JPH02103552A - 半導体基板のレジスト除去方法 - Google Patents
半導体基板のレジスト除去方法Info
- Publication number
- JPH02103552A JPH02103552A JP25771088A JP25771088A JPH02103552A JP H02103552 A JPH02103552 A JP H02103552A JP 25771088 A JP25771088 A JP 25771088A JP 25771088 A JP25771088 A JP 25771088A JP H02103552 A JPH02103552 A JP H02103552A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- resist
- photoresist
- light energy
- nitric acid
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- Pending
Links
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体基板のレジスト除去方法に関するもの
である。
である。
第２図（ａ） 、 （ｂ）は半導体基板上のレジストを
除去する従来の半導体基板のレジスト除去方法の各工程
を示す半導体基板の断面図である０ 図において、（１）は半導体基板、（２）はホトレジス
ト、（３）は残留レジストである０ 次に洗浄工程について説明する。
除去する従来の半導体基板のレジスト除去方法の各工程
を示す半導体基板の断面図である０ 図において、（１）は半導体基板、（２）はホトレジス
ト、（３）は残留レジストである０ 次に洗浄工程について説明する。
まず、第２図（ａ）に示すように半導体基板（１）上に
ホトレジスト（２）全塗布し、次いで、第２図（ｂ）の
ように硫硝酸等によりホトレジスト（２）を除去を行な
って完了していた。（３）は残留レジストを示す。
ホトレジスト（２）全塗布し、次いで、第２図（ｂ）の
ように硫硝酸等によりホトレジスト（２）を除去を行な
って完了していた。（３）は残留レジストを示す。
従来の半導体基板のレジスト除去方法は以上のように行
われていたので、残留レジストが完全に除去しきれない
という問題点があった。
われていたので、残留レジストが完全に除去しきれない
という問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、残留レジストを完全に除去する半導体基板の
レジスト除去方法を得ることを目的とする。
たもので、残留レジストを完全に除去する半導体基板の
レジスト除去方法を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体基板のレジスト除去方法は硫硝酸
によるレジスト除去工程後、ＵＶ党エネルギーを照射す
ることによシ半導体基板上の残留レジストを除去したも
のである。
によるレジスト除去工程後、ＵＶ党エネルギーを照射す
ることによシ半導体基板上の残留レジストを除去したも
のである。
この発明におけるＵＶ光エネルギー照射は残貿レジスト
は分解して完全に除去して半導体基板表面は清浄化され
る。
は分解して完全に除去して半導体基板表面は清浄化され
る。
以下、この発明の一実施例を図について説明する０
第１図（ａ）〜（ｃ）はこの発明のレジスト除去方法の
一実施例を示す各製造工程を説明する半導体基板の断面
図である。図において、（４）？ｉＵＶ光エネルギーで
ある。
一実施例を示す各製造工程を説明する半導体基板の断面
図である。図において、（４）？ｉＵＶ光エネルギーで
ある。
なお、図中符号（１）〜（３）は前記従来のものと同一
につき説明は省略する。
につき説明は省略する。
次に洗浄工程について説明する。
第１図（ａ）に示すように半導体基板（１）上にホトレ
ジスト（２）を塗布し、次に硫硝酸等によりホトレジス
ト（２）を除去する（第１図（ｂ））。この後、ＵＶ光
エネルギー（４）を照射し残留レジストを分解し完全に
ホトレジス） （２１，残留レジスト（３）を除去し洗
浄を完了する（第１図（Ｃ））。
ジスト（２）を塗布し、次に硫硝酸等によりホトレジス
ト（２）を除去する（第１図（ｂ））。この後、ＵＶ光
エネルギー（４）を照射し残留レジストを分解し完全に
ホトレジス） （２１，残留レジスト（３）を除去し洗
浄を完了する（第１図（Ｃ））。
なお、上記実施例ではＵＶ光エネルギーを照射した場合
について説明したが、Ｄｅｅｐ ［ＪＶ党エネルギー照
射であっても同様の効果を得ることが出来る０ 〔発明の効果〕 以上のようにこの走間によれば、硫硝酸等によりホトレ
ジストを除去した後、ＵＶ光エネルギーを照射するよう
にしたので、残留レジストを完全に除去でき清浄な半導
体基板が得られる効果がある。
について説明したが、Ｄｅｅｐ ［ＪＶ党エネルギー照
射であっても同様の効果を得ることが出来る０ 〔発明の効果〕 以上のようにこの走間によれば、硫硝酸等によりホトレ
ジストを除去した後、ＵＶ光エネルギーを照射するよう
にしたので、残留レジストを完全に除去でき清浄な半導
体基板が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体基板のレジス
ト除去工程を示す各断面図、第２図は従来の半導体基板
のレジスト除去工程を示す断面図である。 図において、（１）は半導体基板、（２）はホトレジス
ト、（３）は残留レジスト、（４）はＵＶ光エネルギー
を示す。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
ト除去工程を示す各断面図、第２図は従来の半導体基板
のレジスト除去工程を示す断面図である。 図において、（１）は半導体基板、（２）はホトレジス
ト、（３）は残留レジスト、（４）はＵＶ光エネルギー
を示す。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体基板を洗浄する半導体基板のレジスト除去方法に
おいて、硫硝酸によるレジストの除去工程後ＵＶ光エネ
ルギーを照射することにより、半導体基板上の残留レジ
ストを分解しレジストを完全に除去することを特徴とす
る半導体基板のレジスト除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25771088A JPH02103552A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 半導体基板のレジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25771088A JPH02103552A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 半導体基板のレジスト除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02103552A true JPH02103552A (ja) | 1990-04-16 |
Family
ID=17310035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25771088A Pending JPH02103552A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 半導体基板のレジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02103552A (ja) |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP25771088A patent/JPH02103552A/ja active Pending
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