JPH01274426A - 半導体装置製造のポジレジスト除去方法 - Google Patents
半導体装置製造のポジレジスト除去方法Info
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- JPH01274426A JPH01274426A JP10469088A JP10469088A JPH01274426A JP H01274426 A JPH01274426 A JP H01274426A JP 10469088 A JP10469088 A JP 10469088A JP 10469088 A JP10469088 A JP 10469088A JP H01274426 A JPH01274426 A JP H01274426A
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- Japan
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- positive resist
- ion implantation
- semiconductor device
- semiconductor substrate
- device manufacturing
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 13
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野ｊ
この発明は、半導体装置製造のポジレジスト除去方法に
関するものである。
関するものである。
〔従来の技術］
第２図仏）〜（ｆ′）は、従来の半導体装置を製造する
工程を示す部分拡大断面図である。図において、（Ｌ）
は半導体基板、（２）はポジレジス）、（３）はポジレ
ジストの残！？ 、 （４）は異物、（５）はＣＶＤ酸
化膜を示すＯ 次にプロセスについて説明する。半導体基板（１）（第
２図（ａ））上に所定の能動領域を形成すべく、ポジレ
ジスト（２）をバターニングする（第２図（ｂ））。
工程を示す部分拡大断面図である。図において、（Ｌ）
は半導体基板、（２）はポジレジス）、（３）はポジレ
ジストの残！？ 、 （４）は異物、（５）はＣＶＤ酸
化膜を示すＯ 次にプロセスについて説明する。半導体基板（１）（第
２図（ａ））上に所定の能動領域を形成すべく、ポジレ
ジスト（２）をバターニングする（第２図（ｂ））。
ポジレジスト（２）は、イオン注入の絶縁用として用い
られる（第２図（Ｃ））。イオン注入後、ポジレジスト
（２）を、硫酸並びに硝酸で除去するか、又は０２アツ
Ｖヤーによシ取シ除く。その時半導体基板（１）上にポ
ジレジストの残シ（３）が発生する（第２図（ｄ））。
られる（第２図（Ｃ））。イオン注入後、ポジレジスト
（２）を、硫酸並びに硝酸で除去するか、又は０２アツ
Ｖヤーによシ取シ除く。その時半導体基板（１）上にポ
ジレジストの残シ（３）が発生する（第２図（ｄ））。
その後、ＣＶＤ法によ、りＣＶＤ酸化膜（５）をデポジ
ットするが、その際、ＣＶＤ酸化膜（５）の表面には、
異物（４）が発生する（第２図（ｅ））。
ットするが、その際、ＣＶＤ酸化膜（５）の表面には、
異物（４）が発生する（第２図（ｅ））。
〔発明が解決しようとする課題Ｊ
従来のイオン注入後のポジレジストは以上のように除去
されているので、完全に除去しきれずに、スカム状のポ
ジレジストの残シが発生し、ＣＶＤ酸化膜のデポジット
時、上記ポジレジスト除去シが原因となって、酸化膜の
表面に異物が発生するという問題があシ、その対策を講
することが課題であつ九。
されているので、完全に除去しきれずに、スカム状のポ
ジレジストの残シが発生し、ＣＶＤ酸化膜のデポジット
時、上記ポジレジスト除去シが原因となって、酸化膜の
表面に異物が発生するという問題があシ、その対策を講
することが課題であつ九。
この発明は上記のような課題を解決するためになされた
もので、イオン注入後のポジレジストを完全に除去でき
ることを目的とする。
もので、イオン注入後のポジレジストを完全に除去でき
ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段」
この発明に係るイオン注入後のポジレジストの除去は、
硫酸並びに硝酸で除去するか、又はｏ２アツＶヤーによ
シ取シ除いた後、ＤＥＥＰ ＵＶ全面照射を実施した
ものである。
硫酸並びに硝酸で除去するか、又はｏ２アツＶヤーによ
シ取シ除いた後、ＤＥＥＰ ＵＶ全面照射を実施した
ものである。
［作用Ｊ
この発明におけるＤＥＥＰ ＵＶ全面照射は、ポジレ
ジストの残りを灰化し取シ除く。
ジストの残りを灰化し取シ除く。
〔実施例」
以下、この発明を図によシ説明する。第１図はこの発明
の一実施例による半導体装置を製造する工程を示す部分
拡大断面図でアシ、詳しくはＤＥＨＰ ＵＶ照射後Ｃ
ＶＤ酸化膜をデポジットする工程を示すものである。図
において、（１）は半導体基板、（２）はポジレジスト
、（３）はポジレジストの残渣、（５）はＣＶＤ酸化膜
である。
の一実施例による半導体装置を製造する工程を示す部分
拡大断面図でアシ、詳しくはＤＥＨＰ ＵＶ照射後Ｃ
ＶＤ酸化膜をデポジットする工程を示すものである。図
において、（１）は半導体基板、（２）はポジレジスト
、（３）はポジレジストの残渣、（５）はＣＶＤ酸化膜
である。
次にグロセスについて説明する。半導体基板（１）（第
１図（ａ））上に所定の能動領域を形成すべく、ポジレ
ジスト（２）をバターニングする（第１図（ｂ））。
１図（ａ））上に所定の能動領域を形成すべく、ポジレ
ジスト（２）をバターニングする（第１図（ｂ））。
ポジレジスト（２）は、イオン注入の絶縁用として用い
られる（第１図（Ｃ）〕。イオン注入後、ポジレジスト
（２）を、硫酸並びに硝酸で除去するか、又は０２アッ
シャ−によシ取シ除く。その時、半導体基板（１）上に
、ポジレジストの残シ（３）が発生する。そこで、ＤＥ
ＥＰ ＵＶ全面照射を実施しく第１図（ｄ））、ポジ
レジストの残シ（３）を灰化し除去する（第１図（ｅ）
）。その後、ＣＶＤ法によシＣＶＤ酸化膜（５）ヲグボ
ジットする（第１図（ｆ））。
られる（第１図（Ｃ）〕。イオン注入後、ポジレジスト
（２）を、硫酸並びに硝酸で除去するか、又は０２アッ
シャ−によシ取シ除く。その時、半導体基板（１）上に
、ポジレジストの残シ（３）が発生する。そこで、ＤＥ
ＥＰ ＵＶ全面照射を実施しく第１図（ｄ））、ポジ
レジストの残シ（３）を灰化し除去する（第１図（ｅ）
）。その後、ＣＶＤ法によシＣＶＤ酸化膜（５）ヲグボ
ジットする（第１図（ｆ））。
なお、上記実施例では、ポジレジストの残渣を、ＤＥＥ
Ｐ ＵＶ全面照射することによｌＤ除いたが超音波洗
浄等を用いても、同様の効果を奏する。またイオン注入
後のポジレジストについて説明したが、Ｒ工Ｅエツをフ
グ後及びデフズマエツｔング後のポジレジストでも同様
の効果を奏する０ 〔発明の効果」 以上のように、この発明によれば、イオン注入後のポジ
レジスト除去に伴ン、ポジレジスト残りをＤＥＥＰ
ＵＶ全面照射によシ灰化し、取シ除い九のでその後のＣ
ＶＤ酸化膜デポジット時に、表面に異物が発生しないと
いう効果がある。
Ｐ ＵＶ全面照射することによｌＤ除いたが超音波洗
浄等を用いても、同様の効果を奏する。またイオン注入
後のポジレジストについて説明したが、Ｒ工Ｅエツをフ
グ後及びデフズマエツｔング後のポジレジストでも同様
の効果を奏する０ 〔発明の効果」 以上のように、この発明によれば、イオン注入後のポジ
レジスト除去に伴ン、ポジレジスト残りをＤＥＥＰ
ＵＶ全面照射によシ灰化し、取シ除い九のでその後のＣ
ＶＤ酸化膜デポジット時に、表面に異物が発生しないと
いう効果がある。
第１図は、この発明の一実施例による半導体装置を製造
する工程を示す部分拡大断面図、第２図は、従来の半導
体装置を製造する工程を示す部分拡大断面図である。 図中、（１）は半導体基板、（２）はポジレジス） 、
（３）はポジレジストの残！０ 、 （４）は異物、（
５）はＣＶＤ酸化膜を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 第２図 □ １舅１を両
する工程を示す部分拡大断面図、第２図は、従来の半導
体装置を製造する工程を示す部分拡大断面図である。 図中、（１）は半導体基板、（２）はポジレジス） 、
（３）はポジレジストの残！０ 、 （４）は異物、（
５）はＣＶＤ酸化膜を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 第２図 □ １舅１を両
Claims (1)
- 半導体装置製造のポジレジスト除去において、イオン
注入後のポジレジストを硫酸並びに硝酸で除去するか、
又はＯ＿２アッシヤー等で除去する工程の後、ＤＥＥＰ
ＵＶ全面照射にて、ポジレジストを完全に除去すること
を特徴とする半導体装置のポジレジスト除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10469088A JPH01274426A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 半導体装置製造のポジレジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10469088A JPH01274426A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 半導体装置製造のポジレジスト除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01274426A true JPH01274426A (ja) | 1989-11-02 |
Family
ID=14387468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10469088A Pending JPH01274426A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 半導体装置製造のポジレジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01274426A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100544970B1 (ko) * | 1999-02-19 | 2006-01-24 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | 포토레지스트 애시 잔류물의 제거 방법 |
| JP2012518716A (ja) * | 2009-02-25 | 2012-08-16 | アバントール パフォーマンス マテリアルズ， インコーポレイテッド | 半導体デバイスウェハーからイオン注入フォトレジストを洗浄するためのストリッピング組成物 |
| CN103969966A (zh) * | 2014-05-15 | 2014-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光刻胶的去除方法 |
-
1988
- 1988-04-26 JP JP10469088A patent/JPH01274426A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100544970B1 (ko) * | 1999-02-19 | 2006-01-24 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | 포토레지스트 애시 잔류물의 제거 방법 |
| JP2012518716A (ja) * | 2009-02-25 | 2012-08-16 | アバントール パフォーマンス マテリアルズ， インコーポレイテッド | 半導体デバイスウェハーからイオン注入フォトレジストを洗浄するためのストリッピング組成物 |
| CN103969966A (zh) * | 2014-05-15 | 2014-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光刻胶的去除方法 |
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