JPH01248643A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
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- JPH01248643A JPH01248643A JP7725588A JP7725588A JPH01248643A JP H01248643 A JPH01248643 A JP H01248643A JP 7725588 A JP7725588 A JP 7725588A JP 7725588 A JP7725588 A JP 7725588A JP H01248643 A JPH01248643 A JP H01248643A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体集積回路装置の配線の製造方法に関す
る。 ［従来の技術］ 半導体集積回路装置における従来のＡｇ配線は、８１基
板上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜を介して、該絶縁膜に
開けられたコンタクト穴を通してＡＪ２膜を形成し、該
Ａｌ２１１１をホト・エッチングにより電極配線となす
のが通例であった。 ［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記従来技術によると、Ａρ電極配線が多結晶
体となり、エレクトロ・マイグレーションやストレス・
マイグレーションにより結晶粒界部から断線し易いと云
う課題があった。 本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、単結晶膜２
膜による半導体集積回路装置の電極配線を可能とする製
造方法を提供する事を目的とする。
る。 ［従来の技術］ 半導体集積回路装置における従来のＡｇ配線は、８１基
板上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜を介して、該絶縁膜に
開けられたコンタクト穴を通してＡＪ２膜を形成し、該
Ａｌ２１１１をホト・エッチングにより電極配線となす
のが通例であった。 ［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記従来技術によると、Ａρ電極配線が多結晶
体となり、エレクトロ・マイグレーションやストレス・
マイグレーションにより結晶粒界部から断線し易いと云
う課題があった。 本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、単結晶膜２
膜による半導体集積回路装置の電極配線を可能とする製
造方法を提供する事を目的とする。
【課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために、本発明は、半導体集積回路
装置の製造方法に関し、シリコン等の半導体基板上には
ＳｉＯ２膜等の絶縁膜を形成し、該絶縁膜上にＡβ膜を
形成し、該ＡＪ２膜をホト・エッチングによりＡｇ電極
配線となし、該Ａ℃電極配線をグラフオ・エピタキシャ
ル法により単結晶膜化する手段をとる事及び、Ｓｉ等の
半導体基板上にはＳｉＯ＊１１等の絶縁膜を形成し、該
絶縁膜に開けられたコンタクト穴を通してＡｇｉ！極を
多層配線する場合に、少くともコンタクト穴部の半導体
基板上にＷ膜又はＷＳｉ膜、ＷＮ膜を形成する手段をと
る。 〔実 施 例］ 以下、実施例により本発明を詳述する。 第１図は本発明の一実施例を示すＡＩ２電極配線のグラ
フオ・エピタキシャル処理法である。すなわち、Ｓｉ基
板１の表面には、第１のＳｉ配線層と拡散層２、及び眉
間絶縁膜となるＳｉＯ□ｐａ３が形成され、該ＳｉＯ□
１ｌ１３の拡散層２の上にはコンタクト穴が開けられる
と共に、該コンタクト穴部の拡散層２の表面にはＷＳｉ
膜４が形成されて成り、これらの表面にスパッタ法によ
りＡＩ２膜を全面に形成後、ホト・エッチングによりＡ
ｆｉ電極配線を形成し、Ａｌｌ電極配線は当初アモルフ
ァス又は多結晶状態にあり、多結晶ＡＪ２電極配線６の
状態にて形成されている訳であるが、線状光８を棒状カ
ーボン・ヒーターやランプから照射し、表面を走査方向
９の如く一方向に走査するいわゆるグラフオ・エピタキ
シャル処理する事により多結晶Ａ２電極配線６は単結晶
Ａｆｉ電極配線７の如く単結晶化されることとなる−
ＣＶ Ｄ Ｓ ｉＯｚ膜５は、ＡＩ２電極配線の単結晶
化後に形成しても良いが、ＡＩ２電極配線が多結晶ＡＩ
２電極配線６の状態の時に形成し、その後にグラフオ・
エピタキシャル処理するいわゆるキャップド・アニール
処理の状態にしても良く、その際にはグラフオ・エピタ
キシャル処理時の雰囲気が通常不活性ガス雰囲気あるい
は還元雰囲気あるいは真空雰囲気であるのに対し、せい
ぜい窒素雰囲気かあるいは大気雰囲気でも良い事となり
、又ＣＶＤ５ ｉＯ□膜５はＣＶ Ｄ Ｓ ｉ ｓ Ｎ
４膜でも良いことは云うまでもない。 尚１．ｌの多層配線の場合には、必ずしも、ＷＳｉ膿４
はコンタクト部に要するものではなくＷＳｉ膜４は、グ
ラフオ・エピタキシャル時の昇温によるＡＪ２とＳｉと
の反応によるコンタクト部でのノジュール（Ｓｉ析出）
形成やスパイク（Ｓｉ侵蝕）を防ぐ目的で形成されるも
のであり、多結晶Ｓｉ膜配線とＡρ膜配線のコンタクト
部には適用が望まれるものではある。 【発明の効果】 本発明により半導体集積回路装置におけるＡｇ電極配線
のマイグレーションによる断線を防ぐことができる効果
がある。
装置の製造方法に関し、シリコン等の半導体基板上には
ＳｉＯ２膜等の絶縁膜を形成し、該絶縁膜上にＡβ膜を
形成し、該ＡＪ２膜をホト・エッチングによりＡｇ電極
配線となし、該Ａ℃電極配線をグラフオ・エピタキシャ
ル法により単結晶膜化する手段をとる事及び、Ｓｉ等の
半導体基板上にはＳｉＯ＊１１等の絶縁膜を形成し、該
絶縁膜に開けられたコンタクト穴を通してＡｇｉ！極を
多層配線する場合に、少くともコンタクト穴部の半導体
基板上にＷ膜又はＷＳｉ膜、ＷＮ膜を形成する手段をと
る。 〔実 施 例］ 以下、実施例により本発明を詳述する。 第１図は本発明の一実施例を示すＡＩ２電極配線のグラ
フオ・エピタキシャル処理法である。すなわち、Ｓｉ基
板１の表面には、第１のＳｉ配線層と拡散層２、及び眉
間絶縁膜となるＳｉＯ□ｐａ３が形成され、該ＳｉＯ□
１ｌ１３の拡散層２の上にはコンタクト穴が開けられる
と共に、該コンタクト穴部の拡散層２の表面にはＷＳｉ
膜４が形成されて成り、これらの表面にスパッタ法によ
りＡＩ２膜を全面に形成後、ホト・エッチングによりＡ
ｆｉ電極配線を形成し、Ａｌｌ電極配線は当初アモルフ
ァス又は多結晶状態にあり、多結晶ＡＪ２電極配線６の
状態にて形成されている訳であるが、線状光８を棒状カ
ーボン・ヒーターやランプから照射し、表面を走査方向
９の如く一方向に走査するいわゆるグラフオ・エピタキ
シャル処理する事により多結晶Ａ２電極配線６は単結晶
Ａｆｉ電極配線７の如く単結晶化されることとなる−
ＣＶ Ｄ Ｓ ｉＯｚ膜５は、ＡＩ２電極配線の単結晶
化後に形成しても良いが、ＡＩ２電極配線が多結晶ＡＩ
２電極配線６の状態の時に形成し、その後にグラフオ・
エピタキシャル処理するいわゆるキャップド・アニール
処理の状態にしても良く、その際にはグラフオ・エピタ
キシャル処理時の雰囲気が通常不活性ガス雰囲気あるい
は還元雰囲気あるいは真空雰囲気であるのに対し、せい
ぜい窒素雰囲気かあるいは大気雰囲気でも良い事となり
、又ＣＶＤ５ ｉＯ□膜５はＣＶ Ｄ Ｓ ｉ ｓ Ｎ
４膜でも良いことは云うまでもない。 尚１．ｌの多層配線の場合には、必ずしも、ＷＳｉ膿４
はコンタクト部に要するものではなくＷＳｉ膜４は、グ
ラフオ・エピタキシャル時の昇温によるＡＪ２とＳｉと
の反応によるコンタクト部でのノジュール（Ｓｉ析出）
形成やスパイク（Ｓｉ侵蝕）を防ぐ目的で形成されるも
のであり、多結晶Ｓｉ膜配線とＡρ膜配線のコンタクト
部には適用が望まれるものではある。 【発明の効果】 本発明により半導体集積回路装置におけるＡｇ電極配線
のマイグレーションによる断線を防ぐことができる効果
がある。
第１図は本発明の一実施例を示すＡｌｔｉｔ極配線のグ
ラフオ・エピタキシャル処理による単結晶化処理法を示
す図である。 １・・・ＳＬ基板 ２・・・拡散層 ３・・・Ｓ ｉ Ｏ＊膜 ４・・・ＷＳｉ膜 ５・・・ＣＶＤ５ ｉ Ｏ、膜 ６・・・多結晶Ａｇ電極配線 ７・・・単結晶ＡＪ２電極配線 ８・・・線状光 ９・・・走査方向 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
ラフオ・エピタキシャル処理による単結晶化処理法を示
す図である。 １・・・ＳＬ基板 ２・・・拡散層 ３・・・Ｓ ｉ Ｏ＊膜 ４・・・ＷＳｉ膜 ５・・・ＣＶＤ５ ｉ Ｏ、膜 ６・・・多結晶Ａｇ電極配線 ７・・・単結晶ＡＪ２電極配線 ８・・・線状光 ９・・・走査方向 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (2)
- （１）シリコン等の半導体基板上にはＳｉＯ＿２膜等の
絶縁膜が形成され、該絶縁膜上にアルミニウム（Ａｌ）
膜を形成し、該アルミニウム膜をホト・エッチングによ
りアルミニウム電極配線となし、該アルミニウム電極配
線をグラフォエピタキシャル法により単結晶膜化する事
を特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - （２）シリコン等の半導体基板上にはＳｉＯ＿２膜等の
絶縁膜が形成され、該絶縁膜に開けられたコンタクト穴
を通してアルミニウム電極を多層配線する場合に、少く
ともコンタクト穴部の半導体基板上にはタングステン（
Ｗ）膜又は、タングステン・シリサイド（ＷＳｉ）謹又
はタングステン・ナイトライド（ＷＮ）膜が形成されて
成る事を特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7725588A JPH01248643A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7725588A JPH01248643A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01248643A true JPH01248643A (ja) | 1989-10-04 |
Family
ID=13628747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7725588A Pending JPH01248643A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01248643A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0460857A2 (en) * | 1990-05-31 | 1991-12-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing a semiconductor device with a high density wiring structure |
| US6566248B1 (en) * | 2001-01-11 | 2003-05-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Graphoepitaxial conductor cores in integrated circuit interconnects |
-
1988
- 1988-03-30 JP JP7725588A patent/JPH01248643A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0460857A2 (en) * | 1990-05-31 | 1991-12-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing a semiconductor device with a high density wiring structure |
| US5614439A (en) * | 1990-05-31 | 1997-03-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of making a planar wiring in an insulated groove using alkylaluminum hydride |
| US6566248B1 (en) * | 2001-01-11 | 2003-05-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Graphoepitaxial conductor cores in integrated circuit interconnects |
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