JPH01272465A - サーマルヘッド及びその製造方法 - Google Patents
サーマルヘッド及びその製造方法Info
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- JPH01272465A JPH01272465A JP10147088A JP10147088A JPH01272465A JP H01272465 A JPH01272465 A JP H01272465A JP 10147088 A JP10147088 A JP 10147088A JP 10147088 A JP10147088 A JP 10147088A JP H01272465 A JPH01272465 A JP H01272465A
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は感熱記録方式のファクシミリやプリンタ等の記
録部に用いられるサーマルヘッドに係り、特にその発熱
抵抗体の下層となるアンダーグレーズ(ガラス蓄熱体)
に関する。
録部に用いられるサーマルヘッドに係り、特にその発熱
抵抗体の下層となるアンダーグレーズ(ガラス蓄熱体)
に関する。
(b℃来の技術)
従来のサーマルヘッドは、例えば第4図の断面説明図に
示す薄膜型のサーマルヘッドの場合、アルミナ基板51
上にアンダーグレーズ層52を形成し、このアンダーグ
レーズ層52上に酸化物薄膜抵抗体層を着膜し、この抵
抗体層をフォトリソエツチングして第4図の表裏方向に
複数の矩形状のドツト分離型抵抗体53を形成する。そ
して、各抵抗体53の−l1lI端部を覆うように第1
電極54を形成し、各抵抗体53の他側端部を覆うよう
に第2電極55を形成している。第1電極54は共通電
極となる外部電源(図示せず)に接続されるとともに、
第2を極55はICチップ56にボンディングワイヤ5
7を介して接続している。ICチップ56はボンディン
グワイヤ58を介してICチップ駆動用配線59に接続
されている。各抵抗体53.第1電極54及び第2電極
55上には、これらを保護するオーバーグレーズ層6o
が形成されている。
示す薄膜型のサーマルヘッドの場合、アルミナ基板51
上にアンダーグレーズ層52を形成し、このアンダーグ
レーズ層52上に酸化物薄膜抵抗体層を着膜し、この抵
抗体層をフォトリソエツチングして第4図の表裏方向に
複数の矩形状のドツト分離型抵抗体53を形成する。そ
して、各抵抗体53の−l1lI端部を覆うように第1
電極54を形成し、各抵抗体53の他側端部を覆うよう
に第2電極55を形成している。第1電極54は共通電
極となる外部電源(図示せず)に接続されるとともに、
第2を極55はICチップ56にボンディングワイヤ5
7を介して接続している。ICチップ56はボンディン
グワイヤ58を介してICチップ駆動用配線59に接続
されている。各抵抗体53.第1電極54及び第2電極
55上には、これらを保護するオーバーグレーズ層6o
が形成されている。
上述のサーマルヘッドの構成を模式図で表すと第5図の
ようになり、駆動用配線5つからの信号によりICチッ
プ56の所定の端子に信号が出力され、この端子に接続
される第2電極55と、共通電極に接続された第1電[
54との間に電流が流れ、所望の抵抗体53を発熱させ
、この抵抗体53上のオーバーグレーズN60に接触す
る感熱記録紙(図示せず)の所望の部分を発色させるよ
うに構成している。
ようになり、駆動用配線5つからの信号によりICチッ
プ56の所定の端子に信号が出力され、この端子に接続
される第2電極55と、共通電極に接続された第1電[
54との間に電流が流れ、所望の抵抗体53を発熱させ
、この抵抗体53上のオーバーグレーズN60に接触す
る感熱記録紙(図示せず)の所望の部分を発色させるよ
うに構成している。
(発明が解決しようとする課題)
従来のサーマルヘッドのアンダーグレーズ層52として
は、熱伝導率が0.0025〜0.0036cal/’
C−cmの結晶化ガラスまたは非晶質ガラスを使用して
いた。
は、熱伝導率が0.0025〜0.0036cal/’
C−cmの結晶化ガラスまたは非晶質ガラスを使用して
いた。
アンダーグレーズ層52は抵抗体53の発熱がアルミナ
基板51に逃げるのを防止するために形成されるので、
抵抗体53の消費エネルギーを減少させるためにはアン
ダーグレーズ層52の膜厚を60〜80μmとする必要
があった。
基板51に逃げるのを防止するために形成されるので、
抵抗体53の消費エネルギーを減少させるためにはアン
ダーグレーズ層52の膜厚を60〜80μmとする必要
があった。
しかしながら、アンダーグレーズ層52の膜厚を厚くす
ると、蓄熱する熱容量が大きくなるので、抵抗体53に
接触する感熱記録紙を発色から非発色に変化させる場合
、残存する熱によっていわゆる「尾びき」が生じるため
、高速印字に適さないという問題点があった。
ると、蓄熱する熱容量が大きくなるので、抵抗体53に
接触する感熱記録紙を発色から非発色に変化させる場合
、残存する熱によっていわゆる「尾びき」が生じるため
、高速印字に適さないという問題点があった。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、アンダーグ
レーズ層の熱伝導性を低下させたサーマルヘッド及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
レーズ層の熱伝導性を低下させたサーマルヘッド及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
上記従来例の問題点を解消するため請求項1のサーマル
ヘッドは、基板の上にアンダーグレーズ層を設け、この
アンダーグレーズ層上に抵抗体を設けたサーマルヘッド
において、前記アンダーグレーズ層を多孔質とし、この
アンダーグレーズ層の表面をSiO2層で被覆したこと
を特徴とじている。
ヘッドは、基板の上にアンダーグレーズ層を設け、この
アンダーグレーズ層上に抵抗体を設けたサーマルヘッド
において、前記アンダーグレーズ層を多孔質とし、この
アンダーグレーズ層の表面をSiO2層で被覆したこと
を特徴とじている。
また、請求項2のサーマルヘッドの製造方法は次の工程
から成る。
から成る。
第1の工程として、基板上にガラス粉体を塗布し、これ
を焼成して非晶質ガラス層を形成する。
を焼成して非晶質ガラス層を形成する。
第2の工程として、この非晶質ガラス層に熱処理を施し
分相ガラス層とする。
分相ガラス層とする。
第3の工程として、この分相ガラス層から一方の相を溶
出させて多孔質ガラス層とする。
出させて多孔質ガラス層とする。
第4の工程として、この多孔質ガラス層の表面に薄膜状
のSin6層を形成する。
のSin6層を形成する。
第5の工程として、このSin2層上に抵抗体を形成す
る。
る。
(作用)
請求項1の発明によれば、アンダーグレーズ層を多孔質
としたので、アンダーグレーズ層の熱伝導性を低下させ
ることができ、またアンダーグレーズ層の表面をS i
O,層で被覆したので、この上に電極パターンを微細
加工で形成することができる。
としたので、アンダーグレーズ層の熱伝導性を低下させ
ることができ、またアンダーグレーズ層の表面をS i
O,層で被覆したので、この上に電極パターンを微細
加工で形成することができる。
請求rn2の発明方法によれば、表面平坦性の良好な非
晶質ガラスの状態で細孔を形成するので、多孔質ガラス
層表面の平坦性が良好となる。
晶質ガラスの状態で細孔を形成するので、多孔質ガラス
層表面の平坦性が良好となる。
(実施例)
本発明の一実施例について図面を参照しながら説明する
。
。
第1図の断面説明図に示すように、アルミナ基板1上に
アンダーグレーズ層として30〜60μmの厚さの多孔
質ガラス層2を形成し、この多孔質ガラス層2上に薄膜
状のS i O,層3を形成する。SiO2層3上には
、従来例と同様に、酸化物薄膜抵抗体層を着膜し、この
抵抗体層をフォトリソエツチングして第1図の表裏方向
に複数の矩形状のドツト分離型抵抗体4を形成し、各抵
抗体4の一側端部を覆うように第1電極5を形成し、各
抵抗体4の他@端部を覆うように第2電極6を形成する
。第it極5は共通電極となる外部電源(図示せず)に
接続されるとともに、第2電極6はICチップ7にボン
ディングワイヤ8を介して接続している。ICチップ7
はボンディングワイヤ9を介して駆動用配線10に接続
されている。
アンダーグレーズ層として30〜60μmの厚さの多孔
質ガラス層2を形成し、この多孔質ガラス層2上に薄膜
状のS i O,層3を形成する。SiO2層3上には
、従来例と同様に、酸化物薄膜抵抗体層を着膜し、この
抵抗体層をフォトリソエツチングして第1図の表裏方向
に複数の矩形状のドツト分離型抵抗体4を形成し、各抵
抗体4の一側端部を覆うように第1電極5を形成し、各
抵抗体4の他@端部を覆うように第2電極6を形成する
。第it極5は共通電極となる外部電源(図示せず)に
接続されるとともに、第2電極6はICチップ7にボン
ディングワイヤ8を介して接続している。ICチップ7
はボンディングワイヤ9を介して駆動用配線10に接続
されている。
各抵抗体4.及び第1電極5及び第2電極6上には、こ
れらを保護するオーバーグレーズ層11が形成され、ま
たICチップ7及びボンディングワイヤ8.9は樹脂モ
ールド12で覆われている。
れらを保護するオーバーグレーズ層11が形成され、ま
たICチップ7及びボンディングワイヤ8.9は樹脂モ
ールド12で覆われている。
次に、上述のサーマルヘッドの製造工程について説明す
る。
る。
ホウケイガラス粉体よりなるペーストをアルミナ基板1
上に塗布し、1200〜1300℃で焼成することによ
り、アルミナ基板1上に均一な膜となる30〜60μm
の厚さの末分相ホウゲイ酸ガラス層100を形成する(
第2図〈a))。ポンケイガラスは、5in230〜8
0wt%、B20.8〜50 w t%、R702〜2
5wt%(RyOはアルカリ土類金属の酸化物の中の少
なくとも1つ以上の酸化物、yは金属の原子価により1
または2>、A12o、O〜25 w t%の範囲から
構成される。
上に塗布し、1200〜1300℃で焼成することによ
り、アルミナ基板1上に均一な膜となる30〜60μm
の厚さの末分相ホウゲイ酸ガラス層100を形成する(
第2図〈a))。ポンケイガラスは、5in230〜8
0wt%、B20.8〜50 w t%、R702〜2
5wt%(RyOはアルカリ土類金属の酸化物の中の少
なくとも1つ以上の酸化物、yは金属の原子価により1
または2>、A12o、O〜25 w t%の範囲から
構成される。
次に、この未分相ホウケイ酸ガラスN100に500〜
650℃の熱処理を施すことにより、ホウ酸とケイ酸に
分相させな分相ホウケイ酸ガラス層101を形成する。
650℃の熱処理を施すことにより、ホウ酸とケイ酸に
分相させな分相ホウケイ酸ガラス層101を形成する。
(第2図(b))、その後、加熱酸処Fl(〜90°C
)を施し、前記分相ホウケイ酸ガラス層101からホウ
酸に富む相を溶出させ、Sin、が90〜98%である
多孔質ガラス層2を形成する(第2図(c))、未分相
ホウケイ酸ガラスを分相させる熱処理を約30分行った
場合、多孔質ガラスの細孔径は0.01〜0.2μm程
度となる。この熱処理の時間を変化させることによって
、多孔質ガラスの細孔径の大きさを変化させることがで
きる。また、このように形成した多孔質ガラスの熱伝導
率は、0.0020ca l / ”C−c mであっ
た。
)を施し、前記分相ホウケイ酸ガラス層101からホウ
酸に富む相を溶出させ、Sin、が90〜98%である
多孔質ガラス層2を形成する(第2図(c))、未分相
ホウケイ酸ガラスを分相させる熱処理を約30分行った
場合、多孔質ガラスの細孔径は0.01〜0.2μm程
度となる。この熱処理の時間を変化させることによって
、多孔質ガラスの細孔径の大きさを変化させることがで
きる。また、このように形成した多孔質ガラスの熱伝導
率は、0.0020ca l / ”C−c mであっ
た。
多孔質ガラス層2上に、シリカ粒子系コート剤(例えば
8産化学(株)製、’NTL)またはシロキシサン系コ
ート剤(例えば東京応化(株)製。
8産化学(株)製、’NTL)またはシロキシサン系コ
ート剤(例えば東京応化(株)製。
5OG)等のS i Oを系コート剤をスピンコードし
、600〜800℃で熱処理することにより1〜2μm
のS i 02層3を形成する。この処理は、多孔質ガ
ラスM2の表面の細孔を埋めて平坦化するためである。
、600〜800℃で熱処理することにより1〜2μm
のS i 02層3を形成する。この処理は、多孔質ガ
ラスM2の表面の細孔を埋めて平坦化するためである。
また、S i O,層3は800〜900℃まで耐熱性
を有し、多孔質ガラス層2の表面を保護するのに適して
いる。
を有し、多孔質ガラス層2の表面を保護するのに適して
いる。
SiO2層3の上に通常の方法により電極、抵抗体、オ
ーバーグレーズを形成し、更にICチップを実装して第
1図に示すようなサーマルヘッドを構成する。S i
O,層3上は平坦に形成されているので、この上に形成
する電極パターンのIR細前加工性低下させない。
ーバーグレーズを形成し、更にICチップを実装して第
1図に示すようなサーマルヘッドを構成する。S i
O,層3上は平坦に形成されているので、この上に形成
する電極パターンのIR細前加工性低下させない。
上記方法であると、アルミナ基板上に表面平坦性の良い
非晶質ガラスである未分相ホウケイ酸ガラスを形成した
後、この状態で糸田孔を形成して多孔質ガラス層とした
ので、この多孔質ガラス層の表面平坦性も良好となる。
非晶質ガラスである未分相ホウケイ酸ガラスを形成した
後、この状態で糸田孔を形成して多孔質ガラス層とした
ので、この多孔質ガラス層の表面平坦性も良好となる。
従って、SiO2を薄く形成してらSiO2層表面を平
坦とすることができる。
坦とすることができる。
本実施例のようにアンダーグレーズを熱伝導率が0.0
020cal/’C・cmで厚さ60μmの多孔質ガラ
スで形成したサーマルヘッドと、アンダーグレーズを熱
伝導率が0.0025cal/℃・cmで厚さ60μm
の非晶質ガラス(従来品)で形成したサーマルヘッドと
を、5ms/1ineの印字速度で使用した場合の、消
費エネルギーと印字(ベタ黒)濃度との関係は、それぞ
れ第3図の実線(本実施例)1点線(従来品)のように
なった、サーマルヘッドは通常1.2の濃度で使用され
、このときの消費エネルギーを比較した場合、本実施例
は従来品より2割程度消費エネルギーを低減することが
できる。
020cal/’C・cmで厚さ60μmの多孔質ガラ
スで形成したサーマルヘッドと、アンダーグレーズを熱
伝導率が0.0025cal/℃・cmで厚さ60μm
の非晶質ガラス(従来品)で形成したサーマルヘッドと
を、5ms/1ineの印字速度で使用した場合の、消
費エネルギーと印字(ベタ黒)濃度との関係は、それぞ
れ第3図の実線(本実施例)1点線(従来品)のように
なった、サーマルヘッドは通常1.2の濃度で使用され
、このときの消費エネルギーを比較した場合、本実施例
は従来品より2割程度消費エネルギーを低減することが
できる。
また、消費エネルギーを従来と同じにした場合には、本
実施例では熱伝導率が0.0020ca1 / ’C−
c mの多孔質ガラスを使用するので、蓄熱層としての
アンダーグレーズの厚さを約25%薄くできるため、ア
ンダーグレーズ層の熱容量が低下し、2ms/1ine
以上の高速印字時において、「尾びき」等の発生を防止
することができる。
実施例では熱伝導率が0.0020ca1 / ’C−
c mの多孔質ガラスを使用するので、蓄熱層としての
アンダーグレーズの厚さを約25%薄くできるため、ア
ンダーグレーズ層の熱容量が低下し、2ms/1ine
以上の高速印字時において、「尾びき」等の発生を防止
することができる。
本実施例では、薄膜型のサーマルヘッドに実施した場合
について説明したが、厚膜型のサーマルヘッドに適用す
ることもできる。
について説明したが、厚膜型のサーマルヘッドに適用す
ることもできる。
(発明の効果)
請求項1の発明は、アンダーグレーズ層を多孔質とし、
このアンダーグレーズ層の表面を5tO1層で被覆した
ので、アンダーグレーズ層の熱伝導性を低下させること
ができるとともに、5iO7層上に電極パターンを微細
加工で形成することができる。
このアンダーグレーズ層の表面を5tO1層で被覆した
ので、アンダーグレーズ層の熱伝導性を低下させること
ができるとともに、5iO7層上に電極パターンを微細
加工で形成することができる。
また、請求項2の発明方法は、表面平坦性の良好な非晶
質ガラスの状態で細孔を形成するので、多孔質ガラス層
上に形成するS i O2層を薄くしても、その平坦性
を確保することができる。
質ガラスの状態で細孔を形成するので、多孔質ガラス層
上に形成するS i O2層を薄くしても、その平坦性
を確保することができる。
第1図は本発明実施例のサーマルヘッドを示す断面説明
図、第2図(a)乃至(d)は実施例のサーマルヘッド
の!!!遣工程説明図、第3図は実施例のサーマルヘッ
ドと従来品とにおいて消費エネルギーと印字(ベタ黒)
濃度とのrgJ係を示すグラフ、第4図は従来のサーマ
ルヘッドを示す断面説明図、第5図はサーマルヘッドの
基本構造を示す模式図である。 1・・・・・・アルミナ基板 2・・・・・・多孔質ガラス層 3・・・・・・S f 02 M 4・・・・・・抵抗体 100・・・・・・末分相ホウケイ酸ガラス層101・
・・・・・分相ホウケイ酸ガラス層第1図 第3図
図、第2図(a)乃至(d)は実施例のサーマルヘッド
の!!!遣工程説明図、第3図は実施例のサーマルヘッ
ドと従来品とにおいて消費エネルギーと印字(ベタ黒)
濃度とのrgJ係を示すグラフ、第4図は従来のサーマ
ルヘッドを示す断面説明図、第5図はサーマルヘッドの
基本構造を示す模式図である。 1・・・・・・アルミナ基板 2・・・・・・多孔質ガラス層 3・・・・・・S f 02 M 4・・・・・・抵抗体 100・・・・・・末分相ホウケイ酸ガラス層101・
・・・・・分相ホウケイ酸ガラス層第1図 第3図
Claims (2)
- (1)基板の上にアンダーグレーズ層を設け、このアン
ダーグレーズ層上に抵抗体を設けたサーマルヘッドにお
いて、 前記アンダーグレーズ層を多孔質ガラスとし、このアン
ダーグレーズ層の表面をSiO_2層で被覆したことを
特徴とするサーマルヘッド。 - (2)基板上にガラス粉体を塗布し、これを焼成して非
晶質ガラス層を形成する第1の工程と、該非晶質ガラス
層に熱処理を施し分相ガラス層とする第2の工程と、該
分相ガラス層から一方の相を溶出させて多孔質ガラス層
とする第3の工程と、該多孔質ガラス層の表面に薄膜状
のSiO_2層を形成する第4の工程と、該SiO_2
層上に抵抗体を形成する第5の工程とを具備するサーマ
ルヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10147088A JPH01272465A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | サーマルヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10147088A JPH01272465A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | サーマルヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01272465A true JPH01272465A (ja) | 1989-10-31 |
Family
ID=14301613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10147088A Pending JPH01272465A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | サーマルヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01272465A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0469144U (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-18 | ||
JP2012206269A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Seiko Epson Corp | サーマルヘッドおよびサーマルプリンター |
JP2012206268A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Seiko Epson Corp | サーマルヘッドおよびサーマルプリンター |
-
1988
- 1988-04-26 JP JP10147088A patent/JPH01272465A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0469144U (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-18 | ||
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