JPH01245087A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH01245087A JPH01245087A JP63308859A JP30885988A JPH01245087A JP H01245087 A JPH01245087 A JP H01245087A JP 63308859 A JP63308859 A JP 63308859A JP 30885988 A JP30885988 A JP 30885988A JP H01245087 A JPH01245087 A JP H01245087A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、
詳しくは、各種表示装置の発光体として用いられる有機
エレクトロルミネッセンス素子に関する。
詳しくは、各種表示装置の発光体として用いられる有機
エレクトロルミネッセンス素子に関する。
〔従来技術及び発明が解決しようとする課題〕エレクト
ロルミネッセンス素子（以下ＥＬ素子という）は、自己
発光のため視認性が高く、また完全固体素子であるため
耐衝撃性に優れるという特徴を有しており、現在、無機
蛍光体であるＺｎＳ：Ｍｎを用いたＥＬ素子が広（使用
されている。しかしながら、このような無ｉＥＬ素子は
、発光させるための印加電圧が２００Ｖ近く必要なため
、駆動方法が複雑である。一方有機薄膜ＥＬ素子は、印
加電圧を大幅に低下させることができるため、各種材料
を用いたものが開発されつつある。既にヴインセットら
は、アントラセンを発光体とし、膜厚を約０．６μｍと
した蒸着膜を用いてＥＬ素子を作製し、印加電圧３０Ｖ
にて青色の可視発光を得ている（Ｔｈｉｎ ５ｏｌｉｄ
ＦｉｌＩｌｓ、 ＪＬ（１９８２）１７１）。しかし
、この素子は輝度が不充分であり、印加電圧も依然とし
て高くしなければならない。
ロルミネッセンス素子（以下ＥＬ素子という）は、自己
発光のため視認性が高く、また完全固体素子であるため
耐衝撃性に優れるという特徴を有しており、現在、無機
蛍光体であるＺｎＳ：Ｍｎを用いたＥＬ素子が広（使用
されている。しかしながら、このような無ｉＥＬ素子は
、発光させるための印加電圧が２００Ｖ近く必要なため
、駆動方法が複雑である。一方有機薄膜ＥＬ素子は、印
加電圧を大幅に低下させることができるため、各種材料
を用いたものが開発されつつある。既にヴインセットら
は、アントラセンを発光体とし、膜厚を約０．６μｍと
した蒸着膜を用いてＥＬ素子を作製し、印加電圧３０Ｖ
にて青色の可視発光を得ている（Ｔｈｉｎ ５ｏｌｉｄ
ＦｉｌＩｌｓ、 ＪＬ（１９８２）１７１）。しかし
、この素子は輝度が不充分であり、印加電圧も依然とし
て高くしなければならない。
また近年に至っては、ＩＯＶ程度の低電圧を印加するだ
けで５〜９０ｃｄ／ｒＩ′ｒの輝度の発光を示す有機Ｅ
Ｌ素子が、ＬＢ法（ラングミュア・プロジェット法）を
用いた薄膜にて作製されている（特開昭６１−４３６８
２号公報及び同６１−６３６９１号公報参照）。
けで５〜９０ｃｄ／ｒＩ′ｒの輝度の発光を示す有機Ｅ
Ｌ素子が、ＬＢ法（ラングミュア・プロジェット法）を
用いた薄膜にて作製されている（特開昭６１−４３６８
２号公報及び同６１−６３６９１号公報参照）。
しかしながら、この有機ＥＬ素子は、ＬＢ法による単分
子膜の累積によって電子受容性と電子供与性の発光性物
質の積層膜を作製するため、構成が複雑であるとともに
、製造が煩雑であり、実用性に欠けるという問題がある
。
子膜の累積によって電子受容性と電子供与性の発光性物
質の積層膜を作製するため、構成が複雑であるとともに
、製造が煩雑であり、実用性に欠けるという問題がある
。
さらに、２５Ｖ以下の低電圧印加で高輝度を発現する有
機ＥＬ素子も開発されている（特開昭５９−１９４３９
３号公報参照）。このＥＬ素子は、電極／正孔注入層／
発光層／電極とした積層型のものであるが、電極間の膜
厚が０．５μｍ以下であることが必要であり、そのため
ピンホールが生じやすく、生産性が低いという大きな問
題がある。
機ＥＬ素子も開発されている（特開昭５９−１９４３９
３号公報参照）。このＥＬ素子は、電極／正孔注入層／
発光層／電極とした積層型のものであるが、電極間の膜
厚が０．５μｍ以下であることが必要であり、そのため
ピンホールが生じやすく、生産性が低いという大きな問
題がある。
［課題を解決するための手段］
そこで本発明者らは、上記従来技術の問題点を解消し、
低電圧を印加するだけで高輝度に発光し、しかも構成が
簡単で容易に製造することのできるＥＬ素子を開発すべ
く鋭意研究を重ねた。その結果、特定の有機化合物を発
光材料として用いることにより、これらの条件を達成で
きることを見出し、本発明を完成するに至った。
低電圧を印加するだけで高輝度に発光し、しかも構成が
簡単で容易に製造することのできるＥＬ素子を開発すべ
く鋭意研究を重ねた。その結果、特定の有機化合物を発
光材料として用いることにより、これらの条件を達成で
きることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、１，４−ビス（アルキルスチリル）ベ
ンゼン誘導体を発光材料として用いたことを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス素子を提供するものであ
る。
ンゼン誘導体を発光材料として用いたことを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス素子を提供するものであ
る。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、上記１
，４−ビス（アルキルスチリル）ベンゼン誘導体を発光
材料として用いればよく、特にその使用形態に制限はな
いが、好ましくは少なくとも一方が透明または半透明の
二つの電極間に、薄膜状の１，４−ビス（アルキルスチ
リル）ベンゼン誘導体を挟着した構成とする。
，４−ビス（アルキルスチリル）ベンゼン誘導体を発光
材料として用いればよく、特にその使用形態に制限はな
いが、好ましくは少なくとも一方が透明または半透明の
二つの電極間に、薄膜状の１，４−ビス（アルキルスチ
リル）ベンゼン誘導体を挟着した構成とする。
本発明において、発光体として用いられる有機化合物は
、１．４−ビス（アルキルスチリル）ベンゼン誘導体で
あって、特に−数式 で表わされるものが好適である。ここで、式中のＲ’、
Ｒ２はそれぞれ炭素数１〜４のアルキル基（例えば、メ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基。
、１．４−ビス（アルキルスチリル）ベンゼン誘導体で
あって、特に−数式 で表わされるものが好適である。ここで、式中のＲ’、
Ｒ２はそれぞれ炭素数１〜４のアルキル基（例えば、メ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基。
ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基。
Ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基）を示し、両者とも同じも
のでも異なるものでもよい。また、Ｒ３は水素あるいは
上記ＲＩ 、 Ｒ！と同様に炭素数１〜４のアルキル基
を示す。この−数式（１）で表わされる１、４−ビス（
アルキルスチリル）ベンゼン誘導体は各種のものがある
が、例えば１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼ
ン；１１４−ビス（３−メチルスチリル）ベンゼン；１
，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン；ジスチリ
ルベンゼン；１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベン
ゼン；１，４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン；
１，４−ビス（４−エチルスチリル）ベンゼン；１，４
−ビス（２−メチルスチリル）−２−メチルベンゼン；
１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−エチルベン
ゼンなどをあげることができる。このうち特に で表わされる１、４−ビス（２−メチルスチリル）ベン
ゼン及び 式 で表わされる１、４−ビス（４−メチルスチリル）ベン
ゼンが好適に使用される。
のでも異なるものでもよい。また、Ｒ３は水素あるいは
上記ＲＩ 、 Ｒ！と同様に炭素数１〜４のアルキル基
を示す。この−数式（１）で表わされる１、４−ビス（
アルキルスチリル）ベンゼン誘導体は各種のものがある
が、例えば１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼ
ン；１１４−ビス（３−メチルスチリル）ベンゼン；１
，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン；ジスチリ
ルベンゼン；１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベン
ゼン；１，４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン；
１，４−ビス（４−エチルスチリル）ベンゼン；１，４
−ビス（２−メチルスチリル）−２−メチルベンゼン；
１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−エチルベン
ゼンなどをあげることができる。このうち特に で表わされる１、４−ビス（２−メチルスチリル）ベン
ゼン及び 式 で表わされる１、４−ビス（４−メチルスチリル）ベン
ゼンが好適に使用される。
また、上記発光体の薄膜の膜厚は、特に制限はなく適宜
状況に応じて選定すればよいが、通常は１０ｎｍ〜５ｐ
ｍ、好ましくは０．０１〜２μｍ程度である。
状況に応じて選定すればよいが、通常は１０ｎｍ〜５ｐ
ｍ、好ましくは０．０１〜２μｍ程度である。
この発光体としての１，４−ビス（アルキルスチリル）
ベンゼン誘導体を薄膜化する方法としては、スピンコー
ド、蒸着、キャスト ＬＢ等の方法が挙げられるが、形
成される膜の均一性の面からみて蒸着法が最も好ましい
。
ベンゼン誘導体を薄膜化する方法としては、スピンコー
ド、蒸着、キャスト ＬＢ等の方法が挙げられるが、形
成される膜の均一性の面からみて蒸着法が最も好ましい
。
１．４−ビス（アルキルスチリル）ベンゼン誘導体を蒸
着法により薄膜化する場合、その条件は各種状況によっ
て変動し、一義的には決定で゛きないが、好ましい例は
、加熱温度１５０〜２５０°Ｃ９基板温度０〜２００°
Ｃ１真空度１０−’−１０弓Ｐａ。
着法により薄膜化する場合、その条件は各種状況によっ
て変動し、一義的には決定で゛きないが、好ましい例は
、加熱温度１５０〜２５０°Ｃ９基板温度０〜２００°
Ｃ１真空度１０−’−１０弓Ｐａ。
蒸着速度０．１〜３０ ｎ ｍ ／ｓｅｃとして、膜厚
を１０ｎｍから５μｍの範囲となるように、１．４−ビ
ス（アルキルスチリル）ベンゼン誘導体の種類や蒸着装
置の種類などの各種条件により、最適な条件を選定する
。
を１０ｎｍから５μｍの範囲となるように、１．４−ビ
ス（アルキルスチリル）ベンゼン誘導体の種類や蒸着装
置の種類などの各種条件により、最適な条件を選定する
。
この１．４−ビス（アルキルスチリル）ベンゼン誘導体
を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子
）は、例えば第１図に示すように形成される。即ち、ガ
ラス、ポリマー、石英などの支持基板１上に、金、アル
ミニウム、インジウムチンオキサイド（酸化インジウム
と酸化錫の混合物： ＩＴＯ）、インジウム、マグネシ
ウムなどの極薄膜の電極２をスパッタ法などにより、１
０〜１１０００ｎ、好ましくは発光体との間の段差を少
なくするために１０〜５０ｎｍの厚さで形成し、次いで
前記１．４−ビス（アルキルスチリル）ベンゼン誘導体
からなる発光体３を薄膜にて形成する。さらに該発光体
３の上に電極４を形成し、前記支持基板１上の電極２と
ともに発光体３を挟着する。この際、画電極２，４の内
、少なくとも一方は、発光体３からの光を透過するよう
に透明または半透明であることが必要であり、支持基板
１側を透明または半透明とする場合には、支持基板１も
透明もしくは半透明とすべきである。
を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子
）は、例えば第１図に示すように形成される。即ち、ガ
ラス、ポリマー、石英などの支持基板１上に、金、アル
ミニウム、インジウムチンオキサイド（酸化インジウム
と酸化錫の混合物： ＩＴＯ）、インジウム、マグネシ
ウムなどの極薄膜の電極２をスパッタ法などにより、１
０〜１１０００ｎ、好ましくは発光体との間の段差を少
なくするために１０〜５０ｎｍの厚さで形成し、次いで
前記１．４−ビス（アルキルスチリル）ベンゼン誘導体
からなる発光体３を薄膜にて形成する。さらに該発光体
３の上に電極４を形成し、前記支持基板１上の電極２と
ともに発光体３を挟着する。この際、画電極２，４の内
、少なくとも一方は、発光体３からの光を透過するよう
に透明または半透明であることが必要であり、支持基板
１側を透明または半透明とする場合には、支持基板１も
透明もしくは半透明とすべきである。
そして上記電極２．４をそれぞれ電源５、例えば直流１
０〜３０Ｖあるいは交流１０〜３０Ｖ程度の電源に接続
する。
０〜３０Ｖあるいは交流１０〜３０Ｖ程度の電源に接続
する。
このような電源により電圧を印加すると、１゜４−ビス
（アルキルスチリル）ベンゼン誘導体力らなる発光体３
が青色または青緑色に発光する。
（アルキルスチリル）ベンゼン誘導体力らなる発光体３
が青色または青緑色に発光する。
なお、上記の支持基板や電極は、従来から用いられてい
る材料を、従来からの方法により形成して使用すること
ができる。
る材料を、従来からの方法により形成して使用すること
ができる。
次に、本発明を実施例により更に詳しく説明する。
実施例１
２５ｓ＋ｓＸ７５ｍｍＸ１．１＋＋＋ｍのガラス基板上
にＩＴＯ（インジウムチンオキサイド）をスパッタ法で
５０ｎｍの厚さに製膜したものを透明支持基板とし、こ
の透明支持基板を市販の真空蒸着装置（日本真空技術■
製）の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱
ボートに１．４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン
を１００■入れ、真空槽を５ Ｘ １０−’Ｐａまで減
圧した。さらに前記ボートを１６０°Ｃまで加熱し、蒸
着速度１．Ｏｎｍ／ｓｅｃで１．４−ビス（２−メチル
スチリル）ベンゼンを透明支持基板上に蒸着し、膜厚０
．７μｍの発光体薄膜を得た。このときの基板温度は室
温であった。これを真空槽から取り出して発光体薄膜上
にステンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホ
ルダーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボートに金を
２００■入れて、真空槽を１×１０−’Ｐａまで減圧し
た。その後ボートを１４００℃に加熱し、最終的に５０
ｎｍの金電極を発光体薄膜上に形成し、前記第１図に示
すごとき形状の有機エレクトロルミネッセンス素子（Ｅ
Ｌ素子）を製作した。
にＩＴＯ（インジウムチンオキサイド）をスパッタ法で
５０ｎｍの厚さに製膜したものを透明支持基板とし、こ
の透明支持基板を市販の真空蒸着装置（日本真空技術■
製）の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱
ボートに１．４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン
を１００■入れ、真空槽を５ Ｘ １０−’Ｐａまで減
圧した。さらに前記ボートを１６０°Ｃまで加熱し、蒸
着速度１．Ｏｎｍ／ｓｅｃで１．４−ビス（２−メチル
スチリル）ベンゼンを透明支持基板上に蒸着し、膜厚０
．７μｍの発光体薄膜を得た。このときの基板温度は室
温であった。これを真空槽から取り出して発光体薄膜上
にステンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホ
ルダーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボートに金を
２００■入れて、真空槽を１×１０−’Ｐａまで減圧し
た。その後ボートを１４００℃に加熱し、最終的に５０
ｎｍの金電極を発光体薄膜上に形成し、前記第１図に示
すごとき形状の有機エレクトロルミネッセンス素子（Ｅ
Ｌ素子）を製作した。
このＥＬ素子に直流電圧２０Ｖを印加したところ、電流
が２．０ｍＡ流れ、青色発光を得た。このときの発光極
大波長は４５０ ｎｍ、発光輝度は８０ｃｄ／ｒｒｌで
あった。
が２．０ｍＡ流れ、青色発光を得た。このときの発光極
大波長は４５０ ｎｍ、発光輝度は８０ｃｄ／ｒｒｌで
あった。
実施例２
２５ｆｆＩ１１×７５１１Ｉ１１×１．１ｆｆ１１のガ
ラス基板上に■Ｔｏを蒸着法にて５０ｎｍの厚さで製膜
したものを透明支持基板とし、この透明支持基板を市販
の蒸着装置（日本真空技術■製）の基板ホルダーに固定
し、モリブデン製の抵抗加熱ボートに１．４−ビス（４
−メチルスチリル）ベンゼンを２００■入れ、真空槽を
Ｉ Ｘ １０−’Ｐａまで減圧した。
ラス基板上に■Ｔｏを蒸着法にて５０ｎｍの厚さで製膜
したものを透明支持基板とし、この透明支持基板を市販
の蒸着装置（日本真空技術■製）の基板ホルダーに固定
し、モリブデン製の抵抗加熱ボートに１．４−ビス（４
−メチルスチリル）ベンゼンを２００■入れ、真空槽を
Ｉ Ｘ １０−’Ｐａまで減圧した。
さらに前記ボートを２４０〜２４６°Ｃまで加熱し、１
，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼンを蒸着速度
０．５〜１．０ ｎ ｍ ／ｓｃｅで透明支持基板上に
蒸着し、膜厚０．５μｍの発光体薄膜を得た。このとき
基板温度は室温であった。これを真空槽より取り出し発
光体薄膜上にステンレススチール製のマスクを設置し、
再び基板ホルダーに固定したモリブデン製の抵抗加熱ボ
ートに金２００■を入れて、真空槽を２ Ｘ １０−’
Ｐａまで減圧した。
，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼンを蒸着速度
０．５〜１．０ ｎ ｍ ／ｓｃｅで透明支持基板上に
蒸着し、膜厚０．５μｍの発光体薄膜を得た。このとき
基板温度は室温であった。これを真空槽より取り出し発
光体薄膜上にステンレススチール製のマスクを設置し、
再び基板ホルダーに固定したモリブデン製の抵抗加熱ボ
ートに金２００■を入れて、真空槽を２ Ｘ １０−’
Ｐａまで減圧した。
その後ボートを１４００″Ｃまで加熱し２０ｎｍの膜厚
で金電極を発光体薄膜上に形成し、対向電極とした。こ
の素子に金電極を正極、ＩＴＯ電極を負極とし直流３０
Ｖを印加したところ、電流が２０ｍＡながれ青緑色発光
を得た。
で金電極を発光体薄膜上に形成し、対向電極とした。こ
の素子に金電極を正極、ＩＴＯ電極を負極とし直流３０
Ｖを印加したところ、電流が２０ｍＡながれ青緑色発光
を得た。
このときの発光極大波長は４９０ｎｍ、発光帯域は４４
０ｎｍ〜５６０ｎｍにおよぶ領域であり、発光輝度は６
０ｃｄ／ｒｒｆであった。
０ｎｍ〜５６０ｎｍにおよぶ領域であり、発光輝度は６
０ｃｄ／ｒｒｆであった。
実施例３
２５［１１１Ｘ ７５ｍ＋＋＋Ｘ １．１ｍｍのガラス
基板上にＩＴＯを蒸着法にて５０ｎｍの厚さで製膜した
ものを透明支持基板とし、この透明支持基板を市販の蒸
着装置（日本真空技術■製）の基板ホルダーに固定し、
モリブデン製の抵抗加熱ボートに１． ４−ビス（４−
エチルスチリル）ベンゼンを２００■入れ、真空槽をＩ
Ｘ １０−’Ｐａまで減圧した。
基板上にＩＴＯを蒸着法にて５０ｎｍの厚さで製膜した
ものを透明支持基板とし、この透明支持基板を市販の蒸
着装置（日本真空技術■製）の基板ホルダーに固定し、
モリブデン製の抵抗加熱ボートに１． ４−ビス（４−
エチルスチリル）ベンゼンを２００■入れ、真空槽をＩ
Ｘ １０−’Ｐａまで減圧した。
さらに前記ボートを２３７℃まで加熱し、１゜４−ビス
（４−エチルスチリル）ベンゼンを蒸着速度０．５ ｎ
ｍ／ｓｅｅで透明支持基板上に蒸着し、膜厚０．５μ
ｍの発光体薄膜を得た。このとき基板温度は室温であっ
た。これを真空槽より取り出し発光体薄膜上にステンレ
ススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固
定しモリブデン製の抵抗加熱ボートに金２００■を入れ
て、真空槽を２ Ｘ １０−’Ｐａまで減圧した。
（４−エチルスチリル）ベンゼンを蒸着速度０．５ ｎ
ｍ／ｓｅｅで透明支持基板上に蒸着し、膜厚０．５μ
ｍの発光体薄膜を得た。このとき基板温度は室温であっ
た。これを真空槽より取り出し発光体薄膜上にステンレ
ススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固
定しモリブデン製の抵抗加熱ボートに金２００■を入れ
て、真空槽を２ Ｘ １０−’Ｐａまで減圧した。
その後ボートを１４００°Ｃまで加熱し２０ｎｍの膜厚
で金電極を発光体薄膜上に形成し、対向電極とした。こ
の素子に金電極を正極、ＩＴＯ電極を負極とし直流３０
Ｖを印加したところ、電流が１ｍＡながれ青緑色発光を
得た。
で金電極を発光体薄膜上に形成し、対向電極とした。こ
の素子に金電極を正極、ＩＴＯ電極を負極とし直流３０
Ｖを印加したところ、電流が１ｍＡながれ青緑色発光を
得た。
このときの発光極大波長は４８０ｎｍ、発光帯域は４４
０ｎｍ〜６００ ｎｍにおよぶ領域であり、発光輝度は
０．１ｃｄ／ｎ？であった。
０ｎｍ〜６００ ｎｍにおよぶ領域であり、発光輝度は
０．１ｃｄ／ｎ？であった。
本発明は、以上説明したように、１，４−ビス（アルキ
ルスチリル）ベンゼン誘導体を発光体として有機ＥＬ素
子を形成したものであるため、低電圧を印加するだけで
高輝度を得ることができ、その構成も、基板／電極／発
光体薄膜／電極と簡単であり、容易に製造することがで
きる。さらに発光体の膜厚を比較的厚く選定できるため
、ピンホールなどの不良も少なく生産性が向上し、各種
表示用のＥＬ素子として安価で安定した製品を提供する
ことが可能となる。
ルスチリル）ベンゼン誘導体を発光体として有機ＥＬ素
子を形成したものであるため、低電圧を印加するだけで
高輝度を得ることができ、その構成も、基板／電極／発
光体薄膜／電極と簡単であり、容易に製造することがで
きる。さらに発光体の膜厚を比較的厚く選定できるため
、ピンホールなどの不良も少なく生産性が向上し、各種
表示用のＥＬ素子として安価で安定した製品を提供する
ことが可能となる。
第１図は本発明のＥＬ素子の構成の一例を示す説明図で
ある。 １：基板 ２．４＝電極 ３：発光体５：電源
ある。 １：基板 ２．４＝電極 ３：発光体５：電源
Claims (4)
- （１） １、４−ビス（アルキルスチリル）ベンゼン誘
導体を発光材料として用いたことを特徴とする有機エレ
クトロルミネッセンス素子。 - （２） １、４−ビス（アルキルスチリル）ベンゼン誘
導体が、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は、それぞれ炭素数１〜４
のアルキル基を示し、Ｒ＾３は、水素または炭素数１〜
４のアルキル基を示す。）で表わされるものである請求
項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - （３） 少なくとも一方が透明または半透明の二つの電
極間に、薄膜状の１、４−ビス（アルキルスチリル）ベ
ンゼン誘導体を挟着したことを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンス素子。 - （４） １、４−ビス（アルキルスチリル）ベンゼン誘
導体が、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２およびＲ＾３は、前記と同じで
ある。）で表わされるものである請求項３記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63308859A JPH01245087A (ja) | 1987-12-11 | 1988-12-08 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31235687 | 1987-12-11 | ||
| JP62-312356 | 1987-12-11 | ||
| JP63308859A JPH01245087A (ja) | 1987-12-11 | 1988-12-08 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01245087A true JPH01245087A (ja) | 1989-09-29 |
Family
ID=26565709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63308859A Pending JPH01245087A (ja) | 1987-12-11 | 1988-12-08 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01245087A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03152897A (ja) * | 1989-11-09 | 1991-06-28 | Idemitsu Kosan Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2002356473A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-13 | Yuichiro Haramoto | 液晶化合物と同様な化学構造を持ち、電子輸送性ｅｌ素子として応用可能なビオロゲン誘導体およびその製造方法 |
| US6602619B2 (en) | 2001-10-19 | 2003-08-05 | Lightronik Technology Inc. | Organic EL device |
| US6706423B2 (en) | 2001-12-27 | 2004-03-16 | Lightronik Technology Inc. | Organic EL device |
| US6811897B2 (en) | 2002-03-29 | 2004-11-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ink for forming a hole injection layer of organic EL display devices and manufacturing method thereof, organic EL display devices, and manufacturing method of the same |
| US6878469B2 (en) | 2002-01-18 | 2005-04-12 | Lg Chem, Ltd. | Material for transporting electrons and organic electroluminescent display using the same |
| US6908696B2 (en) | 2002-03-18 | 2005-06-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic electro luminescence display device |
| US7442447B2 (en) | 2003-01-17 | 2008-10-28 | The Regents Of The University Of California | Binaphthol based chromophores for the fabrication of blue organic light emitting diodes |
| US8198801B2 (en) | 2004-03-19 | 2012-06-12 | Lg Chem, Ltd. | Materials for injecting or transporting holes and organic electroluminescence devices using the same |
| WO2012102333A1 (ja) | 2011-01-27 | 2012-08-02 | Jnc株式会社 | 新規アントラセン化合物およびこれを用いた有機電界発光素子 |
| EP2592905A1 (en) | 2003-07-31 | 2013-05-15 | Mitsubishi Chemical Corporation | Compound, charge transporting material and organic electroluminescent element |
| WO2013077141A1 (ja) | 2011-11-25 | 2013-05-30 | Jnc株式会社 | ベンゾフルオレン化合物、該化合物を用いた発光層用材料および有機電界発光素子 |
| US8518619B2 (en) | 2010-07-21 | 2013-08-27 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Photoelectric conversion device, electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming apparatus |
| WO2014042197A1 (ja) | 2012-09-11 | 2014-03-20 | Jnc株式会社 | 有機電界発光素子用材料、有機電界発光素子、表示装置、及び照明装置 |
| US8748070B2 (en) | 2011-01-28 | 2014-06-10 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Thiol group-containing charge transporting material, thiol group-containing charge transporting material-dissolving solution, photoelectric conversion device, electrophotographic photoreceptor, image forming apparatus, and process cartridge |
| WO2015102118A1 (ja) | 2014-02-18 | 2015-07-09 | 学校法人関西学院 | 多環芳香族化合物 |
| WO2018212169A1 (ja) | 2017-05-16 | 2018-11-22 | 学校法人関西学院 | 多環芳香族化合物 |
-
1988
- 1988-12-08 JP JP63308859A patent/JPH01245087A/ja active Pending
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| US6706423B2 (en) | 2001-12-27 | 2004-03-16 | Lightronik Technology Inc. | Organic EL device |
| US6878469B2 (en) | 2002-01-18 | 2005-04-12 | Lg Chem, Ltd. | Material for transporting electrons and organic electroluminescent display using the same |
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| WO2013077141A1 (ja) | 2011-11-25 | 2013-05-30 | Jnc株式会社 | ベンゾフルオレン化合物、該化合物を用いた発光層用材料および有機電界発光素子 |
| US9590182B2 (en) | 2011-11-25 | 2017-03-07 | Jnc Corporation | Benzofluorene compound, material for luminescent layer using said compound and organic electroluminescent device |
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| EP3345911A1 (en) | 2014-02-18 | 2018-07-11 | Kwansei Gakuin Educational Foundation | Polycyclic aromatic compounds and their use as organic device material |
| WO2018212169A1 (ja) | 2017-05-16 | 2018-11-22 | 学校法人関西学院 | 多環芳香族化合物 |
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