JPH01243434A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01243434A JPH01243434A JP63070655A JP7065588A JPH01243434A JP H01243434 A JPH01243434 A JP H01243434A JP 63070655 A JP63070655 A JP 63070655A JP 7065588 A JP7065588 A JP 7065588A JP H01243434 A JPH01243434 A JP H01243434A
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- Japan
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- trench
- sand
- substrate
- bevel
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
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- Bipolar Transistors (AREA)
- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、−導電形の高比抵抗層の両面にそれぞれ他導
電形の低比抵抗層が隣接し、一方の低比抵抗層を貫通し
て高比抵抗層内部に達する溝が形成されてダブルポジテ
ィブへベルを有する半導体装置の５！遣方法に関する。
電形の低比抵抗層が隣接し、一方の低比抵抗層を貫通し
て高比抵抗層内部に達する溝が形成されてダブルポジテ
ィブへベルを有する半導体装置の５！遣方法に関する。
３層以上の層を有する半導体装置、例えば第２図に示す
ように２層１１． Ｎ層１２，２層１３． Ｎ ｉ １
４を有し、支持板２の上に合金層５を介して固着され、
Ｎ層１４上にカソード電極６を設けたサイリスタ半導体
基板１の低抵抗の２層１１．１３の間にはさまれた高抵
抗Ｎｉ１１２に達する溝３を形成し、２層１１とＮ層１
２の間のＰＮ接合に対しては基板の側面の傾斜面４１に
より、ＰＩ’ｉ１３とＮ層１２の間のＰＮ接合には溝３
の基板中心部側の傾斜面４２よりそれぞれポジティブベ
ベルにすることは特公昭４７ｉ１．７７７号公報で公知
である。このような溝３を形成する方法としては、第３
図に示すように半導体基板１を基板の中心を軸として回
転させながら、傾斜させたノズル７から窒素圧などによ
り砂７を噴射する方法が従来用いられていた。
ように２層１１． Ｎ層１２，２層１３． Ｎ ｉ １
４を有し、支持板２の上に合金層５を介して固着され、
Ｎ層１４上にカソード電極６を設けたサイリスタ半導体
基板１の低抵抗の２層１１．１３の間にはさまれた高抵
抗Ｎｉ１１２に達する溝３を形成し、２層１１とＮ層１
２の間のＰＮ接合に対しては基板の側面の傾斜面４１に
より、ＰＩ’ｉ１３とＮ層１２の間のＰＮ接合には溝３
の基板中心部側の傾斜面４２よりそれぞれポジティブベ
ベルにすることは特公昭４７ｉ１．７７７号公報で公知
である。このような溝３を形成する方法としては、第３
図に示すように半導体基板１を基板の中心を軸として回
転させながら、傾斜させたノズル７から窒素圧などによ
り砂７を噴射する方法が従来用いられていた。
Ｃ発明が解決しようとする課題〕
上記のサンドブラストによる加工方法では、溝３の形状
が第４図のように人口付近でだれやすく、Ｎ層１２とｐ
Ｈ１１３の間のＰＮ接合部では適正なボジティブヘベル
角度が得られず、耐圧の確保ができないという問題があ
った。
が第４図のように人口付近でだれやすく、Ｎ層１２とｐ
Ｈ１１３の間のＰＮ接合部では適正なボジティブヘベル
角度が得られず、耐圧の確保ができないという問題があ
った。
本発明の課題は、溝形状が良好でその内面のＰＮ接合部
に適正なポジティブベベルが形成された半導体装置の製
造方法を提供することにある。
に適正なポジティブベベルが形成された半導体装置の製
造方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
上記課題の解決のために、本発明の方法は、半導体基板
の板面に平行な一導電形の高比抵抗層の両側にそれぞれ
他導電形の低比抵抗層が隣接し、一方の低比抵抗層を貫
通して高比抵抗層に達する板面に傾斜した溝を基板中心
部側の内面が両層間のＰＮ接合に対するポジティブベベ
ルになるようにサンドブラスト法で形成するに際し、砂
を噴射するノズルを用いて先ず１００−程度の深さの溝
を形成したのち、前記ノズルを基板中心部側に移動させ
て高比抵抗層に達する溝を形成するものとする。
の板面に平行な一導電形の高比抵抗層の両側にそれぞれ
他導電形の低比抵抗層が隣接し、一方の低比抵抗層を貫
通して高比抵抗層に達する板面に傾斜した溝を基板中心
部側の内面が両層間のＰＮ接合に対するポジティブベベ
ルになるようにサンドブラスト法で形成するに際し、砂
を噴射するノズルを用いて先ず１００−程度の深さの溝
を形成したのち、前記ノズルを基板中心部側に移動させ
て高比抵抗層に達する溝を形成するものとする。
予め形成する浅い溝がその後に深い溝を形成する際に噴
射する砂の流出経路となるため、溝の基板中心部側の入
口が砂の流出によってだれることがなく、所望の角度を
もつポジティブベベルが形成される。
射する砂の流出経路となるため、溝の基板中心部側の入
口が砂の流出によってだれることがなく、所望の角度を
もつポジティブベベルが形成される。
第１図（ａｌ、（ｂｌは本発明の一実施例を示し、第２
゜第３．第４図と共通の部分には同一の符号が付されて
いる。一般に知られたサンドブラスト法と同様に、支持
板２の上に固着しベベル面４１を形成したサイリスタ基
板ｌを回転体にチャックして回転させた状態でその上に
ノズル７を傾斜させてセントし、砂８を噴射した （図
ａ）、このとき、ノズル７の角度は４５″で、ダブルポ
ジティブベベルのための溝を形成したい位置より２００
ｐ程度外側に位置させ、１００−程度の深さの１３１を
掘る。このような浅い溝３１は、基板１の表面に対して
ほぼ垂直の方向に掘られることが判明している０次にノ
ズルを２００−程度中心部に、すなわち本来の溝を形成
したい位置に移動させて再度サンドブラストを開始する
。サンドブラストの窒素圧力５ｋｇ／ｃｄ。
゜第３．第４図と共通の部分には同一の符号が付されて
いる。一般に知られたサンドブラスト法と同様に、支持
板２の上に固着しベベル面４１を形成したサイリスタ基
板ｌを回転体にチャックして回転させた状態でその上に
ノズル７を傾斜させてセントし、砂８を噴射した （図
ａ）、このとき、ノズル７の角度は４５″で、ダブルポ
ジティブベベルのための溝を形成したい位置より２００
ｐ程度外側に位置させ、１００−程度の深さの１３１を
掘る。このような浅い溝３１は、基板１の表面に対して
ほぼ垂直の方向に掘られることが判明している０次にノ
ズルを２００−程度中心部に、すなわち本来の溝を形成
したい位置に移動させて再度サンドブラストを開始する
。サンドブラストの窒素圧力５ｋｇ／ｃｄ。
ノズル直径０．６０鶴の条件で４００秒の間の噴射によ
り基板中心から半径３０ｆｌの位置に深さ５００−の溝
３が形成された （図ｂ）、この結果第２図に示すＮ１
１１２とＰ７１１３の間のＰＮ接合に対し４５°をなす
ポジティブベベル面４２が正確にでき上がった。
り基板中心から半径３０ｆｌの位置に深さ５００−の溝
３が形成された （図ｂ）、この結果第２図に示すＮ１
１１２とＰ７１１３の間のＰＮ接合に対し４５°をなす
ポジティブベベル面４２が正確にでき上がった。
サンドブラスト法による加工後は、酸あるいはアルカリ
などを用いる周知の方法でエツチングし、外側ベベル面
４１および溝３の内面を含む基板表面にバンシベーシッ
ン材を塗布した。
などを用いる周知の方法でエツチングし、外側ベベル面
４１および溝３の内面を含む基板表面にバンシベーシッ
ン材を塗布した。
第５図＋ａｌ、（ｂｌは本発明の実施例の場合と従来の
サンドブラスト法の場合の砂の流れの相違を説明する図
で、従来法の場合は第５図（ａｌのようにノズル７から
噴射された砂８はシリコン基板に衝突し、矢印９に示す
ように基板表面に向かって流れる際、溝３の傾斜の関係
から基板中心側に向かって流れやすく、適正なポジティ
ブベベル角度が得られない。これに対して第５図（ｂｌ
に示した本発明の実施例の場合は、あらかじめ１００戸
程度の深さの溝３１を外側に形成しているため、ノズル
７から噴射された砂８はシリコン基板に衝突したのち、
矢印９のように溝３１の方に流れていく。このためポジ
ティブベベル面４２は砂の流出路９から離れ、砂の影響
を受けないことになり、非常に鋭いポジティブベベル面
が形成される。
サンドブラスト法の場合の砂の流れの相違を説明する図
で、従来法の場合は第５図（ａｌのようにノズル７から
噴射された砂８はシリコン基板に衝突し、矢印９に示す
ように基板表面に向かって流れる際、溝３の傾斜の関係
から基板中心側に向かって流れやすく、適正なポジティ
ブベベル角度が得られない。これに対して第５図（ｂｌ
に示した本発明の実施例の場合は、あらかじめ１００戸
程度の深さの溝３１を外側に形成しているため、ノズル
７から噴射された砂８はシリコン基板に衝突したのち、
矢印９のように溝３１の方に流れていく。このためポジ
ティブベベル面４２は砂の流出路９から離れ、砂の影響
を受けないことになり、非常に鋭いポジティブベベル面
が形成される。
第６図は、ＡｋＶ級サイリスタのダブルポジティブベベ
ルを従来のサンドブラスト法と本発明に基づくサンドブ
ラスト法で形成した場合の順方向の耐圧波形の差を示し
、点線６１で示した従来法によるサイリスタでは４ｋＶ
からもれ電流が発生しているのに対し、実線６２で示し
た本発明の実施例によるサイリスタでは５ｋＶの順方向
電圧までもれ電流が１ｍＡ以下となっている。
ルを従来のサンドブラスト法と本発明に基づくサンドブ
ラスト法で形成した場合の順方向の耐圧波形の差を示し
、点線６１で示した従来法によるサイリスタでは４ｋＶ
からもれ電流が発生しているのに対し、実線６２で示し
た本発明の実施例によるサイリスタでは５ｋＶの順方向
電圧までもれ電流が１ｍＡ以下となっている。
本発明によれば、ダブルポジティブベベルのために基板
面に傾斜した環状溝をサンドブラストで形成する際、予
め砂の流出経路になるような浅い溝を外側に形成してお
くことにより、溝の基板中心部側の内面に形成されるポ
ジティブベベルはだれることがなく、きわめて鋭い適正
なベベル角となるため、安定した耐圧を有する半導体装
置を製造することができる。
面に傾斜した環状溝をサンドブラストで形成する際、予
め砂の流出経路になるような浅い溝を外側に形成してお
くことにより、溝の基板中心部側の内面に形成されるポ
ジティブベベルはだれることがなく、きわめて鋭い適正
なベベル角となるため、安定した耐圧を有する半導体装
置を製造することができる。
第１図ｔａｇ、 （ｂｌは本発明の一実施例の溝形成工
程を順に示す断面図、第２図はダブルポジティブベベル
構造のサイリスタの断面図、第３図は従来の溝形成方法
を示す断面図、第４図は従来法により生ずるベベル面の
欠点を示す断面図、第５図（ａ）。 山）は本発明の詳細な説明図で、＋ａ＋は従来法におけ
る断面図、（ｂｌは本発明の一実施例における断面図、
第６図は従来法および本発明の一実施例により形成され
た溝をもつサイリスタの順方向もれ電流と印加電圧の関
係線図である。 １：サイリスタ基板、２：支持板、３：溝、４１゜４２
：ベベル面、６：カソードを極、７：ノズル、８：砂。 代ＪＩ人４１Ｐ１十 山 簀 巌 （ｂ） 第１図 第３図 第４図
程を順に示す断面図、第２図はダブルポジティブベベル
構造のサイリスタの断面図、第３図は従来の溝形成方法
を示す断面図、第４図は従来法により生ずるベベル面の
欠点を示す断面図、第５図（ａ）。 山）は本発明の詳細な説明図で、＋ａ＋は従来法におけ
る断面図、（ｂｌは本発明の一実施例における断面図、
第６図は従来法および本発明の一実施例により形成され
た溝をもつサイリスタの順方向もれ電流と印加電圧の関
係線図である。 １：サイリスタ基板、２：支持板、３：溝、４１゜４２
：ベベル面、６：カソードを極、７：ノズル、８：砂。 代ＪＩ人４１Ｐ１十 山 簀 巌 （ｂ） 第１図 第３図 第４図
Claims (1)
- （１）半導体基板の板面に平行な一導電形の高比抵抗層
の両面にそれぞれ他導電形の低比抵抗層が隣接し、一方
の低比抵抗層を貫通して高比抵抗層に達する板面に傾斜
した溝を、基板中心部側の内面が両層間のＰＮ接合に対
するポジティブベベルになるようにサンドブラスト法で
形成するに際し、砂を噴射するノズルを用いて先ず１０
０μｍ程度の深さの溝を形成したのち、前記ノズルを基
板中心部側に移動させて高比抵抗層に達する溝を形成す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63070655A JPH01243434A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63070655A JPH01243434A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01243434A true JPH01243434A (ja) | 1989-09-28 |
Family
ID=13437885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63070655A Pending JPH01243434A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01243434A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04277625A (ja) * | 1991-03-05 | 1992-10-02 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型電子部品の加工方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56139348A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-30 | Nat Jutaku Kenzai | Hand rail device |
| JPS5835510U (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-08 | 積水ハウス株式会社 | 外壁パネルの装着構造 |
| JPS5963101U (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-25 | ナショナル住宅産業株式会社 | ベランダの構造 |
| JPS60192039A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-30 | 立山アルミニウム工業株式会社 | バルコニ− |
| JPS60170434U (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-12 | 積水ハウス株式会社 | 手摺構成材取付構造 |
-
1988
- 1988-03-24 JP JP63070655A patent/JPH01243434A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56139348A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-30 | Nat Jutaku Kenzai | Hand rail device |
| JPS5835510U (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-08 | 積水ハウス株式会社 | 外壁パネルの装着構造 |
| JPS5963101U (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-25 | ナショナル住宅産業株式会社 | ベランダの構造 |
| JPS60192039A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-30 | 立山アルミニウム工業株式会社 | バルコニ− |
| JPS60170434U (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-12 | 積水ハウス株式会社 | 手摺構成材取付構造 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04277625A (ja) * | 1991-03-05 | 1992-10-02 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型電子部品の加工方法 |
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