JPH06204584A - ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超格子を用いた磁気抵抗効果素子及び磁界強度測定方法 - Google Patents
ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超格子を用いた磁気抵抗効果素子及び磁界強度測定方法Info
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- JPH06204584A JPH06204584A JP4305448A JP30544892A JPH06204584A JP H06204584 A JPH06204584 A JP H06204584A JP 4305448 A JP4305448 A JP 4305448A JP 30544892 A JP30544892 A JP 30544892A JP H06204584 A JPH06204584 A JP H06204584A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
- H10N50/85—Magnetic active materials
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 １テスラ以上の強磁界の測定を行うための温
度依存性のない高感度で小型の磁気抵抗効果素子を提供
する。 【構成】 ドープされていないＧａＡｓ及びシリコンを
ドープされたＡｌ0 . 3Ｇａ0 . 7 Ａｓの層からなる超
格子１３を、１テスラを超磁界の測定のために磁気抵抗
効果素子として使用する。測定する磁界は超格子に垂直
に通過させ、一定の電流を超格子に垂直に流し、これに
より超格子の両端の電圧降下を測定して磁界の強さを示
すようにする。
度依存性のない高感度で小型の磁気抵抗効果素子を提供
する。 【構成】 ドープされていないＧａＡｓ及びシリコンを
ドープされたＡｌ0 . 3Ｇａ0 . 7 Ａｓの層からなる超
格子１３を、１テスラを超磁界の測定のために磁気抵抗
効果素子として使用する。測定する磁界は超格子に垂直
に通過させ、一定の電流を超格子に垂直に流し、これに
より超格子の両端の電圧降下を測定して磁界の強さを示
すようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強磁界の測定を行うた
めの、磁気抵抗効果に存在する磁気抵抗効果素子及びそ
の素子を用いた磁界の測定法に関する。
めの、磁気抵抗効果に存在する磁気抵抗効果素子及びそ
の素子を用いた磁界の測定法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、超伝導マグネットを用いて簡単に
得られる１テスラを越える強磁界が注目を集めている。
これにともない、このような強い磁界を簡単に測定する
ための検出器の開発が重要となった。この検出器は以下
のような条件を備えていなければならない。即ち、容易
に使用でき、相対的に低価格であり、小型であり、かつ
広い範囲で温度依存性のない高感度なものでなければな
らない。このうち大きさについては、特定の磁気構造に
関連する磁界の分布を正確にプロットでき、かつ磁束に
対する高い分解能を有するプローブとして使用可能な大
きさでなければならない。これらの条件のうち、個々の
条件を満たす検出器は存在するものの、全てを満たすも
のは未だ存在していない。
得られる１テスラを越える強磁界が注目を集めている。
これにともない、このような強い磁界を簡単に測定する
ための検出器の開発が重要となった。この検出器は以下
のような条件を備えていなければならない。即ち、容易
に使用でき、相対的に低価格であり、小型であり、かつ
広い範囲で温度依存性のない高感度なものでなければな
らない。このうち大きさについては、特定の磁気構造に
関連する磁界の分布を正確にプロットでき、かつ磁束に
対する高い分解能を有するプローブとして使用可能な大
きさでなければならない。これらの条件のうち、個々の
条件を満たす検出器は存在するものの、全てを満たすも
のは未だ存在していない。
【０００３】ところで、「ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ超格子構
造を有する高感度スプリットコンタクトの磁気抵抗効果
素子」（アイトリプルイー・トランザクションズ・オン
・エレクトロン・デバイス（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃ
ｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ）
Ｖｏｌ．３６，Ｎｏ．９ １６３９−１６４３，１９８
９において、変調ドープされたＡｌＡｓ／ＧａＡｓの超
格子が説明されている。それによると、ＡｌＡｓ／Ｇａ
Ａｓは半絶縁性のＧａＡｓ基板上で成長される。この基
板には一方の表面に第１の電極が、他方の表面にはスプ
リット電極が設けられており、本質的には一対の平行な
電極が形成されている。この素子は、超格子の交互に設
けられた層に平行に磁力線が走るよう配置される。これ
により、ホール効果によって二つの電極の間に流れる電
流に差が生じ、磁界の強度はこの差に依存する。この検
出器は、約１テスラの強度までの磁界の測定に有効とさ
れている。
造を有する高感度スプリットコンタクトの磁気抵抗効果
素子」（アイトリプルイー・トランザクションズ・オン
・エレクトロン・デバイス（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃ
ｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ）
Ｖｏｌ．３６，Ｎｏ．９ １６３９−１６４３，１９８
９において、変調ドープされたＡｌＡｓ／ＧａＡｓの超
格子が説明されている。それによると、ＡｌＡｓ／Ｇａ
Ａｓは半絶縁性のＧａＡｓ基板上で成長される。この基
板には一方の表面に第１の電極が、他方の表面にはスプ
リット電極が設けられており、本質的には一対の平行な
電極が形成されている。この素子は、超格子の交互に設
けられた層に平行に磁力線が走るよう配置される。これ
により、ホール効果によって二つの電極の間に流れる電
流に差が生じ、磁界の強度はこの差に依存する。この検
出器は、約１テスラの強度までの磁界の測定に有効とさ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような構
造では、感度は超格子の厚さとともに増加し、超格子の
断面積とともに減少し、また二つのスプリットコンタク
トの距離とともに減少し、さらにスプリットコンタクト
が必要であるために、測定磁界に対し優れた分解能を持
つ小断面積の超格子を得ることが難しくなる傾向がある
ため、実用化が困難であった。また、電流差を検出する
ためには、回路が複雑になってしまうという問題も存在
した。
造では、感度は超格子の厚さとともに増加し、超格子の
断面積とともに減少し、また二つのスプリットコンタク
トの距離とともに減少し、さらにスプリットコンタクト
が必要であるために、測定磁界に対し優れた分解能を持
つ小断面積の超格子を得ることが難しくなる傾向がある
ため、実用化が困難であった。また、電流差を検出する
ためには、回路が複雑になってしまうという問題も存在
した。
【０００５】本発明の目的は、これらの欠点を除去した
優れた検出器を提供することである。
優れた検出器を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本願発明者は意図的には
ドープされていないＧａＡｓの層とシリコンをドープし
たＡｌＧａＡｓの層を交互に積層したＧａＡｓ／ＡｌＧ
ａＡｓ超格子が、特に１テスラ以上の磁界において、高
感度の磁気抵抗効果素子としての役割を果たすことを見
出した。この感度は近似的に磁界の強度の２乗にしたが
って増加するので、２テスラを越える磁界において特に
感度が高い。その上感度は、０．１ケルビンから室温ま
での広い温度範囲にわたって比較的温度に依存しない。
またこのデバイスは、磁界を乱す傾向のある磁気材料を
使用していないので測定磁界に対してほとんど影響を与
えない、プローブとしての使用に適する小さな能動素子
を使用することができる。
ドープされていないＧａＡｓの層とシリコンをドープし
たＡｌＧａＡｓの層を交互に積層したＧａＡｓ／ＡｌＧ
ａＡｓ超格子が、特に１テスラ以上の磁界において、高
感度の磁気抵抗効果素子としての役割を果たすことを見
出した。この感度は近似的に磁界の強度の２乗にしたが
って増加するので、２テスラを越える磁界において特に
感度が高い。その上感度は、０．１ケルビンから室温ま
での広い温度範囲にわたって比較的温度に依存しない。
またこのデバイスは、磁界を乱す傾向のある磁気材料を
使用していないので測定磁界に対してほとんど影響を与
えない、プローブとしての使用に適する小さな能動素子
を使用することができる。
【０００７】
【実施例】（実施例１）図１は、磁界検出器として使用
される超格子を含んだヘテロ接合構造の断面を示す。基
板部分１１は通常は結晶方位が［１００］のドープされ
ていないＧａＡｓ結晶で、取扱いが容易な大きさにして
いる。この基板１１の上部表現の上には、エピタキシャ
ル成長させた高濃度ドープのＧａＡｓのｎ型層１２が１
ミクロンの厚さで形成されており、これは超格子の一方
のコンタクト層としての役割を果たす。
される超格子を含んだヘテロ接合構造の断面を示す。基
板部分１１は通常は結晶方位が［１００］のドープされ
ていないＧａＡｓ結晶で、取扱いが容易な大きさにして
いる。この基板１１の上部表現の上には、エピタキシャ
ル成長させた高濃度ドープのＧａＡｓのｎ型層１２が１
ミクロンの厚さで形成されており、これは超格子の一方
のコンタクト層としての役割を果たす。
【０００８】このコンタクト層の上には、薄い層の積み
重ね１３からなる超格子の層が積層されており、これ
は、意図的にはドープされていないＧａＡｓの層とシリ
コンをドープしたＡｌ0 . 3 Ｇａ0 . 7 Ａｓの層とが交
互に積層されている。これらの層はそれぞれ少なくとも
２０層とすることが望ましい。ドーパントの濃度は、５
×１０1 6 個ｃｍ- 3 から５×１０1 7 個ｃｍ- 3 の間
とするのが有利である。結晶中におけるドーパントのマ
イグレーションがほどんどないことからドーパントとし
てはシリコンを使うことが望ましく、このため超格子の
ＧａＡｓの層は本質的にドーパントのイオンがない状態
が維持され、導電性は主としてドープされたＡｌＧａＡ
ｓの層の間をトンネリングする電荷に依存する。また他
のドーパントを使用することもできる。これにより、Ｇ
ａＡｓ層は量子井戸としての役割をはたし、ＡｌＧａＡ
ｓ層は障壁としての役割を果たす。
重ね１３からなる超格子の層が積層されており、これ
は、意図的にはドープされていないＧａＡｓの層とシリ
コンをドープしたＡｌ0 . 3 Ｇａ0 . 7 Ａｓの層とが交
互に積層されている。これらの層はそれぞれ少なくとも
２０層とすることが望ましい。ドーパントの濃度は、５
×１０1 6 個ｃｍ- 3 から５×１０1 7 個ｃｍ- 3 の間
とするのが有利である。結晶中におけるドーパントのマ
イグレーションがほどんどないことからドーパントとし
てはシリコンを使うことが望ましく、このため超格子の
ＧａＡｓの層は本質的にドーパントのイオンがない状態
が維持され、導電性は主としてドープされたＡｌＧａＡ
ｓの層の間をトンネリングする電荷に依存する。また他
のドーパントを使用することもできる。これにより、Ｇ
ａＡｓ層は量子井戸としての役割をはたし、ＡｌＧａＡ
ｓ層は障壁としての役割を果たす。
【０００９】超格子中のＧａＡｓ層及びＡｌＧａＡｓ層
の厚さはすべて等しい厚さとし、正確な数の格子周期を
達成する際に繰り返し予想される境界部の誤差が希望す
る周期性の大きな部分を占めることのないよう十分な厚
さとすべきである。通常は２０オングストロームと８０
オングストロームの間とし、両層の一組は約１００オン
グストロームとすることが望ましいが、この一組の層の
厚さは５０オングストロームから５００オングストロー
ムまでの範囲であれば他の値でも可能である。ただし、
従来からの積層方法を使用すると、５０個のセルにおい
て高いレベルの一様性を達成するには最小でも２５オン
グストロームの厚さが必要とされる。ＡｌＧａＡｓ層は
厚すぎてはいけない。厚すぎるとＧａＡｓの層に形成さ
れる量子井戸に集まる電子の透過が困難となるからであ
る。通常１００オングストローム以上になると電子の透
過が困難となる。
の厚さはすべて等しい厚さとし、正確な数の格子周期を
達成する際に繰り返し予想される境界部の誤差が希望す
る周期性の大きな部分を占めることのないよう十分な厚
さとすべきである。通常は２０オングストロームと８０
オングストロームの間とし、両層の一組は約１００オン
グストロームとすることが望ましいが、この一組の層の
厚さは５０オングストロームから５００オングストロー
ムまでの範囲であれば他の値でも可能である。ただし、
従来からの積層方法を使用すると、５０個のセルにおい
て高いレベルの一様性を達成するには最小でも２５オン
グストロームの厚さが必要とされる。ＡｌＧａＡｓ層は
厚すぎてはいけない。厚すぎるとＧａＡｓの層に形成さ
れる量子井戸に集まる電子の透過が困難となるからであ
る。通常１００オングストローム以上になると電子の透
過が困難となる。
【００１０】また、Ｇａに対するＡｌの比率はＡｌ：Ｇ
ａ＝３：７とすることで、格子の不適合を回避しこれを
最小にするのに最適となるが、この最適値からいくぶん
変化しても許容できる。
ａ＝３：７とすることで、格子の不適合を回避しこれを
最小にするのに最適となるが、この最適値からいくぶん
変化しても許容できる。
【００１１】約２分の１ミクロンの厚さの高濃度ドープ
のｎ型ＧａＡｓ層１４は超格子の上に成長させ、本発明
のデバイスのもう一方のコンタクト層としての役割を果
たす。
のｎ型ＧａＡｓ層１４は超格子の上に成長させ、本発明
のデバイスのもう一方のコンタクト層としての役割を果
たす。
【００１２】通常これらの層は、基板上全面に積層す
る。そのあとエッチングによって図１に示すようにメサ
（周囲より一段高くなった形状）を形成する。コンタク
ト層１２は途中までエッチングする。メサ以外の部分の
コンタクト層１２の上に電極１５を設ける。このメサ形
の部分は任意の都合のよい断面とする事ができるが、通
常は横方向の寸法を１００平方ミクロンもしくはそれ以
下とする。
る。そのあとエッチングによって図１に示すようにメサ
（周囲より一段高くなった形状）を形成する。コンタク
ト層１２は途中までエッチングする。メサ以外の部分の
コンタクト層１２の上に電極１５を設ける。このメサ形
の部分は任意の都合のよい断面とする事ができるが、通
常は横方向の寸法を１００平方ミクロンもしくはそれ以
下とする。
【００１３】二端子デバイスでは、離れたコンタクト１
５、１６は高濃度にドープされたコンタクト層１２、１
４にそれぞれ形成される。低抵抗のオーミックコンタク
トとするために、通常は金−スズ又はこれと等価な合金
を積層しこれに続いて金層を積層し、金ワイヤ１７、１
８を金層に接続して接続リードとするのが望ましい。動
作させるためには電圧源（図示せず）を２つのリードの
間に接続し、この積層部分に対して垂直に電流を流す。
そして測定される電流は超格子の抵抗を示すとともに、
磁界の強さを示すものとなる。磁界がこれらの層の面に
垂直に加えられたとき、すなわちその積層部を通って流
れる電流の方向と平行に加えられたときは、磁気抵抗効
果は正であり、非常に大きく、磁界の強度の２乗に従っ
て増加し、また０．１Ｋから少なくとも室温までの範囲
で温度に依存しない。
５、１６は高濃度にドープされたコンタクト層１２、１
４にそれぞれ形成される。低抵抗のオーミックコンタク
トとするために、通常は金−スズ又はこれと等価な合金
を積層しこれに続いて金層を積層し、金ワイヤ１７、１
８を金層に接続して接続リードとするのが望ましい。動
作させるためには電圧源（図示せず）を２つのリードの
間に接続し、この積層部分に対して垂直に電流を流す。
そして測定される電流は超格子の抵抗を示すとともに、
磁界の強さを示すものとなる。磁界がこれらの層の面に
垂直に加えられたとき、すなわちその積層部を通って流
れる電流の方向と平行に加えられたときは、磁気抵抗効
果は正であり、非常に大きく、磁界の強度の２乗に従っ
て増加し、また０．１Ｋから少なくとも室温までの範囲
で温度に依存しない。
【００１４】この具体例は二端子形式なのでリード及び
コンタクトの抵抗が、測定される電流と直列の経路とな
っている点があまり望ましくない。リード及びコンタク
トの抵抗の影響を最小限にするには四端子の電気的測定
を用いるとよい。
コンタクトの抵抗が、測定される電流と直列の経路とな
っている点があまり望ましくない。リード及びコンタク
トの抵抗の影響を最小限にするには四端子の電気的測定
を用いるとよい。
【００１５】また、この素子の磁気抵抗性質に起因する
この現象は今のところ完全には理論的説明をつけること
ができない。ただし電流−電圧カーブは、磁界に依存す
る散乱レート（スキャッタリングレート）の存在を暗示
する。特に、ドープされていないＧａＡｓ層が性質の良
い量子井戸として作用し、ＡｌＧａＡｓ層がＧａＡｓ層
との良く適合したり境界面を形成する障壁として作用す
ることが重要であることが分かる。
この現象は今のところ完全には理論的説明をつけること
ができない。ただし電流−電圧カーブは、磁界に依存す
る散乱レート（スキャッタリングレート）の存在を暗示
する。特に、ドープされていないＧａＡｓ層が性質の良
い量子井戸として作用し、ＡｌＧａＡｓ層がＧａＡｓ層
との良く適合したり境界面を形成する障壁として作用す
ることが重要であることが分かる。
【００１６】（実施例２）図２は図１に示したヘテロ構
造の変形例であり、どのようにして磁界Ｈを測定するの
に使用するかを示したもので、四点測定に適するように
したものである。この例では、二つの離れた電極１５
Ａ、１５Ｂがドープされた層１２に設けられ、また別の
２つの離れた電極１６Ａ、１６Ｂがドープされた層１４
に設けられている。電極１５Ａ、１５Ｂにはリード１７
Ａ及び１７Ｂがそれぞれ設けられ、電極１６Ａ、１６Ｂ
にはリード１８Ａ、１８Ｂがそれぞれ設けられている。
磁界Ｈは超格子の成長軸に平行にこのヘテロ構造を通過
するように、そして超格子の面に垂直となるように配置
される。定電流源２１をリード１７Ａとリード１８Ａと
の間に接続し、電圧計２２をリード１７Ｂと１８Ｂの間
に接続する。この電流源は、測定される電圧が確実に
０．５ボルト以下の範囲におさまるよう調整する。この
ような装置において、実際の磁界の強度は、まず最初に
既知の強さの磁界と関連する電圧を導くことによって得
られる。電流源は直流電流又は低周波電流のうち都合の
良いものとする。
造の変形例であり、どのようにして磁界Ｈを測定するの
に使用するかを示したもので、四点測定に適するように
したものである。この例では、二つの離れた電極１５
Ａ、１５Ｂがドープされた層１２に設けられ、また別の
２つの離れた電極１６Ａ、１６Ｂがドープされた層１４
に設けられている。電極１５Ａ、１５Ｂにはリード１７
Ａ及び１７Ｂがそれぞれ設けられ、電極１６Ａ、１６Ｂ
にはリード１８Ａ、１８Ｂがそれぞれ設けられている。
磁界Ｈは超格子の成長軸に平行にこのヘテロ構造を通過
するように、そして超格子の面に垂直となるように配置
される。定電流源２１をリード１７Ａとリード１８Ａと
の間に接続し、電圧計２２をリード１７Ｂと１８Ｂの間
に接続する。この電流源は、測定される電圧が確実に
０．５ボルト以下の範囲におさまるよう調整する。この
ような装置において、実際の磁界の強度は、まず最初に
既知の強さの磁界と関連する電圧を導くことによって得
られる。電流源は直流電流又は低周波電流のうち都合の
良いものとする。
【００１７】ここで説明した具体例は、本発明の一般的
原理の単なる例示であり、本発明の思想及び範囲から逸
脱することのない種々の変形が可能である。更に、ここ
で説明したヘテロ構造は通常パッケージ内に納められ
る。この事例では、ヘテロ構造は磁気検出器として使用
されるので、パッケージはヘテロ構造を垂直に通過する
磁界からのヘテロ構造の磁気遮蔽が最小となるよう設計
すべきである。
原理の単なる例示であり、本発明の思想及び範囲から逸
脱することのない種々の変形が可能である。更に、ここ
で説明したヘテロ構造は通常パッケージ内に納められ
る。この事例では、ヘテロ構造は磁気検出器として使用
されるので、パッケージはヘテロ構造を垂直に通過する
磁界からのヘテロ構造の磁気遮蔽が最小となるよう設計
すべきである。
【００１８】
【発明の効果】以上示したように、ＧａＡｓ／ＡｌＧａ
Ａｓ超格子を用いることによって広範囲にわたって温度
依存性がなく、特に強磁界において高感度な、測定磁界
に対してほとんど影響を与えないプローブとして使用で
きる磁気抵抗効果素子を得ることが可能となった。更
に、これを用いて磁界強度の正確な測定も可能となっ
た。
Ａｓ超格子を用いることによって広範囲にわたって温度
依存性がなく、特に強磁界において高感度な、測定磁界
に対してほとんど影響を与えないプローブとして使用で
きる磁気抵抗効果素子を得ることが可能となった。更
に、これを用いて磁界強度の正確な測定も可能となっ
た。
【図１】本は発明の基本的な二端子形式の磁界検出器を
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明の、四端子形式もしくは四点形式の磁界
検出器を適当な回路に接続したものを示した図である。
検出器を適当な回路に接続したものを示した図である。
１ ＧａＡｓ基板 １２、１４ ｎ+ ＧａＡｓ １３ ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ（Ｓｉをドープした）超
格子 １５、１５Ａ、１５Ｂ、１６、１６Ａ、１６Ｂ コンタ
クト １７、１７Ａ、１７Ｂ、１８、１８Ａ、１８Ｂ 金ワイ
ヤ ２１ 定電流源 ２２ 電圧計
格子 １５、１５Ａ、１５Ｂ、１６、１６Ａ、１６Ｂ コンタ
クト １７、１７Ａ、１７Ｂ、１８、１８Ａ、１８Ｂ 金ワイ
ヤ ２１ 定電流源 ２２ 電圧計
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ピーター・エイ・ウォルフ アメリカ合衆国 08540 ニュージャージ 州プリンストン，フォーレットドライブ ７
Claims (3)
- 【請求項１】 ドーパントを意図的には含まないＧａＡ
ｓと、ドーパントを含むＡｌＧａＡｓとを交互に積層し
た超格子と、超格子を垂直に通過する磁気が加わった場
合の超格子の磁気抵抗による抵抗変化を測定するための
手段と、該測定より超格子を垂直に通過する磁界の強度
を測定する手段とを備えた、高い磁界の強度を測定する
ための磁気抵抗効果素子。 - 【請求項２】 超格子を通過する電流を流す手段が定電
流源であって、磁界の強度を測る手段は、前記定電流源
によって与えられる電流に反応する超格子の両端の電圧
降下を測定するための手段である請求項１記載の磁気抵
抗効果素子。 - 【請求項３】 測定すべき磁界を、意図的にはドープさ
れていないＧａＡｓとドープしたＡｌＧａＡｓを交互に
積層した超格子の成長軸に平行に通過させるステップ
と、同時に一定の電流を超格子に垂直に、そして磁界に
平行に流すステップと、一定の電流から得られる超格子
の両端の電圧降下の測定から磁界の強度を測定するステ
ップとからなる、請求項１記載の磁気抵抗効果素子を用
いた磁界強度測定方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/796,709 | 1991-11-21 | ||
| US07/796,709 US5189367A (en) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | Magnetoresistor using a superlattice of GaAs and AlGaAs |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204584A true JPH06204584A (ja) | 1994-07-22 |
| JP2565065B2 JP2565065B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=25168860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4305448A Expired - Fee Related JP2565065B2 (ja) | 1991-11-21 | 1992-11-16 | ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超格子を用いた磁気抵抗効果素子及び磁界強度測定方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5189367A (ja) |
| JP (1) | JP2565065B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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