JPS62249461A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS62249461A JPS62249461A JP9219986A JP9219986A JPS62249461A JP S62249461 A JPS62249461 A JP S62249461A JP 9219986 A JP9219986 A JP 9219986A JP 9219986 A JP9219986 A JP 9219986A JP S62249461 A JPS62249461 A JP S62249461A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 16
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 abstract description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- ZJPGOXWRFNKIQL-JYJNAYRXSA-N Phe-Pro-Pro Chemical compound C([C@H](N)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C(O)=O)C1=CC=CC=C1 ZJPGOXWRFNKIQL-JYJNAYRXSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 235000012771 pancakes Nutrition 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
不発明は半導体素子を樹脂封止して成る樹脂封止型半導
体装置の当該封止樹脂のクラックを防止する技術に関す
る。
体装置の当該封止樹脂のクラックを防止する技術に関す
る。
樹脂封止型半導体装置の一例は、リードフレームのタブ
上に半導体ペレット（半導体素子）を固着し、該素子の
ポンディングパッドと前記リードフレームの一端部とを
コネクタワイヤによりワイヤポンディング後に、トラン
スファモールド成形などにより樹脂をモールド（封止）
して、当該封止樹脂により前記半導体素子を封止して成
る主要構造を有している。
上に半導体ペレット（半導体素子）を固着し、該素子の
ポンディングパッドと前記リードフレームの一端部とを
コネクタワイヤによりワイヤポンディング後に、トラン
スファモールド成形などにより樹脂をモールド（封止）
して、当該封止樹脂により前記半導体素子を封止して成
る主要構造を有している。
このように、半導体素子を樹脂封止した場合、樹脂成形
品の望ましくない非気密性によって外部から水分（湿分
）がパッケージ内部へ進入することにより、不純物との
相互作用で、半導体素子（チップ）上のＡＩ３配線を腐
食することが起る。
品の望ましくない非気密性によって外部から水分（湿分
）がパッケージ内部へ進入することにより、不純物との
相互作用で、半導体素子（チップ）上のＡＩ３配線を腐
食することが起る。
一方、例えばＰＰＰ （フラットタイプパッケージ）の
ごとき、面実装方式により、プリント基板などの実装基
板に実装するタイプのプラスチックパッケージにあって
は、封止樹脂にクラックを生ずるいわゆるパッケージク
ラック（レジンクラック）の問題を引き起こし易い。す
なわち、パッケージの自然放置等で外部雰囲気中などか
らバッケ−ジ内に侵入した水分が、タブ裏面などレジン
との密着性の弱い箇所に凝縮していると、この水分が組
立実装時の半田付などのための加熱の際に、気化、膨張
してパッケージクラックを引き起す。
ごとき、面実装方式により、プリント基板などの実装基
板に実装するタイプのプラスチックパッケージにあって
は、封止樹脂にクラックを生ずるいわゆるパッケージク
ラック（レジンクラック）の問題を引き起こし易い。す
なわち、パッケージの自然放置等で外部雰囲気中などか
らバッケ−ジ内に侵入した水分が、タブ裏面などレジン
との密着性の弱い箇所に凝縮していると、この水分が組
立実装時の半田付などのための加熱の際に、気化、膨張
してパッケージクラックを引き起す。
なお、樹脂封止型半導体装置のパッケージクラックなど
の問題を述べた文献の例として、（株）工業試食会発行
「電子材料ｊ １９Ｂ４年８月号９７４〜７９がある。
の問題を述べた文献の例として、（株）工業試食会発行
「電子材料ｊ １９Ｂ４年８月号９７４〜７９がある。
本発明は従来技術の有する欠点に鑑み、吸湿水分のタブ
裏面への凝縮を防止し、当該凝縮水分の加熱膨張による
実装に際してのパンケージクラックを防止して、高信頼
性の樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とし、
特に小型、薄形の面実装タイプのプラスチックパッケー
ジのパッケージクラックを防止することを目的とする。
裏面への凝縮を防止し、当該凝縮水分の加熱膨張による
実装に際してのパンケージクラックを防止して、高信頼
性の樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とし、
特に小型、薄形の面実装タイプのプラスチックパッケー
ジのパッケージクラックを防止することを目的とする。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明においてはタブ裏面に吸湿性を有する
物質を塗布してお（。その際、当該吸湿性を有する物質
の塗布に先立ち、当該タブの裏面にはデンプル加工など
の、タブと当該吸湿性を有する物質よりなる塗布層との
密着性を向上させるための、加工処理を施しておく。
物質を塗布してお（。その際、当該吸湿性を有する物質
の塗布に先立ち、当該タブの裏面にはデンプル加工など
の、タブと当該吸湿性を有する物質よりなる塗布層との
密着性を向上させるための、加工処理を施しておく。
上記加工処理により、吸湿性を有する物質よりなる塗布
層は、タブとの界面において剥離を起こ丁ことなく良好
に密着しており、さらに、当該吸湿性を有する物質によ
りパッケージ内に侵入した水分は吸湿され、したがって
、タブ裏面での水分の凝縮が防止され、それ故実装に際
し半田付けなど加熱下におかれてもパンケージ内の水分
膨張が起こらず、その熱歪によるパッケージクラックも
起こらないようにすることができる。
層は、タブとの界面において剥離を起こ丁ことなく良好
に密着しており、さらに、当該吸湿性を有する物質によ
りパッケージ内に侵入した水分は吸湿され、したがって
、タブ裏面での水分の凝縮が防止され、それ故実装に際
し半田付けなど加熱下におかれてもパンケージ内の水分
膨張が起こらず、その熱歪によるパッケージクラックも
起こらないようにすることができる。
次に、本発明を、図面に示す実施例に基づいて説明丁石
。
。
第５図に本発明が適用される樹脂封止型半導体装置の一
例を示す。このフラットパックタイプのプラスチックパ
ッケージは、その封止樹脂部１の四方向から外部リード
２が出ている。当該ＦＰＰ３は、例えば、第１図に示す
ように、プリント基板などの実装基板４の導体パターン
５に、半田６などにより、その外部リード２の端部が固
着され、実装される。
例を示す。このフラットパックタイプのプラスチックパ
ッケージは、その封止樹脂部１の四方向から外部リード
２が出ている。当該ＦＰＰ３は、例えば、第１図に示す
ように、プリント基板などの実装基板４の導体パターン
５に、半田６などにより、その外部リード２の端部が固
着され、実装される。
この実施例の半導体装置は良く知られている樹脂モール
ド型半導体装置と同様に、リードフレームの利用によっ
てその複数個が同時に製造される。
ド型半導体装置と同様に、リードフレームの利用によっ
てその複数個が同時に製造される。
半導体装置の組立の際には、外部リード２を有するリー
ドフレーム７のタブ８上に半導体素子９がグイボンディ
ングされる。
ドフレーム７のタブ８上に半導体素子９がグイボンディ
ングされる。
リードフレーム７はその中央部のタブ８０周辺に多数の
インナーリード１０が、このタブ８を包囲するように配
設さｎている。リードフレーム８は例えばＮｉ−Ｆｅ系
合金などの金属により構成される。
インナーリード１０が、このタブ８を包囲するように配
設さｎている。リードフレーム８は例えばＮｉ−Ｆｅ系
合金などの金属により構成される。
本発明では、このタブ８の裏面に、第３図（Ａ）、（Ｂ
）および（Ｃ）で例示するような凹部１１が形成されて
いる。この凹部１１の形成は、後述する本発明に係る吸
湿性を有する物質よりなる層と当該タブ８裏面との界面
剥離を防止し、両者の密着性を向上させるために行われ
る。
）および（Ｃ）で例示するような凹部１１が形成されて
いる。この凹部１１の形成は、後述する本発明に係る吸
湿性を有する物質よりなる層と当該タブ８裏面との界面
剥離を防止し、両者の密着性を向上させるために行われ
る。
この凹部１１の形状は、第３図（Ａ）に示すような半円
形形状よりなるデンプル形状でもよいし、また、同図（
Ｂ）に示すような三角形状よりなる７字カントでもよい
し、さらに、同図（Ｃ）に示すような四角形状の溝より
成っていてもよく、その他上記した目的に適合するもの
であれば、どのような加工処理を施したものでもよい。
形形状よりなるデンプル形状でもよいし、また、同図（
Ｂ）に示すような三角形状よりなる７字カントでもよい
し、さらに、同図（Ｃ）に示すような四角形状の溝より
成っていてもよく、その他上記した目的に適合するもの
であれば、どのような加工処理を施したものでもよい。
第２図、に示すように、タブ８の裏面に、吸湿性を有す
る物質よりなる層１２を形成する。
る物質よりなる層１２を形成する。
当該吸湿性を有ｊる物質よりなる層１２は、タブ８の裏
面に、上記した当該層１２とタブ８の裏面との密着性を
向上させる加工処理、例えば第３図（Ａ）に示すような
ディンプル加工１１が施されているので、タブ８の裏面
と当該吸湿性を有する物質よりなる層１２との密着性が
良く、界面剥離が防止される。
面に、上記した当該層１２とタブ８の裏面との密着性を
向上させる加工処理、例えば第３図（Ａ）に示すような
ディンプル加工１１が施されているので、タブ８の裏面
と当該吸湿性を有する物質よりなる層１２との密着性が
良く、界面剥離が防止される。
当該ｒ６１２を形成するには、例えばポリイミド系合成
樹脂溶液を、ディンプル加工部１１を有するタブ８の裏
面に、被塗すればよい。
樹脂溶液を、ディンプル加工部１１を有するタブ８の裏
面に、被塗すればよい。
当該層１２に使用される吸湿性を有する物質としては、
高純度で、封止樹脂との接着性に優れているものがよい
。
高純度で、封止樹脂との接着性に優れているものがよい
。
当該タブ８上に、半導体素子９を固着後、該素子９のポ
ンディングパッド（図示せず）と、第１図〜第３図に示
すように、コネクタワイヤ１３により、リードフレーム
７のインナーリード１０のワイヤボンディング部とをワ
イヤボンディングし、電気的に接続する。
ンディングパッド（図示せず）と、第１図〜第３図に示
すように、コネクタワイヤ１３により、リードフレーム
７のインナーリード１０のワイヤボンディング部とをワ
イヤボンディングし、電気的に接続する。
ワイヤボンディング後、エポキシ樹脂にフィラーなどを
晧加してなる樹脂組成物を用いて、例えば低圧トランス
ファーモールド法などにより、封止樹脂部１を形成する
。
晧加してなる樹脂組成物を用いて、例えば低圧トランス
ファーモールド法などにより、封止樹脂部１を形成する
。
かかる主要工程を経て、第１図に例示するような、ＰＰ
Ｐパンケージ３を得る。
Ｐパンケージ３を得る。
半導体素子（チップ）９は、例えばシリコン単結晶基板
から成り、周知の技術によってこのチップ内には多数の
回路素子が形成され、１つの回路機能が与えられている
。回路素子の具体例は、例えばＭＯＳ）ランジスタから
成り、これらの回路素子によって、例えば論理回路およ
びメモリの回路機能が形成されている。
から成り、周知の技術によってこのチップ内には多数の
回路素子が形成され、１つの回路機能が与えられている
。回路素子の具体例は、例えばＭＯＳ）ランジスタから
成り、これらの回路素子によって、例えば論理回路およ
びメモリの回路機能が形成されている。
コネクタワイヤ１３は、例えばＡ１細疎より成る。
このように、本発明によれば、タブ８の裏面（半導体素
子の搭載される一平面の反対側平面）に、ディンプル加
工部などが形成されており、かかる加工処理１１により
、吸湿性を有する物質よりなる塗布層１２は、タブ８と
の界面において剥離を起こすことなく良好に密着してお
り、さらに、当該塗布層１２を形成する、吸湿性を有す
る物質によりＰＰＰパッケージ３内に侵入した水分は吸
収されてしまい、したがって、タブ８裏面での水分の凝
縮が防止され、それ故、第１図に示すような実装に際し
、半田６付けなどで加熱下にバクケージ３がおかれても
、当該パッケージ３内の水分膨張が起こらず、その熱歪
による封止樹脂部１のクラックも起こらないようにする
ことができる。
子の搭載される一平面の反対側平面）に、ディンプル加
工部などが形成されており、かかる加工処理１１により
、吸湿性を有する物質よりなる塗布層１２は、タブ８と
の界面において剥離を起こすことなく良好に密着してお
り、さらに、当該塗布層１２を形成する、吸湿性を有す
る物質によりＰＰＰパッケージ３内に侵入した水分は吸
収されてしまい、したがって、タブ８裏面での水分の凝
縮が防止され、それ故、第１図に示すような実装に際し
、半田６付けなどで加熱下にバクケージ３がおかれても
、当該パッケージ３内の水分膨張が起こらず、その熱歪
による封止樹脂部１のクラックも起こらないようにする
ことができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではな（、その要旨を逸脱しない範囲で糧々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではな（、その要旨を逸脱しない範囲で糧々変更可
能であることはいうまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるＰＰＰパンケージに
適用した場合について説明したが、それに限定されるも
のではなく、例えば、アクタ−リードの端部をパッケー
ジ裏面に折曲げしてなるＰＬＣＣ（プラスチックリード
レスチップキャリア）などの面実装タイプの各種樹脂封
止型半導体装置にも適用でき、また、その他各種樹脂封
止型半導体装置全般に適用できる。
をその背景となった利用分野であるＰＰＰパンケージに
適用した場合について説明したが、それに限定されるも
のではなく、例えば、アクタ−リードの端部をパッケー
ジ裏面に折曲げしてなるＰＬＣＣ（プラスチックリード
レスチップキャリア）などの面実装タイプの各種樹脂封
止型半導体装置にも適用でき、また、その他各種樹脂封
止型半導体装置全般に適用できる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
すなわち、本発明によれば、パッケージクラククが防止
され、高信頼性の半導体装置が得られた。
され、高信頼性の半導体装置が得られた。
第１図は本発明による樹脂封止型半導体装置の一例断面
図を示すとともに当該装置の実装例の一例断面図、 第２図は本発明の実施例を示す要部断面図、第３図（Ａ
）はタブ裏面に施す加工処理の一例の説明断面図、第３
図ＣＢ）は他の例を示す同説明断面図、第３図（Ｃ）は
さらに他の例を示す同説明断面図、 第４図は半導体素子を搭載してなるリードフレームの一
例要部平面図、 第５図はＰＰＰパッケージの一例斜視図である。□１・
・・封止樹脂部、２・・・アウターリード、３・・・Ｐ
ＰＰパッケージ、４・・・実装基板、５・・・導体パタ
ーン、６・・・半田、７・・・リードフレーム、８・・
・タブ、９・・・半導体素子、１０・・・インナーリー
ド、１１・・・加工処理（凹部）、１２・・・吸湿性を
有する物質よりなる層、１３・・・コネクタワイヤ。 、−′ 代理人 弁理士 小 川 勝 男 ′第 １ 丙 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図
図を示すとともに当該装置の実装例の一例断面図、 第２図は本発明の実施例を示す要部断面図、第３図（Ａ
）はタブ裏面に施す加工処理の一例の説明断面図、第３
図ＣＢ）は他の例を示す同説明断面図、第３図（Ｃ）は
さらに他の例を示す同説明断面図、 第４図は半導体素子を搭載してなるリードフレームの一
例要部平面図、 第５図はＰＰＰパッケージの一例斜視図である。□１・
・・封止樹脂部、２・・・アウターリード、３・・・Ｐ
ＰＰパッケージ、４・・・実装基板、５・・・導体パタ
ーン、６・・・半田、７・・・リードフレーム、８・・
・タブ、９・・・半導体素子、１０・・・インナーリー
ド、１１・・・加工処理（凹部）、１２・・・吸湿性を
有する物質よりなる層、１３・・・コネクタワイヤ。 、−′ 代理人 弁理士 小 川 勝 男 ′第 １ 丙 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、リードフレームのタブ上に半導体素子を固着し、該
半導体素子を樹脂封止して成る樹脂封止型半導体装置に
おいて、前記タブの裏面に吸湿性を有する物質よりなる
層を形成し、前記樹脂封止を行なって成ることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。 ２、タブ裏面がディンプル加工されてなり、かかるディ
ンプル加工された裏面に上記吸湿性物質が形成されてな
る特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9219986A JPS62249461A (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9219986A JPS62249461A (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62249461A true JPS62249461A (ja) | 1987-10-30 |
Family
ID=14047775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9219986A Pending JPS62249461A (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62249461A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110828416A (zh) * | 2019-11-18 | 2020-02-21 | 江苏浚泽电气有限公司 | 一种半导体分立器件用引线框架 |
-
1986
- 1986-04-23 JP JP9219986A patent/JPS62249461A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110828416A (zh) * | 2019-11-18 | 2020-02-21 | 江苏浚泽电气有限公司 | 一种半导体分立器件用引线框架 |
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