JPH012328A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH012328A JPH012328A JP62-158065A JP15806587A JPH012328A JP H012328 A JPH012328 A JP H012328A JP 15806587 A JP15806587 A JP 15806587A JP H012328 A JPH012328 A JP H012328A
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- JP
- Japan
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- semiconductor chip
- resin
- lead frame
- bonding wire
- liquid resin
- Prior art date
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 26
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
樹脂封止型半導体装置は、量産性が良く材料費が安い等
の利点があるが耐湿性についてはやや難点がある。
の利点があるが耐湿性についてはやや難点がある。
第２図（ａ）〜（ｃ）は従来の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を説明するための工程順に示した断面図である
。
製造方法を説明するための工程順に示した断面図である
。
第２図（ａ）に示すように、リードフレームのアイラン
ド１の上に半導体チップ２を搭載し、半導体チップ２と
前記リードフレームのリード３との間をボンディング線
４で電気的に接続する。次に、樹脂射出装置のニードル
９より表面保護用の液状樹脂６を所要量だけ滴下する。
ド１の上に半導体チップ２を搭載し、半導体チップ２と
前記リードフレームのリード３との間をボンディング線
４で電気的に接続する。次に、樹脂射出装置のニードル
９より表面保護用の液状樹脂６を所要量だけ滴下する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、液状樹脂６が半導体
チップの表面を被覆した状態で液状樹脂６を硬化させ、
保護膜７を形成する。
チップの表面を被覆した状態で液状樹脂６を硬化させ、
保護膜７を形成する。
次に、第２図（Ｃ）に示すように、半導体チ・ツブ２お
よびボンディング線４を含む前記リードフレームの一部
をトランスファモールド法により樹脂８で封止する。
よびボンディング線４を含む前記リードフレームの一部
をトランスファモールド法により樹脂８で封止する。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、半
導体チップの寸法が小さい場合には有効であり、かつ樹
脂射出装置の制御も容易であるが、半導体チップが大型
化するにつれて、形成される保護膜に様々な問題が発生
する。例えば、液状樹脂を射出するニードルが半導体チ
ップの表面の中央上部に正確に位置されていない場合や
、そのニードルが半導体素子の表面に対して垂直になっ
ていない場合や、半導体素子の表面が水平に保たれてい
ない場合等により、均一な保護膜を得られないという問
題点がある。
導体チップの寸法が小さい場合には有効であり、かつ樹
脂射出装置の制御も容易であるが、半導体チップが大型
化するにつれて、形成される保護膜に様々な問題が発生
する。例えば、液状樹脂を射出するニードルが半導体チ
ップの表面の中央上部に正確に位置されていない場合や
、そのニードルが半導体素子の表面に対して垂直になっ
ていない場合や、半導体素子の表面が水平に保たれてい
ない場合等により、均一な保護膜を得られないという問
題点がある。
また、ボンディング線が熱膨張率や密着性、剛性の異な
る保護膜と封止用樹脂の両方にまたがりているため、温
度サイクル試験等の熱履歴により、ボンディング線の接
合部の剥れや断線を生ずるという問題点がある。〔問題
点を解決するための手段〕 本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、リードフ
レームのアイランド上に半導体チップを搭載し該半導体
チップとリードフレームのリードとをボンディング線で
電気的に接続する工程と、前記リードフレームの前記半
導体チップ搭載側を下方に向け下方より液状樹脂を噴流
させて前記半導体チップ表面および前記ボンディング線
の一部を塗布する工程と、前記リードフレームを反転さ
せて前記半導体チップ搭載側を上方に向け前記ボンディ
ング線の一部に溜っている前記液状樹脂を流下させて前
記ボンディング線全体を被覆させた後前記液状樹脂を硬
化させる工程と、前記半導体チップおよびボンディング
線を含む前記リードフレームの一部を樹脂封止する工程
とを含んで構成される。
る保護膜と封止用樹脂の両方にまたがりているため、温
度サイクル試験等の熱履歴により、ボンディング線の接
合部の剥れや断線を生ずるという問題点がある。〔問題
点を解決するための手段〕 本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、リードフ
レームのアイランド上に半導体チップを搭載し該半導体
チップとリードフレームのリードとをボンディング線で
電気的に接続する工程と、前記リードフレームの前記半
導体チップ搭載側を下方に向け下方より液状樹脂を噴流
させて前記半導体チップ表面および前記ボンディング線
の一部を塗布する工程と、前記リードフレームを反転さ
せて前記半導体チップ搭載側を上方に向け前記ボンディ
ング線の一部に溜っている前記液状樹脂を流下させて前
記ボンディング線全体を被覆させた後前記液状樹脂を硬
化させる工程と、前記半導体チップおよびボンディング
線を含む前記リードフレームの一部を樹脂封止する工程
とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した断面図である。
めの工程順に示した断面図である。
第１図（ａ）に示すように、リードフレームのアイラン
ドｌの上に半導体チップ２を搭載し、半導体チップ２と
前記リードフレームのり−ド３との間をボンディング線
４で電気的に接続する。
ドｌの上に半導体チップ２を搭載し、半導体チップ２と
前記リードフレームのり−ド３との間をボンディング線
４で電気的に接続する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、前記リードフレーム
の半導体チップ２を搭載した側を下方へ向けて保持し、
下方の樹脂射出装置の噴流口５より表面保護用の液体樹
脂６を噴流させて半導体チップ２の表面およびボンディ
ング線４の一部に液体樹脂６を塗布する。このとき余分
な液体樹脂６は流れ落ち均一な塗布面が形成できる。
の半導体チップ２を搭載した側を下方へ向けて保持し、
下方の樹脂射出装置の噴流口５より表面保護用の液体樹
脂６を噴流させて半導体チップ２の表面およびボンディ
ング線４の一部に液体樹脂６を塗布する。このとき余分
な液体樹脂６は流れ落ち均一な塗布面が形成できる。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、前記リードフレーム
を反転させて半導体チップ２の搭載側を上方へ向け、ボ
ンディング線の一部に溜っている液体＄１６を流下させ
てボンディング線全体を被覆させたｔ裔、液体樹脂６を
硬化させ保護膜７を形成する。
を反転させて半導体チップ２の搭載側を上方へ向け、ボ
ンディング線の一部に溜っている液体＄１６を流下させ
てボンディング線全体を被覆させたｔ裔、液体樹脂６を
硬化させ保護膜７を形成する。
次に、第１図（ｄ）に示すように、半導体チップ２およ
びボンディング線４を含む前記リードフレームの一部を
トランスファモールド法により樹脂８で、封止する。
びボンディング線４を含む前記リードフレームの一部を
トランスファモールド法により樹脂８で、封止する。
以上説明したように本発明は、下方に向けて保持した半
導体チップの表面を下方から液状樹脂を噴流させて塗布
することにより、半導体チップの表面に均一な保護膜を
所定の膜厚で形成できるという効果を有する。
導体チップの表面を下方から液状樹脂を噴流させて塗布
することにより、半導体チップの表面に均一な保護膜を
所定の膜厚で形成できるという効果を有する。
また、ボンディング線全体が保護膜で容易に被覆でき、
温度サイクル等で発生するボンディング線の接合部の剥
れや断線が解消できるという効果を有する。
温度サイクル等で発生するボンディング線の接合部の剥
れや断線が解消できるという効果を有する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は従
来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明するための
工程順に示した断面図である。 １・・・アイランド、２・・・半導体チップ、３・・・
リード、４・・・ボンディング線、５・・・噴流口、６
・・・液体樹脂、７・・・保護膜、８・・・樹脂、９・
・・ニードル。 代理人 弁理士 内 原 音１、。 ２ 半傳イ本千ッ７゛
めの工程順に示した断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は従
来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明するための
工程順に示した断面図である。 １・・・アイランド、２・・・半導体チップ、３・・・
リード、４・・・ボンディング線、５・・・噴流口、６
・・・液体樹脂、７・・・保護膜、８・・・樹脂、９・
・・ニードル。 代理人 弁理士 内 原 音１、。 ２ 半傳イ本千ッ７゛
Claims (1)
- リードフレームのアイランド上に半導体チップを搭載
し該半導体チップとリードフレームのリードとをボンデ
ィング線で電気的に接続する工程と、前記リードフレー
ムの前記半導体チップ搭載側を下方に向け下方より液状
樹脂を噴流させて前記半導体チップ表面および前記ボン
ディング線の一部を塗布する工程と、前記リードフレー
ムを反転させて前記半導体チップ搭載側を上方に向け前
記ボンディング線の一部に溜っている前記液状樹脂を流
下させて前記ボンディング線全体を被覆させた後前記液
状樹脂を硬化させる工程と、前記半導体チップおよびボ
ンディング線を含む前記リードフレームの一部を樹脂封
止する工程とを含むことを特徴とする樹脂封止型半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-158065A JPH012328A (ja) | 1987-06-24 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-158065A JPH012328A (ja) | 1987-06-24 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS642328A JPS642328A (en) | 1989-01-06 |
| JPH012328A true JPH012328A (ja) | 1989-01-06 |
Family
ID=
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