JPH01245574A - ヘテロ接合磁気センサ - Google Patents
ヘテロ接合磁気センサInfo
- Publication number
- JPH01245574A JPH01245574A JP63073975A JP7397588A JPH01245574A JP H01245574 A JPH01245574 A JP H01245574A JP 63073975 A JP63073975 A JP 63073975A JP 7397588 A JP7397588 A JP 7397588A JP H01245574 A JPH01245574 A JP H01245574A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- quantum well
- mobility
- doped
- electric field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 29
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 21
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子・機械工業分野における各種の計測・制
御に用いられている磁気センサに関する。
御に用いられている磁気センサに関する。
従来、ヘテロ接合磁気センサは、不純物を含まないGa
As層を不純物を含まないAlGaAs層(スペーサ層
)に接合することにより、二次元電子ガス層(以下ZD
EG層という)が形成され、かつこのAlGaAs層に
n型不純物を含むAlGaAs層(キャリア供給層)を
接合するように構成されていた。
As層を不純物を含まないAlGaAs層(スペーサ層
)に接合することにより、二次元電子ガス層(以下ZD
EG層という)が形成され、かつこのAlGaAs層に
n型不純物を含むAlGaAs層(キャリア供給層)を
接合するように構成されていた。
しかし、上記のセンサでは、高電界を入力した場合にn
型AgGaAs層に余剰キャリアが生成して2DEG層
中に過剰にキャリアが満たされるため感度が飽和し、さ
らに、この余剰キャリアによって2DEC層と並列に電
気伝導に寄与することによって平均の移動度が低下する
等によって、高出力が得られないという問題点があった
。
型AgGaAs層に余剰キャリアが生成して2DEG層
中に過剰にキャリアが満たされるため感度が飽和し、さ
らに、この余剰キャリアによって2DEC層と並列に電
気伝導に寄与することによって平均の移動度が低下する
等によって、高出力が得られないという問題点があった
。
本発明は上記点に鑑み、高電界駆動でも、感度が飽和せ
ず高出力が得られる磁気センサを提供することを目的と
してなされたものである。
ず高出力が得られる磁気センサを提供することを目的と
してなされたものである。
基本的な磁気センサであるホール素子の設計原理を考え
る。、長方形ホール素子において、入力電圧V i n
と出力電圧(ホール電圧)VHの関係は、V i nが
十分小さい場合、次式で表される。
る。、長方形ホール素子において、入力電圧V i n
と出力電圧(ホール電圧)VHの関係は、V i nが
十分小さい場合、次式で表される。
Vll−(W#り ・μm。・B・■1 ・・・・・
・・・・(1)ここで2及びWは、素子の長さと幅、μ
HOは、素子の低電界のホール移動度、Bは、磁束密度
である。
・・・・(1)ここで2及びWは、素子の長さと幅、μ
HOは、素子の低電界のホール移動度、Bは、磁束密度
である。
入力電圧が大きくなると、発生する熱と電界によるホー
ル移動度の低下を考慮する必要があり、最大ホール移動
度は次式で表される。
ル移動度の低下を考慮する必要があり、最大ホール移動
度は次式で表される。
V l(#、、: B−W・μイ・(2・h・ΔT・ρ
/ t、 )I/Z・・・・・・・・・(2) ここで、μ8.h、ρ、及びむは、素子の高電界ホール
移動度、熱伝達係数、比抵抗、及び厚さ、ΔTは素子と
周囲との温度差である。
/ t、 )I/Z・・・・・・・・・(2) ここで、μ8.h、ρ、及びむは、素子の高電界ホール
移動度、熱伝達係数、比抵抗、及び厚さ、ΔTは素子と
周囲との温度差である。
ここで、ρ/Lは素子の内部抵抗を表す項であるが、外
部回路との整合性から素子の内部抵抗は一定の範囲(数
十Ω〜数キロΩ)のものがよい。
部回路との整合性から素子の内部抵抗は一定の範囲(数
十Ω〜数キロΩ)のものがよい。
従って、ホール素子の高出力化には、この条件の下で、
高電界の移動度が大きいことが必要である。
高電界の移動度が大きいことが必要である。
そこで、本発明では、二次元電子ガス層を有するヘテロ
接合磁気センサにおいて、二次元電子ガス層のエネルギ
ー状態より大きいエネルギー状態を有する量子井戸構造
の半導体層を設けることにより、高電界においても感度
が飽和せず、かつ移動度の向上により高出力を得るとい
う技術手段を採用した。
接合磁気センサにおいて、二次元電子ガス層のエネルギ
ー状態より大きいエネルギー状態を有する量子井戸構造
の半導体層を設けることにより、高電界においても感度
が飽和せず、かつ移動度の向上により高出力を得るとい
う技術手段を採用した。
[作用]
エネルギー状態の低い2DEC層の他に、量子井戸構造
の半導体層を設けたので、高電界で生成される余剰キャ
リアが2DEG層に満たされるばかりでなく、量子井戸
構造の半導体層にも満たされるため、2DEG層が余剰
キャリアによって飽和することがなく、かつ余剰キャリ
アは2DEG層または量子井戸層に移り、移動度が向上
するため、ZDEG層と並列に電気伝導に寄与すること
による平均の移動度の低下を防止でき、高電界において
も高出力のへテロ接合磁気センサが得られる。
の半導体層を設けたので、高電界で生成される余剰キャ
リアが2DEG層に満たされるばかりでなく、量子井戸
構造の半導体層にも満たされるため、2DEG層が余剰
キャリアによって飽和することがなく、かつ余剰キャリ
アは2DEG層または量子井戸層に移り、移動度が向上
するため、ZDEG層と並列に電気伝導に寄与すること
による平均の移動度の低下を防止でき、高電界において
も高出力のへテロ接合磁気センサが得られる。
以下、本発明を図に示す実施例に基づいて詳細に説明す
る。
る。
第1図は、本発明を特にホール素子用として適用した場
合のその概略構成図を示す。この場合、バンドギャップ
の異なる2種類の半導体層4と5のへテロ接合部分には
、高移動度の二次元電子ガス層(以下2DEG層という
)6が形成される。
合のその概略構成図を示す。この場合、バンドギャップ
の異なる2種類の半導体層4と5のへテロ接合部分には
、高移動度の二次元電子ガス層(以下2DEG層という
)6が形成される。
半導体層5は、不純物をドープした半導体層5b(キャ
リア供給層)と、ドープしていない半導体層5a(スペ
ーサ層)からなり、かつ半導体層5aは量子井戸構造を
有する。なお、第1図において、2a、2bは、ホール
素子Hに電流を流すための電流端子、3aおよび3bは
、ホール素子Hに磁束密度Bの磁界を加えた時、発生す
るホール起電力V□を取り出すためのホール端子である
。
リア供給層)と、ドープしていない半導体層5a(スペ
ーサ層)からなり、かつ半導体層5aは量子井戸構造を
有する。なお、第1図において、2a、2bは、ホール
素子Hに電流を流すための電流端子、3aおよび3bは
、ホール素子Hに磁束密度Bの磁界を加えた時、発生す
るホール起電力V□を取り出すためのホール端子である
。
次に、上記のホール素子Hの具体的な構造、及びその製
造方法について説明する。
造方法について説明する。
第2図は第1実施例として、量子井戸構造へテロ接合半
導体の構造を示しており、半絶縁性GaAs基板7の上
に、ノンドープGaAs4、ノンドープバリア層5a−
1、ノンドープウェル(量子井戸)層5a−2、ノンド
ープバリア層5a−3、キャリア供給層5b、Siドー
プGaAs層5cを順次分子線結晶成長法(MBE)を
用いて形成した。なお、他に、有機金属気相成長法、液
相成長法等を用いてもよい。ここで、5a−1をノンド
ープAI!、As、5a−2をノンドープGaAs、5
a−3をノンドープAfGaAsとし、5bをSiドー
プAfGaAsとする場合を第1実施例として説明する
。
導体の構造を示しており、半絶縁性GaAs基板7の上
に、ノンドープGaAs4、ノンドープバリア層5a−
1、ノンドープウェル(量子井戸)層5a−2、ノンド
ープバリア層5a−3、キャリア供給層5b、Siドー
プGaAs層5cを順次分子線結晶成長法(MBE)を
用いて形成した。なお、他に、有機金属気相成長法、液
相成長法等を用いてもよい。ここで、5a−1をノンド
ープAI!、As、5a−2をノンドープGaAs、5
a−3をノンドープAfGaAsとし、5bをSiドー
プAfGaAsとする場合を第1実施例として説明する
。
第2図かられかるように、20EG層6は、ノンドープ
GaAs層4のノンドープバリア層5a−1側の境界面
上に形成される。ノンドープバリア層5a−1,5a−
3とノンドープウェル層5a−2からなる量子井戸構造
は、n型のSiがドープされたキャリア供給層5b中の
Siがノンド−プGaAs d中に侵入するのを防止す
るのに加えて、高電界における移動度を向上させるため
に設けである。
GaAs層4のノンドープバリア層5a−1側の境界面
上に形成される。ノンドープバリア層5a−1,5a−
3とノンドープウェル層5a−2からなる量子井戸構造
は、n型のSiがドープされたキャリア供給層5b中の
Siがノンド−プGaAs d中に侵入するのを防止す
るのに加えて、高電界における移動度を向上させるため
に設けである。
また、上述した電流端子2a、2b、及びホール端子3
a、3bの電極として機能するA u −Geオーム性
電極200が、上記各層4.5a−1゜5a−2,5a
−3,5b、5cとオーム性接触を有するように形成さ
れている。
a、3bの電極として機能するA u −Geオーム性
電極200が、上記各層4.5a−1゜5a−2,5a
−3,5b、5cとオーム性接触を有するように形成さ
れている。
なお、結晶成長用の半絶縁性GaAs基板のクリーニン
グは、濃硫酸、過酸化水素水、純水の混合液(容積比が
4:1:1、液温60°C)中で約1分間エツチングし
、結晶成長用真空槽の中でヒ素の蒸気をあてながら熱エ
ツチングを行った。結晶成長条件の第1実施例における
代表例は以下のとおりである。
グは、濃硫酸、過酸化水素水、純水の混合液(容積比が
4:1:1、液温60°C)中で約1分間エツチングし
、結晶成長用真空槽の中でヒ素の蒸気をあてながら熱エ
ツチングを行った。結晶成長条件の第1実施例における
代表例は以下のとおりである。
1、Gaフラックス:4.13X’IO−フT orr
2、Asフラックス: 1. OX 10−’Torr
3、Agフラックス: 1.2 X 10−’Torr
4、結晶成長温度 −630°C 5、結晶成長速度 : 1.20μm/hr (GaA
s)1.65μm/hr (AffiGaAs) 0.45μm/hr(AfAs) 6、第1層:ノンドープGaAs (500nm)第2
層:ノンドープAffiAs (1,5r+m)第3層
:ノンドープGaAs (2,0nm)第4層:ノンド
ープAl1GaAs (5,Onm)第5層:Siドー
プAj!GaAs (75nm)第6層;SiドープG
aAs(10nm)ここでSiドープ濃度はI X 1
0 ”cm−3である。
2、Asフラックス: 1. OX 10−’Torr
3、Agフラックス: 1.2 X 10−’Torr
4、結晶成長温度 −630°C 5、結晶成長速度 : 1.20μm/hr (GaA
s)1.65μm/hr (AffiGaAs) 0.45μm/hr(AfAs) 6、第1層:ノンドープGaAs (500nm)第2
層:ノンドープAffiAs (1,5r+m)第3層
:ノンドープGaAs (2,0nm)第4層:ノンド
ープAl1GaAs (5,Onm)第5層:Siドー
プAj!GaAs (75nm)第6層;SiドープG
aAs(10nm)ここでSiドープ濃度はI X 1
0 ”cm−3である。
7、 オーミック電極はAuGe (7%から12%)
/ N i / A uの蒸着膜の合金化による。
/ N i / A uの蒸着膜の合金化による。
上記の方法によって得られたヘテロ接合ホール素子の考
えられる作用を第3図のエネルギーバンド図を用いて説
明する。
えられる作用を第3図のエネルギーバンド図を用いて説
明する。
はじめに、電流端子2a、2bに正電圧を印加した場合
、キャリア供給層であるn型Al1GaAS層5bより
エネルギー状態の低い2DEG層6を通して電流が流れ
ると、電子の持つエネルギーが低くなり、電子の移動度
が高くなる。
、キャリア供給層であるn型Al1GaAS層5bより
エネルギー状態の低い2DEG層6を通して電流が流れ
ると、電子の持つエネルギーが低くなり、電子の移動度
が高くなる。
その状態で、高電界を印加した場合に、ZDEG層6に
満たされている電子のエネルギーが高くなり、実効質量
が増加するため、移動度が低下する。しかし、第1実施
例の構造においては、1.5nmのノンドープAlAs
層5a−1を介して、20EG層6よりもエネルギー状
態のわずかに高いGaAs層5a−2が設けられている
ので、電子は実空間遷移を起こし、ノンドープAlAs
層5−1を介してGaAs層5a−2を満たしはじめる
。そのため、GaAs層5a−2に満たされる電子のエ
ネルギーの一部はポテンシャルエネルギーに変換される
ため、電子の実効質量を減少させ、ふたたび移動度を増
加させる。
満たされている電子のエネルギーが高くなり、実効質量
が増加するため、移動度が低下する。しかし、第1実施
例の構造においては、1.5nmのノンドープAlAs
層5a−1を介して、20EG層6よりもエネルギー状
態のわずかに高いGaAs層5a−2が設けられている
ので、電子は実空間遷移を起こし、ノンドープAlAs
層5−1を介してGaAs層5a−2を満たしはじめる
。そのため、GaAs層5a−2に満たされる電子のエ
ネルギーの一部はポテンシャルエネルギーに変換される
ため、電子の実効質量を減少させ、ふたたび移動度を増
加させる。
また、高電界を印加することによって生成されたキャリ
ア層であるAI!、GaAs層5b中の余剰キャリアは
、2DEG層6だけでなく量子井戸層5a−bのエネル
ギー状態をもとることができるので、移動度の低い余剰
キャリアの存在を防ぐことができ、平均の移動度の低下
を防止できる。
ア層であるAI!、GaAs層5b中の余剰キャリアは
、2DEG層6だけでなく量子井戸層5a−bのエネル
ギー状態をもとることができるので、移動度の低い余剰
キャリアの存在を防ぐことができ、平均の移動度の低下
を防止できる。
ここで、GaAs層5a−2の幅が大きくなると、Ga
As層5a−2のエネルギー状態が低くなり、低い電界
においてもGaAs層5a−2内に留まる電子の数が多
くなってしまい、上記の効果を得ることが困難となる。
As層5a−2のエネルギー状態が低くなり、低い電界
においてもGaAs層5a−2内に留まる電子の数が多
くなってしまい、上記の効果を得ることが困難となる。
そこで、第4図に第1実施例の素子の低電界移動度と量
子井戸幅(5a−1の厚さ)との関係を示す。この構造
では、量子井戸幅2.5r+m以上で急激に移動度が低
下する。
子井戸幅(5a−1の厚さ)との関係を示す。この構造
では、量子井戸幅2.5r+m以上で急激に移動度が低
下する。
次に、5a−1をノンドープAffiAs、5a−2を
ノンドープGaAs、5a−3をノンドープA/!As
とし、5bがノンドープAffiAs/ノンドープGa
As/Si ドープGaAs/ノンドープGaAsを
基本構造とする超格子である場合を第2実施例とし、第
5図にその模式断面図を示す。
ノンドープGaAs、5a−3をノンドープA/!As
とし、5bがノンドープAffiAs/ノンドープGa
As/Si ドープGaAs/ノンドープGaAsを
基本構造とする超格子である場合を第2実施例とし、第
5図にその模式断面図を示す。
第2実施例では、第1実施例のn型Aj!GaAS層5
bを、ノンドープAlAs層(1,5nm)50b−1
、ノンドープGaAs層(0,5nm)50b−2、S
iドープGaAs層(1,5nm) 50 b−3、ノ
ンドープGaAs層(0,5nm) 50 b −4か
らなる4nmの層を基本構造とし、これらの25回の繰
り返しからなる総膜厚1100nの超格子構造の半導体
層50bに置き換え、ノンドープAlGaAs層5a−
3を、ノンドープAj!As層(1,5nm) 50
a−3で置き換えた量子井戸層付超格子ホール素子とす
る。第2実施例の低電界移動度の量子井戸幅依存性を第
6図に示す。この構造では量子井戸幅5.Onm以上で
急激に移動度が低下する。なお、第4図の場合と比べて
、移動度が低下する量子井戸幅が厚いのは、第2実施例
ではノンドープAlGaAs層5a−3が薄いことに対
応する。
bを、ノンドープAlAs層(1,5nm)50b−1
、ノンドープGaAs層(0,5nm)50b−2、S
iドープGaAs層(1,5nm) 50 b−3、ノ
ンドープGaAs層(0,5nm) 50 b −4か
らなる4nmの層を基本構造とし、これらの25回の繰
り返しからなる総膜厚1100nの超格子構造の半導体
層50bに置き換え、ノンドープAlGaAs層5a−
3を、ノンドープAj!As層(1,5nm) 50
a−3で置き換えた量子井戸層付超格子ホール素子とす
る。第2実施例の低電界移動度の量子井戸幅依存性を第
6図に示す。この構造では量子井戸幅5.Onm以上で
急激に移動度が低下する。なお、第4図の場合と比べて
、移動度が低下する量子井戸幅が厚いのは、第2実施例
ではノンドープAlGaAs層5a−3が薄いことに対
応する。
次に、第1実施例および第2実施例の磁気センサの高電
界駆動時の特性について本発明者等が測定した測定値に
基づいて説明する。第7図は第1実施例の量子井戸構造
へテロ接合ホール素子の移動度の電界依存性を示す。前
述の低電界移動度の低下の起こらない量子井戸幅2.O
nm以下の素子では、量子井戸幅が大きくなるのに従っ
て高電界移動度の低下が小さくなる。第8図は、第2実
施例の磁界感度の電界依存性を示す。量子井戸幅2.O
nmで磁界感度は最大となる。
界駆動時の特性について本発明者等が測定した測定値に
基づいて説明する。第7図は第1実施例の量子井戸構造
へテロ接合ホール素子の移動度の電界依存性を示す。前
述の低電界移動度の低下の起こらない量子井戸幅2.O
nm以下の素子では、量子井戸幅が大きくなるのに従っ
て高電界移動度の低下が小さくなる。第8図は、第2実
施例の磁界感度の電界依存性を示す。量子井戸幅2.O
nmで磁界感度は最大となる。
第9図は第2実施例の量子井戸層付超格子ホール素子の
移動度の量子井戸幅依存性を示す。第1実施例の場合と
同様に量子井戸幅2.0〜2.5nmで移動度は最大と
なる。なお、低温で測定したのは、深い単位のドナーに
より測定値が変化することを避けるためである。
移動度の量子井戸幅依存性を示す。第1実施例の場合と
同様に量子井戸幅2.0〜2.5nmで移動度は最大と
なる。なお、低温で測定したのは、深い単位のドナーに
より測定値が変化することを避けるためである。
第1表に、第1実施例および第2実施例とそれぞれの量
子井戸層がなく、他は全く同様の構造を有する第1比較
例および第2比較例の最大磁界感度を示す。
子井戸層がなく、他は全く同様の構造を有する第1比較
例および第2比較例の最大磁界感度を示す。
第 1 表
第1表に示すように第1実施例では、量子井戸幅2.0
nmの時に最大磁界感度はTV/Tとなり、従来のへテ
ロ接合ホール素子に比べて20%以上高出力化し、第2
実施例では量子井戸幅2.5nmの時最大磁界感度は1
8V/Tとなり、従来の超格子ホール素子に比べて60
%以上高出力化した。
nmの時に最大磁界感度はTV/Tとなり、従来のへテ
ロ接合ホール素子に比べて20%以上高出力化し、第2
実施例では量子井戸幅2.5nmの時最大磁界感度は1
8V/Tとなり、従来の超格子ホール素子に比べて60
%以上高出力化した。
また、量子井戸構造を持つ半導体層、二次元電子ガス層
、キャリア供給層の位置関係を変えた構造を第3実施例
から第6実施例とし、第10図から第13図に示すが、
このような構造でも素子の高出力化が実現できる。
、キャリア供給層の位置関係を変えた構造を第3実施例
から第6実施例とし、第10図から第13図に示すが、
このような構造でも素子の高出力化が実現できる。
また、上記第1実施例から第6実施例に示した断面構造
でのドレイン分離型の磁気センサのようなホール素子以
外の磁気センサでも高出力化が実現できる。
でのドレイン分離型の磁気センサのようなホール素子以
外の磁気センサでも高出力化が実現できる。
(発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば、二次元電子ガス層の
エネルギー状態よりも高いエネルギー状態を有する量子
井戸構造の半導体層を設けることにより、高電界におい
ても感度が飽和せず、かつ移動度の向上による高出力の
磁気センサが得られ、計測、制御の高精度化に大きく貢
献することができるという優れた効果が得られる。
エネルギー状態よりも高いエネルギー状態を有する量子
井戸構造の半導体層を設けることにより、高電界におい
ても感度が飽和せず、かつ移動度の向上による高出力の
磁気センサが得られ、計測、制御の高精度化に大きく貢
献することができるという優れた効果が得られる。
第1図は本発明の第1実施例であるヘテロ接合ホール素
子の概略構成図、第2図は第1実施例のへテロ接合ホー
ル素子の模式断面図、第3図は第1実施例のエネルギー
バンド図、第4図は第1実施例の低電界移動度と量子井
戸幅との関係を示す特性図、第5図は本発明の第2実施
例を示す模式断面図、第6図は第2実施例の低電界移動
度と量子井戸幅との関係を示す特性図、第7図は第1実
施例の相対移動度と入力電界との関係を示す特性図、第
8図は第1実施例の磁界感度と人力電界との関係を示す
特性図、第9図は第2実施例の相対移動度と入力電界と
の関係を示す特性図、第10図から第13図はそれぞれ
、第3実施例から第6実施例のホール素子の概略断面図
である。 5a・・・半導体層、5a−2・・・量子井戸層、5b
・・・キャリア供給層、6・・・二次元電子ガス層。 5b: キャリフイん拾暑 6.二本プ電多γλ層 表 面 第2図 第4図 第5図 量手升戸r陽 〔nm〕 第6図 012コ 電界 [KV/cm] 第7図 電界 [V/cm) 第8図 電界[V/cml 第9図 第10図 第11図 第12図 第13図
子の概略構成図、第2図は第1実施例のへテロ接合ホー
ル素子の模式断面図、第3図は第1実施例のエネルギー
バンド図、第4図は第1実施例の低電界移動度と量子井
戸幅との関係を示す特性図、第5図は本発明の第2実施
例を示す模式断面図、第6図は第2実施例の低電界移動
度と量子井戸幅との関係を示す特性図、第7図は第1実
施例の相対移動度と入力電界との関係を示す特性図、第
8図は第1実施例の磁界感度と人力電界との関係を示す
特性図、第9図は第2実施例の相対移動度と入力電界と
の関係を示す特性図、第10図から第13図はそれぞれ
、第3実施例から第6実施例のホール素子の概略断面図
である。 5a・・・半導体層、5a−2・・・量子井戸層、5b
・・・キャリア供給層、6・・・二次元電子ガス層。 5b: キャリフイん拾暑 6.二本プ電多γλ層 表 面 第2図 第4図 第5図 量手升戸r陽 〔nm〕 第6図 012コ 電界 [KV/cm] 第7図 電界 [V/cm) 第8図 電界[V/cml 第9図 第10図 第11図 第12図 第13図
Claims (1)
- バンドギャップの異なる異種半導体の接合部に、高移
動度の二次元電子ガス層を形成するヘテロ接合構造を包
含するヘテロ接合磁気センサにおいて、前記二次元電子
ガス層のエネルギー状態より高いエネルギー状態をもつ
量子井戸構造の半導体層を設けたことを特徴とする磁気
センサ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63073975A JPH0687509B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | ヘテロ接合磁気センサ |
US07/291,649 US4912451A (en) | 1988-03-28 | 1988-12-29 | Heterojunction magnetic field sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63073975A JPH0687509B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | ヘテロ接合磁気センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01245574A true JPH01245574A (ja) | 1989-09-29 |
JPH0687509B2 JPH0687509B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=13533604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63073975A Expired - Lifetime JPH0687509B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | ヘテロ接合磁気センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0687509B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06204584A (ja) * | 1991-11-21 | 1994-07-22 | Nec Corp | GaAs/AlGaAs超格子を用いた磁気抵抗効果素子及び磁界強度測定方法 |
CN111896897A (zh) * | 2015-01-12 | 2020-11-06 | 赫尔穆特.惠得利 | 用于引导载流子的设备和其应用 |
CN113391246A (zh) * | 2021-06-11 | 2021-09-14 | 西南科技大学 | 一种提高体声波驱动的微异质结磁传感器性能的方法 |
CN115207207A (zh) * | 2022-09-14 | 2022-10-18 | 深圳市柯雷科技开发有限公司 | 氮化物和磁致伸缩材料复合结构压力传感器制作方法 |
-
1988
- 1988-03-28 JP JP63073975A patent/JPH0687509B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06204584A (ja) * | 1991-11-21 | 1994-07-22 | Nec Corp | GaAs/AlGaAs超格子を用いた磁気抵抗効果素子及び磁界強度測定方法 |
CN111896897A (zh) * | 2015-01-12 | 2020-11-06 | 赫尔穆特.惠得利 | 用于引导载流子的设备和其应用 |
CN111896897B (zh) * | 2015-01-12 | 2024-02-09 | 赫尔穆特.惠得利 | 用于引导载流子的设备和其应用 |
CN113391246A (zh) * | 2021-06-11 | 2021-09-14 | 西南科技大学 | 一种提高体声波驱动的微异质结磁传感器性能的方法 |
CN115207207A (zh) * | 2022-09-14 | 2022-10-18 | 深圳市柯雷科技开发有限公司 | 氮化物和磁致伸缩材料复合结构压力传感器制作方法 |
CN115207207B (zh) * | 2022-09-14 | 2023-02-24 | 深圳市柯雷科技开发有限公司 | 基于复合氮化物和磁致伸缩材料结构的高灵敏度压力传感器制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0687509B2 (ja) | 1994-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4912451A (en) | Heterojunction magnetic field sensor | |
US4978938A (en) | Magnetoresistor | |
Delfanazari et al. | On-chip hybrid superconducting-semiconducting quantum circuit | |
JPH0821708B2 (ja) | 半導体素子 | |
Sugiyama et al. | Highly-sensitive Hall element with quantum-well superlattice structures | |
JPH0770743B2 (ja) | 共鳴トンネリングバリア構造デバイス | |
JPH01245574A (ja) | ヘテロ接合磁気センサ | |
JP3853341B2 (ja) | バイポーラトランジスタ | |
JPH0297075A (ja) | ヘテロ接合磁気センサ | |
JPH0342707B2 (ja) | ||
JPS5963769A (ja) | 高速半導体素子 | |
JP2000183424A (ja) | 化合物半導体多層薄膜及び半導体装置 | |
JPH02194576A (ja) | 改善された磁気抵抗体 | |
JPH0567056B2 (ja) | ||
JP3399053B2 (ja) | ヘテロ接合ホール素子 | |
JP2740166B2 (ja) | 半導体積層構造 | |
Salleh | Variation of SOI Seebeck coefficient by applying an external bias | |
JPH0620142B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3399057B2 (ja) | 磁電変換素子 | |
Uematsu et al. | Film Thermoelectric Generator of Multiple 2-D Electron Gas | |
JPH07211954A (ja) | ヘテロ接合ホール素子 | |
JP3287054B2 (ja) | 磁電変換素子 | |
JPH069261B2 (ja) | 半導体結合超伝導素子 | |
JP2022085142A (ja) | 半導体積層体 | |
JP2002176169A (ja) | GaInP系積層構造体およびそれを用いて作製した電界効果型トランジスタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |