は半導体基板
と良好なコンタクトを構成する。
する。そして、タングステンシリサイド層は半導体基板
と良好なコンタクトを構成する。
また、タングステンシリサイド層とチタンシリサイド層
の複合層は、チタンシリサイド層が凝集するのを防止す
ると共に、半導体基板上の自然酸化膜を除去する。
の複合層は、チタンシリサイド層が凝集するのを防止す
ると共に、半導体基板上の自然酸化膜を除去する。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明に係る第１の実施例を示した半導体装置
の断面図、第２図（ａ）〜（ｆ）は第１の実施例におけ
る半導体装置の製造方法を示した断面図である。第１図
において第５図と同一部分には同一符号が付しである。
の断面図、第２図（ａ）〜（ｆ）は第１の実施例におけ
る半導体装置の製造方法を示した断面図である。第１図
において第５図と同一部分には同一符号が付しである。
ここで、コンタクトホール３内のシリコン基板１の表面
に選択的にタングステンシリサイド層４が形成されてい
る。タングステンシリサイド層４は第５図に示すチタン
シリサイド層に比べ熱的安定性に優れ、高温処理を行な
っても凝集等の劣化がない。
に選択的にタングステンシリサイド層４が形成されてい
る。タングステンシリサイド層４は第５図に示すチタン
シリサイド層に比べ熱的安定性に優れ、高温処理を行な
っても凝集等の劣化がない。
次に１第２図に従って製造方法を説明する。第６図と同
様にシリコン基板１上に絶縁層２を形成後、開口部にあ
たるコンタクトホール３を形成する（第２図（ａ））。
様にシリコン基板１上に絶縁層２を形成後、開口部にあ
たるコンタクトホール３を形成する（第２図（ａ））。
次に、コンタクトホール３内のシリコン基板１上に選択
ＣＶＤ法によシタングステン層６を形成する。ここで、
シリコン基板１以外の絶縁層フにはタングステン層６は
堆積されない。次に、反応障壁層にあたる窒化チタン層
５を形成しく同図（ｃ））、さらに窒化チタン層５の表
面に低抵抗の高融点金属層７を形成する（同図（ｄ））
。
ＣＶＤ法によシタングステン層６を形成する。ここで、
シリコン基板１以外の絶縁層フにはタングステン層６は
堆積されない。次に、反応障壁層にあたる窒化チタン層
５を形成しく同図（ｃ））、さらに窒化チタン層５の表
面に低抵抗の高融点金属層７を形成する（同図（ｄ））
。
この後、シリコン基板１タングステン層６とを反応させ
タングステンシリサイド層４を形成するため、熱処理を
行なう。これにより、タングステン層６部分のみがタン
グステンシリサイド層４となる（同図（ｅ））。高融点
金属層７と窒化チタン層５は、同時にパターニングされ
配線層１ｏとなυ、同図（ｆ）に示すような耐熱性配線
及びコンタクトが形成される。このように、選択ＣＶＤ
法にょシタングステン層６を生長させ、熱処理によって
タングステンシリサイド層４を形成するため、電気的接
触に優れ、高温処理に対して安定なコンタクトを実現す
ることができる。
タングステンシリサイド層４を形成するため、熱処理を
行なう。これにより、タングステン層６部分のみがタン
グステンシリサイド層４となる（同図（ｅ））。高融点
金属層７と窒化チタン層５は、同時にパターニングされ
配線層１ｏとなυ、同図（ｆ）に示すような耐熱性配線
及びコンタクトが形成される。このように、選択ＣＶＤ
法にょシタングステン層６を生長させ、熱処理によって
タングステンシリサイド層４を形成するため、電気的接
触に優れ、高温処理に対して安定なコンタクトを実現す
ることができる。
ナオ、上記の実施例ではタングステン層６をタングステ
ンシリサイド層４に形成する工程を高融点金属層７の形
成後、パターニング前に行なったが、タングステン層６
の形成後、どの時期に行な。
ンシリサイド層４に形成する工程を高融点金属層７の形
成後、パターニング前に行なったが、タングステン層６
の形成後、どの時期に行な。
つてもよい。また、窒化チタン層５と高融点金属層Ｔを
同時にパターニングして配線層１０を形成したが、別々
にパターニングしてもよい。
同時にパターニングして配線層１０を形成したが、別々
にパターニングしてもよい。
第３図は本発明に係る第２の実施例を示した半導体装置
の断面図、第４図（１１）〜（ｆ）は第２の実施例にお
ける半導体装置の製造方法を示した断面図である。第３
図において第１図と同一部分には同一符号が付しである
。ここで、夕ングステンシリサイド層４と窒化チタン層
５との間にチタンシリサイド層８が形成されている。こ
のように熱的安定性に優れたタングステンシリサイド層
４とチタンシリサイド層８との複合層としたため、チタ
ンシリサイド層８における凝集等の劣化がない。
の断面図、第４図（１１）〜（ｆ）は第２の実施例にお
ける半導体装置の製造方法を示した断面図である。第３
図において第１図と同一部分には同一符号が付しである
。ここで、夕ングステンシリサイド層４と窒化チタン層
５との間にチタンシリサイド層８が形成されている。こ
のように熱的安定性に優れたタングステンシリサイド層
４とチタンシリサイド層８との複合層としたため、チタ
ンシリサイド層８における凝集等の劣化がない。
次に、第４図に従って製造方法を説明する。前述と同様
にシリコン基板１上に絶縁層２を形成後、開口部にあた
−るコンタクトホール３を形成スる（第４図（ａ））。
にシリコン基板１上に絶縁層２を形成後、開口部にあた
−るコンタクトホール３を形成スる（第４図（ａ））。
次に、コンタクトホール３内のシリコン基板１上に選択
ＣＶＤ法によりタングステン層６を形成する（同図幅）
）。このとき、シリコン基板１以外の絶縁１２にはタン
グステン層６は堆積すれない。次に、タングステン層６
の表面にチタン層γを形成しく同図（ｃ））、さらにそ
の表面に反応障壁層にあたる窒化チタン層５を形成する
（同図（ｄ））。ここで、シリコン基板１とタングステ
ン層６とを反応させタングステンシリサイド層に、同じ
くチタン層７を反応させチタンシリサイド層にするため
、例えばランプ加熱炉で温度８００℃で窒素雰囲気で熱
処理を行なう。これにより、タングステン層６部分のみ
がタングステンシリサイド層４となる。そして、チタン
層７はタングステン層６と面している部分のみにチタン
シリサイド層８が形成され、それ以外のチタン層Ｔは窒
素雰囲気によシ窒化され窒化チタン層５となる。また、
このときチタン層７は還元性を有するため、シリコン基
板１上に存在する絶縁性の自然酸化膜を除去する（同図
（ｅ））。この後、低抵抗で高温処理に対して安定な高
融点金属層（例えば、メンゲステンシリサイド）９を形
成し、写真製版、エツチングによるパターニングによυ
、同図（ｆ）に示す配線層１０を形成する。このように
、タングステン層６とチタン層γとの複合層を熱処理に
よシ、それぞれタングステンシリサイド層６とチタンシ
リサイド層８との複合層を形成したため、チタン層が単
層の場合問題となっていたチタンシリサイド層８の凝集
による劣化がなく、テｉン層７の還元性によυシリコン
基板１上の自然酸化膜を除去することができる。従って
、電気的接触に優れ、高温処理に対して安定なコンタク
トを実現することができる。
ＣＶＤ法によりタングステン層６を形成する（同図幅）
）。このとき、シリコン基板１以外の絶縁１２にはタン
グステン層６は堆積すれない。次に、タングステン層６
の表面にチタン層γを形成しく同図（ｃ））、さらにそ
の表面に反応障壁層にあたる窒化チタン層５を形成する
（同図（ｄ））。ここで、シリコン基板１とタングステ
ン層６とを反応させタングステンシリサイド層に、同じ
くチタン層７を反応させチタンシリサイド層にするため
、例えばランプ加熱炉で温度８００℃で窒素雰囲気で熱
処理を行なう。これにより、タングステン層６部分のみ
がタングステンシリサイド層４となる。そして、チタン
層７はタングステン層６と面している部分のみにチタン
シリサイド層８が形成され、それ以外のチタン層Ｔは窒
素雰囲気によシ窒化され窒化チタン層５となる。また、
このときチタン層７は還元性を有するため、シリコン基
板１上に存在する絶縁性の自然酸化膜を除去する（同図
（ｅ））。この後、低抵抗で高温処理に対して安定な高
融点金属層（例えば、メンゲステンシリサイド）９を形
成し、写真製版、エツチングによるパターニングによυ
、同図（ｆ）に示す配線層１０を形成する。このように
、タングステン層６とチタン層γとの複合層を熱処理に
よシ、それぞれタングステンシリサイド層６とチタンシ
リサイド層８との複合層を形成したため、チタン層が単
層の場合問題となっていたチタンシリサイド層８の凝集
による劣化がなく、テｉン層７の還元性によυシリコン
基板１上の自然酸化膜を除去することができる。従って
、電気的接触に優れ、高温処理に対して安定なコンタク
トを実現することができる。
なお、上記の実施例では、タングステン層６からタング
ステンシリサイド層４への熱処理及び、チタン層７から
チタンシリサイド層８への熱処理を同時に行なったが、
タングステン層６及びチタン層７の形成後であればどの
工程で熱処理を行ってもよい。また、タングステン層６
とチタン層Ｔとを別々に熱処理を行ってもよい。
ステンシリサイド層４への熱処理及び、チタン層７から
チタンシリサイド層８への熱処理を同時に行なったが、
タングステン層６及びチタン層７の形成後であればどの
工程で熱処理を行ってもよい。また、タングステン層６
とチタン層Ｔとを別々に熱処理を行ってもよい。
また、上記の実施例では窒化チタン層５と高融点金属層
９とを同時にバターニングして配線したが、別々にバタ
ーニングしてもよい。 −〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、開口部内の半導体基板上
にタングステン層を形成し、高温熱処理によりタングス
テンシリサイド層を形成したため、電気的接触に優れ、
後工程の熱処理に対して安定なコンタクトを有する半導
体装置を得ることができる。
９とを同時にバターニングして配線したが、別々にバタ
ーニングしてもよい。 −〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、開口部内の半導体基板上
にタングステン層を形成し、高温熱処理によりタングス
テンシリサイド層を形成したため、電気的接触に優れ、
後工程の熱処理に対して安定なコンタクトを有する半導
体装置を得ることができる。
また、開口部内の半導体基板上にタングステン層及びチ
タン層を形成し、高温熱処理によシタングステンシリサ
イド層及びチタンシリサイド層を形成したため、チタン
シリサイド層の凝集が発生しない。また、チタン層の還
元性により半導体基板上の自然酸化膜を除去することが
でき、電気的接触に優れ、後工程の熱処理に対して安定
なコンタクトを有する半導体装置を得ることができる。
タン層を形成し、高温熱処理によシタングステンシリサ
イド層及びチタンシリサイド層を形成したため、チタン
シリサイド層の凝集が発生しない。また、チタン層の還
元性により半導体基板上の自然酸化膜を除去することが
でき、電気的接触に優れ、後工程の熱処理に対して安定
なコンタクトを有する半導体装置を得ることができる。
第１図は本発明に保る第１の実施例を示した半導体装置
の断面図、第２図は第１の実施例における半導体装置の
製造方法を示した断面図、第３図は本発明に係る第２の
実施例を示した半導体装置の断面図、第４図は第２の実
施例における半導体装置の製造方法を示した断面図、第
５図は従来の半導体装置の断面図、第６図は従来の半導
体装置の製造方法を示した断面図である１゜ １・・・・シリコン基板、２・・・・絶縁層、３１１・
−−コンタクトホール、４−・・・タングステンシリサ
イド層、５・・・・窒化チタン層、６・・・・タングス
テン層、Ｉ・・・・チタン層、８・・・・チタンシリサ
イド層、９・・・・高融点金属層、１０・・・・配線層
。
の断面図、第２図は第１の実施例における半導体装置の
製造方法を示した断面図、第３図は本発明に係る第２の
実施例を示した半導体装置の断面図、第４図は第２の実
施例における半導体装置の製造方法を示した断面図、第
５図は従来の半導体装置の断面図、第６図は従来の半導
体装置の製造方法を示した断面図である１゜ １・・・・シリコン基板、２・・・・絶縁層、３１１・
−−コンタクトホール、４−・・・タングステンシリサ
イド層、５・・・・窒化チタン層、６・・・・タングス
テン層、Ｉ・・・・チタン層、８・・・・チタンシリサ
イド層、９・・・・高融点金属層、１０・・・・配線層
。
Claims (4)
- （１）半導体基板上に形成された絶縁層と、この絶縁層
に設けられた前記半導体基板が露出する開口部と、 この開口部の表面に形成されたタングステンシリサイド
層と、 このタングステンシリサイド層の表面に形成された反応
障壁層と、 この反応障壁層の表面に形成された高融点金属層とを備
えたことを特徴とする半導体装置。 - （２）半導体基板上に絶縁層を形成する工程と、この絶
縁膜に前記半導体基板が露出する開口部を設ける工程と
、 この開口部の表面にタングステン層を形成する工程と、 このタングステン層の表面に反応障壁層を形成する工程
と、 この反応障壁層の表面に高融点金属配線層を形成する工
程と、 前記タングステン層を前記半導体基板と反応させてタン
グステンシリサイド層を形成する高温熱処理を行なう工
程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （３）半導体基板上に形成された絶縁層と、この絶縁層
に選択的に設けられた前記半導体基板が露出する開口部
と、 この開口部の表面に形成されたタングステンシリサイド
層と、 このタングステンシリサイド層の表面に形成されたチタ
ンシリサイド層と、 このチタンシリサイド層の表面に形成された反応障壁と
、 この反応障壁の表面に形成された高融点金属層とを備え
たことを特徴とする半導体装置。 - （４）半導体基板上に絶縁層を形成する工程と、この絶
縁層に前記半導体基板が露出する開口部を設ける工程と
、 この開口部の表面にタングステン層を形成する工程と、 このタングステン層の表面にチタン層を形成する工程と
、 このチタン層の表面に反応障壁を形成する工程と、 前記タングステン層及び前記チタン層をそれぞれ反応さ
せタングステンシリサイド層及びチタンシリサイド層を
形成する高温熱処理を行なう工程とからなることを特徴
とした半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11736388A JPH01286447A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11736388A JPH01286447A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01286447A true JPH01286447A (ja) | 1989-11-17 |
Family
ID=14709818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11736388A Pending JPH01286447A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01286447A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5646070A (en) * | 1990-12-19 | 1997-07-08 | Philips Electronics North American Corporation | Method of forming conductive region on silicon semiconductor material, and silicon semiconductor device with such region |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP11736388A patent/JPH01286447A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5646070A (en) * | 1990-12-19 | 1997-07-08 | Philips Electronics North American Corporation | Method of forming conductive region on silicon semiconductor material, and silicon semiconductor device with such region |
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