JPH01256147A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体基板上に形成される複数の半導体素子
を電気的に分離する素子分離技術に関し、特に選択酸化
法を用いて形成される素子分離領域の形成方法の改善に
関するものである。

［従来の技術とその課題］ 大規模集積回路において高集積化を達成する上で重要な
技術の１つに素子分離技術がある。従来よりこの素子分
離技術に関しては精力的な研究開発が進められており、
現在段もよく知られた素子分離法にＬＯＧＯ３（Ｌｏｃ
ａｌ　　０ｘｉｄａｔｉｏｎ　　ｏｆ　　５ｉｌｉｃｏ
ｎ）法がある。以下ではこのＬＯＣＯ３法について第３
八図ないし第３Ｃ図を用いて説明する。

まず、第３Ａ図に示すように、シリコン基板１の表面上
に熱酸化法を用いてパッド酸化膜２を形成する。さらに
その上に、ＣＶＤ　（Ｃｈｅｍｉ　ｃａｌ　　Ｖａｐｏ
ｕｒ　　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いてシリコン窒
化膜（Ｓ　ｉ　、　Ｎ４膜）３を堆積する。次に、シリ
コン窒化膜３の表面上にレジストを塗布し、写真製版技
術を用いてパターニングし、このレジストのパターンを
マスクとしてシリコン窒化膜３およびパッド酸化膜２を
選択的にエツチング除去し、シリコン基板１の素子分離
領域４を開孔する。

さらに、第３Ｂ図に示すように、素子分離領域４が開孔
されたシリコン窒化膜３をマスクとして、シリコン基板
１表面に不純物イオンのイオン注入を行ない、シリコン
基板１表面の素子分離領域４に寄生チャネル防止用の不
純物拡散領域５を形成する。

その後、第３Ｃ図に示すように、シリコン窒化膜３をマ
スクとしてシリコン基板１表面に熱酸化処理を行なう。

シリコン窒化膜３は耐酸化性が強いため、このシリコン
窒化膜３で覆われたシリコン基板１表面には酸化反応が
行なわれず、シリコン基板１表面の素子分離領域４のみ
が酸化され、この領域にシリコン酸化膜（ＳｉＯｚ）か
ら成る素子分離用のフィールド酸化膜６が形成される。

さらに、このフィールド酸化膜６の下部には熱酸化処理
によって拡散された寄生チャネル防止用の不純物拡散領
域（以下、チャネルストッパー領域と称す）５が形成さ
れている。

ところが、このようなＬＯＣＯ３法では、熱酸化処理工
程において、素子分離用のフィールド酸化膜６がシリコ
ン窒化膜３の下部にもぐり込むように成長するいわゆる
バーズビークと呼ばれる領域の発生が問題となっている
。すなわち、第３Ｃ図に示すようにバーズビーク領域Ａ
はフィールド酸化膜６の領域を拡大し、これによって逆
に素子形成領域を圧縮することになり、結果的に集積回
路の高集積化を阻害する要因となっている。このために
、このＬＯＣＯ３法においてバーズビークの発生を抑制
するための種々の方法が考えられた。

まず、第１の方法として、シリコン窒化膜をマスクとし
てフィールド酸化膜を形成するために行なわれる熱酸化
処理の温度をより高温で行なう高温ＬＯＣＯ８法がある
。この方法は、高温で酸化処理を行なうことにより、所
定膜厚の酸化膜を形成する時間を短縮化し、また酸化膜
の粘度を低くしシリコン窒化膜の直下領域に進行する酸
化反応を抑制し、これによって第４図に示すようにバー
ズビーク領域Ｂの成長を低減させるものである。

ところが、このような高温度の酸化処理工程は、寄生チ
ャネル防止用にシリコン基板１表面に注入されたチャネ
ルストッパー領域５の拡散を促し、この結果チャネルス
トッパー領域５が素子形成領域７にまで拡散してしまう
状態を引き起した。このように拡散されたチャネルスト
ッパー領域５は素子形成領域７の有効領域を圧縮し、バ
ーズビークの発生などと同じように集積回路の高集積化
に悪影響を及ぼす。

このようにバーズビークの発生やチャネルストッパー領
域の高温熱拡散の問題を考慮して、第２の方法が考案さ
れた。この方法は、素子分離領域をパターン開孔したシ
リコン窒化膜３の側壁にシリコン窒化膜のサイドウオー
ルを設け、このサイドウオール構造を利用してシリコン
基板中に不純物を拡散し、その後、フィールド酸化膜形
成用の熱酸化処理を施すようにしたしのである。この方
法を第５Ａ図ないし第５Ｅ図を用いて説明する。

まず、第５Ａ図に示すように、シリコン基板１表面にパ
ッド酸化膜２およびシリコン窒化膜３を形成した後、フ
ォトリソグラフィの手法を用いて素子分離領域４をエツ
チングし開孔する。

次に、第５Ｂ図に示すように、シリコン基板１表面上に
第２のシリコン窒化膜８をＣＶＤ法を用いて堆積する。

さらに、第５Ｃ図に示すように、第２のシリコン窒化膜
８を異方性エツチングし、第１のシリコン窒化膜３およ
びパッド酸化膜２の開孔された側面に接する領域にのみ
第２のシリコン窒化膜が残余したシリコン窒化膜のサイ
ドウオール９を形成する。

さらに、第５Ｄ図に示すように、第１のシリコン窒化膜
３およびシリコン窒化膜のサイドウオール９をマスクと
してシリコン基板１表面に寄生チャネル防止用の不純物
イオンをイオン注入し、チャネルストッパー領域１０を
形成する。このチャネルストッパー領域１０の拡散面積
は第３Ｂ図に示した従来のＬＯＣＯ５法において形成さ
れるチャネルストッパー領域５に比べてシリコン窒化膜
のサイドウオール９の幅分だけ狭くなっている。

そして、その後、第１のシリコン窒化膜３およびシリコ
ン窒化膜のサイドウオール９をマスクとしてシリコン基
板１表面を熱酸化処理し、素子分離領域４に５ｉ０２の
フィールド酸化膜６を形成する。この方法においてはバ
ーズビークを形成する酸化反応は、シリコン窒化膜のサ
イドウオール９の端面から生じ、またサイドウオール９
の端面は素子分離領域４の端面よりサイドウオール９の
幅分だけ内側に位置している。したがって、素子分離領
域４から素子形成領域７に向かって延びるバーズビーク
Ａの成長を抑制することができる。

また、寄生チャネル防止用のチャネルストッパー領域１
０の熱拡散は、同様にシリコン窒化膜のサイドウオール
９の端面から生じるため、素子形成領域側へ拡散されて
拡がる領域を抑えることができる。

ところが、この第２の方法においても以下のような問題
点がある。すなわち、第５Ｅ図に示すように、 （１）　シリコン窒化膜のサイドウオール９の幅が小さ
い場合には、上記したようなバーズビークの抑制あるい
はチャネルストッパー領域の拡散抑制効果が十分に行な
われない。

（２）　フィールド酸化膜６形成用の熱酸化処理が比較
的低温で行なわれた場合、シリコン窒化膜のサイドウオ
ール９がフィールド酸化膜の粘性流動を抑制するように
作用し、このためにシリコン基板１のフィールド酸化膜
６のバーズビークＡ近傍に大きなストレスが生じシリコ
ン基板に結晶欠陥Ｃが発生する。

などの不都合な面が生じた。

したがって、本発明は上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、ＬＯＣＯ５法を用いて素子分離領
域を形成する工程において、素子形成領域へ進行するバ
ーズビークの成長を低減でき、かつフィールド酸化膜直
下に形成する寄生チャネル防止用のチャネルストッパー
領域がフィールド酸化膜形成用の熱酸化処理工程時に素
子形成領域にまで延びて拡散形成されるのを防止するこ
とができる素子分離領域を有する半導体装置の製造方法
を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明における半導体装置の製造方法は、以下の工程を
備えている。すなわち、シリコン基板表面上に酸化膜お
よび耐酸化性膜を形成した後、この耐酸化性膜と酸化膜
とを選択的にエツチングして開孔し素子分離酸化膜形成
用の素子分離領域を形成し、さらにこのシリコン基板上
の全表面に多結晶シリコン膜またはシリコン酸化膜のい
ずれかからなる被覆膜を堆積し、これを異方性エツチン
グして耐酸化性膜と酸化膜との開孔された側面に接する
領域にのみ被覆膜を残余させたサイドウオール構造を形
成し、その後、耐酸化性膜をマスクとして前記サイドウ
オールおよび素子分離領域に位置するシリコン基板表面
を酸化処理してこの領域に素子分離酸化膜を形成するよ
うに構成している。

また、他の発明においては、シリコン基板表面上に酸化
膜および第１の耐酸化性膜を形成した後、この第１の耐
酸化性膜と酸化膜とを選択的にエツチングして開孔し素
子分離酸化膜形成用の素子分離領域を形成し、さらにこ
のシリコン基板上の全表面に第２の耐酸化性膜を形成し
、これを異方性エツチングして第１の耐酸化性膜と酸化
膜との開孔された側面に接する領域にのみ第２の耐酸化
性膜を残余させた第１のサイドウオール構造を形成し、
さらに、シリコン基板上の全表面に多結晶シリコン膜ま
たはシリコン酸化膜のいずれかからなる被覆膜を堆積し
た後、これを異方性エツチングして第２の耐酸化性膜の
第１のサイドウオールの側面に接する領域にのみ被覆膜
を残余させた第２のサイドウオール構造を形成し、その
後節１の耐酸化性膜と第１および第２のサイドウオール
をマスクとしてシリコン基板表面に不純物を注入した後
、さらに第１の耐酸化性膜と第１のサイドウオールとを
マスクとして素子分離領域に位置するシリコン基板表面
とを酸化処理して素子分離領域に素子分離酸化膜を形成
するように構成している。

［作用］ 本発明においては、シリコン基板表面の選択的な酸化処
理工程に対してマスクとして用いる耐酸化性膜の開孔さ
れた側面に接する領域に、多結晶シリコン膜あるいはシ
リコン酸化膜のいずれかからなるサイドウオールを形成
している。このサイドウオールは素子分離酸化膜形成用
の熱酸化処理工程において、耐酸化性膜に覆われたシリ
コン基板表面が周囲の酸化雰囲気と直接接触するのを防
止する。このために、この耐酸化性膜に覆われたシリコ
ン基板表面領域に酸化膜が侵入するいわゆるバーズビー
クの形成を防止あるいは抑制する作用がある。また、こ
のサイドウオール自身はこの熱酸化処理工程の後、素子
分離酸化膜の一部となり、このサイドウオールがシリコ
ン基板に対して大きなストレスを発生させる要因とはな
らない。

また、耐酸化性膜の開孔された素子分離領域の側面に形
成するサイドウオール構造を耐酸化性膜と同じ材料から
なる第１のサイドウオールと多結晶シリコン膜またはシ
リコン酸化膜のいずれかからなる第２のサイドウオール
との２重サイドウオール構造とした場合には、この２重
サイドウオール構造の幅を十分大きく形成することがで
きる。

これによって上記したバーズビークの成長の防止あるい
は抑制効果および不純物拡散領域の拡散抑制効果を確実
に行なわせることができ、さらに、熱酸化処理をより高
温度において行なわせることができる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例について図を用いて詳細に説明す
る。

まず、本発明の第１の実施例として、素子分離領域を形
成するＬＯＣＯ８法に対して耐酸化性膜の側面にサイド
ウオールを形成して酸化処理を行なう方法について第１
八図ないし第１Ｄ図を用いて説明する。

まず、第１Ａ図に示すように、シリコン基板１表面を熱
酸化処理しパッド酸化膜２を形成する。

さらに、その上にＣＶＤ法を用いてシリコン窒化膜３を
堆積する。その後フォトリソグラフィの手法を用いてシ
リコン窒化膜３およびパッド酸化膜２を選択的に開孔し
素子分離領域４を形成する。

次に、第１Ｂ図に示すように、素子分離領域４が開孔さ
れたシリコン基板１表面にサイドウォ−ルを形成するた
めの被覆膜１１を堆積する。この被覆膜は多結晶シリコ
ンまたはシリコン酸化膜（Ｓ　ｉ０２　）で構成される
ことが望ましい。

そして、第１Ｃ図に示すように、被覆膜１１を異方性エ
ツチングすることによってシリコン窒化膜３およびパッ
ド酸化膜２の開孔された素子分離領域４の側面に接する
領域にのみ被覆膜１１を残余させてサイドウオール１２
を形成する。次に、シリコン窒化膜３およびサイドウオ
ール１２をマスクとして、シリコン基板１表面に寄生チ
ャネル防止用のチャネルストッパー領域５を形成するた
めに不純物イオン１３をイオン注入する。

最後に、第１Ｄ図に示すように、シリコン窒化膜３をマ
スクとして熱酸化処理を行ないシリコン基板１表面の素
子分離領域４にシリコン酸化膜から成るフィールド酸化
膜６を形成する。また、このとき同時にフィールド酸化
膜６の直下領域には寄生チャネル防止用のチャネルスト
ッパー領域５が熱拡散されて形成される。

ここで、この熱酸化処理工程におけるサイドウオール１
２の作用を説明する。まず、サイドウオール１２が多結
晶シリコンで形成されている場合は、この多結晶シリコ
ンサイドウオール１２が酸化されてしまうまでシリコン
窒化膜３直下のシリコン基板１表面には酸化反応は進行
しない。したがって、従来の方法に比べてバーズビーク
の成長を著しく遅延させ、あるいはほぼ完全に防止する
ことができる。たとえば、熱酸化処理を温度９５０℃の
パイロジェニック酸化法によって膜厚６０００Ａのフィ
ールド酸化膜６を形成する工程では、多結晶シリコンサ
イドウオール１２とシリコン基板表面上の酸化レート比
はほぼ３対１の割合になる。このために、たとえばサイ
ドウオール１２の幅を２０００Ａ程度に形成すれば、所
定膜厚（６０００Ａ）のフィールド酸化膜６が形成され
ると同時に多結晶シリコンサイドウオール１２も酸化さ
れ、この時点で熱酸化処理を終了できる。このような場
合には、シリコン窒化膜３直下のシリコン基板１表面に
は酸化領域が全く成長せずバーズビークの形成を完全に
防止することができる。また、多結晶シリコンサイドウ
オール１２は、それ自身が酸化されるためシリコン基板
１表面に対シて余分なストレスを発生させることがない
。

次に、サイドウオール１２がシリコン酸化膜（ＳｉＯｚ
）で形成されている場合には、熱酸化処理工程の雰囲気
中の酸化水蒸気がこのシリコン酸化膜サイドウオール１
２中を拡散して進行し、シリコン窒化膜３に覆われたシ
リコン基板１表面との界面に達したとき初めてこの界面
に酸化反応が生じる。したがって、バーズビークの成長
開始時間は著しく遅くなり、これによってバーズビーク
の成長を抑制あるいは完全に防止することができる。ま
た、このシリコン酸化膜サイドウオール１２中は容易に
酸化材が拡散進行していくため、シリコン基板１表面に
対しても余分なストレスを生じさせることがない。

また、多結晶シリコンやシリコン酸化膜のサイドウオー
ルを利用してシリコン基板１表面に不純物イオンを注入
すると、その注入領域を低減することができる。すなわ
ち、たとえば２００ＯＡ幅のサイドウオールを形成する
と、素子分離領域の両側で０．４μｍ幅のイオン注入領
域を低減することができる。このイオン注入領域の低減
幅を熱酸化処理工程後のチャネルストッパー領域の拡散
部長さの余裕代として換算すると、熱酸化処理の温度を
１００℃程度高温化した場合に匹敵する。

そして、この１００℃の高温化はシリコン基板１表面に
生じるストレスを従来に比べて約３７％程度低減するこ
とが可能となる。

なお、上記実施例においては、サイドウオール構造を用
いて寄生チャネル防止用のチャネルストッパー領域を形
成する方法を含めた素子分離領域形成方法について説明
したが、このチャネルストッパー領域の形成を含まない
方法についても本サイドウオール構造を適用することが
できることは言うまでもない。その場合にも、バーズビ
ークの成長を抑制あるいは防止することができる。

次に、本発明の第２の実施例について第２八図ないし第
２Ｈ図を用いて説明する。

本実施例は、第１の実施例に対してシリコン窒化膜の側
壁に形成するサイドウオールを２重構造にしたことを特
徴とする。

第２Ａ図に示す工程は、上記第１の実施例で説明した第
１Ａ図に示す工程と同様であるのでここでは説明を省略
する。

第２Ｂ図において、素子分離領域４が開孔された第１の
シリコン窒化膜３、パッド酸化膜２およびシリコン基板
１表面上に第２のシリコン窒化膜１４をＣＶＤ法を用イ
テ膜厚５００〜５０００Ａに堆積する。

次に、第２Ｃ図に示すように、第２のシリコン窒化膜１
４を異方性エツチングし、第１のシリコン窒化膜３およ
びパッド酸化膜２の側面にのみ第１のサイドウオール１
５を形成する。

さらに、第２Ｄ図に示すように、シリコン基板１表面上
に多結晶シリコンまたはシリコン酸化膜のいずれかから
なる被覆膜１６を堆積する。

続いて、第２Ｅ図に示すように、被覆膜１６を異方性エ
ツチングすることにより、第１のサイドウオール１５の
側壁に第２のサイドウオール１７を形成する。これによ
って、シリコン窒化膜３の開孔された側壁にシリコン窒
化膜および多結晶シリコンまたはシリコン酸化膜のいず
れかからなる２重のサイドウオール１５．１７構造が形
成される。

次に、第２Ｆ図に示すように、シリコン酸化膜３および
２重のサイドウオール１５．１７とをマスクとしてシリ
コン基板１表面に寄生チャネル防止用の不純物イオン１
３をイオン注入してチャネルストッパー領域１８を形成
する。このチャネルストッパー領域１８は想定された素
子分離領域の幅に比べて第１のサイドウオール１５およ
び第２のサイドウオール１７の幅分だけ狭く形成されて
いる。

その後、第２Ｇ図に示すように、第２のサイドウオール
１７を除去する。たとえばシリコン酸化膜サイドウオー
ルの場合にはフッ酸系の溶液を用いてこれを除去する。

そして最後に、第２Ｈ図に示すように、シリコン基板１
表面を熱酸化処理しシリコン基板１表面の素子分離領域
にシリコン酸化膜のフィールド酸化膜６を形成する。ま
た、同時にこのフィールド酸化膜６の直下に熱酸化処理
により拡散されたチャネルストッパー領域１８を所定幅
に形成する。

所定幅とはチャネルストッパー領域１８が素子形成領域
にまで広く延びて形成され、これによって素子形成領域
の面積減少を引き起こしたｈｌまた素子形成領域に形成
される不純物拡散領域との重合を引き起こしたりするこ
とのない拡散幅を意味する。

この実施例による素子分離形成方法では、上記第１の実
施例に比べて特に寄生チャネル防止用のチャネルストッ
パー領域の拡散幅の制御が容易にかつほぼ完全に行なう
ことができる。また、第１の実施例と同様に、あるいは
より効果的にバーズビークの発生を低減し、集積回路の
高集積化を可能とする。

なお、上記実施例においては、第２のサイドウオール１
７を除去した後熱酸化処理を行なってフィールド酸化膜
を形成したが、これに限らず、第２のサイドウオール１
７を残余した状態で熱酸化処理を行なっても構わない。

また、上記実施例では第２のサイドウオールを１回の堆
積および異方性エツチング除去工程によって形成する場
合について説明したが、所望の膜厚のサイドウオールを
形成するためにこの工程を複数回繰返して行なっても構
わない。

［発明の効果］ 本発明においては、ＬＯＣＯ８法を用いて素子分離領域
を形成する方法として、熱酸化処理工程に対してマスク
として使用する耐酸化性膜の開孔側面にサイドウオール
を形成して熱酸化処理を行なうように構成したので、こ
のサイドウオールの作用により耐酸化性膜に覆われたシ
リコン基板表面に酸化膜が侵入して成長するのを防止す
ることができ、素子形成領域の有効面積を拡大し、半導
体装置の高集積化を促進することができる。また、この
素子分離構造に生じる寄生チャネルを防止するためのチ
ャネルストッパー領域をこのサイドウオール構造を用い
て形成するようにしたので、熱酸化処理時に生じるチャ
ネルストッパー領域の拡散範囲を狭い範囲に制御するこ
とが可能となり、特にサイドウオールを２重構造とした
場合にはこの効果がより顕著となり、これによって上記
と同様に素子形成領域の有効面積が増大し、その結果と
して、本発明を用いて集積回路の高集積化を実現するこ
とが可能となった。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図、第１Ｂ図、第１Ｃ図および第１Ｄ図は、本発
明の一実施例による半導体装置の製造方法をその工程順
に従って示した断面構造図である。 また、第２Ａ図、第２Ｂ図、第２Ｃ図、第２Ｄ図、第２
Ｅ図、第２Ｆ図、第２Ｇ図および第２Ｈ図は、本発明の
第２の実施例による半導体装置の製造方法をその工程順
に従って示した断面構造図である。 第３Ａ図、第３Ｂ図および第３Ｃ図は、従来のＬＯＣＯ
３法による半導体装置の素子分離構造の製造方法をその
工程順に従って示した断面構造図である。そして、第４
図は、従来の高温ＬＯＣＯ８法を用いて形成された半導
体装置の素子分離構造を示す断面図である。また、第５
Ａ図、第５Ｂ図、第５Ｃ図、第５Ｄ図および第５Ｅ図は
、窒化膜のサイドウオール構造を用いた従来のＬＯＣＯ
８法によって形成された素子分離領域の製造方法をその
工程順に従って示した断面図である。 図において、１はシリコン基板、２はパッド酸化膜、３
はシリコン窒化膜、５．１０．１８は不純物拡散領域（
チャネルストッパー領域）、６はフィールド酸化膜、１
２．１５．１７はサイドウオールを示している。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 第１Ｄ図 第２Ａ図 第２Ｂ図 第２Ｃ図 第２Ｅ図 第２Ｆ図 第２Ｇ図 第２Ｈ図 第３Ａ図 第３Ｂ図 第４１１

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）シリコン基板表面に酸化膜を形成する工程と、 前記酸化膜上に耐酸化性を有する耐酸化性膜を形成する
   工程と、 前記耐酸化性膜と前記酸化膜とを選択的にエッチングし
   て開孔し、素子分離酸化膜が形成されるべき素子分離領
   域を形成する工程と、 前記シリコン基板上の全表面に多結晶シリコン膜または
   シリコン酸化膜のいずれか一方からなる被覆膜を堆積す
   る工程と、 前記被覆膜を異方性エッチングし、前記耐酸化性膜と前
   記酸化膜との開孔された側面に接する領域にのみ前記被
   覆膜を残余させたサイドウォール構造を形成する工程と
   、 前記耐酸化性膜をマスクとして前記サイドウォールおよ
   び前記素子分離領域に位置する前記シリコン基板表面と
   を酸化処理し、前記シリコン基板の前記素子分離領域に
   素子分離酸化膜を形成する工程とを備えた、半導体装置
   の製造方法。
2. （２）シリコン基板表面に酸化膜を形成する工程と、 前記酸化膜上に耐酸化性を有する第１の耐酸化性膜を形
   成する工程と、 前記第１の耐酸化性膜と前記酸化膜とを選択的にエッチ
   ングして開孔し、素子分離酸化膜が形成されるべき素子
   分離領域を形成する工程と、前記シリコン基板上の全表
   面に第２の耐酸化性膜を堆積する工程と、 前記第２の耐酸化性膜を異方性エッチングし、前記第１
   の耐酸化性膜と前記酸化膜との開孔された側面に接する
   領域にのみ前記第２の耐酸化性膜を残余させた第１のサ
   イドウォール構造を形成する工程と、 前記シリコン基板表面の全表面に多結晶シリコン膜また
   はシリコン酸化膜のいずれか一方からなる被覆膜を堆積
   する工程と、 前記被覆膜を異方性エッチングし、前記第２の耐酸化性
   膜から成る第１のサイドウォールの側面に接する領域に
   のみ前記被覆膜を残余させた第２のサイドウォール構造
   を形成する工程と、 前記第１の耐酸化性膜と前記第１および第２のサイドウ
   ォールとをマスクとして前記シリコン基板表面に不純物
   を注入する工程と、 前記第１の耐酸化性膜と第１のサイドウォールとをマス
   クとして前記素子分離領域に位置する前記シリコン基板
   表面とを酸化処理し、前記シリコン基板の前記素子分離
   領域に前記素子分離酸化膜を形成する工程とを備えた、
   半導体装置の製造方法。