JPH01245587A - フレキシブルプリント基板の製造法 - Google Patents
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明は、フレキシブルプリント基板の製造法に係り、
詳しくはポリイミド系樹脂を導体上に直接塗工してフレ
キシブルプリント基板を製造する方法に関する。
詳しくはポリイミド系樹脂を導体上に直接塗工してフレ
キシブルプリント基板を製造する方法に関する。
[従来の技術]
従来、フレキシブルプリント基板は、エポキシ樹脂やウ
レタン樹脂等の接着剤を用いてポリイミドフィルムを導
体上に貼り合せることにより製造されている。
レタン樹脂等の接着剤を用いてポリイミドフィルムを導
体上に貼り合せることにより製造されている。
ポリイミドフィルムそれ自体は優れた耐熱性を有するか
、接着剤の耐熱性が劣り、ハンダで高温に加熱した際に
/S)りれや剥がれを生じたり、必るいは、回路の難燃
性を低下させるという問題がめった。
、接着剤の耐熱性が劣り、ハンダで高温に加熱した際に
/S)りれや剥がれを生じたり、必るいは、回路の難燃
性を低下させるという問題がめった。
また、高温に加熱する際に寸法が変化したり、回路にI
Jロエする際に使用される種々の薬品により接着剤かお
かされてその接着力か低下するというような問題もあっ
た。
Jロエする際に使用される種々の薬品により接着剤かお
かされてその接着力か低下するというような問題もあっ
た。
一方、ポリイミド系前駆体樹脂溶液を導体上に直接塗イ
HシTフレキシブルプリント基板を製造する方法として
は、塗i5シて硬化させIC後に導体と樹脂の熱膨張係
数の差にJ二り生じるカールを矯正する方法(特開昭5
6−23.791号公報等)や、低熱膨張性樹脂を塗布
してカールを防止する方法(特開昭60−243.12
0号公報等)が提案されているか、いずれの方法も充分
ではなかった。
HシTフレキシブルプリント基板を製造する方法として
は、塗i5シて硬化させIC後に導体と樹脂の熱膨張係
数の差にJ二り生じるカールを矯正する方法(特開昭5
6−23.791号公報等)や、低熱膨張性樹脂を塗布
してカールを防止する方法(特開昭60−243.12
0号公報等)が提案されているか、いずれの方法も充分
ではなかった。
[発明が解決しようとする課題J
そこで、本発明者はこのような問題を解決するために鋭
意研究を行い、硬化反応を進める面に一定量以」−の溶
剤をある範囲の温度で乾燥することにより、カールのな
いフレキシブルプリント基板を製造し得ることを見出し
、本発明に到達した。
意研究を行い、硬化反応を進める面に一定量以」−の溶
剤をある範囲の温度で乾燥することにより、カールのな
いフレキシブルプリント基板を製造し得ることを見出し
、本発明に到達した。
従って、本発明の目的は、ポリイミド系前駆体樹脂溶液
を導体上に直接塗工する際に、カールかなくて作業性に
優れており、連続的に製造することかできる工業的に優
れたフレキシブルプリント基板の製造法を提供すること
におる。
を導体上に直接塗工する際に、カールかなくて作業性に
優れており、連続的に製造することかできる工業的に優
れたフレキシブルプリント基板の製造法を提供すること
におる。
[課mを解決するための手段]
すなわち、本発明は、ポリイミド系前駆体樹脂溶液を導
体上に直接塗布した後、乾燥し硬化させてフレキシブル
プリント基板を製造するに際し、乾燥温度150℃以下
の条件で溶媒量が樹脂100重量部に対し50重量部以
下になるまで乾燥させた後、硬化させるフレキシブルプ
リント基板の製造法で必る。
体上に直接塗布した後、乾燥し硬化させてフレキシブル
プリント基板を製造するに際し、乾燥温度150℃以下
の条件で溶媒量が樹脂100重量部に対し50重量部以
下になるまで乾燥させた後、硬化させるフレキシブルプ
リント基板の製造法で必る。
本発明において、ポリイミド系前駆体樹脂としては、ポ
リイミド前駆体樹脂、ポリアミドイミド前駆体樹脂、ポ
リイミドエステル前駆体樹脂等を挙げることかでき、好
ましくは下記一般式(1)(但し、式中旧〜R8は水素
、ハロゲン、低級アルコキシ基、低級アルキル基のいず
れかでおり、そのうちの少なくとも1つは低級アルコキ
シ基である)で示される構成単位を有するポリアミドイ
ミド前駆体樹脂Cあり、又は、一般式(2)で示される
構成単位を有するポリイミド前駆体樹脂である。
リイミド前駆体樹脂、ポリアミドイミド前駆体樹脂、ポ
リイミドエステル前駆体樹脂等を挙げることかでき、好
ましくは下記一般式(1)(但し、式中旧〜R8は水素
、ハロゲン、低級アルコキシ基、低級アルキル基のいず
れかでおり、そのうちの少なくとも1つは低級アルコキ
シ基である)で示される構成単位を有するポリアミドイ
ミド前駆体樹脂Cあり、又は、一般式(2)で示される
構成単位を有するポリイミド前駆体樹脂である。
一般式(1)のポリアミド樹脂前駆体は、無水ピロメリ
ット酸と下記一般式(3) (但し、式中R1〜R8は上記の場合と同じで必る)で
示されるジアミノベンズ7ニリド誘導体とを反応させて
得られる。
ット酸と下記一般式(3) (但し、式中R1〜R8は上記の場合と同じで必る)で
示されるジアミノベンズ7ニリド誘導体とを反応させて
得られる。
ジアミノベンズアニリド誘導体としては、置換基として
少なくとも1個の低級アルコキシ基を有する必要がおる
。ここでいう低級とは炭素数10以下のことであり、炭
素数が10を越えると耐熱性か低tし好ましくない。低
級アルコキシ基としては、好ましくはメトキシ基又はエ
トキシ基であり、吸水性の改善という観点から、より好
ましくはアルコキシ基がアミド結合のオルト位に存在す
ることである。さらに好ましくは、安価で必るとで示さ
れる2°−メトキシ−4,4°−ジアミノベンズア二リ
ドである。
少なくとも1個の低級アルコキシ基を有する必要がおる
。ここでいう低級とは炭素数10以下のことであり、炭
素数が10を越えると耐熱性か低tし好ましくない。低
級アルコキシ基としては、好ましくはメトキシ基又はエ
トキシ基であり、吸水性の改善という観点から、より好
ましくはアルコキシ基がアミド結合のオルト位に存在す
ることである。さらに好ましくは、安価で必るとで示さ
れる2°−メトキシ−4,4°−ジアミノベンズア二リ
ドである。
一般式(2)のポリイミド前駆体樹脂は、ビフェニルテ
トラカルボン酸無水物とパラフェニレンジアミンとを反
応させて得られる。
トラカルボン酸無水物とパラフェニレンジアミンとを反
応させて得られる。
このようなポリイミド系前駆体樹脂の合成反応は、−船
釣にはN−メチルピロリドン(N)fP)、ジメチルホ
ルムアミド(DMF)、ジメチルアセトアミド(DHA
c )のアミド系溶媒、ジメチルスルフォキサイド(0
880) 、硫酸ジメチル、スルホラン、ブヂロラクト
ン、クレゾール、フェノール、ハロゲン化フェノール、
シクロヘキサノン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、
ダイグライム等の溶媒中で、反応温度O〜200℃、好
ましくは0〜100℃の範囲で行われる。これらの溶媒
中に上記一般式に対応するジアミン化合物及び酸無水物
化合物をほぼ等モル混合することにより、前記ポリイミ
ド系樹脂の前駆体溶液が得られる。
釣にはN−メチルピロリドン(N)fP)、ジメチルホ
ルムアミド(DMF)、ジメチルアセトアミド(DHA
c )のアミド系溶媒、ジメチルスルフォキサイド(0
880) 、硫酸ジメチル、スルホラン、ブヂロラクト
ン、クレゾール、フェノール、ハロゲン化フェノール、
シクロヘキサノン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、
ダイグライム等の溶媒中で、反応温度O〜200℃、好
ましくは0〜100℃の範囲で行われる。これらの溶媒
中に上記一般式に対応するジアミン化合物及び酸無水物
化合物をほぼ等モル混合することにより、前記ポリイミ
ド系樹脂の前駆体溶液が得られる。
本発明においては、上記一般式(1)あるいは一般式(
2)の構造単位を少なくとも30モル%以上、好ましく
は50モル%以上含むことが必要である。30モル%未
満であると樹脂の熱膨張係数が大きくなり、フレキシブ
ルプリント基板が大ぎくカールし、実用化が困難になる
。
2)の構造単位を少なくとも30モル%以上、好ましく
は50モル%以上含むことが必要である。30モル%未
満であると樹脂の熱膨張係数が大きくなり、フレキシブ
ルプリント基板が大ぎくカールし、実用化が困難になる
。
さらに、本発明において、その他の成分を併用使用する
ことにより、線膨張係数等の物性を調整することができ
る。
ことにより、線膨張係数等の物性を調整することができ
る。
その他の成分については、種々のジアミン、テトラカル
ボン酸、トリカルボン酸又はこれらの酸無水物等の誘導
体を用いてコポリマリピージョンし、又は、別途合成し
て(qられたポリイミド又はその前駆体及びポリアミド
イミド等をブレンドすることができる。
ボン酸、トリカルボン酸又はこれらの酸無水物等の誘導
体を用いてコポリマリピージョンし、又は、別途合成し
て(qられたポリイミド又はその前駆体及びポリアミド
イミド等をブレンドすることができる。
具体的に例を挙げると、p−フェニレンジアミン、■−
7エニレンジアミン、3,4°−ジアミノジフェニルエ
ーテル、4,4゛−ジアミノジフェニルエーテル、4.
4°−ジアミノジフェニルメタン、3,3“−ジメチル
−4,4゛−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ヒス
[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、
1.2−ビス(アニリノ)エタン、ジアミノジフェニル
スルホン、ジアミノベンズアニリド、ジアミノベンゾエ
ート、ジアミノジフェニルスルフィド、2.2−ビス(
叶アミノフェニル)プロパン、2.2−ビス(叶アミノ
フェニル)へキサフルオロプロパン、1.5−ジアミノ
ナフタレン、ジアミノトルエン、ジアミノベンシトリフ
ルオライド、1,4−ビス(p−アミノフェノキシ)ベ
ンゼン、4,4°−どス(p−アミノフェノキシ)ビフ
ェニル、ジアミノアントラキノン、4,4′−ビス(3
−アミノフェノキシフェニル)ジフェニルスルホン、1
,3−ビス(アニリノ)ヘキサフルオロプロパン、1,
4−ビス(アニリノ)オクタフルオロブタン、1,5−
ビス(アニリノ)デカフルオロペンタン、1,7−ヒス
(アニリノ)テトラカルボン酸 %式% (但し、式中旧()及び旧2は2価のff機基金示し、
R9及び旧1は1価の有機基を示し、p及びqは1より
大きい整数を示す)で表されるジアミノシロキサン、2
,2−ビス[4−(p−アミノフェノキシ)フェニル]
ヘキサフルオロプロパン、2.2−ビス[4−(3−ア
ミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス[4〜(2−アミノフェノキシ)フェニル
]へキサフルオロプロパン、2,2−ヒス[4−(4−
7ミノフエノキシ)−3,5−ジメチルフェニル1へキ
サフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノ
フェノキシ)−3,5−ジトリフルオロメチルフェニル
]ヘキサフルオロプロパン、叶ビス(4−アミノ−2−
トリフルオロメチルフェノキシ)ベンゼン、4,4°−
ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ
)どフェニル、4,4−ビス(4−アミノ−3−トリフ
ルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、4,4−ビス(
4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)ジフ
ェニルスルホン、4.4°−ビス(3−アミノ−5−ト
リ゛ノルオロメチルフエノキシ)ジフェニルスルフォン
、2,2−ビス[4−(4−アミノ−3−トリフルオロ
メチルフェノキシ)フェニル]へキサフルオロプロパン
、ベンジジン、3.3’、5,5°−テトラメチルベン
ジジン、オクタフルオロベンジジン、3,3゛−ジメト
キシベンジジン、〇−トリジン、m−トリジン、2,2
°、5.5’、6.6’−へキサフルオロトリジン、4
.4”−ジアミノターフェニル、4,4°゛°−シアミ
ックを一ターフェニル等のジアミン類、及びこれらのジ
アミンとホスゲン等の反応によって得られるジイソシア
ナート類がある。
7エニレンジアミン、3,4°−ジアミノジフェニルエ
ーテル、4,4゛−ジアミノジフェニルエーテル、4.
4°−ジアミノジフェニルメタン、3,3“−ジメチル
−4,4゛−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ヒス
[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、
1.2−ビス(アニリノ)エタン、ジアミノジフェニル
スルホン、ジアミノベンズアニリド、ジアミノベンゾエ
ート、ジアミノジフェニルスルフィド、2.2−ビス(
叶アミノフェニル)プロパン、2.2−ビス(叶アミノ
フェニル)へキサフルオロプロパン、1.5−ジアミノ
ナフタレン、ジアミノトルエン、ジアミノベンシトリフ
ルオライド、1,4−ビス(p−アミノフェノキシ)ベ
ンゼン、4,4°−どス(p−アミノフェノキシ)ビフ
ェニル、ジアミノアントラキノン、4,4′−ビス(3
−アミノフェノキシフェニル)ジフェニルスルホン、1
,3−ビス(アニリノ)ヘキサフルオロプロパン、1,
4−ビス(アニリノ)オクタフルオロブタン、1,5−
ビス(アニリノ)デカフルオロペンタン、1,7−ヒス
(アニリノ)テトラカルボン酸 %式% (但し、式中旧()及び旧2は2価のff機基金示し、
R9及び旧1は1価の有機基を示し、p及びqは1より
大きい整数を示す)で表されるジアミノシロキサン、2
,2−ビス[4−(p−アミノフェノキシ)フェニル]
ヘキサフルオロプロパン、2.2−ビス[4−(3−ア
ミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス[4〜(2−アミノフェノキシ)フェニル
]へキサフルオロプロパン、2,2−ヒス[4−(4−
7ミノフエノキシ)−3,5−ジメチルフェニル1へキ
サフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノ
フェノキシ)−3,5−ジトリフルオロメチルフェニル
]ヘキサフルオロプロパン、叶ビス(4−アミノ−2−
トリフルオロメチルフェノキシ)ベンゼン、4,4°−
ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ
)どフェニル、4,4−ビス(4−アミノ−3−トリフ
ルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、4,4−ビス(
4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)ジフ
ェニルスルホン、4.4°−ビス(3−アミノ−5−ト
リ゛ノルオロメチルフエノキシ)ジフェニルスルフォン
、2,2−ビス[4−(4−アミノ−3−トリフルオロ
メチルフェノキシ)フェニル]へキサフルオロプロパン
、ベンジジン、3.3’、5,5°−テトラメチルベン
ジジン、オクタフルオロベンジジン、3,3゛−ジメト
キシベンジジン、〇−トリジン、m−トリジン、2,2
°、5.5’、6.6’−へキサフルオロトリジン、4
.4”−ジアミノターフェニル、4,4°゛°−シアミ
ックを一ターフェニル等のジアミン類、及びこれらのジ
アミンとホスゲン等の反応によって得られるジイソシア
ナート類がある。
また、テトラカルボンM並ひにその誘導イ水としては次
のようなものが挙げられる。なお、ここではテトラカル
ボン酸として例示するが、これらのエステル化物、酸無
水物、酸ハロゲン化物も勿論使用できる。ピロメリット
酸、3.3’、4.4’−ビフェニルテトラカルボン酸
、3,3°、4,4°−ベンゾフェノンテトラカルホン
酸、3,3°、4,4°−ジフェニルスルホンテトラカ
ルボン酸、2,3,3°、4°−ジフェニルエーテルテ
トラカルボン酸、2,3,3°、4°−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸、2,3,6.7−ナフタレンテトラ
カルボン酸、1,4,5.7−ナフタレンテトラカルボ
ン酸、1,2,5.6−ナフタレンテトラカルボン酸、
3゜3°、4.4’−ジフェニルメタンテトラカルホン
2−ビス(3.4−ジカルボキシフェニル)プロパン、
2、2−ビス(3.4−ジカルボキシフェニルルオロプ
ロパン、3,4,9.10−テトラカルボキシペリレン
、2,2−ビス[/l−(3.1−ジカルボキシフェノ
キシ)フェニル]プロパン、2,2−ヒス[、i− (
3.4−ジカルボキシフェノキシ)フエニJレコヘキサ
フJレオロプロパン、ブタンテトラカルボン酸、シクロ
ペンタンテトラカルボン酸等があり、また、トリメリッ
ト酸及びその誘導体も挙げることができる。
のようなものが挙げられる。なお、ここではテトラカル
ボン酸として例示するが、これらのエステル化物、酸無
水物、酸ハロゲン化物も勿論使用できる。ピロメリット
酸、3.3’、4.4’−ビフェニルテトラカルボン酸
、3,3°、4,4°−ベンゾフェノンテトラカルホン
酸、3,3°、4,4°−ジフェニルスルホンテトラカ
ルボン酸、2,3,3°、4°−ジフェニルエーテルテ
トラカルボン酸、2,3,3°、4°−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸、2,3,6.7−ナフタレンテトラ
カルボン酸、1,4,5.7−ナフタレンテトラカルボ
ン酸、1,2,5.6−ナフタレンテトラカルボン酸、
3゜3°、4.4’−ジフェニルメタンテトラカルホン
2−ビス(3.4−ジカルボキシフェニル)プロパン、
2、2−ビス(3.4−ジカルボキシフェニルルオロプ
ロパン、3,4,9.10−テトラカルボキシペリレン
、2,2−ビス[/l−(3.1−ジカルボキシフェノ
キシ)フェニル]プロパン、2,2−ヒス[、i− (
3.4−ジカルボキシフェノキシ)フエニJレコヘキサ
フJレオロプロパン、ブタンテトラカルボン酸、シクロ
ペンタンテトラカルボン酸等があり、また、トリメリッ
ト酸及びその誘導体も挙げることができる。
また、反応性官能基を有する化合物で変性し、架橋構造
やラダー構造を導入することもできる。
やラダー構造を導入することもできる。
例えば、次のような方法がある。
■ 下記一般式で表される化合物で変性することによっ
て、ピロロン環やイソインドロキナゾリンジオン環等を
導入する。
て、ピロロン環やイソインドロキナゾリンジオン環等を
導入する。
(但し、式中旧3は2+z価(lは1又は2で必る)の
芳香族有機基を示し、8は一NH2基、−CONll
基又は−30,、 N02塁から選択された置換基で
あってアミノ基に対しオルト位である〕■ 重合性不飽
和結合を有するアミン、ジアミン、ジカルボン酸、トリ
カルボン酸、テトラカルボン酸の誘導体で変性して、硬
化時に橋かけ構造を形成する。不飽和化合物としては、
マレイン酸、ナジック酸、テトラヒドロフタル酸、エチ
ニルアニリン等が使用できる。
芳香族有機基を示し、8は一NH2基、−CONll
基又は−30,、 N02塁から選択された置換基で
あってアミノ基に対しオルト位である〕■ 重合性不飽
和結合を有するアミン、ジアミン、ジカルボン酸、トリ
カルボン酸、テトラカルボン酸の誘導体で変性して、硬
化時に橋かけ構造を形成する。不飽和化合物としては、
マレイン酸、ナジック酸、テトラヒドロフタル酸、エチ
ニルアニリン等が使用できる。
■ フェノール性水酸基あるいはカルホン酸を有する芳
@族アミンで変性し、この水11又はカルホキシル基と
反応し得る橋かけ剤を用いて網目構造を形成する。
@族アミンで変性し、この水11又はカルホキシル基と
反応し得る橋かけ剤を用いて網目構造を形成する。
本発明のポリイミド系樹脂は、このような前記各成分を
用いて変性することにより、その線膨脹係数を調整する
ことができる。すなわち、一般式(1)又は(2)の構
造のみからなるポリイミド系樹脂は、面内に1 X 1
0’(1/K)以下の線膨脹係数を有する絶縁体を形成
可能であるが、これを前記各成分を使用して変性プるこ
とにより、線膨脹係数を任意に大きくすることができる
。
用いて変性することにより、その線膨脹係数を調整する
ことができる。すなわち、一般式(1)又は(2)の構
造のみからなるポリイミド系樹脂は、面内に1 X 1
0’(1/K)以下の線膨脹係数を有する絶縁体を形成
可能であるが、これを前記各成分を使用して変性プるこ
とにより、線膨脹係数を任意に大きくすることができる
。
また、接着性、耐折曲げ性等の諸物性をさらに向上させ
る目的で変性することも可能である。
る目的で変性することも可能である。
本発明では、このようなポリイミド系前駆体樹脂溶液を
直接導体上に塗布するわけで必るか、塗イ6方法として
は任意の方法が可能でおり、例えばバーコード方式、グ
ラビアコート方式、ロールコート方式、ダイコート方式
等が挙げられる。樹脂溶液に泡が巻き込まれないことか
らダイコート方式が好ましい。
直接導体上に塗布するわけで必るか、塗イ6方法として
は任意の方法が可能でおり、例えばバーコード方式、グ
ラビアコート方式、ロールコート方式、ダイコート方式
等が挙げられる。樹脂溶液に泡が巻き込まれないことか
らダイコート方式が好ましい。
乾燥工程では、乾燥温度150’C以下、好ましくは1
20〜140℃の条件で行う必要がおる。
20〜140℃の条件で行う必要がおる。
乾燥温度が150℃を越えると低熱膨張化が困難であり
、120℃未満の乾燥温度では蒸発速度が遅く、実用化
が困難である。乾燥は多段の温度で行ってもよい。
、120℃未満の乾燥温度では蒸発速度が遅く、実用化
が困難である。乾燥は多段の温度で行ってもよい。
この乾燥工程では、溶媒量がポリイミド系前駆体樹脂1
00重量部に対して50重量部以下、好ましくは30重
量部以下になるまで乾燥する必要かある。50重量部を
越える溶媒が存在する状態で硬化させると低熱膨張化が
困難である。
00重量部に対して50重量部以下、好ましくは30重
量部以下になるまで乾燥する必要かある。50重量部を
越える溶媒が存在する状態で硬化させると低熱膨張化が
困難である。
ここでいう硬化とは、イミド化反応を強制的に進めて樹
脂の硬化を促す工程をいう。このイミド化反応は、通常
150’Cを越える温度、特に160℃を越える温度で
速やかに進行する。
脂の硬化を促す工程をいう。このイミド化反応は、通常
150’Cを越える温度、特に160℃を越える温度で
速やかに進行する。
このように一定量以上の溶媒を蒸発ざじた後、150℃
を越える温度で硬化を行うわけであるか、イミド化反応
を充分行うために最高硬化温度は250℃以上、好まし
くは300’C以上で必る。この硬化工程において、温
度を急激に上昇させると樹脂の発泡か起る虞があるので
、多段階熱処理若しくは連続昇温熱処理を行うのが好ま
しい。
を越える温度で硬化を行うわけであるか、イミド化反応
を充分行うために最高硬化温度は250℃以上、好まし
くは300’C以上で必る。この硬化工程において、温
度を急激に上昇させると樹脂の発泡か起る虞があるので
、多段階熱処理若しくは連続昇温熱処理を行うのが好ま
しい。
このような乾燥工程、硬化工程は任意のプロセスを採用
覆ることができるが、これらの処理工程中においては樹
脂層の収縮による応力に負けずに基板を平坦に維持する
必要かあり、連続熱’lia浬を行う場合においてエツ
ジの持ち上がりを防止するために、上下のノズルからの
風圧で基板を波状にして保持するエアーサポート方式が
好ましい。加熱雰囲気としては空気や、窒素、炭素ガス
、アルゴン等の不活性ガス等のいずれも選択可能で必る
。
覆ることができるが、これらの処理工程中においては樹
脂層の収縮による応力に負けずに基板を平坦に維持する
必要かあり、連続熱’lia浬を行う場合においてエツ
ジの持ち上がりを防止するために、上下のノズルからの
風圧で基板を波状にして保持するエアーサポート方式が
好ましい。加熱雰囲気としては空気や、窒素、炭素ガス
、アルゴン等の不活性ガス等のいずれも選択可能で必る
。
本発明によるフレキシブルプリント基板に用いられる導
体としては、銅、アルミニウム、鉄、銀、パラジウム、
ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン又はその
合金等が挙げられる。好ましくは銅である。また、導体
は、その接着力の向上を目的として、サイデイング、ニ
ッケルメッキ、銅−亜鉛合金メツキ、あるいは、アルミ
ニウムアルコラード、アルミニウムキレート、シランカ
ップリング剤、好接着性樹脂によるアンカーコーティン
グ等の化学的、機械的な表面処理が施されてもよい。
体としては、銅、アルミニウム、鉄、銀、パラジウム、
ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン又はその
合金等が挙げられる。好ましくは銅である。また、導体
は、その接着力の向上を目的として、サイデイング、ニ
ッケルメッキ、銅−亜鉛合金メツキ、あるいは、アルミ
ニウムアルコラード、アルミニウムキレート、シランカ
ップリング剤、好接着性樹脂によるアンカーコーティン
グ等の化学的、機械的な表面処理が施されてもよい。
[実施例]
以下、実施例及び比較例に塁いて、本発明を具体的に説
明するが、本発明がこれに限定されないことは勿論であ
る。
明するが、本発明がこれに限定されないことは勿論であ
る。
熱膨張係数は、銅箔上にポリイミド系前駆体樹脂溶液を
塗布し、乾燥し、次いで最高熱処理温度350℃でイミ
ド化反応を充分終了させた試料を用い、銅を塩化第二鉄
溶液でエツチングし、得られたフィルムをザーマルメ力
ニカルアナライザー(TMA)により、250’Cに昇
温後10℃/minで冷却して240℃から100℃ま
での平均の線膨張率を締出して求めた。
塗布し、乾燥し、次いで最高熱処理温度350℃でイミ
ド化反応を充分終了させた試料を用い、銅を塩化第二鉄
溶液でエツチングし、得られたフィルムをザーマルメ力
ニカルアナライザー(TMA)により、250’Cに昇
温後10℃/minで冷却して240℃から100℃ま
での平均の線膨張率を締出して求めた。
塗工は、耐熱粘着テープを用いて20cm角のSUS製
枠に厚さ35/fflの市販の電解銅箔(日本鉱業il
l製J工C)を貼りつけ、アプリケーターを用いて固形
分最15重畢%の樹脂溶液を銅箔の粗面上に塗工した。
枠に厚さ35/fflの市販の電解銅箔(日本鉱業il
l製J工C)を貼りつけ、アプリケーターを用いて固形
分最15重畢%の樹脂溶液を銅箔の粗面上に塗工した。
乾燥後の溶媒残存量は、以下の式により求めた。
((C−A)÷0.15(B−A) −1) X 10
0(但し、△は塗工前の枠と銅箔の重さであり、Bは塗
工後の枠と銅箔の重さであり、また、Cは乾燥後の枠と
銅箔の巾ざである。) また、各実施例及び比較例における略号は以下の通りで
ある。
0(但し、△は塗工前の枠と銅箔の重さであり、Bは塗
工後の枠と銅箔の重さであり、また、Cは乾燥後の枠と
銅箔の巾ざである。) また、各実施例及び比較例における略号は以下の通りで
ある。
PH1八:ピロメリット酸二無水物
BPI)八:3,3°、4,4“−′ビフェニルテトラ
カルシボン酸二無水物 DDE : 4.4’−ジアミノジフエニルニ1−
チルPPD :パラフエニレンジアミン HABA: 2°−メ1−キシー4,4゛−ジアミノ
ベンズアニリド DH八へニジメチルアセトアミド 合成例1 温度計、攪拌機及び窒素取込口を備えた内容積35.1
1の反応槽に毎分1gの窒素を流しながら、HへBA9
44.Og、DDE601.19及びDHAc 17K
gを仕込み、攪拌下に溶解させ、反応系をジャケットの
冷水で15℃以下に冷却しなからP)IOA 1454
.9gを徐々に加えて反応させたところ、発熱しながら
重合反応が進行し、B型粘度計で12万cpsの粘稠な
ポリアミドイミド前駆体樹脂溶液(固形分濃度15重量
%)が得られた。
カルシボン酸二無水物 DDE : 4.4’−ジアミノジフエニルニ1−
チルPPD :パラフエニレンジアミン HABA: 2°−メ1−キシー4,4゛−ジアミノ
ベンズアニリド DH八へニジメチルアセトアミド 合成例1 温度計、攪拌機及び窒素取込口を備えた内容積35.1
1の反応槽に毎分1gの窒素を流しながら、HへBA9
44.Og、DDE601.19及びDHAc 17K
gを仕込み、攪拌下に溶解させ、反応系をジャケットの
冷水で15℃以下に冷却しなからP)IOA 1454
.9gを徐々に加えて反応させたところ、発熱しながら
重合反応が進行し、B型粘度計で12万cpsの粘稠な
ポリアミドイミド前駆体樹脂溶液(固形分濃度15重量
%)が得られた。
合成例2
DDE 146.19. PPD 709.1 !7及
びBPDA2144、iをDHAC17Kg中で上記合
成例1と同様にして反応させ、B型粘度計で10万cp
sのポリイミド前駆体樹脂溶液(固形分濃度15%)を
得た。
びBPDA2144、iをDHAC17Kg中で上記合
成例1と同様にして反応させ、B型粘度計で10万cp
sのポリイミド前駆体樹脂溶液(固形分濃度15%)を
得た。
実施例1
電解銅箔の粗面上に合成例1の樹脂溶液を、最終の樹脂
層の厚みが25虜となるように、コーティングし、循環
式熱風オーブン中で130℃で10分間乾燥した。この
ときの溶媒残存率は22重量%でめった。これをさらに
165℃で2分、2oo’cで2分、250℃で2分、
300℃で2分、及び、350℃で2分順次熱処理して
硬化させた。
層の厚みが25虜となるように、コーティングし、循環
式熱風オーブン中で130℃で10分間乾燥した。この
ときの溶媒残存率は22重量%でめった。これをさらに
165℃で2分、2oo’cで2分、250℃で2分、
300℃で2分、及び、350℃で2分順次熱処理して
硬化させた。
得られたフレキシブルプリント塞板は、カールがなくて
平らであり、エツッチング後のフィルムの熱膨張係数は
8 X 1O−6(1/K)であった。
平らであり、エツッチング後のフィルムの熱膨張係数は
8 X 1O−6(1/K)であった。
比較例1
乾燥条件を155℃で10分間とした以外は上記実施例
1と同様にしてフレキシブルプリント基板を作製した。
1と同様にしてフレキシブルプリント基板を作製した。
得られたフレキシブルプリント基板は、樹脂図を内側に
曲率半径30mmで大きくカールした。フィルムの熱膨
張係数は18X 10’(1/K)でおった。
曲率半径30mmで大きくカールした。フィルムの熱膨
張係数は18X 10’(1/K)でおった。
実施例2〜10及び比較例2及び3
合成例1で1qられたポリイミド系前駆体樹脂溶液を使
用し、第1表に示す乾燥条件で第1表に示す溶媒残存率
まで乾燥し、実施例1と同様にしてフレキシブルプリン
ト基板を作製した。得られたフレキシブルプリント基板
について、実施例1と同様に、そのカールの状態及び熱
膨張係数を調べた。結果を第1表に示す。
用し、第1表に示す乾燥条件で第1表に示す溶媒残存率
まで乾燥し、実施例1と同様にしてフレキシブルプリン
ト基板を作製した。得られたフレキシブルプリント基板
について、実施例1と同様に、そのカールの状態及び熱
膨張係数を調べた。結果を第1表に示す。
実施例11〜18及び比較例4〜6
合成例2で得られたポリイミド系前駆体樹脂溶液を使用
し、第1表に示す乾燥条件で第1表に示す溶媒残存率ま
で乾燥し、実施例1と同様にしてフレキシブルプリント
基板を作製した。得られたフレキシブルプリント基板に
ついて、実施例1と同様に、そのカールの状態及び熱膨
張係数を調べた。結果を第1表に示す。
し、第1表に示す乾燥条件で第1表に示す溶媒残存率ま
で乾燥し、実施例1と同様にしてフレキシブルプリント
基板を作製した。得られたフレキシブルプリント基板に
ついて、実施例1と同様に、そのカールの状態及び熱膨
張係数を調べた。結果を第1表に示す。
第1表
実施例19及び20
合成例1又は2で1qられたポリイミド系前駆体樹脂溶
液を使用し、幅540mmの電解銅箔上にダイ方式で最
終樹脂層の厚みが25Inlとなるように連続的に塗工
し、続いて長さ6Tn、のエアーサポート方式のドライ
ヤーを使用し、ラインスピード0゜6Tn、の速度で送
りながら連続的に乾燥した。
液を使用し、幅540mmの電解銅箔上にダイ方式で最
終樹脂層の厚みが25Inlとなるように連続的に塗工
し、続いて長さ6Tn、のエアーサポート方式のドライ
ヤーを使用し、ラインスピード0゜6Tn、の速度で送
りながら連続的に乾燥した。
この乾燥工程中、銅箔エツジの持ち上がりがなくて円滑
に走行した。さらに、同じドライヤーを165℃から3
50℃まで昇温さけ、実施例1と同じ処理条件で1映次
熱処理して硬化を行なった。
に走行した。さらに、同じドライヤーを165℃から3
50℃まで昇温さけ、実施例1と同じ処理条件で1映次
熱処理して硬化を行なった。
得られたフレキシブルプリント基板はカールがなくてほ
ぼ平らなものでめった。
ぼ平らなものでめった。
[発明の効果]
本発明方法によれば、カールのない作業性に優れたフレ
キシブルプリント基板を容易に製造することかできる。
キシブルプリント基板を容易に製造することかできる。
特許出願人 新日鐵化学株式会社
Claims (5)
- (1)ポリイミド系前駆体樹脂溶液を導体上に直接塗布
した後、乾燥し硬化させてフレキシブルプリント基板を
製造するに際し、乾燥温度150℃以下の条件で溶媒量
が樹脂100重量部に対し50重量部以下になるまで乾
燥させた後、硬化させることを特徴とするフレキシブル
プリント基板の製造法。 - (2)乾燥温度120〜140℃の条件で溶媒量が樹脂
100重量部に対し30重量部以下になるまで乾燥させ
る請求項1記載のフレキシブルプリント基板の製造法。 - (3)ポリイミド系前駆体樹脂が下記一般式(1)▲数
式、化学式、表等があります▼ (但し、式中R1〜R8は水素、ハロゲン、低級アルコ
キシ基、低級アルキル基のいずれかであり、そのうちの
少なくとも1つは低級アルコキシ基である)で示される
構成単位を有するポリアミドイミド前駆体樹脂である請
求項1記載のフレキシブルプリント基板の製造法。 - (4)ポリイミド系前駆体樹脂が下記一般式(2)▲数
式、化学式、表等があります▼ で示される構成単位を有するポリイミド前駆体樹脂であ
る請求項1記載のフレキシブルプリント基板の製造法。 - (5)溶媒がアミド系溶媒である請求項1〜5のいずれ
かに記載のフレキシブルプリント基板の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63071821A JPH0760935B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | フレキシブルプリント基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63071821A JPH0760935B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | フレキシブルプリント基板の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01245587A true JPH01245587A (ja) | 1989-09-29 |
JPH0760935B2 JPH0760935B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=13471602
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63071821A Expired - Lifetime JPH0760935B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | フレキシブルプリント基板の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0760935B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5166292A (en) * | 1991-10-29 | 1992-11-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for preparing a polyimide film with a preselected value for CTE |
JP2006269558A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Nippon Steel Chem Co Ltd | フレキシブル積層基板の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49129862A (ja) * | 1973-04-20 | 1974-12-12 | ||
JPS58190092A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | 宇部興産株式会社 | フレキシブル配線基板の製造法 |
JPS58190093A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | 宇部興産株式会社 | フレキシブル配線基板の製法 |
-
1988
- 1988-03-28 JP JP63071821A patent/JPH0760935B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49129862A (ja) * | 1973-04-20 | 1974-12-12 | ||
JPS58190092A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | 宇部興産株式会社 | フレキシブル配線基板の製造法 |
JPS58190093A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | 宇部興産株式会社 | フレキシブル配線基板の製法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5166292A (en) * | 1991-10-29 | 1992-11-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for preparing a polyimide film with a preselected value for CTE |
JP2006269558A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Nippon Steel Chem Co Ltd | フレキシブル積層基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0760935B2 (ja) | 1995-06-28 |
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