JPH01245570A - 超電導セラミックス薄膜及びその製法 - Google Patents
超電導セラミックス薄膜及びその製法Info
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Classifications
-
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
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- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、超電導セラミックス薄膜及びその製法仁関す
る。特に、基板上の鋼酸化物系超電導薄膜を形成きせる
際に基板との反応を防ｉｔするノブ法に関する。
る。特に、基板上の鋼酸化物系超電導薄膜を形成きせる
際に基板との反応を防ｉｔするノブ法に関する。
［従来の技ｍｌ
従来、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系或いはＬａ−Ｂａ−Ｃｕ−
０系などの超電導セラミックス材薄膜を基板上に作製す
る方法においては、Ｃｕ原子が基板中に拡散する問題又
は基板にＳｉを用いた場合に、５４が超電導セラミック
ス材中に拡散し、超電導膜の特性を劣化きせる問題が見
られた。
０系などの超電導セラミックス材薄膜を基板上に作製す
る方法においては、Ｃｕ原子が基板中に拡散する問題又
は基板にＳｉを用いた場合に、５４が超電導セラミック
ス材中に拡散し、超電導膜の特性を劣化きせる問題が見
られた。
このような拡散反応を防止するために、バリヤ層として
希土類金属薄膜を界面に配置することか提案されている
が、それほどの効果があがっていない、また、−数的に
このような拡散反応の問題がある場合、特にシリフＪン
の拡散反応を防１（、ｒるために、バリヤ薄膜として白
金を使用４゛ることも行なわれている。
希土類金属薄膜を界面に配置することか提案されている
が、それほどの効果があがっていない、また、−数的に
このような拡散反応の問題がある場合、特にシリフＪン
の拡散反応を防１（、ｒるために、バリヤ薄膜として白
金を使用４゛ることも行なわれている。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明は、上記のような技術的課題を解決するために、
基板と超電導材の間に銅（Ｃｕ）薄膜を配置し、拡散反
応の問題を解決することを見出したものである。
基板と超電導材の間に銅（Ｃｕ）薄膜を配置し、拡散反
応の問題を解決することを見出したものである。
本発明は、拡散による超電導特性の劣化を防止できる基
板上への超電導薄膜の作製方法を提供する。
板上への超電導薄膜の作製方法を提供する。
本発明は、基板−Ｌに形成きれたｆ！４１ｖ２化物系超
電導特性の改善された超電導薄膜を提供することを目的
とする。また、本発明は、Ｓｉなどの基板と超電導材薄
膜が拡散反応４−ることを防１１二した超電導薄膜を提
供ｒることを目的にする。
電導特性の改善された超電導薄膜を提供することを目的
とする。また、本発明は、Ｓｉなどの基板と超電導材薄
膜が拡散反応４−ることを防１１二した超電導薄膜を提
供ｒることを目的にする。
［発明の構成］
［問題点を解決するための手段］
本発明は、上記の技術的な課題の解決のために、基板の
表面の少なくとも一部に配Ｅｆ、された銅薄膜の１−に
鋼酸化物系超電導膜を有する、−とを特徴とする特に、
その基板は、Ｓｉ、ＭｇＯ，Ｓｒ Ｔ ｉ Ｏｓの！ｉ
、結晶或いはＺ ｒ Ｏｍであることが好適である。史
に、本発明は、超電導セラミックス薄膜を作製４゛る製
法において、基板の超電導薄膜を形成すべき表面に予め
銅膜を形成しておき、その銅膜面１〕に銅酸化物系超電
導薄膜を形成することを特徴とする超電導セラミックス
薄膜の製法である。また、その場合、基板は、Ｓｉ％Ｍ
ｇＯ。
表面の少なくとも一部に配Ｅｆ、された銅薄膜の１−に
鋼酸化物系超電導膜を有する、−とを特徴とする特に、
その基板は、Ｓｉ、ＭｇＯ，Ｓｒ Ｔ ｉ Ｏｓの！ｉ
、結晶或いはＺ ｒ Ｏｍであることが好適である。史
に、本発明は、超電導セラミックス薄膜を作製４゛る製
法において、基板の超電導薄膜を形成すべき表面に予め
銅膜を形成しておき、その銅膜面１〕に銅酸化物系超電
導薄膜を形成することを特徴とする超電導セラミックス
薄膜の製法である。また、その場合、基板は、Ｓｉ％Ｍ
ｇＯ。
５ｒＴｉＯｓの単結晶或いはＺ ｒ Ｏ＊であることが
好適である。史に、銅酸化物系超電導材を生成するター
ゲツト材のスパッタリングのための放電ガスとして、キ
セノンガス或いは酸素を添加したキセノンガスを用いる
ことがより好適である。また基板銅膜Ｊ二に超電導薄膜
形成後に、必要により、アニール処理を行なうことが好
適である。
好適である。史に、銅酸化物系超電導材を生成するター
ゲツト材のスパッタリングのための放電ガスとして、キ
セノンガス或いは酸素を添加したキセノンガスを用いる
ことがより好適である。また基板銅膜Ｊ二に超電導薄膜
形成後に、必要により、アニール処理を行なうことが好
適である。
本発明による酸化物超電導薄膜の作製方法によると、先
ず、Ｓ ｆ、ＭｇＯ，Ｓ ｒＴｉ Ｏｎの！れ結晶或い
はＺ ｒ Ｏ＋などの基板表面の全部或いはその一部に
、予めｔＭ薄膜を形成し、この銅膜面上に銅酸化物系超
電導膜を形成させるに必要な材料をスパッタリングなど
により形成する。
ず、Ｓ ｆ、ＭｇＯ，Ｓ ｒＴｉ Ｏｎの！れ結晶或い
はＺ ｒ Ｏ＋などの基板表面の全部或いはその一部に
、予めｔＭ薄膜を形成し、この銅膜面上に銅酸化物系超
電導膜を形成させるに必要な材料をスパッタリングなど
により形成する。
このように銅薄膜を基板と形成すべき超電導ヒラミック
ス薄膜の界面に配置することにより、例えばＳｔが超電
導セラミックス９仁拡散することを防止するものである
。一般に、このようにバリヤ層として半導体製造などに
使用される物質としては、タングステン、タングステン
シリサイド（ＷＳｉ）、モリブデンシリサイド（Ｍ ｏ
Ｓ ＋ ）が考えられる。然し乍ら、一般に、基板の
上に鋼酸化物系超電導膜をスパッタリング等により結晶
成長される場合には、基板温度は、６００°Ｃ以りでな
いと、超電導性薄膜が成長しない、そのために、モリブ
デンシリサイドの昇華温度は５２５℃で、タングステン
シリサイドの昇華温度は６５０°Ｃであるために、これ
らの材料によるバリヤ層は不適である。
ス薄膜の界面に配置することにより、例えばＳｔが超電
導セラミックス９仁拡散することを防止するものである
。一般に、このようにバリヤ層として半導体製造などに
使用される物質としては、タングステン、タングステン
シリサイド（ＷＳｉ）、モリブデンシリサイド（Ｍ ｏ
Ｓ ＋ ）が考えられる。然し乍ら、一般に、基板の
上に鋼酸化物系超電導膜をスパッタリング等により結晶
成長される場合には、基板温度は、６００°Ｃ以りでな
いと、超電導性薄膜が成長しない、そのために、モリブ
デンシリサイドの昇華温度は５２５℃で、タングステン
シリサイドの昇華温度は６５０°Ｃであるために、これ
らの材料によるバリヤ層は不適である。
上記の方法により鋼酸化物系超電導薄膜を形成する場合
、基板−Ｌに超電導特性を示４′薄膜を成長させるため
には、基板の温度を約６００″Ｃ前後に加熱しなければ
ならない。
、基板−Ｌに超電導特性を示４′薄膜を成長させるため
には、基板の温度を約６００″Ｃ前後に加熱しなければ
ならない。
鋼バリヤ層を用いない従来の技術では例えばシリコン基
板の場合を示すと鋼酸化物系超電導薄膜中の銅が基板中
のシリコンと反応し、基板中に銅が拡散反応したり、基
板中のシリコンが銅酸化物系超電導薄膜中に拡散反応し
、超電導特性や表面の性状に種々の障害が生じる。
板の場合を示すと鋼酸化物系超電導薄膜中の銅が基板中
のシリコンと反応し、基板中に銅が拡散反応したり、基
板中のシリコンが銅酸化物系超電導薄膜中に拡散反応し
、超電導特性や表面の性状に種々の障害が生じる。
一方、本発明方法によれば、バリヤ層の銅が銅酸化物系
超電導薄膜中の銅の拡散反応う防ぎ、銅酸化物系超電導
薄膜の物性のれっかを防ぐだけでなく、銅自身が基板中
のシリコンと拡散反応することにより、安定した化合物
を形成し、基板と銅酸化物系超電導薄膜との密着性の向
上が見られる。
超電導薄膜中の銅の拡散反応う防ぎ、銅酸化物系超電導
薄膜の物性のれっかを防ぐだけでなく、銅自身が基板中
のシリコンと拡散反応することにより、安定した化合物
を形成し、基板と銅酸化物系超電導薄膜との密着性の向
上が見られる。
また、例え、ばスパッター法で薄膜を形成する場合でも
、銅バリヤ層と形成される薄膜との濡れ性が良いため、
安定した薄膜がたやすく生成し、鋼酸化物系超電導材の
ような鋼組成が基板上に付着され難いものや、スパッタ
ーされ難いものの場合は、有効である。更に、バリヤ層
中の銅が銅酸化物系超７ｆ導薄膜中へ拡散し、鋼組成が
不足になりがらな薄膜に対し銅を補うことになり、極め
て有効な結果が得られる。
、銅バリヤ層と形成される薄膜との濡れ性が良いため、
安定した薄膜がたやすく生成し、鋼酸化物系超電導材の
ような鋼組成が基板上に付着され難いものや、スパッタ
ーされ難いものの場合は、有効である。更に、バリヤ層
中の銅が銅酸化物系超７ｆ導薄膜中へ拡散し、鋼組成が
不足になりがらな薄膜に対し銅を補うことになり、極め
て有効な結果が得られる。
また、ＮＩ素アニーリングを行なう場合、上記と同じ効
果が期待できる。
果が期待できる。
ＭｇＯ基板と超電導ヒシミックス体層の間に中間層Ｃｕ
を形成して、処理した場合、ＭｇＯ層中に拡散したＣｕ
のｈｌと、超電導セラミックス体層中に拡散したＭｇの
量は、ＲＢＳ測定法によれば、次の第１表に示される。
を形成して、処理した場合、ＭｇＯ層中に拡散したＣｕ
のｈｌと、超電導セラミックス体層中に拡散したＭｇの
量は、ＲＢＳ測定法によれば、次の第１表に示される。
第１表
この表より、本発明による鋼中間層を挿入した場合の超
電導薄膜では、基板中に拡散するＣ ｕがある程度低下
し、また、膜中に拡散したＭｇは、約１・分の１に低ド
４ることが明らかにされる。
電導薄膜では、基板中に拡散するＣ ｕがある程度低下
し、また、膜中に拡散したＭｇは、約１・分の１に低ド
４ることが明らかにされる。
本発明に用いる基板は、Ｓｉ、ＭｇＯ１ＳｒＴ＋ Ｏｓ
の単結晶或いはＺ ｒ Ｏ＊であり、超電導物質の結晶
特性と適合性がよいものが好適である。この基板は、多
結晶体或いは単結晶とすることが好適である。
の単結晶或いはＺ ｒ Ｏ＊であり、超電導物質の結晶
特性と適合性がよいものが好適である。この基板は、多
結晶体或いは単結晶とすることが好適である。
基板上への銅膜の形成は、 基板表面上に、ＭＢＥ法、
スパッタリング法、ＰＶＤ法によって行なわれる。
スパッタリング法、ＰＶＤ法によって行なわれる。
［作用］
本発明により利用される銅バリヤ層は、従来バリヤとし
て用いられたことのないものであるが、超電導薄膜を形
成するためには、最も適するものである。
て用いられたことのないものであるが、超電導薄膜を形
成するためには、最も適するものである。
本発明の鋼酸化物系酸化物超電導薄膜の作製方法は、更
に、例えば、ジョセプソン接合、赤外線検出器、光スィ
ッチのような製品のための超電導薄膜の形成にも用いる
ことができる。
に、例えば、ジョセプソン接合、赤外線検出器、光スィ
ッチのような製品のための超電導薄膜の形成にも用いる
ことができる。
次に、本発明の鋼中間層を用いる超電導セラミ／クズ薄
膜の作製方法を具体的に実施例により説明するが、本発
明はそれらによって限定されるものではない。
膜の作製方法を具体的に実施例により説明するが、本発
明はそれらによって限定されるものではない。
［実施例１］
Ｓｉ基板のＬに銅薄膜をスパッタ法により厚さ数十ｎｍ
に形成し、そのＪ二にＢａ−Ｙ−ＣｕＯ薄膜をキヒノン
／酸素ガス雰囲気中でのスパッタリングにより形成した
。
に形成し、そのＪ二にＢａ−Ｙ−ＣｕＯ薄膜をキヒノン
／酸素ガス雰囲気中でのスパッタリングにより形成した
。
Ｂａ−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜の厚きは、１５０ｎｍであった
。スパッタリング中の銅膜基板の温度は、約２００℃に
保持された。
。スパッタリング中の銅膜基板の温度は、約２００℃に
保持された。
スパッターのガス圧は、２Ｐａであり、ガス組成は、Ｘ
ｅ ： ＯＩ＝ ９ ： １で、ＲＦ大入力１．３ｗ
／ｃｌＩｔに固定して行なった。また、スパッタリング
のターゲットには、Ｂａ−Ｙ−Ｃｕ（２： １：３の組
成）のものを用いた。基板／ターゲット間の距離は、２
０＋１１０とした。
ｅ ： ＯＩ＝ ９ ： １で、ＲＦ大入力１．３ｗ
／ｃｌＩｔに固定して行なった。また、スパッタリング
のターゲットには、Ｂａ−Ｙ−Ｃｕ（２： １：３の組
成）のものを用いた。基板／ターゲット間の距離は、２
０＋１１０とした。
次に、前記のように作製した鋼薄膜基板−にに形成きれ
たｆＨＮＩ化物系超電導薄膜の特性を、ＲＢＳ分析及び
Ｓ ＥＭ（走査型″を子顕微鏡）により観察した。また
、比較のために、鋼薄膜のない基板上に同様に形成した
鋼酸化物系超電導薄膜についても観察した。その結果を
、第１図（Ｓｉ基板上鋼中間層のある鋼酸化物系超電導
薄膜のＲＢＳ分析）及び第２図（Ｓｉ基板上鋼中間層の
ない銅酸化物系超電導薄膜のＲＢＳ分析）並びに第３図
（ｔ／Ａ中間層のある銅酸化物系超電導薄膜の表面電ｆ
！ｉＩＯ微鏡写真）及び第４図（鋼中間層のない銅酸化
物系超電導薄膜の表面電子顕做鏡写真）に示す。
たｆＨＮＩ化物系超電導薄膜の特性を、ＲＢＳ分析及び
Ｓ ＥＭ（走査型″を子顕微鏡）により観察した。また
、比較のために、鋼薄膜のない基板上に同様に形成した
鋼酸化物系超電導薄膜についても観察した。その結果を
、第１図（Ｓｉ基板上鋼中間層のある鋼酸化物系超電導
薄膜のＲＢＳ分析）及び第２図（Ｓｉ基板上鋼中間層の
ない銅酸化物系超電導薄膜のＲＢＳ分析）並びに第３図
（ｔ／Ａ中間層のある銅酸化物系超電導薄膜の表面電ｆ
！ｉＩＯ微鏡写真）及び第４図（鋼中間層のない銅酸化
物系超電導薄膜の表面電子顕做鏡写真）に示す。
第１図の曲線１は、スパ／り法で形成したままの膜試料
に対してＲＢＳ分析結果を示し、曲１１ａ２は、９００
℃で１時間アニールした試料についてのものである。第
２図の曲１ａ３は、スパッタ法で形成したままの膜試料
に対してＲＢＳ分析結果を示し、曲！ｉ！４は、９００
℃アニールした試料についてのものである。第２図の曲
線４を観察すると、チャンネル数３００付近で裾を引く
ようになっている。このことは、ＳｉがＢａ−Ｙ−Ｃｕ
−０薄膜中に拡散し工いることをしめしている。これに
対して、鋼中間層のある場合の第１図では、曲線２が裾
を引いていなく、Ｓｉの拡散反応が生していないことが
明らかである。
に対してＲＢＳ分析結果を示し、曲１１ａ２は、９００
℃で１時間アニールした試料についてのものである。第
２図の曲１ａ３は、スパッタ法で形成したままの膜試料
に対してＲＢＳ分析結果を示し、曲！ｉ！４は、９００
℃アニールした試料についてのものである。第２図の曲
線４を観察すると、チャンネル数３００付近で裾を引く
ようになっている。このことは、ＳｉがＢａ−Ｙ−Ｃｕ
−０薄膜中に拡散し工いることをしめしている。これに
対して、鋼中間層のある場合の第１図では、曲線２が裾
を引いていなく、Ｓｉの拡散反応が生していないことが
明らかである。
また、電ｆ顕微鏡観察（ＳＥＭ）でも、第３図の写真の
Ｃｕ中間層がある場合は、表面が滑らかであり、それ１
こ対して、第４図のＣｕ層を用いない場合では、表面が
粗くなっている。即ち、拡散したＳｉがｆ１４酸化物系
超電導薄膜表面に析出して、表面を粗くしており、鋼酸
化物系超電導薄膜の特性が劣化していることが明らかで
ある。
Ｃｕ中間層がある場合は、表面が滑らかであり、それ１
こ対して、第４図のＣｕ層を用いない場合では、表面が
粗くなっている。即ち、拡散したＳｉがｆ１４酸化物系
超電導薄膜表面に析出して、表面を粗くしており、鋼酸
化物系超電導薄膜の特性が劣化していることが明らかで
ある。
［実施例２］
実施例１と同様にＭｇＯ結晶基板表面に、鋼薄膜をスパ
ッタ法で形成した１次に、その鋼薄膜ヒに次のようにし
てＢａ−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜を形成した。即ち、ＲＦ−マ
グネトロンスパッタ法により、前記のＭｇＯ結晶基板表
面に、基板温度を約２００°Ｃに保持する外の条件は、
実施例１と同様で、Ｂａ−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜を形成した
。この超電導薄膜形成の後に、反応チャンバー内にＯ２
を導入しながら、基板温度を９００°Ｃに保持して、６
０分間酸素アニール処理を行なった。
ッタ法で形成した１次に、その鋼薄膜ヒに次のようにし
てＢａ−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜を形成した。即ち、ＲＦ−マ
グネトロンスパッタ法により、前記のＭｇＯ結晶基板表
面に、基板温度を約２００°Ｃに保持する外の条件は、
実施例１と同様で、Ｂａ−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜を形成した
。この超電導薄膜形成の後に、反応チャンバー内にＯ２
を導入しながら、基板温度を９００°Ｃに保持して、６
０分間酸素アニール処理を行なった。
次に、前記のように作製した銅薄膜のあるＭｇＯ基板」
二に形成されたＢａ−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜の特性を、ＲＢ
Ｓ分析及びＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により観察した
。また、比較のために、銅薄膜のない基板−りに同様に
形成したＢａ−Ｙ−Ｃｕ−〇薄膜についても観察した。
二に形成されたＢａ−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜の特性を、ＲＢ
Ｓ分析及びＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により観察した
。また、比較のために、銅薄膜のない基板−りに同様に
形成したＢａ−Ｙ−Ｃｕ−〇薄膜についても観察した。
その結果を、第５図（鋼中間層のあるＢａ−Ｙ−Ｃｕ−
０薄膜のＲＢＳ分析）及び第６図（＆Ｍ中間層のないＢ
ａ−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜のＲＢＳ分析）並びに第７図（鋼
中間層のあるＢａ−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜のＳＥＭ〔表面電
子顕微鏡］写真〕及び第８図（ｇ４中間層のないＢａ−
Ｙ−Ｃｕ−０薄膜の表面電子顕微鏡写真）に示す。
０薄膜のＲＢＳ分析）及び第６図（＆Ｍ中間層のないＢ
ａ−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜のＲＢＳ分析）並びに第７図（鋼
中間層のあるＢａ−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜のＳＥＭ〔表面電
子顕微鏡］写真〕及び第８図（ｇ４中間層のないＢａ−
Ｙ−Ｃｕ−０薄膜の表面電子顕微鏡写真）に示す。
第５図の曲線５は、スパッタリング蒸着したままの試料
に対してＲＢＳ分析結果を示し、曲線６は、アニールし
た試料についてのものである。第６図の曲線７は、スパ
ッタ法で形成したままの試料に対してＲＢＳ分析結果を
示し、曲線８は、アニールした試料についてのものであ
る。第６図の曲線８を観察すると、ＭｇＯ内にもＣｕが
存在する、−とが分かる。これに対して、第５図の曲線
６では、ＭｇＯ中のＣｕによる曲線は、低く、Ｃｕ拡乾
が少ないことをしめしている。
に対してＲＢＳ分析結果を示し、曲線６は、アニールし
た試料についてのものである。第６図の曲線７は、スパ
ッタ法で形成したままの試料に対してＲＢＳ分析結果を
示し、曲線８は、アニールした試料についてのものであ
る。第６図の曲線８を観察すると、ＭｇＯ内にもＣｕが
存在する、−とが分かる。これに対して、第５図の曲線
６では、ＭｇＯ中のＣｕによる曲線は、低く、Ｃｕ拡乾
が少ないことをしめしている。
また、ＳＥＭ観察でも、第７図の写真のＣｕ中間層があ
るＭｇＯ基板では、Ｂａ−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜の表面が滑
らかであり、それに対して、第８図のＣｕ層を用いない
場合では、表面が粗くなっており、Ｂａ−Ｙ−Ｃｕ−Ｏ
薄膜の特性が劣化していることが明らかである。
るＭｇＯ基板では、Ｂａ−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜の表面が滑
らかであり、それに対して、第８図のＣｕ層を用いない
場合では、表面が粗くなっており、Ｂａ−Ｙ−Ｃｕ−Ｏ
薄膜の特性が劣化していることが明らかである。
［発明の効果］
本発明の銅膜によるセラミックス超電導薄膜及びその作
製方法により、次のような顕著な技術的効果が得られた
。
製方法により、次のような顕著な技術的効果が得られた
。
第１に、基板への拡散反応を防１ｈ Ｌ、また、Ｂａ−
Ｙ−Ｃｕ−０薄膜とその作製方法を提供することかでき
る。
Ｙ−Ｃｕ−０薄膜とその作製方法を提供することかでき
る。
第２に、鋼バリヤ層中の鋼が銅酸化物系超電導薄膜中の
銅の拡散反応を防ぎ、鋼酸化物系超電導薄膜の特性の劣
化を防ぐだけでなく、銅自身が基板中のシリコンと拡散
反応することにより安定した化合物を作り、基板と鋼酸
化物系超電導薄膜との密着性の向上が見られる。また、
例えばスパッタリング法で薄膜を形成する場合でも、銅
バリヤと形成さける膜との濡れ性がよいため安定した膜
が容易に生成す、銅酸化物系超電導材のような鋼組成が
基板上に付着きれかいものや、スパ／ターされ難いもの
の場合にも有効である。
銅の拡散反応を防ぎ、鋼酸化物系超電導薄膜の特性の劣
化を防ぐだけでなく、銅自身が基板中のシリコンと拡散
反応することにより安定した化合物を作り、基板と鋼酸
化物系超電導薄膜との密着性の向上が見られる。また、
例えばスパッタリング法で薄膜を形成する場合でも、銅
バリヤと形成さける膜との濡れ性がよいため安定した膜
が容易に生成す、銅酸化物系超電導材のような鋼組成が
基板上に付着きれかいものや、スパ／ターされ難いもの
の場合にも有効である。
第３に、バリヤ層中の銅が銅酸化物系超電導薄膜中へ拡
散し、鋼組成が不足になりがちな薄膜に対し銅を補うこ
とになり、極めて有効な結果が得られる。
散し、鋼組成が不足になりがちな薄膜に対し銅を補うこ
とになり、極めて有効な結果が得られる。
第１図は、鋼中間層のあるＳｉ基板−Ｆに形成したＢａ
−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜のＲＢＳ分析を示１゜第２図は、鋼
中間層のないＳｔ基板上に形成したＢａ−Ｙ−Ｃｕ−０
薄膜のＲＢＳ分析結果を示第３図は、鋼中間層のあるＳ
ｔ基板上に形成したＢａ−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜の表面電子
顕微鏡写真を示す。 第４図は、鋼中間層のないＳｔ基板上に形成したＢａ−
Ｙ−Ｃｕ−０薄膜の表面電子顕微鏡写真を示す。 第５図は、鋼中間層のあるＭｇＯ基板上に形成したＢａ
−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜のＲＢＳ分析を示す。 第６図は、鋼中間層のないＭｇＯ基板上に形成したＢａ
−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜のＲＢＳ分析結果を示す。 第７図は、鋼中間層のあるＭｇＯ基板上に形成したＢａ
−Ｙ−ＣｕＯ薄膜の表面電子顕微鏡写真を示す。 第８図は、鋼中間層のないＭｇＯ基板上に形成したＢａ
−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜の表面電子顕微鏡写真を示す。 青ｌ令Ｕイ（ス１０つ 第２図 ←ン木ノン委丈 １ｔ−ｔしイーｔｖｊ：’ （ｘｌＯυ−１ｉｋｆＬイ
ーｔｖｌ’ （ｘｌＯ’、）○ −Ｍ
（ＪＪ手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和６３年特許願第７１９４２号２、
発明の名称 超電導セラミックス薄膜及びその製法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区中落合２−９−１ 氏名 伊 藤 糾 次 住所 東京都千代田区神田美土代町１番地名称 住友セ
メント株式会社 代表者 今 川 彦 二 住所 東京都千代田区永１１町二丁目５番２号名称 新
技術開発事業団 理事長 赤 羽 信 久 ４、代理人 住所 〒１０１東京都千代田区神Ｅ口須田町１丁目２番
地電話（０３）２５３−４７８１（代） ５、補正命令の１１付（発送口） １［ｍ＋６Ｕ化６日只Ｆｉ （Ｆｉ Ｈ９只Ｉ：Ｉ）７
″７１５＝７７１＝融≧＼６、補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 ７、補正の内容 （１）明細書第１５頁第３行目、同頁第６行目、同頁第
６行目、同頁第６行目の［−〇薄膜の］の次に［粒子構
造を示す］を挿入する。
−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜のＲＢＳ分析を示１゜第２図は、鋼
中間層のないＳｔ基板上に形成したＢａ−Ｙ−Ｃｕ−０
薄膜のＲＢＳ分析結果を示第３図は、鋼中間層のあるＳ
ｔ基板上に形成したＢａ−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜の表面電子
顕微鏡写真を示す。 第４図は、鋼中間層のないＳｔ基板上に形成したＢａ−
Ｙ−Ｃｕ−０薄膜の表面電子顕微鏡写真を示す。 第５図は、鋼中間層のあるＭｇＯ基板上に形成したＢａ
−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜のＲＢＳ分析を示す。 第６図は、鋼中間層のないＭｇＯ基板上に形成したＢａ
−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜のＲＢＳ分析結果を示す。 第７図は、鋼中間層のあるＭｇＯ基板上に形成したＢａ
−Ｙ−ＣｕＯ薄膜の表面電子顕微鏡写真を示す。 第８図は、鋼中間層のないＭｇＯ基板上に形成したＢａ
−Ｙ−Ｃｕ−０薄膜の表面電子顕微鏡写真を示す。 青ｌ令Ｕイ（ス１０つ 第２図 ←ン木ノン委丈 １ｔ−ｔしイーｔｖｊ：’ （ｘｌＯυ−１ｉｋｆＬイ
ーｔｖｌ’ （ｘｌＯ’、）○ −Ｍ
（ＪＪ手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和６３年特許願第７１９４２号２、
発明の名称 超電導セラミックス薄膜及びその製法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区中落合２−９−１ 氏名 伊 藤 糾 次 住所 東京都千代田区神田美土代町１番地名称 住友セ
メント株式会社 代表者 今 川 彦 二 住所 東京都千代田区永１１町二丁目５番２号名称 新
技術開発事業団 理事長 赤 羽 信 久 ４、代理人 住所 〒１０１東京都千代田区神Ｅ口須田町１丁目２番
地電話（０３）２５３−４７８１（代） ５、補正命令の１１付（発送口） １［ｍ＋６Ｕ化６日只Ｆｉ （Ｆｉ Ｈ９只Ｉ：Ｉ）７
″７１５＝７７１＝融≧＼６、補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 ７、補正の内容 （１）明細書第１５頁第３行目、同頁第６行目、同頁第
６行目、同頁第６行目の［−〇薄膜の］の次に［粒子構
造を示す］を挿入する。
Claims (4)
- （１）基板の表面の少なくとも一部に配置された銅薄膜
の上に銅酸化物系酸化物超電導膜を有することを特徴と
する超電導セラミックス薄膜。 - （２）該基板が、Ｓｉ、ＭｇＯ、ＳｒＴｉＯ＿３の単結
晶或いはＺｒＯ＿２であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の超電導セラミックス薄膜。 - （３）超電導セラミックス薄膜を作製する製法において
、 基板の銅酸化物系超電導薄膜を形成すべき表面に予め銅
薄膜を形成しておき、その銅薄膜面上に銅酸化物系酸化
物超電導薄膜を形成することを特徴とする薄膜の製法。 - （４）該基板は、Ｓｉ、ＭｇＯ、ＳｒＴｉＯ＿３の単結
晶或いはＺｒＯ＿２である特許請求の範囲第３項記載の
薄膜の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63071942A JP2501226B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 超電導セラミックス薄膜及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63071942A JP2501226B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 超電導セラミックス薄膜及びその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01245570A true JPH01245570A (ja) | 1989-09-29 |
| JP2501226B2 JP2501226B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=13475063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63071942A Expired - Lifetime JP2501226B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 超電導セラミックス薄膜及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2501226B2 (ja) |
-
1988
- 1988-03-28 JP JP63071942A patent/JP2501226B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2501226B2 (ja) | 1996-05-29 |
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