JPH01278959A - パッケージの製造方法 - Google Patents
パッケージの製造方法Info
- Publication number
- JPH01278959A JPH01278959A JP63103916A JP10391688A JPH01278959A JP H01278959 A JPH01278959 A JP H01278959A JP 63103916 A JP63103916 A JP 63103916A JP 10391688 A JP10391688 A JP 10391688A JP H01278959 A JPH01278959 A JP H01278959A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- solder
- joining
- pressure
- sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 27
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001020 rhythmical effect Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N [Si].[Au] Chemical compound [Si].[Au] OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/008—Soldering within a furnace
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/162—Disposition
- H01L2924/16251—Connecting to an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. cap-to-substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、構造体の接合方法に係わり、特に封止面が狭
小なパッケージの気密封止に好適な接合方法に関する。
小なパッケージの気密封止に好適な接合方法に関する。
特開昭５１−１５９７３号公報に記載されているパッケ
ージ封正方法は、封止される面に下地金属膜を分割して
形成することにより封止材である半田膜の内部に生じる
ボイドを分割させて気密封止効果を高めている。また、
特開昭６１−２９１５５号公報に記載されているパッケ
ージ封正方法は、封止される面に沿う蓋部に複数の貫通
孔を設けて半田膜内部に発生した気泡を放出させること
により気密封止効果を高めている。
ージ封正方法は、封止される面に下地金属膜を分割して
形成することにより封止材である半田膜の内部に生じる
ボイドを分割させて気密封止効果を高めている。また、
特開昭６１−２９１５５号公報に記載されているパッケ
ージ封正方法は、封止される面に沿う蓋部に複数の貫通
孔を設けて半田膜内部に発生した気泡を放出させること
により気密封止効果を高めている。
上記従来技術に共通する問題点は、次に述べるように封
止面の幅が狭小化する応用例で顕著にみられた。すなわ
ち、超高速計算機用の大模規集積回路チップを封入する
小型パッケージでは封止面の幅をできるだけ狭くしたい
要求がある。この理由は、−枚の配線ボード上に数多く
の小型パッケージを近接させて搭載する高密度実装方式
では。
止面の幅が狭小化する応用例で顕著にみられた。すなわ
ち、超高速計算機用の大模規集積回路チップを封入する
小型パッケージでは封止面の幅をできるだけ狭くしたい
要求がある。この理由は、−枚の配線ボード上に数多く
の小型パッケージを近接させて搭載する高密度実装方式
では。
封止面の幅に相当するパッケージ側壁の厚さがチップ間
の配線長に加わるので電気信号速度が遅れる原因となる
からである。このような用途において上記従来技術は、
封止面あるいはこれに対面する蓋部に複雑な加工を施さ
ねばならないので、パッケージが小型化してチップサイ
ズに近づいてくるにつれ実現困難となった。
の配線長に加わるので電気信号速度が遅れる原因となる
からである。このような用途において上記従来技術は、
封止面あるいはこれに対面する蓋部に複雑な加工を施さ
ねばならないので、パッケージが小型化してチップサイ
ズに近づいてくるにつれ実現困難となった。
本発明の目的は、上述のようなパッケージの小型化の要
請に対し、生産性及び信頼性に優れたパッケージ気密封
止を可能とする構造体の接合方法を提供するものである
。
請に対し、生産性及び信頼性に優れたパッケージ気密封
止を可能とする構造体の接合方法を提供するものである
。
上記目的は、パッケージの外部雰囲気に律動的な圧力変
化を与えることにより溶融状態に保たれている半田膜を
振動させたのち固化するという方法により、達成される
。
化を与えることにより溶融状態に保たれている半田膜を
振動させたのち固化するという方法により、達成される
。
外圧の律動的な変化に応じてパッケージ封止面で微小な
振動を繰り返す半田膜は、その接合面において表面酸化
皮膜を破り、さらに半田膜内部の気泡を放出して半田濡
れ性を著しく高めるように作用するので、封止面が狭小
なパッケージにおいても十分良好な気密封止効果を実現
できる。
振動を繰り返す半田膜は、その接合面において表面酸化
皮膜を破り、さらに半田膜内部の気泡を放出して半田濡
れ性を著しく高めるように作用するので、封止面が狭小
なパッケージにおいても十分良好な気密封止効果を実現
できる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明によるパッケージの半田
気密封止工程を説明する図である。１１はムライトセラ
ミック製のリードベース、１２はコバール製あるいはア
ルミニウームナイトライド製のキャップ、１３は１ｃｍ
角のシリコン大規模集積回路チップである。チップ１３
は鉛−スズ（鉛：９５ｗｔ、％）半田バンプ１４を介し
て予めベース１１に接続され、ベースのリード端子（図
示せず）から駆動電流の印加並びに電気信号の授受が行
なうことができる。
気密封止工程を説明する図である。１１はムライトセラ
ミック製のリードベース、１２はコバール製あるいはア
ルミニウームナイトライド製のキャップ、１３は１ｃｍ
角のシリコン大規模集積回路チップである。チップ１３
は鉛−スズ（鉛：９５ｗｔ、％）半田バンプ１４を介し
て予めベース１１に接続され、ベースのリード端子（図
示せず）から駆動電流の印加並びに電気信号の授受が行
なうことができる。
第１図（ａ）に示す工程では、キャップ１２の封止用下
地メタライズ面１５（表面層：金）とベース１１の封止
用下地メタライズ面１６（表面層二金）を鉛−スズ（鉛
： ３８ｗｔ、％）半田層１７を介して接合した。半田
層１７は、予めメタライズ面１５．１６の一方あるいは
両方に迎え半田する方法、あるいは封止面の形状を有す
る半田プリフォームを設置する方法などを用いて形成し
た０本工程の完了時において、半田層１７内部のボイド
（気泡）の発生やメタライズ面１５．１６と半田層１７
の界面における微細なリークパスの発生に関して何ら対
策を講じていない、したがって、従来方法で問題となっ
た気密封止不良が発生し、特に封止面の幅が０．５１１
！１以下に狭小化するにつれてその発生頻度が増大する
ことが容易に確認できた。
地メタライズ面１５（表面層：金）とベース１１の封止
用下地メタライズ面１６（表面層二金）を鉛−スズ（鉛
： ３８ｗｔ、％）半田層１７を介して接合した。半田
層１７は、予めメタライズ面１５．１６の一方あるいは
両方に迎え半田する方法、あるいは封止面の形状を有す
る半田プリフォームを設置する方法などを用いて形成し
た０本工程の完了時において、半田層１７内部のボイド
（気泡）の発生やメタライズ面１５．１６と半田層１７
の界面における微細なリークパスの発生に関して何ら対
策を講じていない、したがって、従来方法で問題となっ
た気密封止不良が発生し、特に封止面の幅が０．５１１
！１以下に狭小化するにつれてその発生頻度が増大する
ことが容易に確認できた。
第１図（ｂ）に示す工程では、上記第１図（ａ）の工程
を経たパッケージ１８（２個図示した）を容器１９の中
に設置して不活性ガスで充満させたのち、容器１９を密
閉した。この後、ヒータ２０によりパッケージ１８を加
熱して、半田層１７を再び溶融状態にならしめた。かか
る状態において。
を経たパッケージ１８（２個図示した）を容器１９の中
に設置して不活性ガスで充満させたのち、容器１９を密
閉した。この後、ヒータ２０によりパッケージ１８を加
熱して、半田層１７を再び溶融状態にならしめた。かか
る状態において。
容器１８内の不活性ガスの圧力を僅かに高めたのち再び
元に戻すという操作を繰り返した。この操作は、容器１
９の側壁に取り付けたベローズ２１の圧縮を矢印の方向
に律動的に繰り返し行なうことにより容易に実現できた
。同様の操作は、コンプレッサーを用いても行なえた。
元に戻すという操作を繰り返した。この操作は、容器１
９の側壁に取り付けたベローズ２１の圧縮を矢印の方向
に律動的に繰り返し行なうことにより容易に実現できた
。同様の操作は、コンプレッサーを用いても行なえた。
本工程において、不活性ガス圧力の変動に応じて溶融状
態の半田層１７がパッケージ１８の内部に僅かに移動し
ては元に戻るという律動的な運動を繰り返した。このと
き半田Ｍ１７の移動範囲はベローズ２１の圧縮量を加減
することにより容易に制御できたにの様子を第２図（ａ
）〜（ｃ）により説明する。すなわち、第２図（ａ）の
ステップは半田層１７が溶融している状態、第２図（ｂ
）のステップは不活性ガス圧力が必要分だけ高められて
半田［１７が移動した状態を示す。第２図ＣＱ）のステ
ップでは再び圧力を元に戻しくすなわちベローズ２１の
圧縮を止め）、半田層１７を初めの位置に戻した。これ
ら一連のステップを所定の速度で必要な回数繰り返す過
程で半田層表面に生じている自然酸化膜（図示せず）を
破り、これによりメタライズ面１５．１６と半田層１７
の界面に存していた微細なリークパス（図示せず）を塞
ぎ、しかも半田層１７に内包していたボイド２２（第２
図（ａ）に図示）を放出させる効果を得た６ 第１図（ｃ）に示す工程では、加熱を停止して半田層１
７を固化させたのち、容器１９からパッケージ１８を取
り出し１本発明によるパッケージ気密封止工程を完了し
た。
態の半田層１７がパッケージ１８の内部に僅かに移動し
ては元に戻るという律動的な運動を繰り返した。このと
き半田Ｍ１７の移動範囲はベローズ２１の圧縮量を加減
することにより容易に制御できたにの様子を第２図（ａ
）〜（ｃ）により説明する。すなわち、第２図（ａ）の
ステップは半田層１７が溶融している状態、第２図（ｂ
）のステップは不活性ガス圧力が必要分だけ高められて
半田［１７が移動した状態を示す。第２図ＣＱ）のステ
ップでは再び圧力を元に戻しくすなわちベローズ２１の
圧縮を止め）、半田層１７を初めの位置に戻した。これ
ら一連のステップを所定の速度で必要な回数繰り返す過
程で半田層表面に生じている自然酸化膜（図示せず）を
破り、これによりメタライズ面１５．１６と半田層１７
の界面に存していた微細なリークパス（図示せず）を塞
ぎ、しかも半田層１７に内包していたボイド２２（第２
図（ａ）に図示）を放出させる効果を得た６ 第１図（ｃ）に示す工程では、加熱を停止して半田層１
７を固化させたのち、容器１９からパッケージ１８を取
り出し１本発明によるパッケージ気密封止工程を完了し
た。
以上述べた本実施例によれば、封止面が狭小な小型パッ
ケージでも微細なリークバスやボイドをなくすことがで
きるので、信頼性に優れる気密封止を容易に行なえると
いう効果がある。さらに、多数のパッケージを一括して
気密封止処理が行なえるので生産性を著しく高める効果
がある。なお、本実施例において、リードペースはアル
ミナセラミック、ムライトセラミック、ガラスセラミッ
クなどが、キャップはこれらのセラミックや金属材など
が、封止材は鉛−スズ系以外に金−スズ系や金−シリコ
ン系の低融点半田あるいは銀ロウなどの比較的融点の高
い接合材を用いることも可能である。すなわち１本実施
例に示したパッケージ気密封止方法はパッケージの構成
材料に拘らずその効果を発揮できる。さらに、本実施例
において、容器１９に密閉される不活性ガス圧力は通常
１気圧に設定したが、必要に応じて変更することができ
る。不活性ガスはパッケージ１８に封入するガスと同様
の乾燥窒素ガスを用いたが、その種類を特定する必要は
ない。
ケージでも微細なリークバスやボイドをなくすことがで
きるので、信頼性に優れる気密封止を容易に行なえると
いう効果がある。さらに、多数のパッケージを一括して
気密封止処理が行なえるので生産性を著しく高める効果
がある。なお、本実施例において、リードペースはアル
ミナセラミック、ムライトセラミック、ガラスセラミッ
クなどが、キャップはこれらのセラミックや金属材など
が、封止材は鉛−スズ系以外に金−スズ系や金−シリコ
ン系の低融点半田あるいは銀ロウなどの比較的融点の高
い接合材を用いることも可能である。すなわち１本実施
例に示したパッケージ気密封止方法はパッケージの構成
材料に拘らずその効果を発揮できる。さらに、本実施例
において、容器１９に密閉される不活性ガス圧力は通常
１気圧に設定したが、必要に応じて変更することができ
る。不活性ガスはパッケージ１８に封入するガスと同様
の乾燥窒素ガスを用いたが、その種類を特定する必要は
ない。
本発明によれば、信頼性及び生産性を十分保持した上で
狭小な封止面を有するパッケージの気密封止を容易に行
なうことができるので、パッケージに封入された大規模
集積回路間の距離を短縮した実装構造の実現が初めて可
能となり、超高速計算機などの応用において信号処理速
度を大幅に高めるなど性能向上に大きな効果を有する。
狭小な封止面を有するパッケージの気密封止を容易に行
なうことができるので、パッケージに封入された大規模
集積回路間の距離を短縮した実装構造の実現が初めて可
能となり、超高速計算機などの応用において信号処理速
度を大幅に高めるなど性能向上に大きな効果を有する。
第１図は本発明の一実施例の工程を説明する説明図、第
２図は本発明の詳細な説明する説明図である。 １１・・・リードベース、１２・・・キャップ、１３・
・・シリコンチップ、１５．１６・・・メタライズ層、
１７・・・半田層、１８・・・パッケージ、１９・・・
容器、２０・・・ヒータ、２１・・・ベローズ、２２・
・・ボイド。 環１図 （す
２図は本発明の詳細な説明する説明図である。 １１・・・リードベース、１２・・・キャップ、１３・
・・シリコンチップ、１５．１６・・・メタライズ層、
１７・・・半田層、１８・・・パッケージ、１９・・・
容器、２０・・・ヒータ、２１・・・ベローズ、２２・
・・ボイド。 環１図 （す
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、接合材で接合される構造体の接合方法において、該
接合材を溶融状態として取り巻く雰囲気の圧力を変化さ
せて該接合材に振動エネルギーを与えた後固化すること
を特徴とする構造体の接合方法。 ２、基板と蓋部が封止材を介して固定されるパッケージ
の製造方法において、該封止材を溶融状態としてパッケ
ージの外部雰囲気の圧力を変化させて封止材に振動を与
える工程を含むことを特徴とするパッケージの製造方法
。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63103916A JP2633903B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | パッケージの製造方法 |
| US07/343,781 US4974769A (en) | 1988-04-28 | 1989-04-27 | Method of joining composite structures |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63103916A JP2633903B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | パッケージの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01278959A true JPH01278959A (ja) | 1989-11-09 |
| JP2633903B2 JP2633903B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=14366752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63103916A Expired - Lifetime JP2633903B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | パッケージの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4974769A (ja) |
| JP (1) | JP2633903B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5877079A (en) * | 1996-12-02 | 1999-03-02 | Fujitsu Limited | Method for manufacturing a semiconductor device and a method for mounting a semiconductor device for eliminating a void |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2933403B2 (ja) * | 1991-03-15 | 1999-08-16 | 株式会社日立製作所 | 半導体パッケージ気密封止方法及び半導体パッケージ気密封止装置 |
| JP3194553B2 (ja) * | 1993-08-13 | 2001-07-30 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5388755A (en) * | 1994-01-28 | 1995-02-14 | Polaroid Corp. | Apparatus and method of bonding isolation grooves of a ridge wave-guide laser diode |
| JP2002119003A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | 回転電機の固定子とその製造方法 |
| JP3938742B2 (ja) * | 2002-11-18 | 2007-06-27 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 電子部品装置及びその製造方法 |
| JP2007180447A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Toyota Industries Corp | 半田付け方法、半田付け装置、及び半導体装置の製造方法 |
| DE102007005345B4 (de) | 2007-02-02 | 2014-06-18 | Seho Systemtechnik Gmbh | Verfahren zum Reflow-Löten sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| JP5129848B2 (ja) * | 2010-10-18 | 2013-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置及び接合方法 |
| CN105643037A (zh) * | 2016-03-22 | 2016-06-08 | 东莞洲亮通讯科技有限公司 | 用于无源器件的焊接工艺 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62217638A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3884007A (en) * | 1974-06-20 | 1975-05-20 | Rca Corp | Hermetic seal and method |
| JPS5115973A (ja) * | 1974-07-31 | 1976-02-07 | Hitachi Ltd | |
| CA1081411A (en) * | 1975-12-24 | 1980-07-15 | Philipp W.H. Schuessler | Method for hermetically sealing an electronic circuit package |
| JPS6129155A (ja) * | 1984-07-19 | 1986-02-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS61276237A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-06 | Hitachi Ltd | 半導体パツケ−ジの気密封止方法およびその装置 |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP63103916A patent/JP2633903B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-04-27 US US07/343,781 patent/US4974769A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62217638A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5877079A (en) * | 1996-12-02 | 1999-03-02 | Fujitsu Limited | Method for manufacturing a semiconductor device and a method for mounting a semiconductor device for eliminating a void |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4974769A (en) | 1990-12-04 |
| JP2633903B2 (ja) | 1997-07-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5303457A (en) | Method for packaging microelectronic frequency selection components | |
| JP4938779B2 (ja) | 微小電子機械機構装置およびその製造方法 | |
| US7239023B2 (en) | Package assembly for electronic device | |
| US7119426B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of same | |
| JPH01278959A (ja) | パッケージの製造方法 | |
| JP3514349B2 (ja) | マイクロパッケージ構造 | |
| JPH05226487A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08213425A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| CN114166198B (zh) | 电子器件 | |
| JPH0391254A (ja) | 接合装置 | |
| JP2001110845A (ja) | フリップチップの実装構造 | |
| EP0100817A2 (en) | A hermetically sealed casing of an electrical device and process of manufacturing | |
| JPH03187247A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
| JPH03108361A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH10247706A (ja) | ボールグリッドアレイパッケージ | |
| JP2936819B2 (ja) | Ｉｃチップの実装構造 | |
| JPH0228351A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2003133452A (ja) | 電子装置の製造方法 | |
| JPH1012757A (ja) | マイクロパッケージ | |
| JPH08241900A (ja) | フリップチップ実装体の樹脂封止方法 | |
| CN114166196B (zh) | 电子器件的制造方法 | |
| JPH118334A (ja) | ボールグリッドアレイパッケージの中間体及び製造方法 | |
| JPS59129445A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08213864A (ja) | 素子チップの実装方法 | |
| JPS6329555A (ja) | 封止電子装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080425 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090425 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090425 Year of fee payment: 12 |