JPS643669B2 - - Google Patents
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- JPS643669B2 JPS643669B2 JP58222834A JP22283483A JPS643669B2 JP S643669 B2 JPS643669 B2 JP S643669B2 JP 58222834 A JP58222834 A JP 58222834A JP 22283483 A JP22283483 A JP 22283483A JP S643669 B2 JPS643669 B2 JP S643669B2
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- JP
- Japan
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- protective film
- film
- lead
- heating element
- pinholes
- Prior art date
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はサーマルプリントヘツドの表面処理
方法に関する。
方法に関する。
周知のようにサーマルプリントヘツドは、その
表面を外部環境から保護し、或いは感熱紙等の摺
動による摩耗から発熱体を保護する目的で、その
表面を保護膜で覆うようにしている。通常この種
保護膜はガラスによつて形成される。すなわちガ
ラスペーストを印刷焼成して形成するようにして
いる。しかしこの印刷焼成の過程でいかに注意し
ていても、ガラス膜中にピンホールが発生した
り、気泡が存在したりすることは回避できない。
このようなピンホールが発生すれば、外部からの
汚染が受けやすくなつたり、紙カスが附着しやす
くなつたりするし、又気泡が存在していれば、感
熱紙への熱の伝達の効率が低下するようになる。
表面を外部環境から保護し、或いは感熱紙等の摺
動による摩耗から発熱体を保護する目的で、その
表面を保護膜で覆うようにしている。通常この種
保護膜はガラスによつて形成される。すなわちガ
ラスペーストを印刷焼成して形成するようにして
いる。しかしこの印刷焼成の過程でいかに注意し
ていても、ガラス膜中にピンホールが発生した
り、気泡が存在したりすることは回避できない。
このようなピンホールが発生すれば、外部からの
汚染が受けやすくなつたり、紙カスが附着しやす
くなつたりするし、又気泡が存在していれば、感
熱紙への熱の伝達の効率が低下するようになる。
このような欠点を改善するため、保護膜を二層
構造とすることが考えられる。すなわち保護膜を
二回にわたつて形成するのである。これによれば
或る程度改善できるにしても、両保護層は単に附
着し合つているだけであるから、使用中に層間剥
離を起しやすい。そのため長期にわたつて信頼性
を維持することは極めて困難である。
構造とすることが考えられる。すなわち保護膜を
二回にわたつて形成するのである。これによれば
或る程度改善できるにしても、両保護層は単に附
着し合つているだけであるから、使用中に層間剥
離を起しやすい。そのため長期にわたつて信頼性
を維持することは極めて困難である。
この発明はサーマルプリントヘツドにおける保
護膜中のピンホール、気泡等を確実に消失させる
とともに、長期にわたつて信頼性を維持させるこ
とを目的とする。
護膜中のピンホール、気泡等を確実に消失させる
とともに、長期にわたつて信頼性を維持させるこ
とを目的とする。
この発明はガラス質の保護膜の表面に鉛の膜を
形成し、これを加熱処理して前記鉛を保護膜中
に、そのガラス質の軟化点を下げるように拡散し
たことを特徴とする。
形成し、これを加熱処理して前記鉛を保護膜中
に、そのガラス質の軟化点を下げるように拡散し
たことを特徴とする。
この発明の実施例を図によつて説明する。１は
アルミナセラミツクのような絶縁性の基板、２は
金等からなる対をなす導体、３は両導体２間にま
たがつて形成された、酸化ルテニウム等からなる
発熱体、４は保護膜で、発熱体３、導体２の表面
を覆うように形成される。これらの構成は従来の
この種サーマルプリントヘツドと特に相違すると
ころはない。導体２、発熱体３、保護膜４はいず
れも印刷焼成によつて形成される。保護膜４はガ
ラス質、たとえば酸化鉛と二酸化けい素等から構
成されている。
アルミナセラミツクのような絶縁性の基板、２は
金等からなる対をなす導体、３は両導体２間にま
たがつて形成された、酸化ルテニウム等からなる
発熱体、４は保護膜で、発熱体３、導体２の表面
を覆うように形成される。これらの構成は従来の
この種サーマルプリントヘツドと特に相違すると
ころはない。導体２、発熱体３、保護膜４はいず
れも印刷焼成によつて形成される。保護膜４はガ
ラス質、たとえば酸化鉛と二酸化けい素等から構
成されている。
この発明にしたがい、前述のように保護膜４を
印刷焼成したのち、更に保護膜４の表面に鉛を含
む膜５を蒸着、スパツタリング又は塗布等により
形成する。その膜厚は0.3〜3μ程度である。ちな
みに保護膜４の膜厚は３〜30μ程度である。この
ように膜５を保護膜４の表面に形成したのちこれ
を加熱処理する。このときの温度は少くとも500
℃以上とする。
印刷焼成したのち、更に保護膜４の表面に鉛を含
む膜５を蒸着、スパツタリング又は塗布等により
形成する。その膜厚は0.3〜3μ程度である。ちな
みに保護膜４の膜厚は３〜30μ程度である。この
ように膜５を保護膜４の表面に形成したのちこれ
を加熱処理する。このときの温度は少くとも500
℃以上とする。
このような加熱処理によると、膜５中の鉛が保
護膜４のガラス成分中に、その成分の一部となる
ように拡散していく。これにより保護膜４はその
軟化点が低下し、ぬれやすくなる。その結果たと
えば第２図に示すように保護膜４にピンホール６
が存在していたとしても、ぬれやすくなつた保護
膜４の流動性によつてこのようなピンホール６は
埋められて消失してしまうようになる。又気泡が
残つていたとしても、保護膜４の流動性により、
それまで閉じ込められていた気泡が解放され、表
面から放散されていく。このようにしてピンホー
ル、気泡等はいずれも前記した熱処理によつて消
失するようになる。そしてこのように膜５の熱処
理後においても、保護膜４のガラス質は何ら損な
われることがないので、保護膜としての役目を充
分維持するようになる。
護膜４のガラス成分中に、その成分の一部となる
ように拡散していく。これにより保護膜４はその
軟化点が低下し、ぬれやすくなる。その結果たと
えば第２図に示すように保護膜４にピンホール６
が存在していたとしても、ぬれやすくなつた保護
膜４の流動性によつてこのようなピンホール６は
埋められて消失してしまうようになる。又気泡が
残つていたとしても、保護膜４の流動性により、
それまで閉じ込められていた気泡が解放され、表
面から放散されていく。このようにしてピンホー
ル、気泡等はいずれも前記した熱処理によつて消
失するようになる。そしてこのように膜５の熱処
理後においても、保護膜４のガラス質は何ら損な
われることがないので、保護膜としての役目を充
分維持するようになる。
以上詳述したようにこの発明によれば、保護膜
の表面に鉛を含む膜を形成してこれを加熱処理す
ることにより、保護膜に存在するピンホール、気
泡等を消失させることができ、したがつてこれら
が存在していたことによる汚染、接触不良、紙カ
スの附着等の不慮の事故を充分回避することがで
き、しかも保護膜の特性はそのまま維持され、も
つて長期にわたり高信頼性が維持できるようにな
るといつた効果を奏する。
の表面に鉛を含む膜を形成してこれを加熱処理す
ることにより、保護膜に存在するピンホール、気
泡等を消失させることができ、したがつてこれら
が存在していたことによる汚染、接触不良、紙カ
スの附着等の不慮の事故を充分回避することがで
き、しかも保護膜の特性はそのまま維持され、も
つて長期にわたり高信頼性が維持できるようにな
るといつた効果を奏する。
第１図はこの発明の実施工程を示す断面図、第
２図は一部の拡大断面図である。 １……基板、２……導体、３……発熱体、４…
…保護膜、５……鉛を含む膜。
２図は一部の拡大断面図である。 １……基板、２……導体、３……発熱体、４…
…保護膜、５……鉛を含む膜。
Claims (1)
- １ 対をなす導体間にまたがつて発熱体を設け、
少くとも前記発熱体を覆うように、ガラス質の保
護膜を設けるとともに、前記保護膜の表面に鉛を
含む膜を形成し、ついで前記鉛が前記保護膜のガ
ラス質中の成分の少くとも一部となつてその軟化
点を下げるように拡散させるべく加熱処理するこ
とを特徴とするサーマルプリントヘツドの表面処
理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222834A JPS60112463A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | サ−マルプリントヘツドの表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222834A JPS60112463A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | サ−マルプリントヘツドの表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60112463A JPS60112463A (ja) | 1985-06-18 |
| JPS643669B2 true JPS643669B2 (ja) | 1989-01-23 |
Family
ID=16788637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58222834A Granted JPS60112463A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | サ−マルプリントヘツドの表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60112463A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0751361B2 (ja) * | 1988-12-01 | 1995-06-05 | 三菱電機株式会社 | サーマルヘッド |
| JPH0558294U (ja) * | 1992-01-17 | 1993-08-03 | グラフテック株式会社 | サーマルヘッドアレイの構造 |
-
1983
- 1983-11-24 JP JP58222834A patent/JPS60112463A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60112463A (ja) | 1985-06-18 |
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