JPH047107B2 - - Google Patents
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- JPH047107B2 JPH047107B2 JP60100818A JP10081885A JPH047107B2 JP H047107 B2 JPH047107 B2 JP H047107B2 JP 60100818 A JP60100818 A JP 60100818A JP 10081885 A JP10081885 A JP 10081885A JP H047107 B2 JPH047107 B2 JP H047107B2
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- resin
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電気絶縁基板の半導体ペレツトを取
付ける構造の半導体装置における封止部の構造に
関する。
付ける構造の半導体装置における封止部の構造に
関する。
従来、電気絶縁基板を用いた樹脂封止型半導体
装置における樹脂封止は熱硬化性樹脂をボツテイ
ングして行なわれることが多い。その際使用する
封止用樹脂はトランスフアー成形用封止樹脂に比
べて十分な耐湿性がなく、また、ボンデイングに
用いる金属細線の断線を招かないような熱膨張係
数をもつていなければならない。
装置における樹脂封止は熱硬化性樹脂をボツテイ
ングして行なわれることが多い。その際使用する
封止用樹脂はトランスフアー成形用封止樹脂に比
べて十分な耐湿性がなく、また、ボンデイングに
用いる金属細線の断線を招かないような熱膨張係
数をもつていなければならない。
前記樹脂封止型半導体装置において、水分は封
止樹脂の中を通つて浸入する他、電気絶縁基板と
封止樹脂との間からも浸入する。電気絶縁基板上
には金属配線パターン層がある。場合によつては
その上に電気絶縁膜がある。したがつて、電気絶
縁基板側には凹凸がありポツテイングした封止用
樹脂の広がりは制約を受けることになる。
止樹脂の中を通つて浸入する他、電気絶縁基板と
封止樹脂との間からも浸入する。電気絶縁基板上
には金属配線パターン層がある。場合によつては
その上に電気絶縁膜がある。したがつて、電気絶
縁基板側には凹凸がありポツテイングした封止用
樹脂の広がりは制約を受けることになる。
耐湿性を改善するためには封止用樹脂の耐湿性
を改善することは勿論電気絶縁基板と封止樹脂と
の界面の構造も改善する必要がある。
を改善することは勿論電気絶縁基板と封止樹脂と
の界面の構造も改善する必要がある。
一般に湿気による半導体装置の劣化は、半導体
チツプと封止樹脂との間にできた隙間に水のフイ
ルムが生成されて、その水が半導体チツプ上の配
線や素子を構成する金属を侵食するからであると
いわれている。
チツプと封止樹脂との間にできた隙間に水のフイ
ルムが生成されて、その水が半導体チツプ上の配
線や素子を構成する金属を侵食するからであると
いわれている。
封止用樹脂と半導体ペレツトとの界面にそれら
の材料間および熱膨張係数の相違から隙間ができ
たとしても、封止用樹脂と電気絶縁基板との界面
がしつかり固着していれば半導体装置としての耐
湿性に問題はない。電気絶縁基板の表面に形成さ
れている金属配線による凹凸が避けられないので
あれば、封止用樹脂の流れが悪いため封止樹脂に
よつて十分固着されず隙間を生じてしまうことも
原因のひとつである。生じた隙間は樹脂封止の封
止距離を実質的に短くしてしまうため、場合によ
つては、界面に生じる隙間からの水分の浸入は封
止樹脂からの水分の浸入よりも著しいものがあ
り、樹脂封止型半導体装置の耐湿性を劣化させて
いた。
の材料間および熱膨張係数の相違から隙間ができ
たとしても、封止用樹脂と電気絶縁基板との界面
がしつかり固着していれば半導体装置としての耐
湿性に問題はない。電気絶縁基板の表面に形成さ
れている金属配線による凹凸が避けられないので
あれば、封止用樹脂の流れが悪いため封止樹脂に
よつて十分固着されず隙間を生じてしまうことも
原因のひとつである。生じた隙間は樹脂封止の封
止距離を実質的に短くしてしまうため、場合によ
つては、界面に生じる隙間からの水分の浸入は封
止樹脂からの水分の浸入よりも著しいものがあ
り、樹脂封止型半導体装置の耐湿性を劣化させて
いた。
本発明は、上述の欠点を除去し、より耐湿性の
良い半導体装置を提供するものである。
良い半導体装置を提供するものである。
本発明の構成は、電気絶縁基板に半導体ペレツ
トを取付ける構造の半導体装置において、半導体
ペレツトを囲むように略均等に金属パターンを設
けたことにある。この金属パターンはかならずし
も半導体チツプと電気的に結線するパターンであ
る必要はなく、いわゆるダミーパターンであつて
もよい。
トを取付ける構造の半導体装置において、半導体
ペレツトを囲むように略均等に金属パターンを設
けたことにある。この金属パターンはかならずし
も半導体チツプと電気的に結線するパターンであ
る必要はなく、いわゆるダミーパターンであつて
もよい。
金属パターンの上にさらに電気絶縁膜を設ける
場合には、封止用樹脂流れどめ枠の直下又はその
内径寸法より狭くなるように電気絶縁膜の開始位
置を設定する。
場合には、封止用樹脂流れどめ枠の直下又はその
内径寸法より狭くなるように電気絶縁膜の開始位
置を設定する。
以下に本発明の実施例について詳細に説明す
る。第１図は、本発明の第１の実施例を示す金属
パターンである。このパターンの使用法は次の通
り。
る。第１図は、本発明の第１の実施例を示す金属
パターンである。このパターンの使用法は次の通
り。
電気絶縁基板１には、ガラス繊維を含有したエ
ポキシ樹脂基板をもちいる。エポキシ樹脂以外の
樹脂、例えばフエノール樹脂、ポリイミド樹脂等
であつてもよいのは勿論、ガラス繊維は電気絶縁
性の繊維状のものであればよい。半導体チツプ
（図示せず。）を熱硬化性樹脂を塗布したマウント
部２の上に搭載し加熱する。マウント部２の表面
がメタライズされていれば金属ロウ材を用いてマ
ウントしてもよい。次に、半導体チツプのパツド
と樹脂基板のAnメツキされた配線パターン３と
をワイヤーボンデイングする。ワイヤー（図示せ
ず。）としては、Au、Alのいずれでもよく、通
常のボンデイング法が利用できる。次に、封止用
樹脂流れどめ枠４（第１図に破線にて図示する。
以下、枠と略記する。）を接着用樹脂を用いて接
着し、その内側にできたキヤビテイに封止用樹脂
を充填せしめる。枠は樹脂のほかにアルミナ等の
セラミクスで作られたものでもよい。この枠は充
填した樹脂が流れ出るのを防止すると同時に樹脂
封止の封止距離を確保する機能を有する。したが
つて、枠４と樹脂基板１との接着は十分接着用樹
脂６を充填して行なう必要がある。枠を用いる方
法には樹脂板側へ接着用樹脂を所望の場所に塗布
しておく方法があるが接着用樹脂の流れすぎに注
意する必要があるなど使用しにくい。枠にあらか
じめ接着用樹脂を付着させておく方法が簡便であ
る。付着させる樹脂は、接着用樹脂そのままでも
半硬化させたものでもよい。この枠は、取り扱い
が容易で工数の削減に効果がある。いずれにして
も枠４と樹脂基板１との間の一定区間内にある接
着用樹脂６の量は略一定となつてしまう傾向があ
る。然るに樹脂基板側の凹凸の位置は枠を載置す
べき場所の全周にわたつて均等でなく、特にマウ
ント部コーナー付近にはボンデイングバツドない
場合があり、この部分では、接着用樹脂量が不足
して隙間を生じやすい。そこでボンデイングバツ
ドとして3aのほかにマウント部コーナー付近に
は金属パターン3bのごとく半導体ペレツトを囲
むように略均等に金属パターンを設けておけば接
着用樹脂は均等に流れ、隙間を生じることはな
い。この金属パターンは、一部パターンの中を抜
いてあるが抜かなくてもよい。接着用樹脂量は不
足して隙間をつくるより多少多めであるほうがよ
いからである。金属パターンがおおきな面積であ
れば樹脂基板表面からの水分の浸入を抑える効果
もある。また、電気的に機能しないいわゆるダミ
ーパターンであつてもよい。金属パターの形状を
工夫すれば枠の位置合わせのマークとしても利用
することができる。充填された樹脂は加熱し硬化
させる。
ポキシ樹脂基板をもちいる。エポキシ樹脂以外の
樹脂、例えばフエノール樹脂、ポリイミド樹脂等
であつてもよいのは勿論、ガラス繊維は電気絶縁
性の繊維状のものであればよい。半導体チツプ
（図示せず。）を熱硬化性樹脂を塗布したマウント
部２の上に搭載し加熱する。マウント部２の表面
がメタライズされていれば金属ロウ材を用いてマ
ウントしてもよい。次に、半導体チツプのパツド
と樹脂基板のAnメツキされた配線パターン３と
をワイヤーボンデイングする。ワイヤー（図示せ
ず。）としては、Au、Alのいずれでもよく、通
常のボンデイング法が利用できる。次に、封止用
樹脂流れどめ枠４（第１図に破線にて図示する。
以下、枠と略記する。）を接着用樹脂を用いて接
着し、その内側にできたキヤビテイに封止用樹脂
を充填せしめる。枠は樹脂のほかにアルミナ等の
セラミクスで作られたものでもよい。この枠は充
填した樹脂が流れ出るのを防止すると同時に樹脂
封止の封止距離を確保する機能を有する。したが
つて、枠４と樹脂基板１との接着は十分接着用樹
脂６を充填して行なう必要がある。枠を用いる方
法には樹脂板側へ接着用樹脂を所望の場所に塗布
しておく方法があるが接着用樹脂の流れすぎに注
意する必要があるなど使用しにくい。枠にあらか
じめ接着用樹脂を付着させておく方法が簡便であ
る。付着させる樹脂は、接着用樹脂そのままでも
半硬化させたものでもよい。この枠は、取り扱い
が容易で工数の削減に効果がある。いずれにして
も枠４と樹脂基板１との間の一定区間内にある接
着用樹脂６の量は略一定となつてしまう傾向があ
る。然るに樹脂基板側の凹凸の位置は枠を載置す
べき場所の全周にわたつて均等でなく、特にマウ
ント部コーナー付近にはボンデイングバツドない
場合があり、この部分では、接着用樹脂量が不足
して隙間を生じやすい。そこでボンデイングバツ
ドとして3aのほかにマウント部コーナー付近に
は金属パターン3bのごとく半導体ペレツトを囲
むように略均等に金属パターンを設けておけば接
着用樹脂は均等に流れ、隙間を生じることはな
い。この金属パターンは、一部パターンの中を抜
いてあるが抜かなくてもよい。接着用樹脂量は不
足して隙間をつくるより多少多めであるほうがよ
いからである。金属パターンがおおきな面積であ
れば樹脂基板表面からの水分の浸入を抑える効果
もある。また、電気的に機能しないいわゆるダミ
ーパターンであつてもよい。金属パターの形状を
工夫すれば枠の位置合わせのマークとしても利用
することができる。充填された樹脂は加熱し硬化
させる。
第２図は、本発明の実施例を示す縦断面図であ
る。第２図のように電気絶縁膜５に対して枠の取
りつけ位置を設定すれば、接着用樹脂の枠の幅方
向の均等性が改善されるので一層強固な固着状態
で得ることができる。望ましくは枠の直下全てに
電気絶縁膜があるのがよいが、枠４の外形寸法よ
り狭い位置即ち、枠直下の境界までであれば接着
用樹脂の流れによつて耐湿性の向上は期待でき
る。電気絶縁膜としては、エポキシ樹脂が一般的
に用いられている。
る。第２図のように電気絶縁膜５に対して枠の取
りつけ位置を設定すれば、接着用樹脂の枠の幅方
向の均等性が改善されるので一層強固な固着状態
で得ることができる。望ましくは枠の直下全てに
電気絶縁膜があるのがよいが、枠４の外形寸法よ
り狭い位置即ち、枠直下の境界までであれば接着
用樹脂の流れによつて耐湿性の向上は期待でき
る。電気絶縁膜としては、エポキシ樹脂が一般的
に用いられている。
以上、電気絶縁基板として樹脂基板を用いた場
合について説明したが樹脂基板に限らずアルミナ
等のセラミクス基板であつてもよいのは勿論であ
る。
合について説明したが樹脂基板に限らずアルミナ
等のセラミクス基板であつてもよいのは勿論であ
る。
したがつて、本発明を採用することによつて得
られる効果は前述のごとく、半導体チツプと封止
樹脂との間にできた隙間に水のフイルムが生成さ
れて、その水が半導体チツプ上の配線や素子を構
成する金属を侵食することを防止するばかりでな
く、電気絶縁基板と枠との密着性を向上させて水
の浸入経路を断つ効果を有する。
られる効果は前述のごとく、半導体チツプと封止
樹脂との間にできた隙間に水のフイルムが生成さ
れて、その水が半導体チツプ上の配線や素子を構
成する金属を侵食することを防止するばかりでな
く、電気絶縁基板と枠との密着性を向上させて水
の浸入経路を断つ効果を有する。
第１図は、本発明の第１の実施例を示す金属パ
ターンである。第２図は、本発明の実施例を示す
縦断面図である。 ここに、１……電気絶縁基板、２……マウント
部、３……金属パターン、４……封止用樹脂流れ
どめ枠、５……電気絶縁膜、６……接着用樹脂。
ターンである。第２図は、本発明の実施例を示す
縦断面図である。 ここに、１……電気絶縁基板、２……マウント
部、３……金属パターン、４……封止用樹脂流れ
どめ枠、５……電気絶縁膜、６……接着用樹脂。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電気絶縁基板に半導体ペレツトを取付ける構
造の半導体装置において、前記半導体ペレツトを
囲むように略均等間隔に金属パターンを設け、該
金属パターン上に封止用樹脂流れ防止枠を接着用
樹脂で接着して設けたことを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。 ２ 前記金属パターン上に電気絶縁膜を設け、該
電気絶縁膜の開始位置が前記封止用樹脂流れどめ
枠の直下又はその内径寸法よりも狭くなるような
位置であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10081885A JPS61258457A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10081885A JPS61258457A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61258457A JPS61258457A (ja) | 1986-11-15 |
| JPH047107B2 true JPH047107B2 (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=14283923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10081885A Granted JPS61258457A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61258457A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0278253A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-19 | Matsushita Electric Works Ltd | 多層プラスチックチップキャリア |
| JPH0363948U (ja) * | 1989-10-24 | 1991-06-21 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5551344A (en) * | 1978-10-11 | 1980-04-15 | Mitsubishi Electric Corp | Humidity detector |
| JPS5549582B2 (ja) * | 1975-11-06 | 1980-12-12 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53102375U (ja) * | 1977-01-21 | 1978-08-18 | ||
| JPS5549582U (ja) * | 1978-09-29 | 1980-03-31 | ||
| JPS5784748U (ja) * | 1980-11-14 | 1982-05-25 |
-
1985
- 1985-05-13 JP JP10081885A patent/JPS61258457A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5549582B2 (ja) * | 1975-11-06 | 1980-12-12 | ||
| JPS5551344A (en) * | 1978-10-11 | 1980-04-15 | Mitsubishi Electric Corp | Humidity detector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61258457A (ja) | 1986-11-15 |
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