JPH01246818A - 熱処理方法 - Google Patents
熱処理方法Info
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- JPH01246818A JPH01246818A JP7339888A JP7339888A JPH01246818A JP H01246818 A JPH01246818 A JP H01246818A JP 7339888 A JP7339888 A JP 7339888A JP 7339888 A JP7339888 A JP 7339888A JP H01246818 A JPH01246818 A JP H01246818A
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は８１基板上にＧａＡａ等の■−■化合物半導体
を形成するに際して熱処理によって効果的に該化合物半
導体層中の結晶転移を低減せしめる熱処理方法に関する
ものである。
を形成するに際して熱処理によって効果的に該化合物半
導体層中の結晶転移を低減せしめる熱処理方法に関する
ものである。
ＧａＡｓ等の化合物半導体は、高効率の光−電気変換特
性および高電子移動度を有している。これらを利用する
ことによシ、椎々の高性能、高機能デバイスが実用化さ
れている。
性および高電子移動度を有している。これらを利用する
ことによシ、椎々の高性能、高機能デバイスが実用化さ
れている。
しかし、これらのデバイスの製造に使われる化合物半導
体のバルク結晶は高価であるうえ、大面積結晶が得られ
ない。
体のバルク結晶は高価であるうえ、大面積結晶が得られ
ない。
そこで、高品質、大面積結晶で安く入手できるＳｉ結晶
基板上ＫＧａＡｓ薄膜結晶をエピタキシャル成長させる
ことが検討されている。ところが、ＳｉとＧａＡｓとの
格子不整合（４％〕 によってＧａＡｓエピタキシャル
成長層中に引き起こされる結晶欠陥（約３ｘｌＯｃＩｎ
）は、キャリアの散乱とキャリアの再結合とをおこさ
せるため、Ｓｉ基板上のＧａＡｇ薄膜結晶を用いるデバ
イスの性能は実用的に不十分である。
基板上ＫＧａＡｓ薄膜結晶をエピタキシャル成長させる
ことが検討されている。ところが、ＳｉとＧａＡｓとの
格子不整合（４％〕 によってＧａＡｓエピタキシャル
成長層中に引き起こされる結晶欠陥（約３ｘｌＯｃＩｎ
）は、キャリアの散乱とキャリアの再結合とをおこさ
せるため、Ｓｉ基板上のＧａＡｇ薄膜結晶を用いるデバ
イスの性能は実用的に不十分である。
Ｔｓａｕｒ等は、かかる高密度の欠陥を低減させる方法
としてエピタキシャル成長する際に高温状態と低温状態
とを繰シ返す熱サイクル成長を行なうことが有効である
としている（フォトボルテージセミコンダクタコンファ
レンス（ｐｈｏｔｏ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｓｅｍ１ｃｏｎ
ｄｕｃｔｏｒ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ、 １１４３ペー
ジ、 １９８２年））。
としてエピタキシャル成長する際に高温状態と低温状態
とを繰シ返す熱サイクル成長を行なうことが有効である
としている（フォトボルテージセミコンダクタコンファ
レンス（ｐｈｏｔｏ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｓｅｍ１ｃｏｎ
ｄｕｃｔｏｒ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ、 １１４３ペー
ジ、 １９８２年））。
第２図（ａ） 、 Ｑ））に彼らによって提案された主
旨に従って実行されるエピタキシャル成長の工程の温度
プログラムを示す。
旨に従って実行されるエピタキシャル成長の工程の温度
プログラムを示す。
すなわち、同図（ａ）に示すように約７００℃で一定膜
厚（例えば０．１μｍ〕のＧａＡｓを成長後所定の温度
、例えば室温まで冷却する。引き続き加熱と成長とを行
なった後、再び冷却という熱サイクルを１０回く９返す
ことによシ、第３図に示す如き断面構造の薄膜結晶が得
られる。同図において、１はＳｉ基板、２１は上記熱サ
イクルを加える方法によって成長したＧａＡｓでなる熱
サイクル成長層、２２は引き続き一定温度でエピタキシ
ャル成長し九〇ａＡｓでなるデバイス層、２は熱サイク
ル成長層２１およびデバイス層２２からなるＧａＡｓ５
薄膜結晶である。ＳｉとＧａＡＢとの格子不整合によっ
てＧａＡｓ中に発生した欠陥は、熱サイクル層２１中で
大幅に低減し、従ってその上にエピタキシャル成長した
デバイス層２２の欠陥は従来に比して著しく少々く、高
品質になったと報告している。
厚（例えば０．１μｍ〕のＧａＡｓを成長後所定の温度
、例えば室温まで冷却する。引き続き加熱と成長とを行
なった後、再び冷却という熱サイクルを１０回く９返す
ことによシ、第３図に示す如き断面構造の薄膜結晶が得
られる。同図において、１はＳｉ基板、２１は上記熱サ
イクルを加える方法によって成長したＧａＡｓでなる熱
サイクル成長層、２２は引き続き一定温度でエピタキシ
ャル成長し九〇ａＡｓでなるデバイス層、２は熱サイク
ル成長層２１およびデバイス層２２からなるＧａＡｓ５
薄膜結晶である。ＳｉとＧａＡＢとの格子不整合によっ
てＧａＡｓ中に発生した欠陥は、熱サイクル層２１中で
大幅に低減し、従ってその上にエピタキシャル成長した
デバイス層２２の欠陥は従来に比して著しく少々く、高
品質になったと報告している。
前述した熱サイクル成長法によって欠陥が低減する理由
は以下のように思料される。すなわち、冷却過程におい
ては、ＧａＡａとＳｉとの熱膨張係数の違い（ＧａＡｓ
はｓｔ の２倍）によってＧａＡｓ中に引張応力が発生
する。計算によれば上記成長条件ではＧ ａＡ ｓ中の
応力は〜２×１０ｄｙｎ／ｃＩｎ２である。この応力（
あるいは応力と比例している歪エネルギと考えてもよい
）の影響を受けてＧａＡｓ薄膜結晶中の欠陥は相互作用
し結合する結果、その密度が低減する。
は以下のように思料される。すなわち、冷却過程におい
ては、ＧａＡａとＳｉとの熱膨張係数の違い（ＧａＡｓ
はｓｔ の２倍）によってＧａＡｓ中に引張応力が発生
する。計算によれば上記成長条件ではＧ ａＡ ｓ中の
応力は〜２×１０ｄｙｎ／ｃＩｎ２である。この応力（
あるいは応力と比例している歪エネルギと考えてもよい
）の影響を受けてＧａＡｓ薄膜結晶中の欠陥は相互作用
し結合する結果、その密度が低減する。
結晶欠陥が移動し、相互作用するには熱エネルギ、すな
わち温度が不可欠である。ここで、ＧａＡｓ薄膜結晶中
の応力を考察すると、エピタキシャル成長工程中は上記
熱膨張係数の相違に起因する応力は零であり、温度が下
がるに従ってはじめて引張応力が発生する（第２図（ｂ
））。
わち温度が不可欠である。ここで、ＧａＡｓ薄膜結晶中
の応力を考察すると、エピタキシャル成長工程中は上記
熱膨張係数の相違に起因する応力は零であり、温度が下
がるに従ってはじめて引張応力が発生する（第２図（ｂ
））。
従って冷却が進行するにつれてＧａＡｓ薄膜結晶中に発
生する応力は増加することになるが、欠陥の移動を誘起
し、欠陥低減に寄与する熱エネルギーは逆に減少してし
まう。それ故、この熱サイクル法によってもエピタキシ
ャル薄膜の欠陥の低減効果には現界があると推察される
。
生する応力は増加することになるが、欠陥の移動を誘起
し、欠陥低減に寄与する熱エネルギーは逆に減少してし
まう。それ故、この熱サイクル法によってもエピタキシ
ャル薄膜の欠陥の低減効果には現界があると推察される
。
さらに、加熱、冷却の温度サイクル工程に時間を要する
ため、特に冷却工程では室温まで冷却するのに多くの時
間を費すために製造時間を短縮することは困難であった
。
ため、特に冷却工程では室温まで冷却するのに多くの時
間を費すために製造時間を短縮することは困難であった
。
したがって本発明は、前述した従来の問題に鑑みてなさ
れたものであり、その目的は、熱処理による転移低減を
効果的かつ短時間に実現させることができる熱処理方法
を提供することにある。
れたものであり、その目的は、熱処理による転移低減を
効果的かつ短時間に実現させることができる熱処理方法
を提供することにある。
本発明による熱処理方法は、Ｓｉ基板上にｍ−■化合物
半導体でなるエピタキシャル成長層を形成した後、加熱
工程と冷却工程とを少なくとも１回繰り返すことによシ
エピタキシャル成長層を熱処理する方法であって、上記
加熱工程における最高温度は少々くともエピタキシャル
成長層の成長温度よりも高い温度であってかつ最高温度
の維持時間は３分乃至７分間であり、冷却工程において
は少なくとも３００℃まで冷却するものである。
半導体でなるエピタキシャル成長層を形成した後、加熱
工程と冷却工程とを少なくとも１回繰り返すことによシ
エピタキシャル成長層を熱処理する方法であって、上記
加熱工程における最高温度は少々くともエピタキシャル
成長層の成長温度よりも高い温度であってかつ最高温度
の維持時間は３分乃至７分間であり、冷却工程において
は少なくとも３００℃まで冷却するものである。
第４図は熱処理工程における温度の効果を明らかにする
ためにおこなった実験結果を示したものであり、Ｓｉ基
板上に約７００℃で０．９μｍ厚のＧａＡｓエピタキシ
ャル成長層を形成した後、各温度で５分及び１０分間熱
処理を施し九〇ａＡａ成長層のＸ線半値幅と熱処理温度
との関係を示したものである。同図は熱処理温度は高い
ほどＸ線半値幅は小さく、すなわちエピタキシャル成長
層中の転移が低減していることを実証するものであると
ともに約７００℃以上ではより効果的に転移低減効果が
顕著であることを示している。同図の直線の勾配は、転
移低減の活性化エネルギを与えるものであるから、約７
００℃を境にして転移低減のメカニズムが異なっている
ことが読み取れる。ここでＧａＡｓは、Ｓｉの熱膨張係
数の２倍の熱膨張係数を有するので、第５図（ａ）に示
すＧａＡｓ成長層２３を有するＳｉ基板１の各々熱処理
状態での断面形状は、成長温度以下で熱処理する場合の
転移低減に寄与するのは同図中）に示すように引張応力
Ｆ１のみであるのに対し、成長温度以上の高温状態では
同図（ｃ）に示すように圧縮応力Ｆ、がＧａＡｓ成長層
２３に印加されて転移低減に寄与することになる。圧縮
応力Ｆ２と引張応力Ｆ！との転移低減に対する作用が異
なるために上記活性化エネルギの差があられれているも
のと思料される。すなわち、工業上の見地からすれば、
熱処理は成長温度よりも高温状態に加熱することが効果
的であることが判明した。また、第４図からさらに転移
低減に寄与する熱処理温度は、約３００℃以上であって
それ以下では転移は低減しないことが判明した。
ためにおこなった実験結果を示したものであり、Ｓｉ基
板上に約７００℃で０．９μｍ厚のＧａＡｓエピタキシ
ャル成長層を形成した後、各温度で５分及び１０分間熱
処理を施し九〇ａＡａ成長層のＸ線半値幅と熱処理温度
との関係を示したものである。同図は熱処理温度は高い
ほどＸ線半値幅は小さく、すなわちエピタキシャル成長
層中の転移が低減していることを実証するものであると
ともに約７００℃以上ではより効果的に転移低減効果が
顕著であることを示している。同図の直線の勾配は、転
移低減の活性化エネルギを与えるものであるから、約７
００℃を境にして転移低減のメカニズムが異なっている
ことが読み取れる。ここでＧａＡｓは、Ｓｉの熱膨張係
数の２倍の熱膨張係数を有するので、第５図（ａ）に示
すＧａＡｓ成長層２３を有するＳｉ基板１の各々熱処理
状態での断面形状は、成長温度以下で熱処理する場合の
転移低減に寄与するのは同図中）に示すように引張応力
Ｆ１のみであるのに対し、成長温度以上の高温状態では
同図（ｃ）に示すように圧縮応力Ｆ、がＧａＡｓ成長層
２３に印加されて転移低減に寄与することになる。圧縮
応力Ｆ２と引張応力Ｆ！との転移低減に対する作用が異
なるために上記活性化エネルギの差があられれているも
のと思料される。すなわち、工業上の見地からすれば、
熱処理は成長温度よりも高温状態に加熱することが効果
的であることが判明した。また、第４図からさらに転移
低減に寄与する熱処理温度は、約３００℃以上であって
それ以下では転移は低減しないことが判明した。
また、約３００℃以下の温度では熱エネルギが不十分な
ために転移は凍結してしまうためと思料される。さらに
第４図において示されるように熱処理時間は５分でも１
０分でも転移低減効果に有意差はなかった。このような
状況は、第６図に示す実験結果で明白に理解される。す
なわち第６・図はＳｌ基板上にエピタキシャル成長した
厚さ０．９μｍのＧａＡｓ成長層を８００℃、８５０℃
１９００℃の各温度で時間を変えて熱処理した後、Ｇａ
Ａｓ成長層のＸ＠半値幅を測定した結果を示したもので
ある。
ために転移は凍結してしまうためと思料される。さらに
第４図において示されるように熱処理時間は５分でも１
０分でも転移低減効果に有意差はなかった。このような
状況は、第６図に示す実験結果で明白に理解される。す
なわち第６・図はＳｌ基板上にエピタキシャル成長した
厚さ０．９μｍのＧａＡｓ成長層を８００℃、８５０℃
１９００℃の各温度で時間を変えて熱処理した後、Ｇａ
Ａｓ成長層のＸ＠半値幅を測定した結果を示したもので
ある。
同図から明らかなように熱処理時間としては、３分から
５分程度で良く、５分以上熱処理しても転移は、低減し
ないことが判明した。熱処理時間が短いと、転移低減効
果が不十分なのは、転移がＧａＡｓ結晶中を移動し、相
互作用して結合するのに有限の時間を要するためと思料
される。
５分程度で良く、５分以上熱処理しても転移は、低減し
ないことが判明した。熱処理時間が短いと、転移低減効
果が不十分なのは、転移がＧａＡｓ結晶中を移動し、相
互作用して結合するのに有限の時間を要するためと思料
される。
上記熱処理層の最適膜厚を明らかにするために第７図に
示すようにＳｉ基板１上に厚さｄのＧｓｔＡｓ熱処理層
２４を約７００℃でエピタキシャル成長した。次に約９
００℃まで加熱した状態で５分間維持した後、約３００
℃ まで冷却した。すなわち１回の熱処理をＧａＡｓ熱
処理層に施した。
示すようにＳｉ基板１上に厚さｄのＧｓｔＡｓ熱処理層
２４を約７００℃でエピタキシャル成長した。次に約９
００℃まで加熱した状態で５分間維持した後、約３００
℃ まで冷却した。すなわち１回の熱処理をＧａＡｓ熱
処理層に施した。
しかる後に約７００℃で再びＧａＡｓで々るデバイス層
２２を成長して全行程を終了した。ただし、Ｓ・１基板
１上に成長したＧａＡｓ薄膜結晶２の合計膜厚りは３μ
ｍとなるようにした。このよりなＧａＡｓ結晶のＸ線半
値幅と熱処理層の厚さｄとの関係を第８図に示す。Ｘ線
半値幅の大きさは総じてデバイス層２２の結晶性を反映
していると思料されるから、より結晶性のすぐれたＧａ
Ａｓデバイス層２２を取得するには、熱処理層２４の厚
さｄはほぼ１μｍ乃至２．５μｍが最適であることが判
明した。
２２を成長して全行程を終了した。ただし、Ｓ・１基板
１上に成長したＧａＡｓ薄膜結晶２の合計膜厚りは３μ
ｍとなるようにした。このよりなＧａＡｓ結晶のＸ線半
値幅と熱処理層の厚さｄとの関係を第８図に示す。Ｘ線
半値幅の大きさは総じてデバイス層２２の結晶性を反映
していると思料されるから、より結晶性のすぐれたＧａ
Ａｓデバイス層２２を取得するには、熱処理層２４の厚
さｄはほぼ１μｍ乃至２．５μｍが最適であることが判
明した。
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図（ａｉ 、 （ｂ）は本発明による熱処理方法の
一実施例を説明するための熱サイクル成長の工程図。
一実施例を説明するための熱サイクル成長の工程図。
その応力の変化を示す図である。同図において、まず、
Ｓｉ基板上に有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によっ
てＧａＡｓ層を約７００℃９時間Ｔ １ ＝ ４５分間
要してエピタキシャル成長した。このＧａＡｓ層は引き
続き熱処理されるべき熱処理層であり、本実施例では厚
さは１６５μｍである。この場合、との膜厚は引き続き
行なう熱処理による結晶性向上に顕著な効果を引き出す
べく決定された。次にＭＯＣＶＤ装置の結晶成長室の温
度を時間Ｔ、、＝３分間で約９００℃まで加熱して時間
Ｔ、、＝５分間維持し、最初の加熱工程を加えた後１．
結晶成長室の温度を時間Ｔ１．＝１２分で約３００Ｃま
で冷却した。本実施例では上述した加熱と冷却とを繰り
返し４サイクル行なって時間Ｔ鵞＝７６分間でａａＡ８
熱処理法の熱処理工程を完了した。この熱処理は高温状
態におけるＧａＡｓの熱分解によるＣａＡＢ熱処理層か
らの砒素離脱を防止するためにアルシン（ＡｓＨｓ）を
含有する水素雰囲気中で行なった。次に上記熱処理工程
終了後に熱処理層上に時間Ｔ！＝４５分間要して厚さ１
．５μｍのＧａＡｓデバイス層をエピタキシャル成長し
た。
Ｓｉ基板上に有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によっ
てＧａＡｓ層を約７００℃９時間Ｔ １ ＝ ４５分間
要してエピタキシャル成長した。このＧａＡｓ層は引き
続き熱処理されるべき熱処理層であり、本実施例では厚
さは１６５μｍである。この場合、との膜厚は引き続き
行なう熱処理による結晶性向上に顕著な効果を引き出す
べく決定された。次にＭＯＣＶＤ装置の結晶成長室の温
度を時間Ｔ、、＝３分間で約９００℃まで加熱して時間
Ｔ、、＝５分間維持し、最初の加熱工程を加えた後１．
結晶成長室の温度を時間Ｔ１．＝１２分で約３００Ｃま
で冷却した。本実施例では上述した加熱と冷却とを繰り
返し４サイクル行なって時間Ｔ鵞＝７６分間でａａＡ８
熱処理法の熱処理工程を完了した。この熱処理は高温状
態におけるＧａＡｓの熱分解によるＣａＡＢ熱処理層か
らの砒素離脱を防止するためにアルシン（ＡｓＨｓ）を
含有する水素雰囲気中で行なった。次に上記熱処理工程
終了後に熱処理層上に時間Ｔ！＝４５分間要して厚さ１
．５μｍのＧａＡｓデバイス層をエピタキシャル成長し
た。
このような熱処理方法によれば、Ｓｉ基板上に予め膜厚
１．５μｍのエピタキシャル層を約７００℃で形成した
後にこの成長温度よりも高い約９００℃の高温加熱工程
と約３００′ｃまでの冷却工程との組合せによる熱処理
を行々うので、同図に破線の曲線で示す従来法では冷却
は室温で行なうことが必要であシ、そのときに冷却に要
する時間ＴＩ３’＝５０分間であるのに対して約３００
℃まで冷却すれば良く、かつ冷却に要する時間Ｔ＋５＝
１２分間で良いので、時間の大幅外節約、すなわち生産
性を向上させることができる。
１．５μｍのエピタキシャル層を約７００℃で形成した
後にこの成長温度よりも高い約９００℃の高温加熱工程
と約３００′ｃまでの冷却工程との組合せによる熱処理
を行々うので、同図に破線の曲線で示す従来法では冷却
は室温で行なうことが必要であシ、そのときに冷却に要
する時間ＴＩ３’＝５０分間であるのに対して約３００
℃まで冷却すれば良く、かつ冷却に要する時間Ｔ＋５＝
１２分間で良いので、時間の大幅外節約、すなわち生産
性を向上させることができる。
下記衣１は、本実施例によシ得られた８１基板上のＧａ
Ａｓ薄膜結晶の評価結果を従来法と対比させて示したも
のである。
Ａｓ薄膜結晶の評価結果を従来法と対比させて示したも
のである。
表１
同表１において、従来法（１）は、熱処理を全く施さな
い厚さ３μｍのＧａＡ１薄膜結晶であシ、従来法（２）
は、上記従来法（１）によるＧａＡｓ薄膜結晶を約９０
０℃で３０分間熱処理を施したものである。
い厚さ３μｍのＧａＡ１薄膜結晶であシ、従来法（２）
は、上記従来法（１）によるＧａＡｓ薄膜結晶を約９０
０℃で３０分間熱処理を施したものである。
従来法（３）は第２図に示す工程で得られたＧ １１Ａ
Ｂ薄膜結晶であり、厚さ０．１５μｍの成長を１０回
熱サイクルして成長した後、さらに１．５μｍのデバイ
ス層を成長したものである。これに対して上記実施例に
基づいて得られた厚さ３μｍのＧａＡｓ薄膜結晶のＸ線
半値幅は９５秒で従来法によるものよりも明らかに結晶
の向上が確認された。
Ｂ薄膜結晶であり、厚さ０．１５μｍの成長を１０回
熱サイクルして成長した後、さらに１．５μｍのデバイ
ス層を成長したものである。これに対して上記実施例に
基づいて得られた厚さ３μｍのＧａＡｓ薄膜結晶のＸ線
半値幅は９５秒で従来法によるものよりも明らかに結晶
の向上が確認された。
以上説明したように本発明による熱処理方法によれば、
Ｓｉ基板上にＸ線半値幅の小さい、すなわち転移の少な
いＧａＡｓ薄膜結晶が短時間で生産することができると
いう極めて優れた効果が得られる。このよう々ＧａＡｓ
薄膜結晶はＦＥＴ −？ ＨＥＭＴ等の電子デバイスに
適用すれは電子移動度を向上させ、レーザや発光ダイオ
ードでは、発光効率を向上せしめ、太陽電池に適用すれ
ば、変換効率は向上する等、産業上に貢献するところが
犬である。
Ｓｉ基板上にＸ線半値幅の小さい、すなわち転移の少な
いＧａＡｓ薄膜結晶が短時間で生産することができると
いう極めて優れた効果が得られる。このよう々ＧａＡｓ
薄膜結晶はＦＥＴ −？ ＨＥＭＴ等の電子デバイスに
適用すれは電子移動度を向上させ、レーザや発光ダイオ
ードでは、発光効率を向上せしめ、太陽電池に適用すれ
ば、変換効率は向上する等、産業上に貢献するところが
犬である。
第１図（ａ１＋ （ｂ）は本発明による熱処理方法の一
実施例を説明する丸めの熱サイクル成長の工程図。 その応力変化を示す図、第２図（ａ） 、 Ｑ））は従
来の熱処理方法を説明するための熱サイクル成長の工程
図、その応力変化を示す図、第３図は従来の熱サイクル
成長によって形成された８１基板上のＧａＡｓ薄膜結晶
の断面図、第４図は本発明に係わる熱処理温度とＧａＡ
ｓ層のＸ線半値幅との関係を示す図、第５図（ａ） 、
（ｂ） 、 （Ｃ）はＧａＡｓ成長層を有するＳｉ基
板の反り状態を示す断面図、第６図は本発明に係わる熱
処理の時間依存性を示す図、第７図は本発明による熱処
理方法により形成されるＳｉ基板上のＧａＡｓ薄膜結晶
の断面図、第８図は本発明に係わる熱処理層の厚さ依存
性を示す図である。 １・・・・８１基板、２・・・・ＧａＡｓ薄膜結晶、２
２・・・・デバイス層、２４・・・・熱処理層。 特許出願人 日本電信電話株式会社
実施例を説明する丸めの熱サイクル成長の工程図。 その応力変化を示す図、第２図（ａ） 、 Ｑ））は従
来の熱処理方法を説明するための熱サイクル成長の工程
図、その応力変化を示す図、第３図は従来の熱サイクル
成長によって形成された８１基板上のＧａＡｓ薄膜結晶
の断面図、第４図は本発明に係わる熱処理温度とＧａＡ
ｓ層のＸ線半値幅との関係を示す図、第５図（ａ） 、
（ｂ） 、 （Ｃ）はＧａＡｓ成長層を有するＳｉ基
板の反り状態を示す断面図、第６図は本発明に係わる熱
処理の時間依存性を示す図、第７図は本発明による熱処
理方法により形成されるＳｉ基板上のＧａＡｓ薄膜結晶
の断面図、第８図は本発明に係わる熱処理層の厚さ依存
性を示す図である。 １・・・・８１基板、２・・・・ＧａＡｓ薄膜結晶、２
２・・・・デバイス層、２４・・・・熱処理層。 特許出願人 日本電信電話株式会社
Claims (1)
- Ｓｉ基板上にIII−Ｖ化合物半導体からなるエピタキ
シャル成長層を形成した後、加熱工程と冷却工程とから
なる処理を少なくとも１回繰返すことにより前記エピタ
キシャル成長層を熱処理する方法であつて前記加熱工程
における最高温度は少なくとも前記エピタキシャル成長
層の成長温度よりも高い温度であつてかつ前記最高温度
の維持時間は３分乃至７分間であり、前記冷却工程にお
いては少なくとも３００℃まで冷却することを特徴とし
た熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7339888A JPH01246818A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7339888A JPH01246818A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01246818A true JPH01246818A (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=13517051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7339888A Pending JPH01246818A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01246818A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5252173A (en) * | 1990-11-28 | 1993-10-12 | Fujitsu Limited | Process for growing semiconductor layer on substrate |
-
1988
- 1988-03-29 JP JP7339888A patent/JPH01246818A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5252173A (en) * | 1990-11-28 | 1993-10-12 | Fujitsu Limited | Process for growing semiconductor layer on substrate |
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