JPH01286317A - 絶縁膜を除去する半導体製造装置 - Google Patents
絶縁膜を除去する半導体製造装置Info
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- JPH01286317A JPH01286317A JP11773788A JP11773788A JPH01286317A JP H01286317 A JPH01286317 A JP H01286317A JP 11773788 A JP11773788 A JP 11773788A JP 11773788 A JP11773788 A JP 11773788A JP H01286317 A JPH01286317 A JP H01286317A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体製造装置、特に絶縁膜を除去する半導
体製造装置に関するものである。
体製造装置に関するものである。
第２図は従来のウェットエツチング装置の構成の一例で
ある。装置はエツチング液溜（８）、洗浄漕（９）、乾
燥機（至）から構成されている。ウェハはテフロン製の
バスケットａυに入っており、アーム（γ）によって運
ばれる。
ある。装置はエツチング液溜（８）、洗浄漕（９）、乾
燥機（至）から構成されている。ウェハはテフロン製の
バスケットａυに入っており、アーム（γ）によって運
ばれる。
次に動作について説明する。アーム（７）によってウェ
ハはバスケット０υごとエツチング液溜（８）に入れら
れ、ライトエツチングが行なわれる。所定時間後、再び
アーム（７）によってバスケット（ｌυは運ばれ、隣の
洗浄漕（９）に入れられ水洗される。所定時間後二番目
の洗浄漕、次いで三番目の洗浄漕に入れ、水洗する。水
洗が終了すると乾燥機（至）へ入れ、ウェハを乾燥させ
、エツチングは終了する。
ハはバスケット０υごとエツチング液溜（８）に入れら
れ、ライトエツチングが行なわれる。所定時間後、再び
アーム（７）によってバスケット（ｌυは運ばれ、隣の
洗浄漕（９）に入れられ水洗される。所定時間後二番目
の洗浄漕、次いで三番目の洗浄漕に入れ、水洗する。水
洗が終了すると乾燥機（至）へ入れ、ウェハを乾燥させ
、エツチングは終了する。
従来のウェットエツチング装置は以上のように構成され
ているので、ウェハを洗浄漕で水洗した際、酸化膜が生
成されるという問題点があった。
ているので、ウェハを洗浄漕で水洗した際、酸化膜が生
成されるという問題点があった。
また従来のドライエツチング装置では高周波印加による
プラズマガスを用いてエツチングするが、この場合、０
（炭素）が発生し、ウェハ中に取り込まれてしまう問題
があった。
プラズマガスを用いてエツチングするが、この場合、０
（炭素）が発生し、ウェハ中に取り込まれてしまう問題
があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、エツチング後に酸化膜が生成に されることがない、また供給ガスＣ（炭素）を含まない
半導体製造装置を得ることを目的とする。
たもので、エツチング後に酸化膜が生成に されることがない、また供給ガスＣ（炭素）を含まない
半導体製造装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体製造装置は、ＳｉＦ４＋Ｈ２等の
ガスを供給しながら減圧下にウェハを位置し、レーザー
光を通すことにより活性なＨＦを発生させ、この活性な
ＨＦを用いてシリコン絶縁膜を除去したものである。
ガスを供給しながら減圧下にウェハを位置し、レーザー
光を通すことにより活性なＨＦを発生させ、この活性な
ＨＦを用いてシリコン絶縁膜を除去したものである。
この発明における半導体製造装置は、Ｓｉ ＦＡ 十Ｈ
２等の供給ガスにレーザー光を照射すると、供給ガスは
レーザー光を共鳴吸収して活性なＨＦを発生し、この活
性なＩＦによってシリコン絶縁膜を除去する。
２等の供給ガスにレーザー光を照射すると、供給ガスは
レーザー光を共鳴吸収して活性なＨＦを発生し、この活
性なＩＦによってシリコン絶縁膜を除去する。
以下、この発明の一実施例を第１図に従って説明する。
装置は反応室（１）、レーザー発振器（２）、ガス導入
系（８）及びポンプを主体とする排気系（４）からなっ
ている。ウェハは通常、石英製のボート（５）上に数十
枚並べて反応室（１）内に入れる。レーザー光は窓（６
）を通して反応室（１）内に入射する。
系（８）及びポンプを主体とする排気系（４）からなっ
ている。ウェハは通常、石英製のボート（５）上に数十
枚並べて反応室（１）内に入れる。レーザー光は窓（６
）を通して反応室（１）内に入射する。
次に動作について説明する。まずウェハをのせたボート
（５）を反応室（１）内に入れる。次に反応室（１）内
にガス導入系（８）から５ｉＦａ−４−Ｈｚを導入し、
同時に排気を行ない、一定の減圧状態にする。ここに窓
（６）を通してレーザー光を照射することにより活性な
ＨＦが生成される。シリコン酸化膜または窒化膜のエツ
チングは活性なＨＦと８１０２の反応によりＳｉＦ４が
生成される反応に基づいている。
（５）を反応室（１）内に入れる。次に反応室（１）内
にガス導入系（８）から５ｉＦａ−４−Ｈｚを導入し、
同時に排気を行ない、一定の減圧状態にする。ここに窓
（６）を通してレーザー光を照射することにより活性な
ＨＦが生成される。シリコン酸化膜または窒化膜のエツ
チングは活性なＨＦと８１０２の反応によりＳｉＦ４が
生成される反応に基づいている。
Ｓｉ ＦＡ ＋ Ｈ２−ｍ−ＨＦ ’
Ｓｉ ０２−１− ＨＦ” −−→ ＳｉＦ＜
−）−２Ｈ２０−■Ｓｉ３Ｎ ４ ＋ １２ ＨＦ’→
３ＳｉＦ４＋ ４ＮＨ３−■反応生成物は排気系（４
）より排出される。レーザー発振を止めると、部活性な
ＨＦの生成は止まり、エツチングは終了する。このよう
にエツチング過程で水を用いないので８１０２の再生成
が起こらない。またエツチングにＣを含むガスを用いな
いのでエツチング後Ｃを含むこともない。
−）−２Ｈ２０−■Ｓｉ３Ｎ ４ ＋ １２ ＨＦ’→
３ＳｉＦ４＋ ４ＮＨ３−■反応生成物は排気系（４
）より排出される。レーザー発振を止めると、部活性な
ＨＦの生成は止まり、エツチングは終了する。このよう
にエツチング過程で水を用いないので８１０２の再生成
が起こらない。またエツチングにＣを含むガスを用いな
いのでエツチング後Ｃを含むこともない。
尚、上記実施例においては、反応室（１）内にウェハを
載せたボート（６）を入れたが、反応室（１）としてＯ
ＶＤ炉または拡散炉０を用いれば、エツチング後の工程
への移行がウェハの出し入れなく行なえるため、次工程
の炉へのウェハ挿入時までの（特にウェハ挿入時の炉内
への空気巻き込みによる）シリコン酸化膜の生成を防止
することができる。また上記実施例では供給ガスとして
Ｓｉ ＦＡを用いたが、他にもレーザー光を共鳴吸収し
、ＨＦを発生させるものであれば良い。
載せたボート（６）を入れたが、反応室（１）としてＯ
ＶＤ炉または拡散炉０を用いれば、エツチング後の工程
への移行がウェハの出し入れなく行なえるため、次工程
の炉へのウェハ挿入時までの（特にウェハ挿入時の炉内
への空気巻き込みによる）シリコン酸化膜の生成を防止
することができる。また上記実施例では供給ガスとして
Ｓｉ ＦＡを用いたが、他にもレーザー光を共鳴吸収し
、ＨＦを発生させるものであれば良い。
以上のように、この発明によればＳ１絶縁膜除去に関与
するＨＦをレーザー光を供給ガスに照射することにより
得、水洗によるシリコン酸化膜の再生成を防ぎ、ウェハ
内にＣを取り込まない半導体製造装置を得られる効果が
ある。
するＨＦをレーザー光を供給ガスに照射することにより
得、水洗によるシリコン酸化膜の再生成を防ぎ、ウェハ
内にＣを取り込まない半導体製造装置を得られる効果が
ある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体製造装置の構
成図、第２図は従来の半導体製造装置の構成図である。 （１）は反応室、（２）はレーザー発振器、（８）はガ
ス導入系、（４）は排気系、（５）はボート、（６）は
反応室（１）の窓、（γ）はアーム、（８）はエツチン
グ液溝、（９）は洗浄漕、α＠は乾燥機、αυはバスケ
ットである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
成図、第２図は従来の半導体製造装置の構成図である。 （１）は反応室、（２）はレーザー発振器、（８）はガ
ス導入系、（４）は排気系、（５）はボート、（６）は
反応室（１）の窓、（γ）はアーム、（８）はエツチン
グ液溝、（９）は洗浄漕、α＠は乾燥機、αυはバスケ
ットである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 減圧下にウェハを位置し、レーザー光を通すことによ
りＨＦを発生させ、このＨＦを用いて絶縁膜を除去する
ことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11773788A JPH01286317A (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 絶縁膜を除去する半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11773788A JPH01286317A (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 絶縁膜を除去する半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01286317A true JPH01286317A (ja) | 1989-11-17 |
Family
ID=14719048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11773788A Pending JPH01286317A (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 絶縁膜を除去する半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01286317A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0454308A2 (en) * | 1990-04-12 | 1991-10-30 | AT&T Corp. | Process for fabricating low defect polysilicon |
-
1988
- 1988-05-12 JP JP11773788A patent/JPH01286317A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0454308A2 (en) * | 1990-04-12 | 1991-10-30 | AT&T Corp. | Process for fabricating low defect polysilicon |
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