JPH01224993A - マルチポートメモリ - Google Patents

マルチポートメモリ

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JPH01224993A
JPH01224993A JP63052213A JP5221388A JPH01224993A JP H01224993 A JPH01224993 A JP H01224993A JP 63052213 A JP63052213 A JP 63052213A JP 5221388 A JP5221388 A JP 5221388A JP H01224993 A JPH01224993 A JP H01224993A
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JP
Japan
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data
serial
output
port
input
Prior art date
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Application number
JP63052213A
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English (en)
Inventor
Masayoshi Miyauchi
宮宇地 眞由
Satoru Kobayashi
悟 小林
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1075Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers for multiport memories each having random access ports and serial ports, e.g. video RAM

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  • Multimedia (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は複数の入出力ボートを備えたマルチポートメモ
リに関し、特に画像メモリ等に使用されランダムアクセ
スポートとシリアル入出力ボートとを備えたマルチボー
トメモリに関する。
[従来の技術] 従来より画像メモリ等の用途にランダムアクセスポート
とシ・リアル入出力ボートとを備えたデュアルポートメ
モリが使用されている。第5図にこの種のデュアルポー
トメモリの構成を示す。ランダムアクセスデータRDA
はランダムアクセスボー)11、データ入出力バッファ
12及びカラムデコーダ13を介してメモリセルアレイ
14に書込まれ、この逆ルートで読出される。また、シ
リアルデータSDAは、シリアル入出力ポート15、シ
リアルデータ入出力バッファ16、シフタ17、トラン
スファゲート18を介してメモリセルアレイ14に書込
まれ、この逆ルートで読出される。
ランダムアクセス時のアドレスAは、アドレスバッファ
19を介してロウデコーダ20及びカラムデコーダ13
によって与えられる。また、シリアル入出力時のアドレ
スAはアドレスバッファ1つを介してロウデコーダ20
により与えられる。なお、タイミング発生回路21はロ
ウアドレスストローブ信号(以下、RASという)、カ
ラムアドレスストローブ信号(以下、CASという)、
データ転送信号(以下、DTという)、ライトイネーブ
ル信号(以下、WEという)及びシリアルアウトイネー
ブル信号(以下、SOEという)を入力とし、デュアル
ポートメモリ内部の各ブロックの制御信号を発生する。
このデュアルポートメモリにおけるデータ転送及びシリ
アル入出力動作を第6図及び第7図のタイミンク図を用
いて説明する。
■リードデータ転送及びシリアル出力動作第6図におい
て、時刻1.でRASが下降すると、アドレスバッファ
19は、ロウアドレスAを取込む。アドレスバッファ1
9は外部TTLレベルのアドレスデータを内部のMOS
レベルに変換し、ロウデコーダ20へと伝達する。ロウ
デコーダ20は内部MOSレベルに変換されたアドレス
データを受けて唯一のワード線をメモリセルアレイ14
中から選択する。一方、時刻t1で「下がロウレベルで
、且つ、WEがハイレベルなので、タイミング発生回路
21はリードデータ転送が可能であると判断し、制御信
号SAを出力する。センスアンプ22はこの制御信号S
Aを受けてメモリセルアレイ14から読出された微少信
号を増幅する。続いてタイミング発生回路21からは制
御信号TGが出力され、トランスファゲート18は、こ
れを受けて、センスアンプ22により増幅されたデータ
を並列にシフタ17に転送する。シフタ17は転送され
たデータを、シリアルコントロールクロック信号(以下
、SC信号という)に同期してシリアルデータ入出力バ
ッファ16及びシリアル入出力ポート15経出で外部に
シリアルに出力する。
■シリアル入力及びライトデータ転送 第7図において、外部からのシリアル入力データは、S
C信号に同期してシリアル入出力ポート15及びシリア
ルデータ入出力バッファ16経由でシフタ17に順次ラ
ッチされていく。いま、時刻t2において、RASが下
降すると、アドレスバッファ1つはロウアドレスを取込
む。この時、DT、WE及びSOEがロウレベルならば
、タイミング発生回路21はライトデータ転送が可能で
あると判断してメモリ装置の各ブロックの制御信号を発
生する。以下、上記リードデータ転送動作と同様、唯一
のワード線につながるメモリセルが選択されてデータの
書込みが行われる。但し、ライト動作のときは制御信号
TGとSAの発生順序を入れかえ、シフタデータをメモ
リセルアレイ中のデジット線に転送した後、センスアン
プで増幅し、メモリセルにリストアしている。
[発明が解決しようとする課題] 上述した従来のデュアルポートメモリでは、シリアル入
出力ポートを介してシリアルデータを入力又は出力しな
がら、ランダムアクセスポートを介してデータの加工が
可能である。しかし、このデュアルポートメモリを画像
メモリとして使用する場合、例えば、テレビ画像をメモ
リに取込んでそれを加工しつつ、リアルタイムで画像デ
ータをCRTデイスプレィに出力することはできない。
これは、シリアルポートが1つであるためシリアル入出
力が同時に行えないことによる。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
シリアル入力とシリアル出力とを同時に行うことができ
るマルチポートメモリを提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明ではシリアル入力ポートとシリアル出力ポートと
を個別的G5有し、シリアル入力ポート側に第1のデー
タ保持手段と第1のデータ転送手段を設け、シリアル出
力ポート側に第2のデータ保持手段と第2のデータ転送
手段とを設けている。
第1のデータ保持手段は第1のタロツク信号に従って一
連のデータをシリアル入力ポートを介してシリアルに入
力し、これを保持する。第1のデータ転送手段は、この
第1のデータ保持手段に保持されたデータをデータ書込
み時にメモリセルに並列的に転送する。第2のデータ転
送手段は、前記メモリセルに記憶されている一連のデー
タをデータ読出し時に前記メモリセルの外部に並列的に
転送する。第2のデータ保持手段は、前記第2のデータ
転送手段を介して転送された一連のデータを保持し、こ
れを第2のクロック信号に従ってシリアル出力ポートを
介してシリアルに出力する。
[作用コ 本発明によれば、シリアル入力ポートとシリアル出力ポ
ートとを別々に設け、これらの各ボートから入出力され
るデータも夫々別個に設けられた第1.第2のデータ保
持手段に保持されるので、シリアルデータの入力と出力
とを同時に、且つ、非同期に行うことができる。従って
、本発明を画像メモリに応用した場合、画像データの入
力及び加工と、画像データの出力とを同時に行うことが
でき、画像データの取込みと表示とが連結してよどみな
く行える。
[実施例] 以下、添付の図面を参照して本発明の実施例について具
体的に説明する。
第1図は本発明の実施例に係るマルチボートメモリのブ
ロック図である。なお、この第1図において第5図と同
一物には同一符号を付して詳しい説明は省略する。
このマルチボートメモリは3つのボート、即ち、ランダ
ムアクセスポート11と、シリアル入力ポート31と、
シリアル出力ポート32とを夫々側々に備えている。シ
リアル入力データ5DAIは、シリアル入力ポート31
、シリアルデータ入力バッファ33、シフタ34及びト
ランスファゲート35を介してメモリセルアレイ14に
書込まれる。
また、シリアル出力データ5DAOは、メモリセルアレ
イ14から読出され、トランスファゲート36、シフタ
37、シリアルデータ出力バッファ38及びシリアル出
力ポート32を介してシリアルに出力される。
シフタ34は第1のデータ保持手段であり、ロウデコー
ダ20により選択されたワード線に運なる一連のデータ
を保持し得る容量を持ち、第1のクロック信号であるシ
リアル入力コントロールクロックSCIに従って、シリ
アル入力データ5DAIをシフトインし保持する。
トランスファゲート35は書込み動作時にシフタ34に
保持されたデータをメモリセルアレイ14に転送する第
1のデータ転送手段となるものである。トランスファゲ
ート36は、ロウデコーダ20により選択されたワード
線に連なる一連のデータを読込み動作時にシフタ37に
並列的に転送する第2のデータ転送手段となるものであ
る。また、シフタ37は、第2のデータ保持手段であり
、トランスファゲート36を介して転送されたデータを
第2クロツク信号であるシリアル出力コントロールクロ
ックSCOに従ってシフトアウトする。
なお、タイミング発生回路39は、RAS、σ■S、D
T、WEの各信号に基いて入力データの転送に係わるT
GI、出力データの転送に係わるTGo等の各種制御信
号を出力する。また、リフレッシュカウンタ40はメモ
リセルアレイ14のリフレッシュ時のアドレスを連続的
に供給するものである。
次に、以上のように構成された本実施例に係るマルチボ
ートメモリにおけるシリアル入出力時の動作を第2図を
用いて説明する。いま、時刻t3においてRASが下降
すると、タイミング発生回路39はDTがロウレベル、
WEがハイレベルなので、リードデータ転送サイクルと
判断してメモリ内の各ブロックの制御信号を発生する。
即ち、先ずSAを発生させ、続いてTGOを発生させる
これにより、シフタ37にロウデコーダ20で選択され
たワード線に連なるデータが読出される。
次に、シフタ37はSCO信号に同期して内部のデータ
をシリアルデータ出力バッファ38及びシリアル出力ボ
ート32経出で外部にシフトアウトする。
シリアル入力時には、外部からのシリアル入力データは
SCI信号に同期して順次シリアル入力ボート31及び
シリアルデータ入力バッファ33経由でシフタ34にラ
ッチされていく。その後、時刻t4においてRASが下
降すると、タイミング発生回路39は、r了、薄1が共
にロウレベルなのでライトデータ転送サイクルと判断し
てメモリ内部の各ブロックの制御信号を発生する。即ち
、先ず、TGIを発生させ続いてSAを発生させる。
これにより、シフタ34に保持されたデータはメモリセ
ルアレイ14のロウデコーダ20で選択したワード線に
連なるセルに書込まれ、センスアンプ22によりリスト
アされる。
以上の如く、本実施例によれば、シリアル入力ポート3
1と出力ポート32とが全く独立しているので、SCO
信号とSCI信号とは全く非同期でもよく、シリアル入
出力を同時に行うことができる。
第3図は本発明の他の実施例に係るマルチポートメモリ
のブロック図である。この実施例は第2のデータ保持手
段を、先の実施例におけるシフタ37の代わりに、デー
タレジスタ41、セレクタ42及びアドレスカウンタ4
3に置きかえたものである。データレジスタ41は1ワ
ード線上に並ぶ複数のメモリセルと1対1に対応してメ
モリセルのデータを保持できる回路である。アドレスカ
ウンタ43はアドレスバッファ19を介して所定のカラ
ムアドレスを入力し、これをデータレジスタ41の初期
出力位置として、セレクタ42に与え、以後順次アドレ
スをカウントしていく。セレクタ42はアドレスカウン
タ43から与えられる読出しアドレスを受けてデータレ
ジスタ41内の1つのデータを選択する。この実施例に
おけるデータ転送とシリアル出力の動作を第4図のタイ
ミング図を用いて説明する。
時刻t5において、RASが下降すると、アドレスバッ
ファ1つはロウアドレスを取込む。この時刻t5では、
制御手段(図示せず)により、BT力(ロウレベル、W
Eがハイレベルに設定され、リードデータ転送サイクル
に移行する。アドレスバッファ19は、外部TTLレベ
ルのもつデータ入力信号を内部のMOSレベルに変換し
、ロウデコーダ20へと伝達する。ロウデコーダ20は
内部のMOSレベルに変換されたアドレスデータを受け
て唯一のワード線をメモリセルアレイ14中から選択す
る。更に、センスアンプ22はタイミング発生回路3つ
からの制御信号SAを受けて微少信号を増幅する。
トランスファゲート36はゲートをオンして選択された
一本のワード線上のデータをデータレジスタ41に転送
する。時刻t6においてCAS信号が下降すると、アド
レスバッファ1つはカラムアドレスを取込む。同様にア
ドレスバッファ19はTTLレベルのカラムアドレス信
号を内部MOSレベルに変換し、アドレスカウンタ43
へと伝達する。
アドレスカウンタ43にイ云達されたカラムアドレスデ
ータは、セレクタ42を介してシリアルアクセスを開始
する位置を設定する。アドレスカウンタ43及びセレク
タ42はデータレジスタ41に転送されたデータの読出
し位置をSCO信号に同期して順次更新する。これによ
り、データレジスタ41からは、データがシリアルデー
タ出力バッファ38及びシリアル出力ポート32経由で
外部にシフトアウトされる。
この実施例では、シフタ37をアドレスカウンタ43、
データレジスタ41及びセレクタ42に置きかえたため
、任意のアドレスからシリアル出力を始められるという
利点がある。
なお、上記実施例ではシフタを唯一のレジスタ構成とし
て説明したがシフタを2分割としたスプリットレジスタ
構成又はもう1つのレジスタを追加し、ダブルバッファ
レジスタ構成としても本発明の要旨は基本的には何ら変
わらない。
[発明の効果コ 以上説明したように、本発明はシリアル入力ポートとシ
リアル出力ポートとを分離し、且つ、独立して動作し得
る構成としたことにより、シリアル入力しながらシリア
ル出力ができ、また、シリアル入力されたデータを加工
してシリアル出力をリアルタイムで行うことができると
いう効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に係るマルチボートメモリのブ
ロック図、第2図は同メモリにおけるシリアル入出力と
リードデータ転送及びライトデータ転送のタイミング図
、第3図は本発明の他の実施例に係るマルチポートメモ
リのブロック図、第4図は同メモリにおけるシリアル入
出力とり−ドデータ転送及びライトデータ転送のタイミ
ング図、第5図はシリアル入出力ポートを有する従来の
デュアルポートメモリのブロック図、第6図は同メモリ
におけるリードデータ転送とシリアル出力時のタイミン
グ図、第7図は同メモリにおけるシリアル入力時とライ
トデータ転送のタイミング図である。 11;ランダムアクセスポート、12;データ人出力バ
ッファ、13;カラムデコーダ、14;メモリセルアレ
イ、15;シリアル入出力ボート、16;シリアルデー
タ入出力バッファ、17,34.37;シフタ、18.
35,36.トランスファゲート、19;アドレスバッ
ファ、20;ロウデコーダ、21,39;タイミング発
生回路、22;センスアンプ、40;リフレッシュカウ
ンタ、41;データレジスタ、42;セレクタ、43;
アドレスカウンタ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ランダムアクセスポートと、シリアル入力ポート
    と、シリアル出力ポートとを夫々個別的に備えると共に
    、第1のクロック信号に従つて前記シリアル入力ポート
    を介して一連のデータをシリアル入力しこれを保持する
    第1のデータ保持手段と、この第1のデータ保持手段に
    保持されたデータをデータ書込み時に並列的にメモリセ
    ルに転送する第1のデータ転送手段と、前記メモリセル
    に記憶されている一連のデータをデータ読出し時に前記
    メモリセルの外部に並列的に転送する第2のデータ転送
    手段と、この第2のデータ転送手段を介して転送された
    一連のデータを保持し、第2のクロック信号に従って前
    記データを前記シリアル出力ポートを介して出力する第
    2のデータ保持手段とを具備したことを特徴とするマル
    チポートメモリ。
JP63052213A 1988-03-04 1988-03-04 マルチポートメモリ Pending JPH01224993A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0460904A2 (en) * 1990-06-06 1991-12-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image memory device

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69023395T2 (de) * 1989-06-14 1996-05-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Arbitrierungsschaltung.
JP3061060B2 (ja) * 1989-09-05 2000-07-10 株式会社東芝 マルチポートメモリ
US5157775A (en) * 1989-12-15 1992-10-20 Eastman Kodak Company Dual port, dual speed image memory access arrangement
JP2880547B2 (ja) * 1990-01-19 1999-04-12 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
JPH03224197A (ja) * 1990-01-30 1991-10-03 Toshiba Corp 多ポートram及び情報処理装置
JPH04114289A (ja) * 1990-09-04 1992-04-15 Mitsubishi Electric Corp マイクロコンピュータ集積回路装置のデータ書換え回路
JP2596208B2 (ja) * 1990-10-19 1997-04-02 日本電気株式会社 メモリ装置
JPH04259983A (ja) * 1991-02-15 1992-09-16 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JP3158286B2 (ja) * 1991-04-30 2001-04-23 ソニー株式会社 マルチポートメモリ
US5355335A (en) * 1991-06-25 1994-10-11 Fujitsu Limited Semiconductor memory device having a plurality of writing and reading ports for decreasing hardware amount
US5297091A (en) * 1991-10-31 1994-03-22 International Business Machines Corporation Early row address strobe (RAS) precharge
US5260909A (en) * 1991-11-18 1993-11-09 Nec Electronics Incorporated Memory with phase locked serial input port
US5315388A (en) * 1991-11-19 1994-05-24 General Instrument Corporation Multiple serial access memory for use in feedback systems such as motion compensated television
US5299159A (en) * 1992-06-29 1994-03-29 Texas Instruments Incorporated Serial register stage arranged for connection with a single bitline
JP2871975B2 (ja) * 1992-09-29 1999-03-17 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 半導体メモリ装置
JPH06274528A (ja) * 1993-03-18 1994-09-30 Fujitsu Ltd ベクトル演算処理装置
KR940024597A (ko) * 1993-04-10 1994-11-18 김광호 듀얼포트 메모리장치의 시리얼데이타 입력장치.
JPH06309130A (ja) * 1993-04-21 1994-11-04 Fujitsu Ltd 表示装置
JPH0729376A (ja) * 1993-07-14 1995-01-31 Ricoh Co Ltd 半導体メモリ装置及びデータ読み書き方法
US5617367A (en) * 1993-09-01 1997-04-01 Micron Technology, Inc. Controlling synchronous serial access to a multiport memory
US5422998A (en) * 1993-11-15 1995-06-06 Margolin; Jed Video memory with flash fill
KR0127236B1 (ko) * 1994-05-17 1998-04-02 문정환 메모리 칩의 정보 이용 회로
US5473566A (en) * 1994-09-12 1995-12-05 Cirrus Logic, Inc. Memory architecture and devices, systems and methods utilizing the same
EP0782746B1 (de) * 1994-09-23 1998-06-10 Océ Printing Systems GmbH Speichereinrichtung und verfahren zum gleichzeitigen lesen und schreiben von daten
US5480477A (en) * 1995-06-02 1996-01-02 Surface Technology, Inc. Cobalt as a stabilizer in electroless plating formulations
US5644387A (en) * 1995-06-07 1997-07-01 Hughes Electronics High-speed data register for laser range finders
US5654932A (en) * 1995-10-04 1997-08-05 Cirrus Logic, Inc. Memory devices with selectable access type and methods using the same
US5687132A (en) * 1995-10-26 1997-11-11 Cirrus Logic, Inc. Multiple-bank memory architecture and systems and methods using the same
US5822768A (en) * 1996-01-11 1998-10-13 Opti Inc. Dual ported memory for a unified memory architecture
FR2748595B1 (fr) * 1996-05-10 1998-07-10 Sgs Thomson Microelectronics Memoire a acces parallele
US5815456A (en) * 1996-06-19 1998-09-29 Cirrus Logic, Inc. Multibank -- multiport memories and systems and methods using the same
US5844856A (en) * 1996-06-19 1998-12-01 Cirrus Logic, Inc. Dual port memories and systems and methods using the same
US6240038B1 (en) * 2000-02-21 2001-05-29 Hewlett Packard Company Low area impact technique for doubling the write data bandwidth of a memory array
JP3494142B2 (ja) * 2000-10-04 2004-02-03 日本電気株式会社 パケット通信用メモリ及びそれに用いるデータ書込み読出し方法
GB0103736D0 (en) * 2001-02-15 2001-04-04 Hewlett Packard Co Transmission controls on data communication such as E-mail
US7027348B2 (en) * 2004-08-17 2006-04-11 Silicon Storage Technology, Inc. Power efficient read circuit for a serial output memory device and method
US7983373B2 (en) * 2007-02-07 2011-07-19 Vintomie Networks B.V., Llc Clock distribution for 10GBase-T analog front end
US7948786B2 (en) * 2008-02-06 2011-05-24 Micron Technology, Inc. Rank select using a global select pin
TWI391900B (zh) * 2008-04-28 2013-04-01 Novatek Microelectronics Corp 用於低色偏液晶顯示器之資料驅動電路
US9058896B2 (en) * 2012-08-29 2015-06-16 International Business Machines Corporation DRAM refresh
US9311977B2 (en) * 2014-08-27 2016-04-12 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte Ltd Event controlled decoding circuit
CN111429957B (zh) * 2019-06-19 2022-03-22 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种静态随机存取存储器

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4689741A (en) * 1983-12-30 1987-08-25 Texas Instruments Incorporated Video system having a dual-port memory with inhibited random access during transfer cycles

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0460904A2 (en) * 1990-06-06 1991-12-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image memory device
EP0460904B1 (en) * 1990-06-06 1997-05-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image memory device

Also Published As

Publication number Publication date
US4987559A (en) 1991-01-22

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